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業績超預期！9月股價飆漲40%！AI需求給力，美光上季營收勁增46%，本季指引碾壓預期再創新高
第四財季美光EPS翻倍增長、較分析師預期高6%，且超過美光大幅上調至少10%的指引區間，HBM營收創新高；第一財季營收指引同比增超40%，EPS指引再翻倍增長、較分析師預期高逾20%。股價盤後一度漲超4%。美光上調今年DRAM和NAND的需求增長預期。CEO稱，美光HBM客戶擴大至六家；未來幾個月，明年HBM產品將訂購一空。
儲存晶片巨頭美光科技不但交了一份驕人的上財季成績單，還提供了比華爾街預期更強勁的本財季指引，傳出人工智慧（AI）需求格外強勁的好消息。
美光截至上月末的第四財季業績加速增長，超越本已上調的公司指引。AI基礎設施建設關鍵產品——高頻寬記憶體（HBM）繼續強勁增長、營收創新高，推動整個資料中心業務全財年創新高。美光還預計，本財季的營收將刷新前一季所創的最高紀錄，且增幅碾壓分析師預期。
至此，美光已連續七個季度實現盈利。通常DRAM（記憶體）周期持續六到八個季度。這次財報帶來了AI繁榮有望延長周期的好消息。評論認為，指引提供了AI需求在提振美光銷售的跡象，證明美光已成為AI領域支出增長的主要受益者，其HBM對開發AI模型的晶片和系統至關重要，讓公司能獲得豐厚利潤。
財報公佈後，周二收漲逾1%的美光股價拉升，盤後一度漲超4%，此後漲幅縮小到1%以內。
美東時間9月23日周二美股盤後，美光科技公佈截至2025年8月28日的2025財年第四財季（下稱四季度）財務資料，並提供2026財年第一財季（一季度）業績指引。
1）主要財務資料：
營業收入：四季度營收約為113.2億美元，同比增長46%，分析師預期111.5億美元，公司指引為111億至113億美元，上一財季同比增長36.6%。
EPS：四季度非GAAP口徑下調整後的稀釋後每股收益（EPS）為3.03美元，同比增長156.8%，分析師預期2.86美元，公司指引為2.78至2.92美元，上一財季同比增長208%。
營業利潤：四季度調整後營業利潤為39.55億美元，同比增長126.6%，分析師預期37.23億美元，上一財季同比增長164.6%。
毛利率：四季度調整後毛利率為45.7%，同比提高9.2個百分點，分析師預期44.1%，公司指引為44%至45%，上一財季為39%。
2）細分業務資料：
DRAM：四季度DRAM（記憶體）營收90億美元，環比增長27%，約佔總營收的79%，上一財季環比增長15%、佔總營收76%。
NAND：四季度NAND（快閃記憶體）營收23億美元，環比增長5%，約佔總營收的20%，上一財季環比增長16%、佔總營收23%。
3）業績指引：
營收：一季度營收預計為125億美元、上下浮動3億美元，即指引區間為122億至128億美元，分析師預期119億美元。
EPS：一季度調整後的稀釋後EPS為3.75美元、上下浮動0.15美元，即指引區間為3.60至3.90美元，分析師預期3.05美元。
毛利率：一季度調整後的毛利率為51.5%、上下浮動1個百分點，即指引區間為50.5%至52.5%。
四季度EPS超過已大幅上調的指引 HBM營收創新高
一個月前，美光因DRAM定價有所改善而全面上調四季度業績指引，其中營收指引區間的低端上調6.7%、高端上調2.7%，EPS指引區間大幅上調至少約10%，毛利率指引區間至少上調2個百分點。
本周二公佈的財報顯示，美光四季度營收較前一季加快增長，同比增速從前一季度的不足37%提升到46%，營收接近113.2億美元，刷新前一季所創的單季最高紀錄，而且超過了公司的整個指引區間，分析師預期還接近指引區間的低端。
美光全財年的營收同比增長49%，至創紀錄的374億美元。
美光四季度的EPS保持三位數同比增速，同比增長超一倍至3.03美元，較分析師預期高近6%。四季度EPS和毛利率均高於公司的整個上調後指引區間。
財報顯示，四季度美光利潤最高的產品之一——用於AI資料處理的HBM營收創單季新高，包括為資料中心客戶提供HBM在內，美光專注為超大規模雲端運算客戶服務的雲端儲存業務（CMBU）營收45.43億美元，同比增長213.5%。
美光CEO Sanjay Mehrotra評論稱，美光2025財年取得了創紀錄的業績，其中四季度的表現尤其出色，證明了公司在技術、產品和營運方面的領先地位。2025財年，美光的資料中心業務取得了歷史最佳業績，並以強勁的勢頭和迄今最具競爭力的產品組合進入2026財年。
一季度營收料增超40% EPS再翻倍增長
業績指引顯示，美光預計，一季度，美光將史上首次單季營收超過120億美元，繼續四季度之後再創營收紀錄。而分析師預期還不足120億美元。美光的整個指引區間都高於分析師預期。
一季度的營收指引區間中值為125億美元，意味著營收將同比增長43.5%，較分析師預期營收高約5%。
一季度EPS指引中值3.75美元意味著，EPS將同比增長109.5%，較分析師預期高約23%。
市場形勢方面，美光預計，到自然年2026年、即明年，DRAM市場供應將繼續緊張，NAND市場狀況將持續好轉。中期來看，美光預計DRAM和NAND的行業需求復合年增長率將達到15%左右。
美光上調了2025自然年、即今年的行業需求增長預期。目前美光預計，今年全球行業DRAM Bit需求增長率將超過15%，略高於公司之前預測。美光還預計，今年全球的行業NAND Bit需求增長率也將高於之前的預測，預計增速在10%至15%。
美光在2025財年共投入138億美元用於資本支出，同比增長約70%。由於持續加大對1γ DRAM和HBM相關技術的投資，美光預計，2026財年的資本支出將高於2025財年水平。美光預計一季度資本開支大約45億美元，同比增近44%，高於分析師預期39億美元。
HBM客戶擴大至六家 未來幾個月明年HBM將訂購一空
公佈財報的同時，美光CEO Sanjay Mehrotra透露，美光的HBM客戶群已擴大至六家，並預計未來幾個月，美光明年的HBM產品就都將訂購一空。他說：
“我們已經與幾乎所有客戶就2026自然年大部分HBM3E產品的價格達成協議。我們正在與客戶積極討論HBM4產品的規格和供貨量，預計在未來幾個月內，我們將與客戶達成協議，實現2026年剩餘HBM產品銷罄。”
HBM4是目前HBM3標準的進化版，提供更高的頻寬、更低的功耗和更大的晶片容量。它具備2048位元介面，每個記憶體堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s，性能較前代提升超60%，功耗較美光目前業內領先的HBM3E 12H產品低20%。
美光從6月開始向主要客戶傳送其36GB HBM4 12H（12層堆疊）記憶體樣品。本次財報稱，近期已向客戶交付HBM4產品樣品。儘管外界對HBM4頻寬和引腳速度方面的性能要求不斷提高，美光的HBM4 12H產品仍按計畫推進，能夠滿足客戶平台擴容的需求。 (invest wallstreet)