輝達市值本月蒸發逾7000億美元。台積電起訴加入英特爾的前高管。大眾稱其中國產電動汽車可將研發成本減半。特斯上月歐洲銷量幾乎減半。滴滴、理想汽車、迪爾公佈業績。11月以來輝達(Nvidia)已累計下跌14%，市值本月蒸發逾7000億美元，因投資者越來越擔心AI支出出現泡沫，以及輝達對OpenAI等初創企業的循環投資——這些企業同時也是輝達的客戶。此前一份報告稱Google母公司Alphabet的AI處理器正取得進展。輝達的估值實際上是基於它能夠保持市場份額的預期。如果它開始失去部分市場份額，投資者就會重新評估增長前景以及公司應有的估值。不到一個月前，輝達市值剛剛突破5兆美元，周三收盤，輝達市值回升到4.38兆美元。投資者正推動AI交易的兩大領頭羊走向相反的方向。Alphabet向4兆美元市值又邁進了一步，延續了數月來由投資者對這家Google(Google)母公司的AI工具、雲端運算和晶片業務的熱情所推動的漲勢。輝達這家全球市值最高的公司則進一步遠離數周前才達到的5兆美元估值。隨著來自ChatGPT的威脅減退，使用者更多地回到Google進行搜尋，其變現能力似乎保持完好。OpenAI是一個上面蓋著網站的“燒錢黑洞”，但由於OpenAI是一家私營公司，想要估算這個黑洞有多深，仍需要大量的猜測。匯豐(HSBC)在美國的軟體與服務團隊更新了其OpenAI預測模型，按累計交易總額最高可達1.8兆美元計算，OpenAI每年的資料中心租賃費用約為6200億美元——儘管預計到本十年末，所簽約電力中只有三分之一能投入運行。預測模型顯示，OpenAI到2030年將面臨2070億美元資金缺口。全球最大晶片製造商台積電(TSMC)正起訴一名近期加入其美國競爭對手英特爾(Intel)的前高管，以鞏固其行業主導地位。台積電表示，已對前高管羅唯仁提起訴訟，指控其違反了競業禁止協議，並可能洩露了商業秘密。羅唯仁曾長期擔任台積電的研發資深副總裁，於今年夏天從台積電退休，之後不久便加入英特爾(Intel)擔任執行副總裁。台積電表示，羅唯仁高度可能使用或洩漏、告知、交付或轉移台積公司商業秘密及機密資訊予英特爾公司。惠普公司(HP)周二表示，預計到2028財年將在全球範圍內裁員4000至6000人，這是該公司精簡營運和採用人工智慧來加快產品開發、提高客戶滿意度和提高生產率計畫的一部分。此次裁員將影響惠普專注於產品開發、內部營運和客戶支援的團隊。作為此前宣佈的重組計畫的一部分，該公司今年2月份已宣佈裁減1000至2000名員工。大眾汽車(Volkswagen)表示，其純電動汽車若在中國實現全流程生產，成本可比在其他地區生產同類車型低一半。這家歐洲最大車企稱，在中國進行一系列投資後，公司首次能夠在德國境外開發新車型，包括測試和部署輔助駕駛等新技術。大眾計畫在未來五年內在中國推出約30款電動車型，押注本地化研發。該公司表示，與其2023年在德國生產電動汽車的成本相比，中國某些車型的成本下降幅度高達50%，得益於供應鏈效率提升，包括電池採購、研發周期縮短以及較低的勞動力成本。特斯拉(Tesla)上個月在歐洲的銷量幾乎減半，這令改款Model Y將重振該公司在該地區業務的希望受阻。根據歐洲行業組織ACEA周二發佈的資料，這家電動汽車製造商10月份在歐洲售出6964輛汽車，低於上年同期的13519輛。根據10月份的銷量，特斯拉在歐洲的市場份額僅為0.6%。通用汽車公司(GM)正在首席產品官斯特林·安德森(Sterling Anderson )領導下將軟體與產品整合，原高級副總裁巴裡斯·切蒂諾克(Baris Cetinok)離職，此前人工智慧主管巴拉克·圖洛夫斯基(Barak Turovsky)和高級副總裁戴夫·理查森(Dave Richardson)也已離職。