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高盛：中國半導體2025-2035 年全景展望 —— 資本支出、光刻缺口與全球產業鏈影響
一、報告核心引言：中國半導體的“增長確定性” 與 “光刻挑戰”
高盛本次報告更新了2024 年 10 月《CHIPS Act 2》後的中國半導體行業觀點，核心結論包括三點：
資本支出（Capex）上調：將 2025-2030 年中國半導體資本支出預估上調 2%~6%，從原 400-440 億美元提升至430-460 億美元，2024 年已實現 410 億美元投資（同比 + 19%）；
光刻需求首析：首次量化中國光刻裝置缺口—— 到 2035 年需新增2261 台光刻系統（含 212 台 EUV）才能滿足全本土晶片需求，對應研發 + 資本支出或達 400 億美元；
增長驅動力：本土龐大市場（佔全球半導體需求29%）、技術迭代（先進製程 + 儲存）、生成式 AI（Gen-AI）將拉動本土供應鏈，優先看好半導體裝置（SPE）及先進製程相關細分（IP、設計、代工廠、先進封裝）。
二、中國半導體擴張：資本支出、產能與裝置機會
（1）資本支出：維持高位，向 “先進製程 + 儲存” 傾斜
2024 年中國半導體資本支出已達 410 億美元（同比 + 19%），高盛上調後的預估顯示：
2025-2027 年：從 430 億美元逐步增至 450 億美元；
2028-2030 年：每年穩定在 450-460 億美元，年增速 1%-5%；
支出結構：代工廠（成熟+ 先進製程）+ 儲存企業將貢獻未來幾年約 80% 的資本支出，頭部企業（如中芯國際、華虹、長鑫儲存）是投資主力，以鞏固市場份額並向先進製程升級。
產能方面，2024 年中國半導體產能（僅 8 英吋 / 12 英吋等效）為 600 萬片 / 月，2024-2030 年將新增 700 萬片 / 月，2030 年總產能達 1300 萬片 / 月 —— 即便 2023-2024 年快速擴產，頭部企業產能利用率仍健康：中芯國際 2025 年二季度達 93%，華虹達 108%，供需未失衡。
（2）晶圓製造裝置（WFE）：本土供應商份額三年翻倍，全球佔比近四成
WFE 是半導體資本支出的核心組成（其餘為 OSAT 裝置、廠房土地），2026 年中國 WFE 市場規模預計達 410 億美元，三大細分領域佔比超 70%：
沉積裝置（26%）、刻蝕裝置（24%）、光刻裝置（21%），合計佔中國 WFE 市場 71%。
更關鍵的趨勢是“本土替代加速”：
全球佔比：2025-2027 年中國 WFE 支出將佔全球 37%-38%，遠超 2022 年的 22%；
本土份額：2024 年本土 WFE 供應商佔比 17%（收入 67 億美元），2025 年將達 26%（100 億美元），2027 年進一步升至 36%（156 億美元）；
全產業鏈替代：2024 年中國半導體本土供應佔比 17%（原預估 19%，因 AI 驅動需求超預期），2025 年預計 21%，2030 年將達 37%，本土企業在材料、裝置、設計環節逐步突破。
（3）光刻裝置：2035 年需新增 2261 台，EUV 缺口最大
光刻是半導體製造的“卡脖子” 環節，高盛測算：到 2035 年，中國要滿足 100% 本土晶片需求，需：
1. 總裝機量3619 台：含 212 台 EUV（用於 7nm 及以下）、843 台沉浸式 DUV（14-28nm）、2564 台幹式 DUV/UV（40nm 及以上）；
2. 需新增2261 台：2024 年現有裝機量 2281 台，2024-2035 年將淘汰 923 台（按 15 年使用壽命），需補充 2261 台，對應投資 1100 億美元；
3. 技術替代成本高：若用DUV + 多重曝光生產 7nm，相比 EUV 會導致成本高 12%、良率低 9%、上市時間晚 6 個月 —— 每 10000 片 / 月 7-14nm 產能需 5 台沉浸式 DUV+10 台幹式 DUV，良率若持續低迷，DUV 需求還將超預期。
三、中國半導體市場：細分領域進展與全球對比
（1）全球需求佔比：中國是最大市場，AI 驅動結構變化
2024 年中國半導體市場呈現三大特徵：
規模領先：銷售額1820 億美元，佔全球 39%，是全球最大半導體終端市場（驅動因素：智慧型手機、消費電子、EV、AI 伺服器的本土生產與需求）；
增速更快：2024 年銷售同比增長 20%，高於全球 19% 的增速，美洲（42%）、中國（20%）是全球增長主力；
結構切換：PC / 電腦超越通訊（含智慧型手機）成為最大應用領域（因 AI 伺服器需求激增），2024 年全球邏輯 IC 市場因 AI 驅動增長 79%（達 2150 億美元），儲存增長 3%（1660 億美元），分立器件下半年開始復甦。
（2）關鍵細分領域：本土企業 “增速快但規模小”，先進領域仍存差距
① 代工廠：研發投入超全球，產能向先進製程傾斜
2024 年中國代工廠（中芯國際、華虹、長鑫儲存）表現：
