據Gartner發佈的最新報告，受DRAM供應嚴重短缺影響，500美元以下入門級PC市場將在2028年前徹底消失，2026年PC出貨量預計暴跌10.4%，跌幅超過智慧型手機市場。Gartner高級分析師Ranjit Atwal指出，記憶體成本在PCBOM物料成本中的佔比急劇攀升，製造商已無法像過去那樣自行消化成本上漲。對於傳統入門級產品，廠商通常選擇內部吸收BOM增長以維持價格競爭力，但當前記憶體價格漲幅已超出承受極限，"廠商別無選擇，只能將成本壓力轉嫁給消費者"。Ranjit Atwal明確表示：“低於500美元的入門級PC市場將於2028年消失”。這一轉變對500-1000美元主流價位段衝擊最為嚴重，Gartner預計，消費者將大幅延長換機周期，PC使用壽命在今年底前將增長20%。為了確保盈利，廠商寧願接受銷量下滑，也會優先保證高端高利潤機型的供應，這意味著低價位段的現貨將越來越少。隨著現有DRAM庫存快速耗盡，記憶體價格通膨將在二季度進一步加劇，對於預算有限的玩家而言，唯一可行的應對策略是推遲購買計畫，但這一過程可能耗時一年以上。DDR5記憶體價格居高不下，儲存也同樣的趨勢，迫使很多玩家回到了更老的DDR4平台，帶動它們的價格也漲了。DIY和整機市場的另一個趨勢，就是可能會走向中低端為主，很多低端主機板近日的銷量就相當看好，比如H510。H510主機板已經發佈5年多了，規格非常普通，僅支援雙通道DDR4記憶體、六條PCIe 3.0擴展通道、四個USB 3.0 5Gbps介面等。H510晶片組已經停產了，在售主機板價格一般在二三百元，原本很快就要退市了。不過，近日受到元器件材料供貨缺貨的影響，未來1-2個月可能會陸續漲價，對低端主機板的成本影響壓力會相當大。H510停產之後，雖然還能採購到一些，但數量無法太多，加上元件成本上漲、貨源緊缺、需求增長等一系列影響，H510主機板的採購成本和銷售價格會越拉越高。預計3月開始，H510主機板的價格會明顯上漲，大機率會直接崩向400元以上。(硬體世界)

今年下半年，由於來自人工智慧（AI）的需求大漲，導致全球DRAM市場供不應求，不僅DRAM合約價格持續大漲，現貨市場更是漲幅驚人。這也使得眾多的終端裝置廠商成本壓力倍增。那麼，2026年DRAM市場趨勢如何，是否仍將供不應求，價格將會繼續上漲多少？2025年11月27日，由研究機構TrendForce集邦諮詢主辦的“MTS 2026儲存產業趨勢研討會”在深圳舉辦。會上，TrendForce半導體研究處資深研究副總吳雅婷分享了2026年DRAM記憶體產業發展趨勢。2026年DRAM供應將增長20%，HBM在總供應當中佔比為9.1%根據TrendForce的預測，從供應端來看，2025年全球DRAM供應將同比增長24%，2026年將同比增長20%。從具體的記憶體類型來看，在2025年的DRAM供應當中，HBM同比大漲了88.1%，消費類記憶體同比下滑1.2%，用於圖形處理的視訊記憶體同比下滑0.3%，移動端記憶體同比增長了23.3%，伺服器記憶體同比增長了28.4%，PC端記憶體同比增長4.4%。但是，從2026年的DRAM供應來看，HBM的增長幅度降至38.2%，消費類將增長6.2%，視訊記憶體將增長23.6%，移動端將增長17.3%，伺服器將增長23.1%，PC端將增長5.1%。從各類型記憶體總體的供應量當中的佔比來看，2025年HBM供應雖然增長很快，但佔比只有7.9%，即便是到2026年佔比也只有9.1%。佔比最高的還是伺服器記憶體，2026年的佔比將達39.2%，相比2025年增長了1.2個百分點。移動端的記憶體佔比位居第二，2026年佔比將達35.3%，相比2025年降低了0.7個百分點。2026年佔比同樣出現下滑的還有消費類和PC記憶體，分別為5.4%（同比減少了0.7個百分點）和8.2%（同比減少1.1個百分點）。