法國汽車零部件製造商法雷奧(Valeo)表示，該行業正經歷一場“達爾文式轉型”，並警告稱除非歐盟保護該行業免受來自中國的競爭，否則該公司的多數裁員將發生在歐洲。這一警告發出之際，歐盟委員會(European Commission)正準備在12月10日對包括法雷奧在內的汽車業的要求做出回應，這些要求包括調整其到2035年禁止新售內燃機車型的目標，並制定關於汽車中歐洲本土零部件比例的法規。荷蘭銀行(ABN Amro)計畫削減近四分之一的全職員工。該行周二表示，將在2028年前裁減5200個全職崗位，作為其降低成本、提升盈利能力的新戰略的一部分。截至去年年底，荷蘭銀行約有2.2萬名全職員工。該行表示，約半數“淨減少”的崗位將通過自然流失實現，即員工離職後不再補招。澳大利亞小鎮帕克斯正憑藉其在打破中國稀土控制權競爭中的突出表現贏得全球關注。礦業大亨羅伯特-弗裡德蘭德(Robert Friedland)是Sunrise Energy Metals的聯席主席兼最大股東。該公司計畫在雪梨以西350公里的帕克斯開採一座鈧礦，預計2028年投產。Sunrise上周籌集了3000萬美元，用於啟動礦山的前期建設。這是華盛頓與堪培拉在10月簽署擴大稀土供應協議後，澳大利亞最先落地的項目之一。韓國兩大石化企業樂天化學(Lotte Chemical)與HD現代化學(HD Hyundai Chemical)26日聯合發佈公告稱，向政府提出審查批准兩家公司石化業務整合方案的申請。這是今年8月包括該兩家公司在內的十家石化企業為業務重組簽約以來，業界拿出的首份具體重組方案。該重組方案擬將樂天化學位於大山產業園的石腦油裂解工廠業務分離，並將此併入HD現代化學，從而建構涵蓋NCC等石化產品生產的統一化營運體系。合併完成後，大山產業園區內的石化產品生產將實現一體化。一項試驗發現，諾和諾德(Novo Nordisk)公司的新型減肥藥可使糖尿病患者的體重顯著下降，並使血糖水平顯著改善，這對這家丹麥公司的藥物開發管線是一個積極訊號。這款新藥結合了司美格魯肽與胰淀素，前者是諾和諾德公司糖尿病與肥胖症爆款藥物諾和泰(Ozempic)與諾和盈(Wegovy)的活性成分，後者是一種能促進飽腹感的激素。嘉吉公司(Cargill)周三表示，該公司目前沒有關閉其美國牛肉加工廠的計畫，因為該行業正在努力應對牛群供應緊張的問題。由於連年乾旱以及飼養成本上升，牧場主將美國牛群數量減少到了幾十年來的最低水平，牛肉加工商一直面臨著壓力。緊張的庫存提高了肉類包裝商的成本，他們必須支付更高的價格才能買到牛，這也將牛肉價格推向了歷史新高。昂跑(On)憑藉形如瑞士奶酪的鞋底和簡約、具有未來科技感的美學設計，成為全球增長最快的跑鞋品牌之一。然而，為了跑贏關稅，它卻選擇按兵不動。面對高達20%的關稅，這家瑞士鞋履品牌既沒有趕在徵稅前囤積商品，也沒有與工廠合作夥伴協商分攤額外關稅，更沒有要求零售商幫助緩衝衝擊。這個瑞士運動鞋品牌不斷提價，但顧客似乎並不介意。本周四美股將因感恩節休市，周五則於美東時間下午1點提前收盤。財報資訊滴滴發佈2025年第三季度業績報告。第三季度營收585.9億元人民幣，上年同期為539.49億元；季度歸屬於公司股東淨利潤14.59億元，上年同期為9.29億元。第三季度調整後EBITDA利潤為16億元。理想汽車發佈2025年第三季度財報。季度總營收為274億元，同比下滑36.2%，環比下滑9.5%。汽車銷售額為259億元，上年同期的413億元下滑37.4%，較今年第二季度的289億元下滑10.4%。