TSMC台積電2025北美研討會內容解讀

近日台積電在北美舉辦了一場技術研討會，這場研討會硬核內容很多，以TSMC目前的影響力，他們規劃的roadmap足以影響全球半導體的發展。在這次研討會中，台積電披露了其通過N2（2025量產）、A16（2026量產）和A14（2028量產）等先進製程持續引領半導體創新，結合3DFabric封裝技術（CoWoS/SoIC/SoW）實現晶片性能與整合度突破，目標以更高能效的AI/HPC晶片驅動2030年全球半導體市場達1兆美元，同時佈局AR、人形機器人等新興領域，鞏固其在AI算力基礎設施中的核心地位。

註：台積電PPT獲取上方微信私信

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AI驅動半導體增長

應用場景擴展，AI從資料中心滲透至邊緣裝置（如AI手機、機器人計程車、AR/VR），推動智能終端與雲端協同。

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市場增長與行業趨勢

全球半導體市場預計在2030年突破1兆美元規模，TSMC憑藉其技術領先地位，計畫將收入從2024年的2500億美元翻倍至2030年的5000億美元以上。這一增長主要由AI技術驅動，從資料中心到邊緣裝置的全面滲透成為核心動力，AI加速器、高性能計算晶片（HPC）及智能終端（如AR裝置、人形機器人）的需求持續爆發。與此同時，AI技術逐步向中低端消費電子（如物聯網裝置、平價手機）下沉，推動主流製程技術的長期需求，例如N3C和N4P等節點將服務於更廣泛的市場。

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先進製程技術路線

N2節點：2025年下半年量產，聚焦能效提升，性能較N3E提升18%，功耗降低36%，邏輯密度提升1.2倍。

A16節點：2026年推出，採用背面供電（Super Power Rail），最佳化資料中心HPC產品的訊號與電源傳輸，晶片密度提升7-10%。

A14節點：2028年量產，第二代奈米片電晶體技術，速度提升10-15%，功耗降低25-30%，邏輯密度達N2的1.23倍。

此外，N3系列通過多樣化分支（如汽車級N3A、高性價比N3C）覆蓋移動裝置、汽車電子等多元化場景，鞏固其作為“長生命周期節點”的地位。

04

封裝技術與系統整合創新

為應對AI算力對晶片規模和能效的極致要求，TSMC的3DFabric技術體系持續迭代。CoWoS封裝支援多HBM堆疊與超大尺寸基板（120x150mm），2027年推出的SoW-X技術將實現晶圓級邏輯晶片與儲存的整合，突破傳統晶片尺寸限制。3D堆疊方面，2025年量產的SoIC技術以6微米間距實現N3與N4晶片的垂直互聯，2029年計畫完成A14與N2的跨節點堆疊。

針對高功耗場景，TSMC提出“供電-濾波-散熱”一體化方案，如單片整合的PMIC與電感將功率密度提升5倍，CoWoS-L封裝嵌入的eDTC/DTC濾波模組有效穩定千瓦級供電系統。

05

新興應用場景

TSMC的技術佈局緊密圍繞下一代智能裝置展開。在增強現實（AR）領域，通過先進製程壓縮顯示引擎體積、最佳化低延遲通訊晶片、開發高能效PMIC，推動輕量化沉浸式裝置的落地。人形機器人被視為未來關鍵市場，其“感知-決策-執行”鏈條依賴多類晶片協同：高性能AP運行AI模型、高精度MCU控制。

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總結

台積電通過製程微縮（N2/A16）、3D整合（3DFabric®）、系統級創新（SoW） 三重路徑，鞏固其在AI/HPC時代的領導地位。未來市場將呈現以下特徵：

AI晶片需求爆發：資料中心與邊緣裝置雙輪驅動，2025-2030年複合增長率超20%。

能效與密度優先：液冷+先進封裝成高算力場景標配，PUE<1.1的資料中心逐步普及。

新興應用重塑供應鏈：人形機器人、AR/VR、自動駕駛催生專用晶片需求，TSMC技術平台覆蓋全場景。

台積電的技術路線與市場佈局，不僅響應了半導體行業的“AI Everywhere”趨勢，更定義了下一代計算的性能與能效標竿。

(零氪1+1)