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儲存晶片，前所未有
近期，儲存賽道熱度席捲全球。
筆者曾對儲存市場周期進行了分析預判，“超級周期”、“前所未有的新繁榮”等行業論述持續升溫。
近日，三星電子、SK海力士、西部資料等全球儲存晶片巨頭相繼發佈最新季度財報，業績全面超過預期，賺得盆滿缽滿。
這一亮眼表現不僅標誌著儲存晶片企業從去年的行業低谷中強勢復甦，或許進一步印證了市場關於儲存晶片進入新一輪“超級周期”的論調。
儲存巨頭財報解析：營收利潤雙爆發，正式邁入上升周期
- 三星電子：儲存業務強勢反彈，利潤達近三年最高
2025年第三季度，三星電子交出超預期成績單：營收達86.1兆韓元，同比增長9%，環比增長15%；營業利潤飆升至12.2兆韓元，同比增長32.6%，環比激增159.6%，創下近三年來最高水平。
其中，儲存業務成為絕對增長引擎。
從業務結構來看，裝置解決方案（DS）部門營收33.1兆韓元，環比增長19%，其中Memory業務營收26.7兆韓元，環比增長26%，同比增長20%，佔集團總營收的31%，成為本季度拉動業績的“發動機”。
這一增長主要得益於AI伺服器和高性能計算市場的旺盛需求，生成式AI與大模型訓練對記憶體頻寬和容量的高要求，推動HBM與DDR5成為核心增量來源。
三星在HBM領域的佈局也取得重要進展。據悉，三星128GB DDR5、24Gb GDDR7等高端產品已進入量產階段，HBM3E實現規模化出貨，單季度位元銷量環比增長80%。更值得關注的是，HBM4樣品已交付所有目標客戶，其低功耗下11Gbps的傳輸性能正吸引輝達等AI巨頭調整原定計畫並提出更高性能要求，計畫2026年正式量產。
另一方面，三星的產能與技術佈局同步升級。
據財報會披露，三星計畫2025年投入47.4兆韓元用於設施建設，其中86%的預算投向半導體部門，重點擴建1c DRAM產線滿足HBM4需求、推進24GB GDDR7量產及高密度QLC固態硬碟開發。
在先進製程方面，2奈米GAA工藝正推進量產準備，計畫2026年在美國泰勒工廠正式投產，儘管目前試產良率約30%，但通過最佳化製程與擴大4奈米成熟節點產能，力求平衡技術領先性與商業化可行性。
在技術創新方面，三星正在加速押注DRAM領域，從ASML購入5台全新High-NA EUV光刻機，其中2台將部署在三星半導體代工事業部，其餘裝置則專供儲存事業部。這標誌著三星在先進儲存技術方面的投入進入新階段。
與此同時，三星與輝達展開深度合作，共建全球首個AI半導體工廠，部署超過5萬塊NVIDIA GPU提供算力，通過數字孿生與GPU加速光刻技術提升生產效率。同時，“晶片-終端-顯示-車載”四大業務形成閉環，DS部門的AI儲存產能擴張與DX部門的AI終端普及相互反哺，推動集團整體盈利能力持續改善。
從財務表現來看，三星的盈利能力顯著改善。儲存業務的營業利潤達到7兆韓元，佔集團整體利潤的過半，這主要得益於產品價格上漲以及庫存價值調整等一次性成本顯著降低。公司預測，2026年對儲存器需求將比往年更強勁、更快，主要客戶訂單量已超過自身供應能力。
- SK海力士：HBM領跑行業，利潤刷新記錄
SK海力士在本輪浪潮中表現尤為搶眼。
2025財年第三季度，SK海力士業績創下歷史峰值：營業收入24.45兆韓元，同比增長39%，環比增長10%；營業利潤11.38兆韓元，同比增長62%，環比增長24%；淨利潤12.6兆韓元，同比激增119%，淨利率高達52%，營業利潤率47%刷新紀錄。
這一創紀錄表現的關鍵在於兩點：DRAM和NAND價格同步回升，以及AI伺服器用高性能儲存晶片的需求全面提升。
