最近，韓國政府正式啟動“超級創新經濟項目”，計畫投入5000億韓元（約合22.3億元人民幣）國家資金專項攻關下一代功率半導體技術。首爾經濟日報報導稱，韓國正將功率半導體定位為堪比儲存晶片的核心戰略產業。

同時，功率半導體市場又掀起了新一輪漲價潮。英飛凌、意法半導體、德州儀器等國際頭部大廠先後發佈漲價函，計畫在2026年分階段對旗下部分功率半導體產品實施價格上調。

韓國功率半導體戰略：雄心勃勃的追趕之路

2026年6月14日，韓國副總理兼經濟財政部長官具允哲在緊急經濟指揮部會議上正式敲定“超級創新經濟項目”細則。這一項目的核心目標，是啟動大規模的下一代功率半導體研發。具允哲明確表示：“結構改革和超級創新經濟項目也將正式推進，挖掘第二、第三個半導體等未來增長動力。”

下一代功率半導體主要指碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物材料，與現有的矽（Si）基半導體相比，在高溫、高壓和高頻環境下具有更優異的性能。

從時間表來看，韓國政府已經制定了清晰的路線圖：

2026年，被定為向8英吋晶片量產過渡的“黃金時期”，重點進行基礎設施建設準備工作。

2027年，開始量產關鍵部件，例如1.2kV級SiC MOSFET。

2030年，將功率半導體的技術自主率和國產化率提高一倍。

為什麼韓國如此急切的重金押注功率半導體？

第一，建構本土化供應鏈安全體系。目前，韓國國內依賴進口來滿足其90%至95%的功率半導體需求。一位來自韓國的業內人士表示：“全球功率半導體領域的競爭對手已經進入成熟階段，中國企業在關鍵技術領域已經大幅趕上，但韓國卻嚴重缺乏可用的功率半導體晶片。”

第二，搶佔下一代功率半導體發展先機。以SiC和GaN為代表的第三代半導體仍處於產業發展早期，技術路線尚未完全收斂，市場格局未定。

第三，支撐新能源汽車和AI產業。功率半導體是新能源汽車和AI基礎設施的核心器件。韓國在電動汽車領域有現代、起亞等整車企業，在AI領域也在積極佈局。通過發展本土功率半導體產業，韓國可以更好地支撐下游應用產業的發展，形成產業鏈協同效應。

在資金投入方面，韓國此番出手頗為慷慨。5000億韓元的國家資金，若加上民間配套資金，總規模可達7500億韓元（約合4.94億美元）。韓國政府計畫本月內最終確定下一代功率半導體的商業化技術路線圖，並要求產業鏈企業參與從材料、器件、模組到系統演示的全周期開發過程，進行“全鏈條覆蓋”的開發模式。

從6英吋到8英吋的跨越是此次攻關的核心任務之一。目前，功率半導體晶圓主要採用6英吋技術，而8英吋晶圓的量產將顯著提高產量並降低單位成本。韓國政府已將完成8英吋公共晶圓廠基礎設施建設作為重點任務，以加快向私營代工廠的技術轉移。

在產業鏈組織模式上，韓國此次採用了創新的“需求驅動型研發模式”。與傳統的以供應商為中心的研發體系不同，韓國引入了由“需求方企業”（即產品的實際使用者）直接參與規劃並承擔商業化責任的方法。這一模式借鑑了“K-On-Device AI半導體技術開發項目”的成功經驗，將無晶圓廠和代工廠組成聯盟進行協同開發。這一模式的關鍵特點在於，它顯著降低了已開發技術被工業界忽視的可能，因為技術的需求方從一開始就深度介入研發過程，商業化路徑更加清晰。

當前AI需求旺盛的情況下，大語言模型的訓練需求正在推動AI基礎設施投資呈指數級增長。輝達每一代AI晶片的功耗都在大幅攀升，H100單卡功耗大約700瓦，到最新一代GB300已經達到約1400瓦，GB200 NVL72伺服器架構功率甚至高達120千瓦。

