產業破局！中國國產光刻機28nm實現90%國產化，實現出口50台！

前日分享了國產半導體裝置最新國產化率的情況，對於國產刻蝕機推進到3nm大家群情激奮；詳見：半導體裝置國產化率13.6%，刻蝕推進到3nm，大多至14nm、7nm！但有不少網友問飆叔國產光刻機的具體進展，因而今天聊聊2024年國產光刻機及其上下游的情況。

在全球半導體產業競爭日益激烈的背景下，光刻機作為晶片製造的核心裝置，長期被荷蘭ASML、日本尼康等企業壟斷。近年來，中國在光刻機領域持續突破技術壁壘，2024年更成為國產化處理程序的關鍵轉折點。從65nm ArF光刻機到90nm國產化裝置量產，中國正逐步打破西方技術封鎖，重塑半導體產業鏈格局。

一、從65nm到90nm的國產化跨越

2024年9月9日，工信部發佈的《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》顯示，中國的氟化氬光刻機，光源193納米，解析度≤65nm，套刻≤8nm。這一成果意味著中國在光刻機技術上取得了顯著進步，雖然不能直接理解為可以製造8nm晶片，但該光刻機通過多重曝光技術理論上能支援更先進製程晶片的製造，如14nm或7nm晶片。

這意味著中國首次在高端光刻機領域實現自主技術突破，挑戰ASML在浸沒式光刻機（如NXT:2000i）的壟斷地位。有助於形成完整的產業生態，幫助中國半導體行業在全球科技競爭中贏更多話語得權和市場份額。

與此同時，上海微電子（SMEE）宣佈成功研製出90納米光刻機，關鍵部件（光源、光學系統、雙工件台）實現100%國產化，售價約4.5億元人民幣，較進口同類裝置低40%（SMEE公告，2024）。

該裝置已進入量產階段，計畫2025年量產100台，並獲長江儲存、合肥長鑫等5家企業超50台訂單。此舉標誌著中國在前道光刻機領域邁出實質性一步，為成熟製程晶片的自主可控奠定基礎。

二、28nm，實現90%國產可控

光刻機的國產化不僅是單一裝置的成功，更是整個產業鏈協同攻堅的成果。據中國半導體行業協會統計，2024年國產光刻機零部件自主化率已提升至70%以上（CSIA，2024）。

同時，根據產業鏈消息表示，國產28納米光刻機也將在實現90%零部件自主可控基礎上量產。在光刻機產業鏈中核心環節，如光學系統、光源、精密機械等領域獲得顯著進展。具體如下：

• 光源系統：科益虹源的ArF光源實現穩定輸出功率60W，接近ASML的80W水平（《中國雷射》期刊，2024）。
• 光學鏡頭：長春光機所研製的物鏡系統數值孔徑（NA）達0.75，可滿足65nm光刻需求（長春光機所年報，2024）。
• 雙工件台：華卓精科的雙工件台定位精度達1.7nm，較2022年提升30%（華卓精科技術白皮書，2024）。

此外，國產光刻膠、掩膜版等配套材料同步突破。南大光電的ArF光刻膠通過中芯國際驗證，可支援28nm製程（南大光電公告，2024）；清溢光電的掩膜版良率提升至90%，打破美國Photronics壟斷（清溢光電財報，2024）。

這意味著，在光刻機配套上下游企業的密切配合之下，國產光刻機產業鏈正全面突圍，初步形成國產“光刻機-材料-製造”的閉環生態。

三、國產替代正在加速

國產光刻機的突破直接推動半導體製造國產化處理程序，最為直接的體現就是國產晶圓代工廠商裝置國產化率的快速提升。

如根據2024年中芯國際投資者會議透露，2024年中芯國際宣佈其28nm產能國產裝置佔比超50%，90nm產線國產化率已達80%。同時，根據2024年長江儲存技術峰會透露，長江儲存2024年利用國產光刻機將3D NAND層數提升至232層，良率突破90%。

另外令人欣喜的是，國產光刻機不僅站穩國內市場，而且逐步打入國際市場。根據集邦諮詢，國產90nm光刻機售價僅為ASML同類裝置的60%，維護成本降低50%。這一優勢吸引俄羅斯、東南亞等新興市場訂單。根據中國機電產品進出口商會相關資料，2024年中國光刻機出口量同比增長120%，首次突破50台。

因此，中國光刻機產業的突破，不僅是技術層面的勝利，更是全球半導體權力結構變革的縮影。從65nm ArF光刻機到90nm量產裝置，每一步進展都在改寫“卡脖子”清單。

儘管技術依然差距不小，前路依然艱難，但2024年多層面的突破證明：在國產半導體產業持續投入與產業鏈協同創新的基礎之上，中國有望在成熟製程領域率先實現自主可控，並為最終攻克高端製程積累勢能。這場關乎國家科技安全的攻堅戰中，光刻機不僅是工具，更是中國邁向科技強國的象徵。 (飆叔科技洞察)