季度毛利率為16.3%，上年同期為21.5%，上季度為20.1%。季度淨虧損6.244億元，上年同期淨利潤28億元，上一季度淨利潤11億元。不按美國通用會計準則，調整後的淨虧損3.597億元，上年同期淨利潤39億元，上一季度淨利潤15億元。第三季度，汽車交付總量為93211輛，同比下滑39.0%。迪爾(Deere & Company)公佈截至2025年11月2日的第四財季和財年業績。第四財季總淨銷售額和營收123.94億美元，上年同期為111.43億美元。季度營業利潤13.51億美元，上年同期為14.5億美元。季度歸屬公司的淨利潤10.65億美元，上年同期為12.45億美元。財年總淨銷售額和營收456.84億美元，上財年為517.16億美元。財年營業利潤60.2億美元，上年為90.39美元。財年歸屬公司的淨利潤50.27億美元，上年為71億美元。 (全球企業動態)

近日台積電在北美舉辦了一場技術研討會，這場研討會硬核內容很多，以TSMC目前的影響力，他們規劃的roadmap足以影響全球半導體的發展。在這次研討會中，台積電披露了其通過N2（2025量產）、A16（2026量產）和A14（2028量產）等先進製程持續引領半導體創新，結合3DFabric封裝技術（CoWoS/SoIC/SoW）實現晶片性能與整合度突破，目標以更高能效的AI/HPC晶片驅動2030年全球半導體市場達1兆美元，同時佈局AR、人形機器人等新興領域，鞏固其在AI算力基礎設施中的核心地位。註：台積電PPT獲取上方微信私信01AI驅動半導體增長應用場景擴展，AI從資料中心滲透至邊緣裝置（如AI手機、機器人計程車、AR/VR），推動智能終端與雲端協同。02市場增長與行業趨勢全球半導體市場預計在2030年突破1兆美元規模，TSMC憑藉其技術領先地位，計畫將收入從2024年的2500億美元翻倍至2030年的5000億美元以上。這一增長主要由AI技術驅動，從資料中心到邊緣裝置的全面滲透成為核心動力，AI加速器、高性能計算晶片（HPC）及智能終端（如AR裝置、人形機器人）的需求持續爆發。與此同時，AI技術逐步向中低端消費電子（如物聯網裝置、平價手機）下沉，推動主流製程技術的長期需求，例如N3C和N4P等節點將服務於更廣泛的市場。03先進製程技術路線N2節點：2025年下半年量產，聚焦能效提升，性能較N3E提升18%，功耗降低36%，邏輯密度提升1.2倍。A16節點：2026年推出，採用背面供電（Super Power Rail），最佳化資料中心HPC產品的訊號與電源傳輸，晶片密度提升7-10%。A14節點：2028年量產，第二代奈米片電晶體技術，速度提升10-15%，功耗降低25-30%，邏輯密度達N2的1.23倍。此外，N3系列通過多樣化分支（如汽車級N3A、高性價比N3C）覆蓋移動裝置、汽車電子等多元化場景，鞏固其作為“長生命周期節點”的地位。04封裝技術與系統整合創新為應對AI算力對晶片規模和能效的極致要求，TSMC的3DFabric技術體系持續迭代。CoWoS封裝支援多HBM堆疊與超大尺寸基板（120x150mm），2027年推出的SoW-X技術將實現晶圓級邏輯晶片與儲存的整合，突破傳統晶片尺寸限制。3D堆疊方面，2025年量產的SoIC技術以6微米間距實現N3與N4晶片的垂直互聯，2029年計畫完成A14與N2的跨節點堆疊。針對高功耗場景，TSMC提出“供電-濾波-散熱”一體化方案，如單片整合的PMIC與電感將功率密度提升5倍，CoWoS-L封裝嵌入的eDTC/DTC濾波模組有效穩定千瓦級供電系統。