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DRAM漲價潮才剛開始，明年還將再漲58%？
今年下半年，由於來自人工智慧（AI）的需求大漲，導致全球DRAM市場供不應求，不僅DRAM合約價格持續大漲，現貨市場更是漲幅驚人。這也使得眾多的終端裝置廠商成本壓力倍增。那麼，2026年DRAM市場趨勢如何，是否仍將供不應求，價格將會繼續上漲多少？
2025年11月27日，由研究機構TrendForce集邦諮詢主辦的“MTS 2026儲存產業趨勢研討會”在深圳舉辦。會上，TrendForce半導體研究處資深研究副總吳雅婷分享了2026年DRAM記憶體產業發展趨勢。
2026年DRAM供應將增長20%，HBM在總供應當中佔比為9.1%
根據TrendForce的預測，從供應端來看，2025年全球DRAM供應將同比增長24%，2026年將同比增長20%。
從具體的記憶體類型來看，在2025年的DRAM供應當中，HBM同比大漲了88.1%，消費類記憶體同比下滑1.2%，用於圖形處理的視訊記憶體同比下滑0.3%，移動端記憶體同比增長了23.3%，伺服器記憶體同比增長了28.4%，PC端記憶體同比增長4.4%。
但是，從2026年的DRAM供應來看，HBM的增長幅度降至38.2%，消費類將增長6.2%，視訊記憶體將增長23.6%，移動端將增長17.3%，伺服器將增長23.1%，PC端將增長5.1%。
從各類型記憶體總體的供應量當中的佔比來看，2025年HBM供應雖然增長很快，但佔比只有7.9%，即便是到2026年佔比也只有9.1%。佔比最高的還是伺服器記憶體，2026年的佔比將達39.2%，相比2025年增長了1.2個百分點。
移動端的記憶體佔比位居第二，2026年佔比將達35.3%，相比2025年降低了0.7個百分點。2026年佔比同樣出現下滑的還有消費類和PC記憶體，分別為5.4%（同比減少了0.7個百分點）和8.2%（同比減少1.1個百分點）。
DRAM供應將持續轉向AI和伺服器
吳雅婷指出，自 2024 年以來，AI 和伺服器對 DRAM位元的消耗急劇增加。預計這一趨勢將持續下去，到 2026 年將佔據總 DRAM 供應量的66%。
這主要是由於Al和伺服器DRAM產品的利潤率遠高於其他消費類DRAM，促使上游的DRAM原廠將更多產能供應給這類客戶。此外，Al 和 伺服器DRAM消耗不再僅限於 HBM 和 DDR5，它還擴展到 LPDDR 和 視訊記憶體。而這無疑將會進一步擠壓消費類應用的產能。
吳雅婷解釋稱，比如Nvidia RTX Pro 6000系列就配備了96GB 超高速 GDDR7 ，這類產品就佔據了非常多的消耗量。還有在一些AI應用中，主機板上會整合越來越多的LPDDR記憶體。這些會一直在排擠消費類產品所需的DRAM供應。
“我們認為這個趨勢是不可逆的，2027年這一佔比可能會提升到70%以上。我們所預測的66%或者70%的數字，都是實際的消耗量。如果再加上一些客戶的額外購買的庫存，那麼能夠分配給到PC、智慧型手機或其他消費類終端的DRAM產能就更少。”吳雅婷強調道。
DRAM原廠的資本支出將持續增長
而為了增加Al和伺服器所需的DRAM（包括HBM）的供應，2025年三星、SK海力士、美光這三大DRAM原廠都在積極推動工藝的遷移，比如將DD4產線轉產DDR5，升級原有的DDR5產線轉向HBM，以及對於部分產能的擴展，這也導致DRAM原廠整體的資本支出同比增長超過80%。
隨著AI和伺服器 DRAM 需求保持強勁的勢頭，2026年的需求前景仍然樂觀。因此，儘管2025年的基數較高，但DRAM原廠2026年的資本支出仍將達到同比23%的增長。但是，這個增長也同樣是來自於頭部的三大DRAM原廠。而中國大陸的DRAM廠商由於裝置採購的限制，資本支出增長將會畢竟有限。
