也就是說，中國儲存晶片廠商的崛起把三星的利潤打下來了。綜合各方消息，飆叔認為國產儲存晶片的轉折點要到了，為何這麼說呢？
一、16.1%，長鑫儲存即將擠進前三
根據韓國半導體行業資訊，中國最大的儲存晶片公司長鑫儲存2025年第四季度晶圓產能份額預測為16.1%，較今年第四季度增長6個百分點。
同時，自2020年以來，長鑫儲存的DRAM產能就在高速增長。根據野村證券的資料，長鑫儲存2022年時才7萬片晶圓每月，但2023年時達到12萬片，今年年底將增至20萬片，明年將增至30萬片，接近50%的增長率。
而從全球的市場份額來看，2024年一季度時，長鑫代表的中國DRAM份額才10.1%左右，但已經是全球第四名了，前三名分別是三星電子、SK海力士、美光。
可以預見的是，長鑫的產能還會繼續高速擴充，到2025年末時，有望達到16.1%左右的份額，而美國美光則會降至17.1%。也就是說，長鑫儲存即將追上全球排名第三的美國美光17.1%的市場份額；這也意味著長鑫儲存將打破三星電子、SK海力士和美光壟斷全球儲存晶片市場的格局。
二、長鑫儲存技術追上主流
在HBM儲存晶片上，據內部消息長鑫儲存已經取得決定性的突破，但由於官方沒有公開，暫時無法透露更多細節。
長鑫儲存今年早些時候宣佈開發採用全環繞柵極（GAA）設計的下一代3納米級DRAM。三星電子是唯一一家將GAA商業化的公司，該技術被認為是克服電晶體性能下降的“遊戲規則改變者”。
另外，根據10月28日，韓國媒體《文化日報》評估認為：韓國和中國的NAND技術差距為2年，比DRAM（5年）更具威脅性。與此同時，儲存晶片廠商在半導體裝置方面也正加快國產化處理程序。
三、長江儲存裝置基本實現國產化
我們半導體裝置是晶片生產過程中不可或缺的存在，半導體裝置基本被美、荷蘭、韓、日等少數幾個國家壟斷，也是國產晶片被“卡脖子”最厲害的環節。
根據10月8日，韓國媒體《北韓日報》消息：中國儲存半導體公司長江儲存利用本國企業的半導體裝置，正在快速追趕三星電子、SK海力士等頂尖企業的NAND快閃記憶體技術。
另根據分析機構TechInsights的消息：“長江儲存仍需使用ASML、Lam Research等海外公司的部分產品，但國產裝置佔很大一部分。”
同時，長江儲存自有的“X-Stacking 4.0”技術，通過堆疊NAND快閃記憶體來提高容量和性能，已經達到了可以與業界最好的公司競爭的水平。
因此，隨著國產半導體產業的不斷成長，以及國產儲存晶片廠商的不斷進步，在技術水平上正在一步步逼近全球先進水平；也正在逐步蠶食三星、SK海力士等韓系廠商儲存晶片的市場。同時，由於國產半導體裝置技術能力的提升，除極個別先進光刻裝置，如ASML光刻機之外，國產半導體裝置已基本可以滿足國產儲存晶片廠商的需求；這意味著，從技術、市場以及裝置上，國產儲存晶片正在迎來轉折時刻。 (飆叔科技洞察)