05新興應用場景TSMC的技術佈局緊密圍繞下一代智能裝置展開。在增強現實（AR）領域，通過先進製程壓縮顯示引擎體積、最佳化低延遲通訊晶片、開發高能效PMIC，推動輕量化沉浸式裝置的落地。人形機器人被視為未來關鍵市場，其“感知-決策-執行”鏈條依賴多類晶片協同：高性能AP運行AI模型、高精度MCU控制。06總結台積電通過製程微縮（N2/A16）、3D整合（3DFabric®）、系統級創新（SoW） 三重路徑，鞏固其在AI/HPC時代的領導地位。未來市場將呈現以下特徵：AI晶片需求爆發：資料中心與邊緣裝置雙輪驅動，2025-2030年複合增長率超20%。能效與密度優先：液冷+先進封裝成高算力場景標配，PUE<1.1的資料中心逐步普及。新興應用重塑供應鏈：人形機器人、AR/VR、自動駕駛催生專用晶片需求，TSMC技術平台覆蓋全場景。台積電的技術路線與市場佈局，不僅響應了半導體行業的“AI Everywhere”趨勢，更定義了下一代計算的性能與能效標竿。資訊來源：台積電，傅里葉的貓(零氪1+1)

一、邏輯製程1987年成立之初，台積電自台灣工研院轉移3.5μm及2.0μm製程技術。1988年，台積電在成立短短一年後，成功開發1.5μm製程技術，並陸續成功開發1.2μm、1.0μm、0.8μm、0.6μm、0.5μm、0.3μm及0.25μm製程技術。1999年，台積電領先全球推出第一個0.18μm低耗電製程技術。之後，從0.13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、16/12nm，一直到今日最先進的10nm及7nm製程技術，台積公司都持續領先，並創下許多傲人的紀錄。此外，台積電擁有業界最完備的超低耗電技術平台，涵蓋0.18μm到16nm FinFET的超低耗電製程，以滿足物聯網及穿戴式裝置市場多樣化的需求與創新。相較於前一代的低耗電製程，台積電的16nm超低耗電製程能夠進一步降低工作電壓達20~30%，以減少動態與靜態功耗，同時大幅延長物聯網及穿戴式產品電池的使用壽命達2~10倍。2018年，台積電成功量產7nm鰭式場效晶體（7nm FinFET，N7）技術，此一技術是台積電量產速度最快的技術之一，並同時針對行動運算應用及高效能運算元件提供最佳化的製程。2019年，台積電更進一步強化領先業界的7nm技術，推出6nm技術（N6）。N6技術自2020年進入量產以來，廣泛應用於手機、高效能運算，以及消費性電子產品。2020年，台積電領先業界量產 5nm鰭式場效電晶體（5nm FinFET, N5）技術，協助客戶實現智能型手機及高效能運算等產品的創新。此一技術是台積電繼7nm FinFET強效版（N7+）之後第二代使用極紫外光（EUV）技術的製程。2022年，台積電成功大量量產3nm鰭式場效電晶體（3nm FinFET，N3）製程技術。N3為業界最先進的半導體邏輯製程技術，具備最佳的效能、功耗及面積（PPA），是繼5nm（N5）製程技術之後的另一個全世代製程。而在N3製程技術之後，台積電推出支援更佳功耗、效能與密度的強化版N3E及N3P製程。此外，台積電2nm（N2）技術開發依照計畫進行並且有良好的進展。N2技術採用領先的奈米片電晶體結構，其效能及功耗效率皆提升一個世代，以滿足節能運算日益增加的需求。二、特殊製程1. ULP（超低功耗）技術ULP技術提供超低漏電器件(ULL)、超低SRAM和低工作電壓解決方案。ULP技術包括40nm ULP(40ULP)、22nm ULL(22ULL)和鰭式場效應電晶體(FinFET)技術。