總體來看，雖然DRAM原廠的整體資本支出在增長，但是在2026年能增加產出的量依然還是非常少。
DRAM原廠新建產能將優先滿足HBM供應
DRAM原廠目前新建的產能相對比較有限，在AI旺盛的需求和高毛利率的驅動下，預計也將優先滿足HBM供應。
具體來說，三星在韓國新的P4L廠的潔淨室是來自其NAND Flash產線，並計畫在2025年完成DRAM潔淨室的建造，並於2026年開始生產。
SK海力士在韓國新建的M15X晶圓廠投入超過20兆韓元，該廠位於M15附近，並專注於生產1b DRAM，用作HBM3E的核心晶片。據悉，M15X計畫於2025年底實現量產，初期月產能為3.5萬片晶圓，未來預計可擴大至5.5萬至6萬片。
SK海力士在韓國Yongin的新晶圓廠第一階段計畫於 2025 年開始建設，並於 2027 年第二季度竣工，預計到2027年底開始貢獻產出。
相比之下，美光在目前正在新建的產能相對多一些。比如，在台灣的A5工廠，主要是擴大HBM堆疊能力，目前正計畫破土動工；美光在美國的ID1晶圓廠位於愛達荷州博伊西市美光研發中心附近，奠基儀式於 2024 年舉行，預計新晶圓廠將於2027年上半年開始生產晶圓；在美國的ID2晶圓廠的第二階段將在第一階段晶圓廠完工後開始建設，並比N.Y.Fab更早進入大規模生產；位於美國的N.Y.Fab目前仍處於準備階段，計畫於 2025 年底開始破土動工，預計將於2030年前進入量產階段；位於日本廣島工廠預計將於 2026 年開始建設，主要將用於HBM相關生產。
南亞科技在台灣新建的5A晶圓廠於去年破土動工，新工廠的建設計畫於2026年完工，預計將於2027年量產。整個工廠的產能計畫為4.5萬片。
所以，從目前已經公佈的新的產能建設計畫來看，2026年能夠供給市場的新增的產能比較有限，大多數都是要等到2027年底才能開出。
2026年LPDDR5X需求將暴漲169%
預計在2026年，隨著CSP擴大資本支出，並計畫採購更多的輝達 GB300和VR200機架解決方案，NVL機架的總出貨量可能達到約5.9萬個（高於之前估計的5.5萬個），這將使GB300/VR200 機架Al伺服器的份額達到伺服器總出貨量的7%左右，相比2025年增加了3個百分點。
此外，Grace CPU和Vera CPU還可以獨立部署在其他通用伺服器應用程式中，預計到2026年，其份額預計將上升到3.5%左右。
基於上述情況，輝達GB/VR機架需求的增長預計將進一步推動Grace和Vera CPU需求（搭配使用LPDDR5X）達到約280萬台（高於之前估計的230萬台），同比增長率約為71%。
因此隨著這些輝達AI伺服器出貨量的增長，將使得其對於LPDDR5X的需求持續增長，預計將會佔據2026年系列總產能的4%。
以上是對於實際需求的預測，但是輝達會傾向把庫存建得更高，所以保守的估計，輝達真正購買的LPDDR5X系列的量應該會是整個產業的5%到6%。
根據TrendForce的預測資料顯示，2025年市場對於LPDDR5X的需求同比增長558%，2026年還將繼續增長169%。預計2025-2030年的年複合增長率將會高達51%。而對於LPDDR5X的整體需求當中，來自輝達AI/伺服器的需求佔據了極高的比重。
智慧型手機加速轉向LPDDR5(X)，將面臨AI需求競爭
目前智能智慧型手機記憶體解決方案基本都是LPDDR4、LPDDR5。但是由於上游原廠逐步停止LPDDR4的供應，產線轉產新製程，使得LPDDR4缺貨漲價，並且是不可逆的，所以手機廠商也需要加速轉向最先進的LPDDR5/LPDDR5X。
從整個LPDDR的生產供應來看，2025年LPDDR4(X)在總的LPDDR供應當中的佔比為39%，隨著三大原廠的逐步停產，預計2026年佔比將會降低至26%。相比之下，LPDDR5(X)的供應佔比將從2025年的60%快速提升到2026年的73%。