具體來看，SK海力士儲存業務結構持續最佳化。DRAM作為核心收入來源，佔比達78%，營收19.07兆韓元，bit出貨量環比增長7%-9%，平均銷售單價（ASP）環比上升4%-6%；NAND業務營收4.89兆韓元，佔比20%，儘管bit出貨量環比下降4%-6%，但受AI伺服器端eSSD高附加值需求拉動，ASP大漲10%-15%。
另一方面，AI伺服器與高端移動裝置的需求推動高容量DDR5與LPDDR5出貨量持續攀升，128GB以上DDR5記憶體出貨量環比翻倍，12層HBM3E銷量持續攀升，HBM業務在DRAM總銷售額中佔比高達40%。
更值得關注的是，SK海力士已與主要客戶就明年的HBM供應達成協議。SK海力士表示，目前已完成2026年HBM供應談判，HBM4於9月完成開發並啟動量產，已為滿足客戶所有性能要求及實現業界最高速度做好準備，第四季度正式出貨。
基於此，SK海力士在HBM領域的議價能力顯著提升。據報導，SK海力士已與輝達就明年HBM4的供應完成價格和數量談判，HBM4單價確認約為560美元，比目前供應的HBM3E價格高出50%以上。這一漲價幅度充分反映了HBM產品的稀缺性和SK海力士在技術上的領先地位。
據瞭解，SK海力士在全球HBM市場佔據58%的份額，且已鎖定2026年所有DRAM、NAND及HBM產能，部分客戶甚至提前預購傳統儲存晶片，顯示出極強的市場議價能力。
- SK海力士：從儲存供應商到“全端AI儲存創造者”
值得關注的是，SK海力士還提出了"全端AI儲存創造者"的願景，計畫通過AI-DRAM、AI-NAND和定製HBM重塑未來儲存技術體系。目前，SK海力士公司正在從提供標準化儲存器件向參與AI計算架構的協同設計轉型，這種戰略定位將進一步鞏固其在AI儲存市場的領導地位。
據芝能智芯報導，在產品路線方面，SK海力士提出兩個階段的技術演進方向：
2026至2028年，將推出16層堆疊HBM4與HBM4E，並同步量產LPDDR6、PCIe Gen6 SSD與UFS 5.0等標準產品。三大AI儲存系列將全面佈局：AI-DRAM、AI-NAND與定製HBM，針對不同AI負載提供低功耗、超容量與跨領域的三種方案，同時通過晶片內嵌GPU/ASIC功能，實現儲存與計算的物理融合，縮短資料路徑、降低能耗。
2029至2031年，SK海力士計畫進一步升級至HBM5/HBM5E與3D DRAM技術，並推出400+層堆疊NAND、PCIe Gen7 SSD及UFS 6.0標準，以支撐PB級AI資料集的即時處理與儲存需求。
此外，在技術與產能方面，SK海力士加速推進1c nm DRAM工藝量產，2026年將實現伺服器、移動端、圖形處理等全產品線覆蓋，預計年底1c nm製程將佔據韓國境內傳統DRAM產能的一半以上；NAND業務重點擴大321層TLC、QLC產品供應，預計2026年底321層產品佔比將超NAND位元產量的50%。
產能擴張方面，SK海力士啟動兩大戰略基地：清州M15X工廠和龍仁半導體產業群，M15X已在2025年第四季度投入營運，主要負責先進DRAM與HBM4生產，以應對超出預期的客戶需求；龍仁基地預計2027年投產，包含四座大型晶圓廠，總建築面積提升至原計畫的490%，產能相當於24個M15X，將成為全球最大AI儲存生產叢集，專為未來十年AI伺服器與資料中心的爆發性需求而建。
SK海力士的目標是在數量和質量兩方面都超越競爭對手，並確保AI儲存供應不再出現短缺。
- 西部資料：雲端儲存需求爆發，技術迭代鞏固份額
除了韓系儲存巨頭外，西部資料也交出了亮眼的成績單。西部資料2026財年第一季度營收達28.2億美元，同比增長27%，環比增長8%；營業利潤率30.4%，毛利率提升至43.9%，同比擴大6.6個百分點。業績實現跨越式增長。