根據國際能源署（IEA）的資料，到2030年，全球資料中心的電力需求預計將比2024年增長一倍以上，達到945太瓦時（TWh）。這將超過韓國約600太瓦時的年用電量。在美國，作為全球主要科技公司集中地，預計到2030年，資料中心的電力需求將佔到美國總用電量的一半。

功率半導體正是解決這一問題的關鍵。功率半導體是電力系統的“守門人”，負責電能的轉換、控制與管理。在資料中心，功率半導體應用於從電網到伺服器電源的各個環節。

工銀瑞信基金分析道，隨著AI資料中心密集部署，800V高壓直流輸電（HVDC）、固態變壓器（SST）、AI伺服器電源等應用對高端中低壓MOSFET及第三代半導體（SiC/GaN）的需求加速落地。

英飛凌發佈了全新的AI資料中心電源單元（PSU）路線圖，專門針對高功耗AI晶片設計，整合了矽、碳化矽和氮化鎵三種功率半導體技術，提供3至12千瓦的功率輸出。其8千瓦PSU參考設計能效達97.5%，功率密度是市面3千瓦產品的3倍。英飛凌也精簡地概括稱：沒有電力，就沒有AI。這家歐洲半導體巨頭的路線圖，某種程度上代表了行業對AI電力挑戰的共識回答。

但供給方面卻相對有限。根據TrendForce集邦諮詢統計，2025年下半年以來，台積電和三星兩大廠減產八英吋產能，加上AI伺服器/通用型伺服器以及邊緣AI等對電源管理、功率器件的需求持續成長，2026年全球前十大晶圓代工廠商的平均八英吋產能利用率已回升至近90%，較2025年的近80%明顯改善，且相關代工廠均已成功向客戶傳導漲價壓力。

台灣地區功率半導體廠德微科技董事長張恩傑表示，隨著AI世代來臨，功率半導體已從過去配角轉變為不可或缺的主角，目前訂單能見度已滿至明年底，且隨產品組合最佳化，毛利率不僅穩守40%大關，明年目標向上挑戰48%新高。

今年以來功率半導體出現二次上調價格的情況。

2026年初，英飛凌向客戶發佈漲價函，宣佈計畫對旗下部分功率半導體產品實施價格調整，調整於2026年4月1日起生效。漲價原因是“功率開關與相關晶片供給持續吃緊，以及原材料與基礎設施成本攀升”。

國內廠商同步跟進。自2月以來，華潤微、士蘭微、新潔能、捷捷微電、富滿微等國內功率半導體企業也相繼啟動了漲價，涉及產品集中在MOSFET器件和IGBT，調整幅度普遍在10%至20%之間。華潤微指出，本輪漲價不僅是成本推動，根本原因在於市場景氣度支撐。

僅僅數月之後，英飛凌再次發佈漲價函，宣佈將在2026年7月1日實施新一輪價格調整，涉及產品範圍涵蓋多種功率開關器件，漲價幅度在5%至15%之間。緊隨其後，意法半導體也公佈了類似的漲價計畫。該公司預計在2026年6月28日實施價格調整。此外，德州儀器等國際頭部大廠也先後提到了新一輪漲價意向。

這種“連續漲價”的模式在功率半導體行業並不常見。以往，功率半導體市場雖然也有周期性波動，但像這樣短期內兩度漲價的情況，還是少數。

從全球的競爭格局來看，歐美陣營以英飛凌、意法半導體、安森美為代表，在功率半導體領域擁有深厚的技術積累和完整的產品線。英飛凌是全球最大的功率半導體廠商，其在汽車和工業市場的地位難以撼動。

今年一季度，安森美單季營收達到15.13億美元，同比增長5%，其中AI資料中心相關業務環比增長30%，同比增長超過100%。更重要的是，公司管理層給出了明確指引：預計2026年全年AI資料中心業務將貢獻約5億美元營收。