根據TrendForce的預計，從智慧型手機生產的角度來看，LPDDR5(X) Gb當量預計將在2025年佔比52%，在2026年將提升至66%。2025年配備LPDDR5(X)的智慧型手機將佔智慧型手機總產量的37%，到2026年將佔51%。
正如前面所提到的，除了智慧型手機加速轉向LPDDR5(X)之外，很多AI應用也在擴大LPDDR5(X)的匯入。這也使得手機廠商所需的產能將會受到一定程度的排擠。因為對於DRAM原廠來說，將LPDDR5(X)做成面向的AI的產品供給AI客戶，相比供給手機廠商，會有高達50%到60%的溢價。
吳雅婷指出：“我們預估明年LPDDR的產出中超過70%是LPDDR5。但這不代表LPDDR5不會缺貨，主要原因是手機的需求會跟AI的需求互相競爭。所以讓LPDDR5的供給緊張，再加上LPDDR4的供給減少，所以在2026年智慧型手機的成本壓力就會上升很多。”
由於DRAM及NAND Flash採購成本的持續上升，智慧型手機廠商本身毛利就不高，因此必然需要通過對手機進行漲價來抵消成本增長壓力。資料顯示，LPDRAM價格在2025年下半年整體上漲了50%以上，一些智慧型手機品牌已經調漲零售價格作為回應。但是這也將導致客戶的購買需求被抑制。
另一方面，手機廠商對於產品的規格的升級將會進一步放緩，甚至可能為了抵消成本上漲壓力和避免價格上漲，進而削減產品的記憶體和儲存配置。
伺服器市場對於儲存需求將保持快速增長
從需求端的各個市場的發展來看，2025年筆記型電腦市場和智慧型手機市場的增長率分別為5%和2%，但是由於儲存晶片（包括DRAM和NAND Flash）價格持續上漲，迫使PC廠商和智慧型手機提升產品售價，這將會抑制客戶的購買需求，預計將導致2026年出貨將分別同比下滑3%和2%。相比之下，通用伺服器和AI伺服器市場仍將會繼續增長，2025年增長幅度分別為8%、25%，2026年將分別繼續增長9%、24%。
從這些市場對於DRAM和NAND Flash的需求來看，2025年來自筆記型電腦的需求分別增長了14%和3%，預計2026年將繼續分別增長10%和6%；2025年來自智慧型手機的需求分別增長了9%和11%，預計2026年將繼續增長8%和8%。
相比之下，通用伺服器和AI伺服器對於DRAM和NAND Flash需求將保持高速增長。其中，通用伺服器對於DRAM需求，預計2025年同比增長19%，2026年將繼續同比增長20%；通用伺服器對於NAND Flash的需求，預計2025年同比增長30%，2026年同比增長19%。
AI伺服器對於DRAM需求方面，預計2025年LPDDR需求同比大漲67%，RDIMM同比增長31%；2026年LPDDR需求同比增長15%，RDIMM同比增長21%。AI伺服器對於NAND Flash需求方面，2025年同比增長50%，2026年將繼續大漲70%。
通用伺服器和AI伺服器對於DRAM需求的增長，主要來自於微軟、亞馬遜、Google、Meta、甲骨文、字節跳動、阿里巴巴、騰訊雲、百度讀等頭部的雲服務（CSP）廠商需求的增長。
今年9月份的時候，儲存出現供應緊張的跡象，隨後美系五大雲端業者已經看到2026年的DRAM缺貨是不可能改變。客戶搶不到貨，就會傾向把第二年想要的需求量放得更大，所以就造成缺口越來越大。
吳雅婷表示：“我們觀察到，CSP廠商與DRAM供應商關於需求的討論已經不是針對2026年，因為2026年的缺貨已經無解，所以現在更多的討論是在鎖定2027年甚至2028年的供應。不排除價格一直上漲的情況下，他們有更大的誠意，比如先付款，支援DRAM原廠的資本支出，以鎖定未來的產能。這就是我們現在看到的情況，這種情況在之前從來沒有發生過。”