雲業務成為西部資料絕對增長支柱。財報資料顯示，雲服務業務營收25.1億美元，同比增長31%，佔總營收比重達89%。
西部資料首席執行官Irving Tan表示：“在雲資料儲存需求增長推動的強勁市場環境下，西部資料持續保持良好營運。公司近90%的銷售額來自雲端儲存客戶，反映了在AI應用驅動下，市場對可擴展資料儲存的不斷增長需求。”
核心驅動力來自超大規模雲服務商對高容量近線儲存產品的需求強勁，32TB UltraSMR、26TB CMR等ePMR產品出貨量突破220萬台，近線儲存容量出貨達183艾字節，同比增長30%。
更值得關注的是西部資料的訂單能見度。前七大客戶均提交了2026年上半年採購訂單，其中5家覆蓋全年需求，最大的超大規模客戶更是簽訂了覆蓋2027年全年的長期協議。這種長期化的訂單不僅保障了產能利用率，更降低了庫存波動風險，為盈利穩定性奠定基礎。
在技術研發進展方面，西部資料持續突破。其下一代36TB ePMR硬碟認證提前3個月完成，計畫2026年下半年量產，單盤毛利率預計達47%；HAMR（熱輔助磁記錄）技術推進超預期，2026年上半年將啟動首家超大規模客戶認證，2027年實現50TB型號量產，單盤儲存成本較36TB下降20%；西部資料開設AI測試實驗室，通過人工智慧最佳化韌體現代化和工程流程，提升營運效率。
不難預見，這些技術的突破將進一步鞏固西部資料在高容量儲存市場的領導地位。
此外，西部資料還聚焦產能策略的效率提升，明確表示不新增單位產能，而是通過自動化升級與AI最佳化，將泰國、馬來西亞基地的產能利用率提升至90%，既規避產能過剩風險，又通過產品結構最佳化實現成本控制。預計2026財年第二季度營收將達29億美元，同比增長20%，毛利率維持在44%-45%區間。
- 美光科技：2026年，全球儲存晶片供需失衡將加劇
美光科技的表現同樣不俗。2025財年，美光科技營收創下373.8億美元的歷史紀錄，同比增長48.8%，兩年累計增長141%；第四季度營收113.2億美元，環比增長21.7%，同比激增46%。盈利能力大幅提升，毛利率從2024財年的23.7%躍升至40.9%，營業利潤率達29.0%，第四季度毛利率進一步攀升至44.7%，營業利潤率32.3%。
憑藉AI資料中心需求的強勁推動，美光科技的營收與利潤雙雙創下歷史新高。
資料中心業務成為美光最大的增長亮點，2025財年美光資料中心業務佔總營收的56%，HBM、高容量DIMM、伺服器LP DRAM產品合計收入100億美元，較上一財年增長超五倍；僅第四季度HBM收入就接近20億美元，年化營收達80億美元。DRAM業務營收90億美元，佔總營收79%，ASP環比提升11%，出貨量環比增長14%；NAND業務營收23億美元，佔比20%，均價環比增長9%，資料中心固態硬碟業務市場份額創下紀錄。
在技術佈局上，美光科技率先量產1γ節點DRAM，這是美光首次採用EUV光刻技術的工藝。HBM3E功耗較競品低30%，容量高50%，頻寬達2TB/s以上；232層3D NAND容量提升3倍，G9技術支援AI向量搜尋，延遲降低、能量傳輸效率提升80%；PCIe Gen6 SSD首發，支援E1.S形式因子，適用於超大規模資料中心。同時，美光正評估跳過1e工藝直接過渡到9nm DRAM的技術路線，力求在先進製程競爭中搶佔先機。
作為唯一美國本土記憶體製造商，美光受益於地緣政治多元化佈局，新加坡封裝廠持續擴產，與NVIDIA、AMD等巨頭深度合作，HBM3E 2025年產能已全部訂滿。
美光科技首席商務官Sumit Sadana拋出了一顆“深水炸彈”：2026年DRAM供應可能比現在還要緊張。他指出，AI應用對HBM的需求大幅上升，而HBM生產消耗的晶圓量約為標準DRAM的三倍，這導致全球儲存晶片供需失衡將進一步加劇。
