全球第一！中國又一家晶片牛企硬核出世

作為第三代半導體材料的代表，氮化鎵被稱為“半導體遊戲規則的改變者” 。

2015年，看好氮化鎵的前NASA科學家駱薇薇回國創業，如今，她已是全球氮化鎵晶片的王者。

AI正帶來一系列的用電挑戰與變革。

科技巨頭們則忙著制定新的遊戲規則，引領行業前進。

比如，輝達就決定引領資料中心電力系統的換代，從54V直流架構升級到800V高壓直流架構，目標在2027年全面部署，以滿足AI算力需求暴增後的供電效率。

8月1日，輝達公佈了800V直流電源架構合作夥伴名錄，7家企業入選了晶片供應商名單，有美國老牌晶片大廠、“張忠謀的老東家”德州儀器，日本知名半導體製造商羅姆，德國汽車晶片巨頭英飛凌，歐洲的意法半導體等等——

“最年輕”的，是來自中國的半導體廠商英諾賽科。

三天後，英諾賽科在官網發文，“本公司第三代氮化鎵GaN晶片具備高頻、高效率與高功率密度等特性，為輝達800VDC架構提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。”

英諾賽科能被輝達看中，與國際大廠並肩站在AI舞台的中央，靠的就是對氮化鎵晶片技術的研究。

製材直接決定著晶片的成本、效率和性能。自1950年代晶片發明至今，先後有以矽為代表的第一代晶片材料，以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代晶片材料，以及氮化鎵、碳化矽為代表的第三代材料。

其中，矽依然憑藉穩定性高和地殼含量多等因素佔據晶片材料的主流選擇。

1980年代興起的以砷化鎵和磷化銦為代表的化合物晶片，主導了移動通訊基站、衛星通訊系統等場景，但在整個晶片應用領域仍屬小眾。

2010年開始登上舞台的氮化鎵，則被認為有可能對矽產生顛覆性的影響，因為它的各種特性都優於矽，而且特別適合AI時代。

以氮化鎵為材料做出的晶片，具有高功率、低能耗、體積小的特性，以AI時代最迫切需要的資料中心為例，應用氮化鎵晶片，可使單機房算力密度提升10倍以上。

成立於2015年的英諾賽科，目前已是氮化鎵晶片領域的龍頭企業，在全球氮化鎵功率半導體市場份額排名第一，市佔率達42.4%，2024年在港股上市，目前市值近900億。

英諾賽科創始人駱薇薇為美籍華人晶片專家，她曾在NASA工作15年，從項目經理一路做到首席科學家。

2014年，美國納微半導體成為全球首個推出氮化鎵功率晶片的公司，全球氮化鎵材料晶片的研發與應用加速，一直關心著中國晶片發展的駱薇薇認為，這是中國實現晶片趕超的機會，於是決定回國創業。

駱薇薇曾用三個“難”字形容英諾賽科的創業之路，研發難、融資難、建廠也難，最初談了十幾個投資機構都黃了，但她始終對氮化鎵充滿信心，“我們沒有被‘固有經驗’勸退，每天朝著‘不可能’多走一步，走到了今天。”

2015年12月，駱薇薇回國創業，在珠海高新區成立英諾賽科，出資方包括英諾賽科、國企珠海高新創投和珠海高新技術創業服務中心，註冊資本10億人民幣。

即便自身是晶片專家，要在前沿領域做一家新公司，難度依然可想而知，得知消息的朋友，也曾勸她，“氮化鎵的坑太深了，不熬八、九年別想量產。”

但駱薇薇認為，困難是可以克服的，而且難才更顯意義。“在NASA的工作經歷讓我積累了勇氣，再難的事，也敢做可行性分解，按邏輯一步一步去完成。”

非但如此，她還一開始就選擇了最困難的方式，立志徹底掌握核心，創造出一個不同的成功樣本。

自台積電張忠謀將晶片產業的設計製造一劈為二，分為晶片製造（代工）、晶片設計以來，晶片創業公司大都選擇了資產門檻更低，也更能聚焦力量投入研發的設計路線，而製造則交給台積電、中芯國際等專業大廠。

但駱薇薇和創始團隊卻選擇了IDM全產業鏈模式，把設計、製造、銷售都掌握在自己手裡。

這麼選的理由是，只有有了自主可控的生產線，才能解決氮化鎵晶片大規模推廣的三大痛點：價格、量產和供應鏈保障。

而且，他們還更有挑戰性地決定：直接製造領先業界的8英吋晶圓，而不是當時市場主流的6英吋晶圓。

相比6英吋，8英吋晶圓能多產出80%的晶粒，降低30%的成本，做8英吋能真正把價格打下來，但每擴大一英吋，難度都呈指數級上升，要攻克一系列技術難關。

創業頭兩年，駱薇薇就像是“救火隊長”，帶領團隊四處突圍，買不到歐美卡脖子的裝置，就想方設法找舊機器，年輕人工程師沒經驗，就駐守車間一遍一遍地教……

最終，英諾賽科克服一系列困難，攻下了兩大核心技術，一是突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓製造等世界級挑戰，成功掌握了8英吋矽基氮化鎵外延技術；二是開發出8英吋矽基氮化鎵器件製造工藝流程。