DRAM供應將持續轉向AI和伺服器吳雅婷指出，自 2024 年以來，AI 和伺服器對 DRAM位元的消耗急劇增加。預計這一趨勢將持續下去，到 2026 年將佔據總 DRAM 供應量的66%。這主要是由於Al和伺服器DRAM產品的利潤率遠高於其他消費類DRAM，促使上游的DRAM原廠將更多產能供應給這類客戶。此外，Al 和 伺服器DRAM消耗不再僅限於 HBM 和 DDR5，它還擴展到 LPDDR 和 視訊記憶體。而這無疑將會進一步擠壓消費類應用的產能。吳雅婷解釋稱，比如Nvidia RTX Pro 6000系列就配備了96GB 超高速 GDDR7 ，這類產品就佔據了非常多的消耗量。還有在一些AI應用中，主機板上會整合越來越多的LPDDR記憶體。這些會一直在排擠消費類產品所需的DRAM供應。“我們認為這個趨勢是不可逆的，2027年這一佔比可能會提升到70%以上。我們所預測的66%或者70%的數字，都是實際的消耗量。如果再加上一些客戶的額外購買的庫存，那麼能夠分配給到PC、智慧型手機或其他消費類終端的DRAM產能就更少。”吳雅婷強調道。DRAM原廠的資本支出將持續增長而為了增加Al和伺服器所需的DRAM（包括HBM）的供應，2025年三星、SK海力士、美光這三大DRAM原廠都在積極推動工藝的遷移，比如將DD4產線轉產DDR5，升級原有的DDR5產線轉向HBM，以及對於部分產能的擴展，這也導致DRAM原廠整體的資本支出同比增長超過80%。隨著AI和伺服器 DRAM 需求保持強勁的勢頭，2026年的需求前景仍然樂觀。因此，儘管2025年的基數較高，但DRAM原廠2026年的資本支出仍將達到同比23%的增長。但是，這個增長也同樣是來自於頭部的三大DRAM原廠。而中國大陸的DRAM廠商由於裝置採購的限制，資本支出增長將會畢竟有限。總體來看，雖然DRAM原廠的整體資本支出在增長，但是在2026年能增加產出的量依然還是非常少。DRAM原廠新建產能將優先滿足HBM供應DRAM原廠目前新建的產能相對比較有限，在AI旺盛的需求和高毛利率的驅動下，預計也將優先滿足HBM供應。具體來說，三星在韓國新的P4L廠的潔淨室是來自其NAND Flash產線，並計畫在2025年完成DRAM潔淨室的建造，並於2026年開始生產。SK海力士在韓國新建的M15X晶圓廠投入超過20兆韓元，該廠位於M15附近，並專注於生產1b DRAM，用作HBM3E的核心晶片。據悉，M15X計畫於2025年底實現量產，初期月產能為3.5萬片晶圓，未來預計可擴大至5.5萬至6萬片。SK海力士在韓國Yongin的新晶圓廠第一階段計畫於 2025 年開始建設，並於 2027 年第二季度竣工，預計到2027年底開始貢獻產出。相比之下，美光在目前正在新建的產能相對多一些。比如，在台灣的A5工廠，主要是擴大HBM堆疊能力，目前正計畫破土動工；美光在美國的ID1晶圓廠位於愛達荷州博伊西市美光研發中心附近，奠基儀式於 2024 年舉行，預計新晶圓廠將於2027年上半年開始生產晶圓；在美國的ID2晶圓廠的第二階段將在第一階段晶圓廠完工後開始建設，並比N.Y.Fab更早進入大規模生產；位於美國的N.Y.Fab目前仍處於準備階段，計畫於 2025 年底開始破土動工，預計將於2030年前進入量產階段；位於日本廣島工廠預計將於 2026 年開始建設，主要將用於HBM相關生產。南亞科技在台灣新建的5A晶圓廠於去年破土動工，新工廠的建設計畫於2026年完工，預計將於2027年量產。整個工廠的產能計畫為4.5萬片。所以，從目前已經公佈的新的產能建設計畫來看，2026年能夠供給市場的新增的產能比較有限，大多數都是要等到2027年底才能開出。