對此，美光的產能規劃聚焦高端需求。預計2026財年資本支出達131億美元，重點擴大HBM與高容量儲存產品產能，計畫逐步停止DDR4生產，優先保障AI相關產品供應。
行業結構性訊號釋放：漲價、長單、產能傾斜三重共振
- 產品漲價成常態，供需失衡持續加劇
綜合儲存巨頭財報和行業動態來看，儲存產品價格進入強勁上行通道。
DRAM價格漲幅尤為顯著，DDR5 16Gb顆粒報價在一個月內暴漲至15.5美元，PC通用DRAM固定交易價格從1月的1.35美元上漲至9月的6.30美元，漲幅達367%，佔PC生產成本的7%，遠超4%的歷史平均水平。
HBM作為AI核心元件，價格漲幅更為突出，SK海力士HBM4單價達560美元，較HBM3E上漲50%以上，即便輝達初期抗拒，最終仍接受定價，彰顯頭部廠商的議價權。
其背後，供需失衡成為漲價核心邏輯。AI領域每月對記憶體的需求達數十萬片晶圓，推動HBM、DDR5等高性能產品供不應求，三星已停止DDR5 DRAM合同報價，SK海力士部分DDR5產品實現“零庫存”銷售。
瑞銀對此分析指出，記憶體行業正面臨潛在的嚴重短缺，AI引發的HBM強勁需求、傳統伺服器更新換代、AI與HDD短缺帶來的eSSD額外需求，以及晶圓產能優先投向HBM等諸多驅動因素導致傳統產品供應約束。
前文中曾提到價格飆升的背後，是全球儲存巨頭的產能戰略性傾斜。
三星、SK海力士、美光三大寡頭摒棄了過去“規模優先”的策略，轉向“利潤優先”，將先進製程產能集中投向高附加值產品。DRAM領域，三星率先停止DDR4生產，SK海力士計畫將DDR4產能壓縮至20%，美光與SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新訂單，所有資源向DDR5與HBM傾斜；NAND市場，廠商紛紛縮減消費級產能，將產能轉向企業級3D QLC產品。
這種結構性傾斜導致了市場“冰火兩重天”：高端HBM與DDR5供不應求，中低端DDR4因減產速度超過需求下降速度，出現嚴重供需錯配。
產能傾斜與需求倒逼共同推動了儲存技術的加速突破，成為行業變革的核心動力。其中，HBM領域的技術迭代最為迅猛，據瞭解，2025年全球HBM總產能已增至54萬片，同比激增105%，但仍難以填補AI帶來的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量產體系，預計將佔據HBM4市場60%以上份額，三星、美光等廠商也在加緊籌備HBM4量產，力爭搶佔輝達、AMD認證先機，而國內相關廠商也在加速突破，國產替代窗口期持續擴大。
總的來看，這場由AI引發的產業新變革，徹底打破了儲存行業傳統的“供需博弈”周期邏輯，形成了AI需求牽引-產能高端傾斜-技術迭代加速-價格結構性上漲的新閉環。從HBM的一芯難求到NAND的從白菜價到緊俏貨，從巨頭的產能重構到國產廠商的突圍，儲存晶片市場正經歷著新一輪的深度重塑，將儲存晶片從標準化大宗商品，重塑為影響算力發展的戰略性資源，標誌著產業已進入一個由技術迭代與需求爆發共同定義的全新時代。
- 大客戶簽約鎖定長期需求
儲存巨頭與AI龍頭的合作持續升級。
SK海力士與輝達完成HBM4供應談判，鎖定明年核心訂單；三星通過輝達先進HBM晶片認證，第四季度起正式供應HBM3E，雙方共建的AI工廠將進一步強化合作。同時，三星與SK海力士均與OpenAI簽署協議，參與價值5000億美元的Stargate資料中心項目，在為OpenAI的ChatGPT建設20個專注於AI的資料中心目標指引下，每月需聯合供應90萬片DRAM晶圓（主要用於HBM），推動HBM產能加速擴張。
