三星擴大EUV設備數量，以求「記憶體超級周期」中佔據先發位置。
全球半導體產業競爭正聚焦於核心製造技術的突破，三星電子近期宣佈加大對極紫外線（EUV）光刻技術的投資力度，計劃為內存業務新增5個EUV系統、為代工部門添購2個高數值孔徑（高NA）EUV工具。此舉不僅是三星針對DRAM與高頻寬記憶體（HBM）下一代產能擴張的關鍵佈局，更使其在產業預期的「記憶體超級周期」中佔據先發位置。
根據報導，三星此次投資的核心方向之一，是為記憶體業務部署5個全新EUV系統，並建置專用生產線。這項調整解決了先前三星平澤工廠「記憶體與代工產線共享EUV工具」的問題——新計畫明確記憶體部門將獨家使用這5個EUV系統，透過設備專屬化實現生產流程的聚焦，進一步提升記憶體製造的效率與良率穩定性。
從技術應用來看，這5個EUV系統將同時支援傳統DRAM與尖端HBM的生產。在人工智慧產業驅動下，HBM作為AI晶片的核心配套組件，已成為半導體「軍備競賽」的關鍵領域，而傳統DRAM也面臨資料中心、消費性電子等市場的增量需求。三星透過專屬EUV產線的搭建，可更靈活地應對兩類記憶體產品的產能調配，為後續市場需求爆發做好準備。
高NA EUV瞄準2奈米工藝
與記憶體業務同步，三星為代工部門新增的2個高NA EUV工具，將重點服務於2奈米晶片製造製程。據業內人士透露，這兩台高NA EUV設備（ASML最新款Twinscan EXE:5200B）的部署已初步確定方向：一台將落地韓國華城校區，另一台的最終去向則取決於北美主要客戶的新訂單情況，不排除落戶美國德克薩斯州泰勒工廠的可能。
從時間軸來看，這兩台高NA EUV設備的交付節奏已明確——根據《中央日報》報導，三星此次投資約1.1兆韓元收購該設備，首台預計2025年底到位，第二台將於2026年初交付。值得注意的是，這是三星在華城校區完成高NA EUV有限研發部署後，首次將此技術應用於規模化量產，標誌著其代工業務在先進製程上的推進進入實質階段。
成本與競爭的雙重考量
此次EUV投資的資金規模相當可觀。根據業界公開數據，一台標準EUV工具的成本約為3,000億韓元（折合2.12億美元），而高NA EUV設備因技術更先進，單價高達5,500億韓元。以此計算，三星此次為5個標準EUV系統（內存業務）與2個高NA EUV工具（代工業務）的總支出約為2.6兆韓元，其對先進製造技術的投入力度可見一斑。
三星的積極投資，與產業競爭格局密切相關。目前，全球記憶體巨頭SK海力士已明確計畫在2026年前提升EUV產能與DRAM產量，作為直接競爭對手，三星需透過同步加碼維持市場競爭力。此外，業界普遍預期「記憶體超級周期」即將到來——隨著AI、數據中心、新能源汽車等領域的需求增長，內存晶片的供需關係將逐步轉向緊平衡，此時加大產能與技術投入，成為三星搶佔周期紅利的關鍵策略。
從三星的產品規劃來看，高NA EUV技術將成為其跨業務線創新的核心支撐。在代工業務端，該技術將用於2奈米節點量產，預計將幫助三星承接高階晶片代工訂單－業界傳聞，特斯拉價值22兆韓元的AI6半導體專案可能成為其潛在合作對象；在記憶體業務端，高NAEUV將支撐垂直通道電晶體（VCT）DRAM與第六代
此外，三星在10月14日聖荷西半導體會議上也公佈了下一代HBM4E的計劃，目標將每引腳數據速率提升至13 Gbps。從HBM4到HBM4E的路線圖推進，再到高NA EUV技術的落地，其正透過技術協同建構記憶體產品的競爭障礙。
根據《韓國經濟日報》（Hankyung）分析，此次高NA EUV的大規模投入，標誌著三星資本支出戰略的重大轉變——在過去兩年，受全球半導體行業下行周期影響，該公司曾一度抑制資本開支，而當前的激進投資，既是對行業復甦的判斷，也是對自身製造能力的重新信心。更值得關注的是，三星計劃在1.4奈米節點就部署高NA EUV技術，這項進度可望領先台積電，成為其在先進製程競爭中的重要籌碼。
三星的動作並非個案，目前英特爾、SK海力士等產業巨頭也已啟動高NA EUV的部署。不過，與其他企業不同，三星將此技術同時應用於代工與記憶體兩大業務，這種「邏輯+記憶體」的協同佈局，更凸顯了其整合技術資源、推動全產業鏈創新的戰略意圖，也為全球半導體製造格局注入了新的變數。 （半導體產業縱橫）