ULP工藝‌聚焦動態功耗最佳化，通過電壓調節和製程微縮（如22ULP相較28HPC面積減少10%，性能提升30%或功耗降低30%‌)，適用於對運算能效比敏感的場景。‌ULL工藝‌強調靜態漏電控制，通過電晶體結構最佳化降低待機功耗，延長電池續航時間，適用於長期待機或間歇性工作的裝置‌。台積電通過ULP與ULL的組合，在成熟製程節點上建構了完整的低功耗解決方案。2. BCD工藝台積電的BCD工藝具有更高的整合度、更小的面積和更低的功耗，涵蓋從0.6μm到40nm的節點。2023年，台積電繼續擴大其0.13μm和90nm BCD工藝，以滿足汽車電子和伺服器的需求，從而提高12英吋BCD技術的競爭力。台積電40nm BCD工藝不僅相容超低功耗（ULP）工藝，還提供5~28V的電壓範圍，從而實現更多的電源管理晶片的應用。此外，台積電正在開發世界上最先進的22nm BCD工藝，以更有效地降低功耗和晶片面積。3. 高壓（HV）工藝台積電的HV（High Voltage，高壓）工藝是其特色工藝體系的重要組成部分，主要服務於需要高電壓驅動的晶片場景，支援‌12V至60V及以上‌的高壓工作環境。HV工藝主要基於‌28nm及以上成熟製程‌（如28nm、40nm、55nm），通過定製化最佳化實現高壓與低漏電的平衡。HV工藝可與其他特殊工藝（如eFlash嵌入式儲存、RF射頻模組）整合，滿足複雜SoC晶片的多樣化需求‌。台積電HV工藝未來可能向‌更小節點（如16nm）‌遷移，通過FinFET或新型電晶體結構進一步降低功耗並提升整合密度。同時，與‌3D封裝技術‌結合，擴展在汽車電子、工業控制等領域的應用場景‌。4. 混合訊號/射頻（MS/RF）工藝台積電的MS/RF工藝是其面向通訊、物聯網及汽車電子等領域的核心解決方案，通過製程創新與整合技術實現高性能射頻與模擬電路的協同設計。MS/RF工藝支援‌0.5µm至4nm全節點覆蓋‌，從成熟製程到先進FinFET節點均提供最佳化方案，例如4nm RF工藝已用於5G基帶晶片與毫米波前端模組‌。‌22nm/28nm節點‌針對物聯網與車規晶片最佳化，平衡性能、功耗與成本，適配低功耗感測器與車載通訊需求‌。2023年，台積電繼續加強其射頻技術的開發，以提供最佳的性能/功耗/成本權衡解決方案：12FFC+射頻技術開始量產，應用於蜂窩射頻和lot無線連接產品。台積電通過MS/RF工藝的持續迭代與生態協同，鞏固了在通訊與汽車電子領域的領先地位，其技術組合覆蓋從傳統射頻到前沿毫米波場景的全端需求‌。5. 嵌入式快閃記憶體（eFlash）非易失性儲存器（NVM）包括一次性可程式設計儲存器(OTP)、多次可程式設計儲存器(MTP)、快閃記憶體(Flash)，以及下一代磁性RAM(MRAM)和電阻性RAM(RRAM)。台積電的嵌入式快閃記憶體技術範圍為0.5µm至40nm，並提供許多快閃記憶體IP選項，以滿足各種產品設計要求。台積電2018年出貨的嵌入式快閃記憶體晶圓總量在全球半導體行業排名第一。傳統嵌入式快閃記憶體在20nm以下節點面臨漏電加劇、耐久性下降（典型擦寫壽命約1E5次）等問題，難以滿足AIoT裝置的高密度儲存需求‌。台積電正推動‌MRAM（磁阻儲存器）與RRAM（電阻儲存器）‌替代eFlash，例如22nm RRAM已用於Nordic Semiconductor的nRF54L SoC，實現更低功耗（靜態<1µA）與更高密度（17.5 bit/µm²）‌。台積電正逐步將嵌入式儲存重心轉向‌MRAM/RRAM‌，以滿足AIoT與汽車電子對非易失性儲存的高性能需求。傳統eFlash將退守對成本敏感的中低端市場，形成“新型儲存+成熟eFlash”的分層技術矩陣‌。