當所有人都在盯著GPU、HBM和光刻機時，一塊指甲蓋大小、比手機還薄的陶瓷片，正悄悄卡住全球AI算力的電力咽喉。

核心觀點：當全世界的目光都黏在GPU、HBM和光刻機時，一塊指甲蓋大小、比手機還薄的陶瓷片，正悄悄卡住全球AI算力的電力咽喉——它是SiC功率模組的"隱形底座"，海外三巨頭捏著命門，而國產替代正從"送樣"跨向"穩定量產"。

把一顆碳化矽（SiC）功率晶片封裝成能扛住上千伏、數百安培的功率模組，中間必須有一塊"底板"——這就是陶瓷基板。它一面覆著銅箔、一面貼著散熱面，既要絕緣，又要像高速公路一樣把晶片的熱量瞬間導走。

主流工藝有三條路線：DBC（直接鍵合銅，便宜，用在氧化鋁陶瓷上）、AMB（活性金屬釺焊，主打氮化矽陶瓷，面向高可靠SiC模組）、DPC（薄膜電鍍，線路精度高，多用於AI光模組精密基板）。其中，AMB氮化矽基板是當下車規級SiC功率模組和高端工業變流器的絕對主流。

一句話：如果說SiC晶片是功率模組的"心臟"，陶瓷基板就是托住心臟、還能散熱的"隱形底座"。

過去用DBC氧化鋁基板湊合，是因為電壓等級低、熱流密度小。但兩件事把這條老路逼到了牆角：

第一，800V高壓平台。電動車主驅、AI資料中心都在沖800V甚至更高。氧化鋁導熱率只有氮化矽的三分之一，抗彎強度也差一大截，在SiC高頻開關和劇烈冷熱循環下，銅-瓷介面很容易開裂。車規級模組要扛上萬次溫度衝擊，氧化鋁根本頂不住——450V/600V用DBC還湊合，800V及以上，氮化矽AMB幾乎是必選項。

第二，AI算力把電牆推到了極限。英飛凌給出路線圖：AI機架功率三年三級跳——200kW→500kW→1000kW；台達、Flex的電源機架方案，僅2026年就要吃掉全球1200V SiC MOSFET產能的5%–8%。更關鍵的是，瓶頸已經從SiC襯底轉移到了先進封裝：銀燒結Die Attach裝置交付不過來，而高級氮化矽陶瓷基板全球只有東芝材料（Toshiba Materials）、電化（Denka）、羅杰斯（Rogers）三家能達到車規與資料中心級質量。die你能買到，但把它"裝成可靠模組"的材料卡住了。

：輝達、Google率先匯入800V HVDC供電架構，TrendForce預計2026年三季度首批出貨；Yole直言"功率SiC已進入AI時代"。開元證券甚至估算，到2030年近一半的SiC需求可能來自AI基礎設施。

：搭載SiC的車載主驅逆變器可提升續航5%–10%、支援超快充；比亞迪海豹、蔚來ET9等多款車型已量產搭載氮化矽AMB基板封裝方案，實測主驅熱失效機率從12%降到0.3%。

：大功率裝置迭代，氮化矽基板增量需求持續釋放。

市場體量：2026年全球氮化矽陶瓷基板約19億美元，2032年增至37.1億美元（CAGR 11.55%）；其中國內AMB氮化矽基板市場2026年約50.5億元人民幣，2032年有望達125.4億元，六年規模翻倍。

高端市場長期由日本和德國主導：京瓷（Kyocera）、NGK、電化（Denka）、丸和（Maruwa）把控氮化矽高端基板，羅杰斯（Rogers）、賀利氏（Heraeus）佔據活性金屬釺焊與車規級市場。

更上游的卡點——高純氮化鋁、氮化矽粉體——長期由日本德山（Tokuyama）等企業主導。海外產能優先保本土客戶，國內廠商拿貨難、交期長：高端AMB產品交期普遍20周以上，部分緊缺型號超過半年。

這恰恰給了國產替代一個窗口：當下游功率廠主動把供應鏈本土化，誰能穩定量產、保良率、保交付，誰就能吃下這個缺口。

五、國產替代：從"送樣"到"量產"

中國廠商的追趕速度驚人。一組資料：

截至2026年5月，國內AMB基板產能佔比已升至38%，良率突破85%，交付周期縮短到兩周以內；

（富樂德301297子公司）：國內功率陶瓷基板龍頭，氮化矽AMB穩定批次量產，全球市佔約25%，價格比海外低30%–40%，自研高純氮化矽粉體，已進入多家頭部功率廠供應鏈；

（603936）：稀缺具備AMB、DPC陶瓷襯板全工藝量產能力，65W氮化矽AMB襯板已量產並批次供給車載電子客戶；

（300408）、中瓷電子（003031）：陶瓷材料與金屬化工藝積累深厚；

（300316）：2025年12月首條氮化矽陶瓷基板產線通線量產；

（300666，江豐同芯）：佈局DBC、AMB覆銅陶瓷基板，依託靶材積累做金屬化介面；

：氮化矽粉體全球份額約20%，牽頭制定國家標準。

工信部2025年發佈AMB基板行業標準、2026年3月正式實施，從"能造"到"造得穩"有了硬標尺。

陶瓷基板不是一顆會發光的明星，卻是AI電力、電動車、儲能三股浪潮共同的"賣水人"。當SiC因AI資料中心重獲增長周期，被它托住的氮化矽AMB基板，正從"國產替代"敘事升級為"訂單驅動"敘事。

短期看，海外三巨頭的高端產能缺口 + 國內良率突破85%，是這條賽道最確定的連按兩下邏輯；中期看，超薄化（0.25mm及以下）、熱導率向120–150 W/(m·K)突破、AMB全面替代DBC，是技術演進的主線。

對投資者而言，真正值得盯的，不是"誰在畫餅送樣"，而是"誰已經穩定量產、進了頭部模組廠供應鏈、還能向上游粉體延鏈"的少數幾家。這塊比手機還薄的陶瓷片，可能正是下一輪半導體材料行情裡，最被低估的隱形冠軍。(生財佑道)

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陶瓷基板：SiC的隱形底座