取消晶片豁免“真相”！美國出口管制再升級，卡“中國整個晶片製造能力”！

突發，但並不出乎意料！根據《華爾街日報》消息：負責美國商務部工業和安全域（BIS）的商務部副部長傑弗裡·凱斯勒 （Jeffrey Kessler） 已經通知三星電子、SK海力士、台積電等在中國大陸擁有晶圓廠的晶圓製造商，美國計畫取消允許它們在中國使用美國技術（主要是半導體裝置）的豁免。

這意味著什麼呢？從2022年10月美國對華實施半導體裝置出口管制後，三星、SK海力士和台積電因在華工廠涉及先進製程，最初獲得1年臨時豁免，2023年10月升級為“無限期豁免”（VEU），允許其無需單獨許可即可進口美國裝置（EUV光刻機除外）。取消豁免之後，也就是取消VEU資格，要求每台裝置進口均需單獨申請許可，審批周期可能長達3-6個月，且存在被拒風險。

美國從2022年開始半導體裝置出口管制以來，其目標大多數時候針對的都是中國的“先進製程”半導體；但此次取消豁免已經部分所謂的先進製程或成熟製程了，也就是說，美國現在針對的是中國整體的晶片製造能力。

當然影響最大的當然是——三星、SK海力士和台積電三家大廠了。我們知道，三星和SK海力士儲存晶片業務在中國都有龐大的產能；其中，SK海力士無錫工廠供應全球近50%的DRAM晶片；大連工廠承接英特爾NAND業務。中國產能佔其DRAM總產量的35-40%，NAND佔40-45%；三星西安工廠佔全球40%的NAND快閃記憶體產能，月產26.5萬片12英吋晶圓，佔其全球產量的42%；同時，目前主流的NAND Flash晶片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM晶片也在進入10奈米級，如果無法獲得美系先進的半導體裝置及零部件供應，那麼不僅現有的產線營運可能將受影響，未來也將無法繼續進行技術升級和擴大產能。

而相對而言，台積電影響則不算很大，其南京廠以16/12nm成熟製程為主，月產能僅2萬片，佔其全球收入約11%。但台積電南京廠2024年淨利潤260億新台幣，但若16nm裝置斷供，長期競爭力可能受損。

同時，根據TrendForce資料2025年一季度的全球DRAM市場，SK海力士以36%市場份額位居第一，三星以33.7%的份額居第二。而在2025年一季度的全球NAND Flash市場，三星以31.9%的份額位居第一，SK海力士以16.6%的份額居第二。也就是說，三星與SK海力士一起佔據了全球近70%的DRAM市場和近50%的NAND Flash市場。

因而，一旦美國撤銷對於三星和SK海力士在華晶圓廠的豁免，不僅他們在華晶圓廠未來的營運將會受到很大的影響，全球的儲存晶片供應可能也將受到衝擊。

然而這只是對供應鏈的淺層影響，美國之所以要取消豁免，不分所謂“先進製程”和“成熟製程”一起打擊，其深層是要倒逼三星、SK海力士、台積電“退出中國”，徹底孤立中國半導體產業；而最終是期望可以徹底“凍結”中國的晶片製造能力。

但此舉顯然是美國想當然了，這些年面對美國的重重封鎖，中芯國際已成功實現14奈米製程量產，良品率超95%；中微半導體的5nm電漿體刻蝕裝置獲台積電認證，國產裝置市佔率大幅提升，北方華創刻蝕機亦進入台積電生產線。可以說，中國成熟製程半導體已經形成了“自主可控”的生態鏈，美國的限制已經變得“鞭長莫及”。

同時，美國如果取消對三星、SK海力士、台積電在華晶圓廠的豁免，或將使得這些廠商轉向中國半導體裝置及零部件公司，並最終讓中國供應鏈掌控這些晶圓廠。

實際上，美國之所以現在拋出所謂的“取消豁免政策”更多的是為了迫使中國在稀土出口管制政策上做出讓步，可以說美國就是想借此來換取中國對於稀土的出口許可。

因此，美國取消晶片豁免是“技術霸權”與“資源反制”的交鋒，短期將衝擊韓企產能、推高全球晶片成本，長期卻可能加速中國半導體裝置國產化。這場博弈的勝負，不取決於單邊封鎖，而在於誰能更快重構技術自主性與供應鏈韌性。 (飆叔科技洞察)