能看到，長期協議正在成為行業新趨勢。西部資料前七大客戶訂單覆蓋2026-2027年，美光與超大規模客戶簽訂長期供應協議，SK海力士2026年全系列儲存晶片產能已全部售罄。這種“先下單、後生產”的模式，既提升了市場可預測性與業務穩定性，也使得儲存廠商與AI、雲巨頭形成深度繫結，行業壁壘持續抬高。
- 技術升級與產能擴張
各大廠商都在加速技術升級和產能擴張。三星電子計畫2025年投資47.4兆韓元進行產能升級，其中半導體部門獨佔86%預算。SK海力士提前啟用M15X工廠潔淨室並啟動裝置安裝以新增產能，2026年資本支出預計高於2025年。美光科技預計2026財年資本支出將達到131億美元。
在技術方面，High NA EUV光刻技術成為新的競爭焦點。三星電子和SK海力士都已引進High NA EUV光刻機，用於下一代儲存產品的研發和量產。這標誌著儲存行業正在進入一個新的技術競爭階段。
ASML的最新財報也從側面證實了儲存市場的旺盛需求。第三季度ASML的新訂單額達到了54億歐元，高於市場預期，其中儲存類新訂單佔比從16%提升至47%。這表明儲存行業對先進製造裝置的強勁需求，技術迭代進入加速期，而儲存廠商正在加大資本開支力度，為下一輪技術競爭做準備。
在產品技術方面，HBM4成為各大廠商競爭的焦點。SK海力士率先向輝達交付全球首個HBM4 12層堆疊樣品，並已獲得積極評價。三星也計畫亮相其第六代12層HBM4產品。HBM4擁有2048個資料傳輸通道，是HBM3E的兩倍，將帶來頻寬和容量的巨大提升。
同時，傳統DRAM技術也在快速演進。SK海力士正在加速轉換至已實現穩定量產的最先進1cnm（第六代10nm等級）工藝，這將有助於推出儲存位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5記憶體以及更高容量的HBM堆疊。
綜合來看，儲存巨頭正通過技術迭代、產能鎖定與生態繫結，進一步擠壓中小廠商生存空間。三星、SK海力士、美光、西部資料等頭部企業佔據全球儲存市場絕大部分份額，且在AI儲存等高附加值領域的優勢持續擴大，行業“馬太效應”日益顯著。
儲存行業：走向結構性繁榮新時代
從儲存巨頭的財報表現與行業動態來看，可以清晰地看到儲存市場正在經歷一場由AI驅動的結構性變革，這一周期並非傳統意義上的周期性復甦，而是由技術革新與需求重構引發的結構性增長。
結合儲存行業與企業動態分析，這場變革或將呈現出以下特點和趨勢：
- 需求結構發生根本性變化：AI應用對高頻寬記憶體的需求呈現爆發式增長，HBM成為新的增長引擎。同時，AI伺服器對傳統DRAM和NAND的需求也在快速增長。
- 供需關係出現結構性失衡：HBM生產消耗大量晶圓產能，導致傳統儲存產品供應緊張。這種供需失衡可能持續較長時間，預計2026年全球DRAM bit需求增長超20%，NAND bit需求增長17%-19%，供需缺口將持續支撐產品價格與廠商盈利能力。
- 技術競爭進入新階段：High NA EUV等新技術的應用，以及HBM4等下一代產品的開發，將成為廠商競爭的關鍵。這些關鍵能力將進一步分化行業格局。
- 行業集中度進一步提升：儲存行業長期受供需周期波動影響，但AI帶來的剛性需求與技術升級，使得頭部廠商擺脫傳統周期束縛，形成“技術迭代-需求增長-盈利提升”的正向循環。三星、SK海力士、美光等企業通過繫結AI與雲巨頭，實現收入與利潤的持續增長，行業成長邏輯日益清晰。
對於產業鏈參與者而言，把握AI儲存（HBM）、高容量DRAM/NAND、先進製造工藝三大主線，將成為搶佔市場紅利的關鍵。
未來，儲存行業不僅是資料儲存的載體，更將成為AI算力生態的核心組成部分，技術創新與生態協同將持續推動行業走向新的繁榮。 (半導體行業觀察)