2026年DRAM供應缺口將持續增在
總結來說，儲存市場的需求增長主要是由伺服器市場驅動，尤其是北美CSP訂單的穩定增長。疊加Al伺服器部署的快速推進，2026年的對於DRAM的需求將同比增長26%，比2025年的22%增長率進一步上升。
雖然PC和智慧型手機的對於NAND Flash需求增長有限，但AI應用將推動企業級SSD的強勁需求增長，推動2026年整個市場對於NAND Flash同比增長21%。
需要指出的是，前面的預測資料就有提到，2026年全球DRAM供應同比增長幅度只有20%，現在預測的2026年DRAM需求增長是26%，這也意味著整個2026年將至少存在6個百分點的供應缺口。而這當中還沒有考慮到庫存狀況，以及客戶在搶不到足夠DRAM供應的情況，會增加下單超過實際需求的量。所以，實際的缺口會更大。
2026年DRAM價格將上漲58%
根據TrendForce的預計，2026年DRAM市場的供應量將為1740億個單位（2Gb）容量，同比增長20%；營收規模將會達到3010億美元，同比大漲85%；平均單價約為1.63美元，同比上漲58%。
2026年NAND Flash市場的供應量將為11220億個單位（8Gb）容量，同比增長21%；營收規模將會達到1110億美元，同比大漲59%；平均單價約為0.1美元，同比上漲32%。
談到DRAM缺貨問題，不可迴避的最為關鍵的一個原因在於輝達等AI晶片廠商對於HBM的龐大需求。而HBM的生產就需要大量的DDR5顆粒。根據此前美光公佈的資料，要產出一份HBM產能，就需要消耗三份的DDR5產能。這也造成了巨大的DDR5的產能消耗，而DRAM原廠都在積極地擴大利潤率更高的HBM產能供應給AI晶片客戶，這也成為了DRAM產能緊缺的關鍵原因。
吳雅婷表示，今年第四季度DRAM合約價格變化很快，從最初的每個季度報價，到後面每個星期要改一次。現在多家原廠都停止了報價，他們都不希望自己的漲價幅度低於別人，所以他們輪流暫停報價，每一次報價出來的金額都比上一次高。如果排除HBM的部分，今年第四季度消費類DRAM的漲價幅度接近50%，不排除還有上修的空間。但是上修的空間並不會太大。基本上可以反映明年第一季度的漲幅。
從2026年的每個季度的不同類型的DRAM價格漲幅來看，明年上半年消費類DRAM的漲幅會比較明顯。各個類型的DRAM都會持續缺貨，原廠輪流停止報價、漲價、競價的行為模式短期可能不會改變。到明年第四季度，各類型DRAM的漲幅預計將會縮小。
小結：
以上一個DRAM上升超級周期為例來看，當時是在2016年-2018年間，主要是由通用伺服器需求驅動的，DRAM價格持續上漲了約9個季度。但是，當前這一輪DRAM價格上漲則是由AI伺服器和通用伺服器高通驅動的，並且還存在著結構性的產能轉換和多個維度的需求競爭，情況更為複雜，短缺和漲價可能將會持續更長時間，預計2026年一整年都會面臨供應緊缺和漲價的問題。
因此，當前的儲存市場已經成為了買方市場，儲存晶片原廠將會持續提高合約價，並且有意地控制擴產，以期儘量將儲存的供應持續維持在供不應求的狀態，同時推動儲存價格持續上漲並維持高位。
儲存晶片原廠當前擴大資本支出新建的產能，等產能開出也要2027年底了，對於2026年和2027年影響有限。或許2028年之後會不會有更多的新的儲存晶片產能供應出來，但是屆時需求可能也會跟上來。
所以，對於買方來說，接下來將會面臨殘酷的DRAM供應爭奪戰。由於雲端CSP廠商對於DRAM需求量大且財大氣粗，更容易鎖定原廠的DRAM產能供應，並且會排擠原廠對於消費類DRAM的產能供應。相比之下，手機、PC等終端裝置廠商將會面臨較大的挑戰（畢竟惠普這樣的PC大廠的營業利潤率也就5.8%），特別是對於中小型電子產品廠商來說關乎生死存亡。 (芯智訊)