2017年11月，英諾賽科建成了中國首條8英吋矽基氮化鎵外延與晶片生產線，於無聲處響了一記驚雷，受到了行業內外的關注，也為擴大產能找到了“伯樂”。

當時，正在加碼晶片產業的江蘇蘇州，邀請英諾賽科入駐其汾湖新型半導體產業園，支援其開建了被列為江蘇省重點項目的、投資總額就高達80億元的第三代半導體基地。

2020年夏天，英諾賽科的8 英吋晶片生產線迎來重大突破，產品良率達到92%，那天，一身油污工服的駱薇薇跟工程師團隊一起歡呼勝利。

2021年6月，英諾賽科（蘇州）半導體公司舉行了量產暨研發樓奠基儀式，標誌著全球最大的氮化鎵生產基地正式投產，對全球第三代半導體技術的發展意義重大，上海、蘇州和國家積體電路產業投資基金的相關領導都出席了慶典。

歷經6年艱辛研發，英諾賽科的8英吋矽基氮化鎵終於開啟了大規模量產的階段。

隨著量產的實現，英諾賽科得以大展拳腳，一位強援的加盟更是如虎添翼，他就是中芯國際技術研發副總裁吳金剛博士。

吳博士在中芯國際任職20年，是先進工藝製程業務的核心管理者，能讓他放棄千萬股權激勵離職，很多人猜測下家可能是華為，但沒想到是擔任英諾賽科的CEO。

打動吳博士的不是企業的規模，而是一個有更大想像力的未來，這也是駱薇薇她們所相信的，“氮化鎵技術將重塑AI算力、新能源汽車、機器人等未來產業的賽道。”

以人形機器人為例，機器人的靈活性取決於關節電機，傳統電機存在體積大、發熱高、續航短等問題，而未來單個機器人的關節將從今天的幾十個增加到兩百個以上，如果應用氮化鎵驅動模組，將徹底解決關節電機的問題，讓人形機器人無限接近人的靈活性。

在消費電子領域，氮化鎵技術帶來的改變已經出現，其低邊驅動器晶片能縮小電源系統的尺寸，降低功率損耗，延長電池的使用時間，進而被諸如手機，乃至新能源汽車相關產品採用。

2021年10月，英諾賽科自主研發的雙嚮導通產品VGaN率先匯入OPPO手機，成為世界第一款匯入智慧型手機內部電源開關領域的氮化鎵晶片。

隨後，智能充電品牌安克也採用了英諾賽科的氮化鎵晶片，兩家共同發佈了全球首款65W全氮化鎵快充，攜手把手機快充裝置推進到“氮化鎵時代”。

與手機快充一同快速發展的，還有英諾賽科的汽車電子業務，2022-23年，其多款車載充電器、雷射雷達電源晶片產品獲得了AEC-Q101車規級認證。

在英諾賽科的C輪融資中，寧德時代董事長曾毓群以個人名義投資了2個億，英諾賽科也收穫了寧德時代這個重要的客戶，為其鋰電池相關裝置提供電源模組。

2023年，不斷取得頭部客戶的英諾賽科，營收突破5億達5.93億元，截至當年8月，其氮化鎵晶片出貨量突破3億顆，實現了消費和工業級產品（手機、LED、汽車雷射雷達、資料中心）的大批次交付，一躍成為全球消費類領域最大的氮化鎵供應商，市場份額高達42%，雖然依然虧損，但盈利的曙光已經展現。

如此業績，也讓英諾賽科遭到國外同行阻擊。

2023年5月，美國氮化鎵巨頭宜普就向聯邦法院和美國國際貿易委員會（ITC）指控英諾賽科專利侵權，意欲禁止其產品出口美國，但英諾賽科的700+項技術專利，瓦解了對方的進攻，取得了專利案的勝利。

打贏專利官司的另一邊，英諾賽科不斷加快走向全球市場的速度，在矽谷、首爾、比利時等地設立了子公司和研發中心。

駱薇薇常對海外團隊說，要讓世界相信‘中國芯’。而且，技術出身的她，也會變成“推銷”高手給同事們支招，“你們除了聊參數、技術之外，也要直觀地告訴客戶，用我們的晶片，能讓您的新能源車多跑50公里，資料中心的能耗降低20%。”

8月28日，英諾賽科發佈了2025年的半年報，營收5.53億元，比去年同期增長43.4%，毛利率由負轉正為6.8%，還與頭部客戶全球首次實現搭載氮化鎵晶片的機器人量產出貨。

據諮詢機構調研，隨著AI資料中心、新能源汽車、機器人的迅猛發展，對第三代半導體晶片的需求也將越來越大，除了氮化鎵，同屬第三代晶片材料的碳化矽也在快速增長，其2030年的市場規模將達到150億美元。

而據業內專家預測，氮化鎵晶片市場將在兩到三年內達到數十億美元的規模，並在未來十年內達到約數百億美元。

因此，氮化鎵晶片的競爭仍會相當激烈，英諾賽科的勁敵英飛凌已經宣佈，其成功研發的12英吋晶圓量產在即，而駱薇薇的征程也剛到中途，她的目標是：“做第三代晶片的台積電、輝達，不是羨慕人家的規模，而是技術上的話語權。”

今年春節，英諾賽科爆單了，員工們無暇過節，每天安排70人堅守在無塵車間，為了響應海外使用者的需求，維護團隊24小時待命，一位研發工程師看著實驗室裡毫米見方的氮化鎵晶圓，對記者說：

“我們追趕的不是時差，是時代。” (投資家)