2024 年 7 月 8 日,氮化鎵(GaN)技術廠商宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下簡稱宜普公司)宣佈美國國際貿易委員會(U.S. International Trade Commission, ITC)最新確認其兩項關鍵專利有效,並且判定英諾賽科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.)和其子公司英諾賽科美國公司(Innoscience America, Inc.)(以下簡稱英諾賽科)侵犯了其中一項專利。
早在去年5月25日,宜普公司向美國聯邦法院和美國ITC提起訴訟,主張其基礎專利組合中的四項專利受到了英諾賽科及其子公司侵犯,這些專利涵蓋了宜普公司專有的增強型氮化鎵功率半導體器件的設計和大批次製造工藝的核心技術方面。
在提交的起訴狀中,宜普公司詳述了總部位於中國廣東的英諾賽科公司招募兩名宜普公司員工並擔任其首席技術官和銷售及市場主管的相關細節。 宜普公司指控兩人入職英諾賽科後不久,英諾賽科便推出了一套與宜普公司明顯相同的產品,英諾賽科還自稱其產品在關鍵性能指標上的表現與宜普公司產品幾乎相同。
隨後,英諾賽科又宣稱其許多產品與市場上現有產品(包括宜普公司的產品)“完全相容"。此外,英諾賽科還策劃了大膽而積極的行銷活動,向宜普公司的客戶推銷其產品套件。