SK海力士全球率先完成HBM4開發並建構量產體系

將以客戶行程及時供應業界最高效能HBM4，以鞏固競爭優勢

• 相較於HBM3E，其頻寬擴大一倍，且能源效率也提升40%
• “不僅是突破AI基礎設施極限的一個標誌性轉折點，更是可解決AI時代技術難題的核心產品”

2025年9月12日，SK海力士宣佈，已成功完成以AI為導向的超高效能記憶體新產品HBM4*的開發，並在全球首次建構了量產系統。

SK海力士表示：“公司成功開發將引領人工智慧新時代的HBM4，並基於此技術成果，在全球首次建構了HBM4的量產體系。此舉再次向全球市場彰顯了公司在面向AI的儲存器技術領域的領導地位。”

SK海力士HBM開發擔任趙珠煥副社長表示：

HBM4的開發完成將成為業界新的里程碑。本公司將及時為客戶提供在效能、能源效率和可靠性方面都滿足需求的產品，以此鞏固在面向AI的記憶體市場的競爭優勢，並縮短產品上市時間（Time to Market）。

隨著AI需求和資料處理量劇增，為實現更快的系統速度，對高頻寬*記憶體的需求也在激增。此外，資料中心龐大的耗電使得其營運負擔日益加重，記憶體的能源效率已成為客戶所要求的關鍵因素。藉此，SK海力士可望提升頻寬和能源效率的HBM4將成為滿足要求的最佳解決方案。

這次全新建置量產體系的HBM4採用了較前一代產品翻倍的2048條資料傳輸通道（I/O），將頻寬擴大一倍，同時能源效率也提升40%以上。憑藉這一突破，該產品實現了全球最高水準的資料處理速度和能源效率。公司預測，將該產品引入客戶系統後，AI服務效能最高可提升69%，這項創新不僅能從根本解決資料瓶頸問題，還能大幅降低資料中心電力成本。

同時，此次HBM4實現了高達10Gbps（每秒10千兆位元）以上的運行速度，這大幅超越JEDEC*標準規定的8Gbps（每秒8千兆位元）。

本公司在HBM4的開發過程中採用了產品穩定性方面獲得市場認可的自主先進MR-MUF*技術和第五代10奈米級（1b）DRAM工藝，最大程度地降低其量產過程中的風險。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）表示：「此次正式宣佈全球率先建構量產體系的HBM4，不僅是突破AI基礎設施極限的一個標誌性轉折點，更是可解決AI時代技術難題的核心產品。」又表示：「公司將及時供應器材供應器時代所需的最高品質和多樣化性能的全方位服務工具， Provider）'。

* 高頻寬記憶體（HBM，High Bandwidth Memory）：垂直連接多個DRAM，與現有的DRAM相比顯著提升資料處理速度的高附加價值、高效能產品。 HBM DRAM產品以HBM（第一代）-HBM2（第二代）-HBM2E（第三代）-HBM3（第四代）-HBM3E（第五代）-HBM4（第六代）的順序開發。

* 頻寬（Bandwidth）：HBM產品中的頻寬，指一個HBM封裝每秒可處理的資料總容量。

* JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）：國際半導體元件標準組織，該組織決定半導體裝置的規格。

* 批次回流模製底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：在堆疊半導體晶片後，為了保護晶片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化。有評價稱，與每堆一個晶片就鋪設薄膜型材料的方式相比，該技術提高了效率和散熱效果。特別是SK海力士的先進MR-MUF技術，較現有技術減少了晶片堆疊時所施加的壓力，提高了晶片的翹曲控制力(Warpage Control)，這是確保HBM穩定量產的關鍵。 （半導體材料與製程裝置）