2026年LPDDR5X需求將暴漲169%預計在2026年，隨著CSP擴大資本支出，並計畫採購更多的輝達 GB300和VR200機架解決方案，NVL機架的總出貨量可能達到約5.9萬個（高於之前估計的5.5萬個），這將使GB300/VR200 機架Al伺服器的份額達到伺服器總出貨量的7%左右，相比2025年增加了3個百分點。此外，Grace CPU和Vera CPU還可以獨立部署在其他通用伺服器應用程式中，預計到2026年，其份額預計將上升到3.5%左右。基於上述情況，輝達GB/VR機架需求的增長預計將進一步推動Grace和Vera CPU需求（搭配使用LPDDR5X）達到約280萬台（高於之前估計的230萬台），同比增長率約為71%。因此隨著這些輝達AI伺服器出貨量的增長，將使得其對於LPDDR5X的需求持續增長，預計將會佔據2026年系列總產能的4%。以上是對於實際需求的預測，但是輝達會傾向把庫存建得更高，所以保守的估計，輝達真正購買的LPDDR5X系列的量應該會是整個產業的5%到6%。根據TrendForce的預測資料顯示，2025年市場對於LPDDR5X的需求同比增長558%，2026年還將繼續增長169%。預計2025-2030年的年複合增長率將會高達51%。而對於LPDDR5X的整體需求當中，來自輝達AI/伺服器的需求佔據了極高的比重。智慧型手機加速轉向LPDDR5(X)，將面臨AI需求競爭目前智能智慧型手機記憶體解決方案基本都是LPDDR4、LPDDR5。但是由於上游原廠逐步停止LPDDR4的供應，產線轉產新製程，使得LPDDR4缺貨漲價，並且是不可逆的，所以手機廠商也需要加速轉向最先進的LPDDR5/LPDDR5X。從整個LPDDR的生產供應來看，2025年LPDDR4(X)在總的LPDDR供應當中的佔比為39%，隨著三大原廠的逐步停產，預計2026年佔比將會降低至26%。相比之下，LPDDR5(X)的供應佔比將從2025年的60%快速提升到2026年的73%。根據TrendForce的預計，從智慧型手機生產的角度來看，LPDDR5(X) Gb當量預計將在2025年佔比52%，在2026年將提升至66%。2025年配備LPDDR5(X)的智慧型手機將佔智慧型手機總產量的37%，到2026年將佔51%。正如前面所提到的，除了智慧型手機加速轉向LPDDR5(X)之外，很多AI應用也在擴大LPDDR5(X)的匯入。這也使得手機廠商所需的產能將會受到一定程度的排擠。因為對於DRAM原廠來說，將LPDDR5(X)做成面向的AI的產品供給AI客戶，相比供給手機廠商，會有高達50%到60%的溢價。吳雅婷指出：“我們預估明年LPDDR的產出中超過70%是LPDDR5。但這不代表LPDDR5不會缺貨，主要原因是手機的需求會跟AI的需求互相競爭。所以讓LPDDR5的供給緊張，再加上LPDDR4的供給減少，所以在2026年智慧型手機的成本壓力就會上升很多。”由於DRAM及NAND Flash採購成本的持續上升，智慧型手機廠商本身毛利就不高，因此必然需要通過對手機進行漲價來抵消成本增長壓力。資料顯示，LPDRAM價格在2025年下半年整體上漲了50%以上，一些智慧型手機品牌已經調漲零售價格作為回應。但是這也將導致客戶的購買需求被抑制。另一方面，手機廠商對於產品的規格的升級將會進一步放緩，甚至可能為了抵消成本上漲壓力和避免價格上漲，進而削減產品的記憶體和儲存配置。伺服器市場對於儲存需求將保持快速增長從需求端的各個市場的發展來看，2025年筆記型電腦市場和智慧型手機市場的增長率分別為5%和2%，但是由於儲存晶片（包括DRAM和NAND Flash）價格持續上漲，迫使PC廠商和智慧型手機提升產品售價，這將會抑制客戶的購買需求，預計將導致2026年出貨將分別同比下滑3%和2%。相比之下，通用伺服器和AI伺服器市場仍將會繼續增長，2025年增長幅度分別為8%、25%，2026年將分別繼續增長9%、24%。