增速領先：中芯國際營收80.3 億美元（同比 + 27%），華虹 20.04 億美元（-12%），長鑫儲存 12.88 億美元（+28%），增速高於 UMC（4%）、GlobalFoundries（-9%），但低於台積電（34%）、三星（67%）；
研發激進：中芯國際研發支出佔比10%（台積電 7%），華虹 8%，長鑫儲存 14%，研發團隊規模 2.3 萬 - 1.9 萬人，意在縮小先進製程差距（中芯國際 N+2 工藝、華虹 28nm）。
② OSAT（封測）：成熟封裝領先，先進封裝起步
中國三大OSAT（長電科技、通富微電、華天科技）進入全球前十：
規模：2024 年長電科技營收 50.3 億美元（+21.2%），通富微電 33.4 億美元（+7.2%），華天科技 20.23 億美元（+28%），但僅為 ASE（181.58 億美元）的 1/3-1/9；
技術：成熟封裝（倒裝、晶圓級封裝）全面覆蓋，但2.5D/3D 封裝處於早期 —— 長電科技 2021 年推 2.5D 產品，通富微電 2019 年推 eSinC，華天科技 2022 年推 FOCoS，落後於 ASE 的 CoWoS、Intel 的 EMIB。
③ 汽車晶片：從入門到高階，本土車企訂單突破
中國汽車晶片企業（地平線、黑芝麻、愛芯元智）成立時間短（2015-2019 年），但進展快：
產品升級：從入門級ADAS 晶片向高階（城市 NOA）突破，如地平線征程 6P（2024 年 4 月發佈，560 TOPS）、黑芝麻華山 A2000（2024 年 12 月發佈，250+ TOPS）；
客戶繫結：獲得比亞迪、吉利、理想等本土車企訂單，但規模遠小於Mobileye（2024 年營收 16.54 億美元）、NVIDIA（汽車業務 16.94 億美元），且研發投入高（地平線研發佔比 132%，黑芝麻 302%），暫未盈利。
④ AI 晶片：研發投入激進，靠架構補算力差距
本土AI 晶片企業（寒武紀、海光資訊、華為昇騰）聚焦本土市場：
研發密集：寒武紀2024 年研發佔比 103%，海光資訊 32%，華為研發支出 250.24 億美元（佔營收 21%），遠高於 NVIDIA 的 10%；
算力彌補：單晶片算力落後，通過架構最佳化補差距—— 華為 2025 年 4 月推出 CloudMatrix 384 架構，384 顆晶片聯動實現 300 PFLOPS 算力（比主流高 70%），延遲降 80%，吞吐量升 100%。
四、光刻突圍：中國的差距、所需條件與全球限制
（1）技術差距：關鍵元件落後，28nm DUV 尚未證實量產
中國光刻裝置目前進展：
已落地：上海微電子2016 年推出 SSX600 系列（90nm-280nm），2024 年 9 月工信部將 65nm ArF 光刻系統納入推廣目錄（193nm 波長、≤65nm 解析度、支援 12 英吋晶圓）；
未證實：媒體報導的28nm DUV（SSA 800-10W）暫無量產或出貨證據；
核心瓶頸：光源（EUV 轉換效率低，需高功率）、光學系統（原子級精度，依賴 Zeiss）、晶圓台（每秒 2 萬次調整，0.9nm 套刻誤差）、系統整合（EUV 含 10 萬個元件，安裝需 250 人 / 6 個月）。
（2）突破所需：20 年 + 400 億美元，靠政策與生態
ASML 的經驗顯示：從 65nm 到 3nm 以下需 20 年、400 億美元（研發 + 資本支出），中國需複製類似路徑：
資金：依賴國家積體電路產業基金（三期40 億美元）、IPO / 科創板融資、地方政府補貼；
要素：全球招聘光刻人才、研發稅收減免、積累IP（規避海外專利）、扶持行業龍頭（如上海微電子）；
生態：聯動上游材料（光刻膠、掩範本）、下游代工廠（中芯國際），形成技術迭代閉環。
（3）全球限制：先進裝置進口受阻，產能缺口顯著
當前出口限制對中國光刻供應影響：
限制範圍：所有EUV 裝置，及 ASML TWINSCAN NXT:1970i 及更先進 DUV（用於 7nm-45nm）；
供應缺口：2024 年中國僅 265 台沉浸式 DUV（用於 < 28nm），保守場景下僅能支援 53 萬片 / 月 7nm 產能，而 2035 年中國 7nm/5nm 及以下需求達 139 萬片 / 月，缺口超 80 萬片 / 月；
進口依賴：2015-2025 年 5 月中國進口光刻及軌道系統 8811 台，荷蘭佔比 70%-80%，平均單價 500 萬美元。
五、對全球企業的影響：美國、ASML、日本各有不同
美國SPE（應用材料、泛林半導體、KLA）：
短期：2025 下半年至 2026 年中國出貨量下調（因出口限制）；
長期：中國收入仍佔20% 左右（指引上限），全球 WFE 2026 年增長 2%，刻蝕 / 沉積裝置因 GAA、堆疊儲存增長更快，偏好泛林（Buy）、應用材料（Buy），中性 KLA。
ASML（Buy 評級）：
利多：全球AI 需求強勁，中國光刻需求穩定（長期收入佔比從 25% 降至 20%，非驟降），中國資本支出上調對其利多；
估值：當前估值合理，2026 年業績風險降低。
日本SPE（東京電子、JEOL）：
機遇：2024 年日本企業中國收入佔比 30%-47%，中國向先進邏輯 / 儲存轉型，日本企業仍有技術優勢；
風險：本土供應商競爭加劇，需應對出口限制。
(資訊量有點大)