中微覆蓋60%半導體高端裝置！

5 月 27 日，中微公司在上海臨港召開業績說明會，其 2024 年 LPCVD 裝置實現首台銷售，多款薄膜裝置進入市場並獲重複訂單。董事長尹志堯稱，目前薄膜裝置收入體量不大，但三到五年內將快速增長。過去中微研發投入側重刻蝕，近年薄膜裝置研發投入增加。

公司未來五到十年計畫覆蓋 60% 以上半導體高端裝置，成為平台式集團公司。

一、戰略領航，三維佈局建構產業生態

在 5 月 27 日召開的 2024 年度暨 2025 年第一季度業績說明會上，中微公司董事長、總經理尹志堯明確指出，公司將堅定踐行三維發展戰略。“深耕積體電路關鍵裝置領域、擴展在泛半導體關鍵裝置領域應用並探索其他新興領域的機會，推進公司實現高速、穩定、安全、健康發展。”

在積體電路方面，中微公司的電漿體刻蝕裝置已成功打入國內外一線客戶的生產線，廣泛應用於 65 奈米到 5 奈米及更先進工藝，成為支撐積體電路製造的關鍵力量。在泛半導體領域，其製造氮化鎵基發光二極體、Mini-LED 和 Micro-LED 的 MOCVD 裝置，以及製造碳化矽和氮化鎵功率器件的 MOCVD 裝置，均已在市場中佔據重要地位。並且，公司還前瞻性地佈局光學和電子束量檢測裝置等新興領域，不斷拓寬業務邊界。

為強化產業協同，中微公司自上市以來，斥資 20 多億元投資約 40 家產業鏈上下游企業，不僅收穫了超 50 億元的浮盈，更在產業協同上成果顯著，其中 8 家參股公司已成功登陸 A 股，實現互利共贏。

二、研發提速，18個月可完成新產品研發

談及研發效率的提升，尹志堯感慨道：“經過 20 多年的努力，公司已組建了超過千人的研發團隊，並且十分全面。十年前，我們一般需要三到五年開發一個新產品，然後再花兩年時間進入市場。比如，MOCVD 從 2010 年開始研發，2017 年才進入市場。而現在，我們只需要大約 18 個月，最多兩年就能完成新品研發，半年到一年就可以量產並進入市場。”

研發投入也在持續攀升。2024 年，公司研發總投入達 24.52 億元，同比增長 94.31%，佔營收比例約為 27%。今年一季度，研發投入同比增長 90.53%，達到 6.87 億元。

目前，公司有超 20 款新裝置正在研發，涵蓋新一代高能 CCP 電漿體刻蝕裝置、ICP 低能電漿體刻蝕裝置、晶圓邊緣刻蝕裝置，以及新一代電漿體源的 PECVD 裝置、LPCVD 及 ALD 等薄膜裝置、外延 EPI 裝置和電子束量檢測裝置等，全方位覆蓋半導體裝置核心領域。

三、業務精進，刻蝕穩固薄膜崛起

中微公司的刻蝕裝置無疑是其核心競爭力所在。尹志堯介紹，公司開發的 CCP 高能電漿體和 ICP 低能電漿體刻蝕兩大類，十幾種細分刻蝕裝置已可覆蓋大多數刻蝕應用，刻蝕裝置收入持續高增長。2024 年刻蝕裝置收入約 72.77 億元，在最近四年收入年均增長超過 50% 的基礎上，2024 年又同比增長約 54.72% 。

在薄膜裝置領域，儘管當前收入體量相對較小，但發展勢頭迅猛。尹志堯稱：“目前，薄膜裝置相關的收入體量還不大，但是公司已經在全面佈局並加速開發更多產品。我相信三到五年內，薄膜裝置收入將快速增長。”2024 年，中微公司 LPCVD 實現首台銷售，全年裝置銷售額約 1.56 億元，且 LPCVD 薄膜裝置累計出貨量已突破 150 個反應台，ALD 等薄膜裝置也已進入市場並獲得重要客戶的重複性訂單，未來潛力巨大。

四、行業洞察，國產替代機遇無限

面對行業競爭與前景，尹志堯有著清晰的認知：“我們非常歡迎競爭，也會與同行互相學習。中微的策略是專注於開發具有差異化、自主智慧財產權的高端裝置產品。比如，國內目前除了光刻機之外，硬體最難攻克的是電子束檢測裝置，晶片越做越小，量檢測裝置重要性越來越高，中微要承擔這樣的社會責任，去補齊這塊短板。”

他進一步分析行業前景時提到：“目前國內半導體裝置市場主要由海外企業所佔據，但近年來中國裝置行業技術水平不斷提高，國產裝置在產品性價比、售後服務、貼近客戶等方面的優勢逐漸顯現，半導體裝置國產化在進一步提速。作為全球最大的半導體消費市場，市場需求帶動全球產能中心逐步向中國內地轉移，為裝置行業的發展提供了機遇。”

尹志堯滿懷信心地表示：“國內半導體裝置公司比較成熟的有 30 多家，其中十幾家已上市。按國際經驗，很多半導體細分行業會形成兩三家頭部公司。我們不僅有信心成為國內領先的公司，還會對標國際競爭對手。中微的長期願景是，到 2035 年，在規模、產品、競爭力和客戶滿意度上，成為全球第一梯隊的半導體裝置公司。” 中微公司正憑藉堅定的戰略、強大的研發、多元的業務以及對行業的精準洞察，穩步邁向全球半導體裝置產業巔峰。 (芯榜)