6. CMOS圖像感測器（CIS）台積電CIS工藝技術範圍為0.5µm至12nm，支援各種應用，包括智慧型手機攝影機、汽車、機器視覺、雲監控、醫療保健、PC攝影機、玩具等。台積電22nm RF工藝被索尼用於生產高性能CIS晶片及圖像訊號處理器(ISP)，重點最佳化低光性能與高動態範圍(HDR)，支援AI應用的即時圖像處理需求‌。該工藝整合高密度邏輯電路與模擬模組，功耗較前代工藝降低20%，適配車載攝影機與消費電子領域‌。台積電通過RFCMOS、BCD等特色工藝組合，強化CIS晶片的抗噪聲能力與訊號完整性，例如：RFCMOS工藝‌：提升車載CIS在複雜電磁環境下的穩定性，支援77GHz毫米波雷達協同工作‌；‌BCD工藝‌：整合電源管理模組，實現CIS晶片單晶片供電（1.8-5V寬電壓範圍），降低系統複雜度‌。此外，台積電通過‌CoWoS封裝技術‌將CIS與邏輯晶片垂直堆疊，提升資料傳輸頻寬（達1TB/s），降低延遲40%，滿足自動駕駛即時圖像處理需求‌；與Arm合作開發專用ISP IP核，整合硬體加速器（如HDR合成引擎），使CIS晶片能效比提升30%，適配邊緣計算場景‌。台積電將繼續加強CIS技術，並向下一代邁進，以進一步加強先進智慧型手機相機和汽車成像應用的能力。7. MEMS技術台積電MEMS技術基於‌CMOS-MEMS整合工藝‌，結合半導體製造與微機械加工能力，支援多類感測器（加速度計、陀螺儀、壓力感測器等）的規模化生產，其工藝覆蓋‌8英吋與12英吋晶圓‌，適配汽車、消費電子及醫療裝置需求‌。台積電MEMS技術範圍為0.5µm至0.11µm，支援包括G-Sensors、陀螺儀、壓力表、微流體和生物基因 晶片在內的應用。2011年，台積電推出了全球首款感測器SOC工藝技術。該技術包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)和晶圓堆疊技術製造單片微機電系統(MEMS)。2018年，台積電成功交付了全球首款CMOS MEMS（微機電系統）單片電容式氣壓計，該氣壓計對海拔變化的靈敏度高達5mm，封裝面積略小於1mm2，適用於各種系統應用，包括個人活動跟蹤和室內導航。此外，台積電通過‌3D Fabric聯盟‌整合先進封裝技術（如CoWoS），實現MEMS晶片與邏輯晶片的3D堆疊，提升系統級能效與頻寬（達500Gbps）‌。台積電通過‌CMOS-MEMS協同最佳化‌與‌先進封裝賦能‌，持續鞏固其在全球MEMS代工市場的領先地位，推動汽車電子、AIoT等領域的感知系統升級‌。 (半導體工藝技術)

韓聯社引述業界人士報導，台積電（2330）投資子公司TSMC Global正在評估策略性投資韓國AI晶片新創公司FuriosaAI，加上本月已傳出Meta洽談併購FuriosaAI的消息，引發南韓業界三方合作的猜測。 報導指出，TSMC Global去年第4季起便開始評估這項投資計畫的可行性。FuriosaA對此I表示，目前尚未確定包括投資規模在內的具體細節。 另外，富比世（Forbes）12日報導，Meta正洽談併購 FuriosaAI。交易可能最快在本月內完成。 韓聯社指出，FuriosaAI是一家專注於資料中心伺服器AI推論晶片研發的新創公司。該公司開發相較於輝達（NVIDIA）AI晶片更具成本效益的神經網路處理單元（NPU）「Warboy」與「Renegade」，Renegade是頭一款搭載SK海力士高頻寬儲存器HBM 3的AI晶片，採用台積電TSMC的5奈米製程技術；而第一代Warboy則使用三星14奈米製程。