安森美CEO哈桑·埃爾-庫裡（Hassane El-Khoury）在業績電話會上表示：“我們的AI資料中心業務加速增長，受益於多家晶片平台及領先的超大規模雲服務商在電源系統各環節的更廣泛採用。”隨著AI大模型訓練和推理對算力需求持續攀升，機架功率密度從當前的120千瓦向600千瓦甚至1兆瓦演進，對高效電源管理半導體的需求正急劇膨脹。安森美將AI資料中心視為未來三年最重要的增長引擎。公司已在韓國富川（Bucheon）基地大幅擴產SiC，並計畫在2026-2027年將SiC晶圓自供率從目前的約50%提升至更高水平。

英飛凌認為，AI帶來的功率半導體增量主要來自三個層面：配電層、功率轉換層、晶片供電層。公司在2026年推出的最新一代SiC MOSFET（CoolSiC G3）已獲得多家雲服務商認證，用於AI伺服器的電源架構。

意法半導體在今年6月宣佈再度上調2026年度資料中心業務營收目標，由原先的5億美元翻倍至10億美元。意法半導體在資料中心領域的業務主要圍繞三大部分展開：用於AI伺服器電源管理的功率半導體（包括先進的800伏電源架構）、光網路所需的光子積體電路（PIC） ，以及智能基礎設施管理所需的微控製器與模擬晶片。2026年初，ST宣佈與雷諾集團（Renault Group）達成戰略合作，將為雷諾新一代電動汽車平台提供完整的功率半導體解決方案，涵蓋SiC主逆變器、GaN車載充電器（OBC）以及相關的驅動IC。

功率半導體一直是日本廠商的傳統強項。之前，日本政府也在積極推動功率半導體，發佈了關於發展半導體的增長戰略草案，旨在到2030年前將日本企業在全球功率半導體的市佔由目前20%左右提高至40%。不過，近年來日本功率半導體市佔率逐步下滑，全球功率半導體市場TOP10榜單中，日本廠商僅剩三席，因此，今年羅姆、東芝、三菱電機圍繞功率半導體相關業務簽署備忘錄，啟動業務與經營整合討論。如果交易達成，合併後新實體的全球市場份額將達到約10%，從而形成一個全球第二大聯盟，僅次於英飛凌。日本希望把自己在功率半導體上的優勢資源重新組織起來。

中國陣營中，比亞迪半導體在車規IGBT和SiC領域持續突破，已成功打入全球前十；斯達半導在工業和新能源汽車領域快速擴張；中車時代依託軌道交通的深厚積累，在高壓功率半導體領域獨具優勢。天岳先進已與全球前十大功率半導體器件製造商中一半以上建立合作關係。

中國中車此前在投資者互動平台表示，在功率半導體領域，公司建有6英吋雙極器件、8英吋IGBT和6英吋碳化矽的產業化基地，擁有晶片、模組、元件及應用的全套自主技術。

國電南瑞在投資者互動平台表示，高壓IGBT器件方面，公司成功研發3300V、4500V系列IGBT產品，在廈門柔直、張北延慶等國內柔直工程項目實現掛網應用。中低壓IGBT器件方面，自研1200V、1700V系列IGBT產品在多家客戶完成新品匯入測試，在超過80家客戶實現批次應用。公司功率半導體聚焦服務新型電力系統建設，市場前景廣闊。

目前，中國SiC產業正在向8英吋時代邁進。三安光電在8英吋SiC（碳化矽）領域已形成“湖南+重慶”雙基地佈局，重慶產線產品將獨家供應意法半導體，廣泛應用於新能源汽車、工業電源、儲能等高端領域。

在GaN領域，中國的產業化進度相對更快。英諾賽科是輝達800V系統供應商名單中唯一的中國本土企業，近期已成功供貨Google，其8英吋氮化鎵晶圓產線月產能已從1.3萬片提升至2萬片。

全球AI基建比拚，正拉動越來越多晶片品類量價齊升。功率晶片廠商已形成明確共識：在汽車市場穩健復甦的同時，資料中心業務正成為新的戰略高地和業績增長引擎。在AI資料中心和新能源市場雙重驅動下，功率半導體行業正進入新一輪上行周期。

功率半導體的成長主線將從“車規故事”轉向“AI故事”。(半導體產業縱橫)

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