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據周一市場消息，由於供應緊張，三星對其DRAM和NAND快閃記憶體產品進行了大幅提價，部分產品提價幅度高至30%。
這也使得三星成為繼美光和閃迪之後，最新一家上調記憶體和快閃記憶體產品價格的儲存巨頭。
消息稱，三星DRAM產品的漲價幅度高達30%，NAND快閃記憶體產品的漲價幅度在5%-10%。受影響的DRAM產品包括LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X記憶體產品，NAND快閃記憶體產品包括eMMC和UFC產品。
據悉，三星此次提價的原因是供應緊張，而供應緊張是由於老款產品產量減少以及大型雲企業需求增加造成的。
目前，三星在DRAM和NAND市場的佔有率分別為32.7%和32.9%。
近期，全球儲存巨頭接連漲價。
9月13日有消息稱，美光高層觀察到，客戶需求預測顯示重大供應短缺，因此公司決定緊急暫停所有產品報價，重新調整後續價格。美光已通知客戶，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等儲存產品全部停止報價，報價暫停時間一周，且相關產品價格或將調漲20%-30%。此次涉及的不僅是消費級與工業級儲存產品，汽車電子產品漲幅更高，預計達70%。
此前，NAND快閃記憶體原廠閃迪宣佈，針對全部管道通路和消費類產品的價格執行10%普漲。公司表示，在AI應用和資料中心、客戶端、移動三領域均出現日益增長的儲存需求的背景下，NAND快閃記憶體產品需求強勁。未來公司將繼續定期進行價格評估，並可能在未來幾個季度作出進一步調整。
本輪漲價潮反映出儲存晶片行業正經歷結構性轉變。在AI熱潮下，三星等儲存大廠紛紛將重心轉向AI PC和下一代智慧型手機等新興市場，以及HBM等高利潤產品領域，導致傳統產品供應收縮。
眼下，各大儲存大廠正爭先恐後地投身AI賽道，優先為輝達、AMD的AI加速器供應最新產品。HBM的優先順序高於消費級DRAM，加劇了後者供應緊張。
摩根士丹利預計，隨著HBM市場競爭加劇，傳統DRAM和NAND產品有望在2026年迎來更可持續增長。
就在三星漲價消息傳出之際，該公司的12層HBM3E晶片產品終於通過輝達認證測試，這意味著這家晶片巨頭在全球AI晶片賽道上取得了重要突破。
周一，三星電子股價收漲4.77%，報83500韓元，盤中一度上漲5%至83400韓元，創下過去一年以來新高。 (財聯社)