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全球第一！中國國產第三代半導體廠商被專利圍剿，何去何從？
根據中國貿易救濟資訊，英飛凌根據《美國1930年關稅法》第337節規定於7月26日向美國際貿易委員會（ITC）提出申請，指控中國氮化鎵（GaN）晶片廠商英諾賽科及其子公司對美出口、在美進口及銷售的特定半導體器件及其下游產品侵犯了其專利，違反了美國337條款。
此消息一經曝光，將中國國產半導體廠商英諾賽科推上風口浪尖；那具體是怎麼回事呢？英諾賽科將何去何從？
一、英飛凌起訴英諾賽科由來已久
我們知道英飛凌是全球半導體巨頭之一，總部位於德國，尤其在汽車以及工業功率半導體領域佔據重要地位。而英諾賽科是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的中國國產半導體企業，其是全球功率半導體的領導者，全球最大的氮化鎵晶片製造企業；也是全球首家實現量產8英吋矽基氮化鎵晶圓的公司。
雙方主要爭議的焦點主要在於氮化鎵（ GaN）相關專利技術，之前已經多次交鋒；具體如下：
2024年3月14日，英飛凌就英諾賽科侵犯英飛凌的一項與 GaN 相關的美國專利向美國加利福尼亞北區地方法院提起了初始訴訟，尋求永久禁令；
2024年6月4日，英飛凌向德國慕尼黑地方法院對英諾賽科提起相應訴訟；
2024年6月12日，德國慕尼黑地方法院發佈一項初步禁令（法院指令），要求英諾賽科在 PCIM Europe 展位上移除與侵權案涉及專利有關的所有產品；
2024年7月23日，英飛凌向美國加州北區地方法院追加訴訟請求；
2024年7月26日，英飛凌向美國國際貿易委員會（USITC）起訴，就加州訴訟所涉的四項專利提出法律索賠。
針對英飛凌的一系列指控，英諾賽科8月3日進行了公開的回應，其認為：英飛凌的相關指控缺乏依據，其涉案專利不具備有效性，因此，相關訴訟不會對英諾賽科的現有產品銷售和正常經營產生影響。
從以上消息可知，英飛凌認為英諾賽科侵犯了其擁有的三項涉及氮化鎵技術的專利。據英飛凌說法，該專利權涵蓋了氮化鎵功率半導體的核心方面，這對英飛凌專有的“氮化鎵功率電晶體”的性能和可靠性的實現至關重要；英飛凌進一步提出，在德國、美國等國家禁售英諾賽科相關產品。但英諾賽科顯然不認可，乾脆利落回應：專利無效。
那為何英飛凌要如此的大動干戈呢？
二、氮化鎵，單車價值50美元以上
我們知道氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，是最具代表性的第三代半導體材料之一。
作為第三代半導體核心材料的氮化鎵，由於其具有更寬的禁頻寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優的抗輻照能力等特性，因而其也被廣泛用於射頻通訊、汽車電子、工業電力電子等，以及衛星、雷達等領域。
隨著近年氮化鎵在5G基站等通訊領域的廣泛使用，以及新能源汽車產業的蓬勃發展，氮化鎵正規模化的應用於車規級功率半導體；氮化鎵正快速形成氮化鎵襯底、相關器件設計及製造、以及下游應用的完整產業鏈。
特別值得一提的是，氮化鎵在新能源汽車領域的使用。
我們知道中國是全球最大的新能源汽車市場以及製造基地。根據中汽協資料，2023年，中國新能源車產銷突破900萬輛，市場佔有率超過30%，連續9年位居全球第一。
而隨著新能源汽車下半場智能化的到來，對於車規級半導體的應用規模也越來越大，其中車規級功率半導體的使用量也在顯著提升。而氮化鎵功率半導體主要用於電動汽車的動力總成系統，包括車載充電器OBC、DC-DC/DC-AC及BMS電池管理系統。根據Yole資料測算，預計2030年電動汽車單車氮化鎵GaN價值量有望達到50美元/輛。
同時根據Yole發佈的2028年全球氮化鎵功率半導體市場報告，其預測市場空間為20億美元（約140億人民幣），其中消費領域的空間為13億美元（約84億人民幣），汽車領域的空間為5億美元。
我們知道英飛凌是全球最大的車載功率半導體供應商，面對氮化鎵越來越大的蛋糕，英飛凌不淡定了；而這也回答了英飛凌為何要對英諾賽科動手了。那英諾賽科將何去何從呢？
三、英諾賽科，全球最大氮化鎵功率半導體廠商
英諾賽科2015年12月成立於蘇州，是一家致力於第三代半導體矽基氮化鎵研發與產業化的國產半導體廠商。
根據Frost & Sullivan公司的資料，2023年，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市場份額達33.7%；截至2023年底，其累計出貨量已經超過5億顆。也是全球首家實現量產8英吋矽基氮化鎵晶圓的公司，目前英諾賽科已經發展成為全球功率半導體革命的領導者，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的矽基氮化鎵半導體產品的公司。
近期英諾賽科準備在香港進行IPO，因此我們也得益一探其財務狀況。從公開資料來看，英諾賽科收入在翻倍增長，但利潤卻始終虧損，2021-2023年累計虧損高達67億元。
具體來說，2021-2023年，英諾賽科營收分別約6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，2022及2023年的增幅分別為99.7%、335.2%，復合年增長率為194.8%。而同期英諾賽科淨虧損分別為33.99億元、22.05億元以及11.02億元，雖然虧損縮小，但三年虧損合計仍高達67.07億元。
對於虧損資料較大，主要為兩個因素所致。其一，前期投入使用的工廠、建築物以及裝置及機械的數量不斷增加，折舊及攤銷以及工程維護成本不斷增加；其二，在於研發開支較大，2021-2023年期間，其研發開支分別為6.62億元、5.81億元及3.49億元，佔營收的比重分別為970.02%、426.73%、58.84%。
在高研發投入之下，截至2023年末，英諾賽科累計獲得213項專利，其中包括173項發明專利及40項實用新型專利，以及480項專利申請，涵蓋晶片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。
從英諾賽科財務、營運來看，在財務上連年虧損，營運壓力較大，如果港股IPO成功將有力的化解其財務壓力。
而對於，英飛凌最新的專利起訴，從專利佈局來看，英諾賽科本身在氮化鎵具有全球領先的技術能力。因此，在短期內不會造成大的影響；但如果英諾賽科港股IPO沒有成功，又需要面對英飛凌全球性的專利訴訟，對於英諾賽科而言，無論是訴訟的時間、精力，或是訴訟成本都將是一個挑戰。但從行業經驗來看，雙方或將達成和解，或是專利的交叉授權。 (飆叔科技洞察)