從這些市場對於DRAM和NAND Flash的需求來看，2025年來自筆記型電腦的需求分別增長了14%和3%，預計2026年將繼續分別增長10%和6%；2025年來自智慧型手機的需求分別增長了9%和11%，預計2026年將繼續增長8%和8%。相比之下，通用伺服器和AI伺服器對於DRAM和NAND Flash需求將保持高速增長。其中，通用伺服器對於DRAM需求，預計2025年同比增長19%，2026年將繼續同比增長20%；通用伺服器對於NAND Flash的需求，預計2025年同比增長30%，2026年同比增長19%。AI伺服器對於DRAM需求方面，預計2025年LPDDR需求同比大漲67%，RDIMM同比增長31%；2026年LPDDR需求同比增長15%，RDIMM同比增長21%。AI伺服器對於NAND Flash需求方面，2025年同比增長50%，2026年將繼續大漲70%。通用伺服器和AI伺服器對於DRAM需求的增長，主要來自於微軟、亞馬遜、Google、Meta、甲骨文、字節跳動、阿里巴巴、騰訊雲、百度讀等頭部的雲服務（CSP）廠商需求的增長。今年9月份的時候，儲存出現供應緊張的跡象，隨後美系五大雲端業者已經看到2026年的DRAM缺貨是不可能改變。客戶搶不到貨，就會傾向把第二年想要的需求量放得更大，所以就造成缺口越來越大。吳雅婷表示：“我們觀察到，CSP廠商與DRAM供應商關於需求的討論已經不是針對2026年，因為2026年的缺貨已經無解，所以現在更多的討論是在鎖定2027年甚至2028年的供應。不排除價格一直上漲的情況下，他們有更大的誠意，比如先付款，支援DRAM原廠的資本支出，以鎖定未來的產能。這就是我們現在看到的情況，這種情況在之前從來沒有發生過。”2026年DRAM供應缺口將持續增在總結來說，儲存市場的需求增長主要是由伺服器市場驅動，尤其是北美CSP訂單的穩定增長。疊加Al伺服器部署的快速推進，2026年的對於DRAM的需求將同比增長26%，比2025年的22%增長率進一步上升。雖然PC和智慧型手機的對於NAND Flash需求增長有限，但AI應用將推動企業級SSD的強勁需求增長，推動2026年整個市場對於NAND Flash同比增長21%。需要指出的是，前面的預測資料就有提到，2026年全球DRAM供應同比增長幅度只有20%，現在預測的2026年DRAM需求增長是26%，這也意味著整個2026年將至少存在6個百分點的供應缺口。而這當中還沒有考慮到庫存狀況，以及客戶在搶不到足夠DRAM供應的情況，會增加下單超過實際需求的量。所以，實際的缺口會更大。2026年DRAM價格將上漲58%根據TrendForce的預計，2026年DRAM市場的供應量將為1740億個單位（2Gb）容量，同比增長20%；營收規模將會達到3010億美元，同比大漲85%；平均單價約為1.63美元，同比上漲58%。2026年NAND Flash市場的供應量將為11220億個單位（8Gb）容量，同比增長21%；營收規模將會達到1110億美元，同比大漲59%；平均單價約為0.1美元，同比上漲32%。談到DRAM缺貨問題，不可迴避的最為關鍵的一個原因在於輝達等AI晶片廠商對於HBM的龐大需求。而HBM的生產就需要大量的DDR5顆粒。根據此前美光公佈的資料，要產出一份HBM產能，就需要消耗三份的DDR5產能。這也造成了巨大的DDR5的產能消耗，而DRAM原廠都在積極地擴大利潤率更高的HBM產能供應給AI晶片客戶，這也成為了DRAM產能緊缺的關鍵原因。吳雅婷表示，今年第四季度DRAM合約價格變化很快，從最初的每個季度報價，到後面每個星期要改一次。現在多家原廠都停止了報價，他們都不希望自己的漲價幅度低於別人，所以他們輪流暫停報價，每一次報價出來的金額都比上一次高。如果排除HBM的部分，今年第四季度消費類DRAM的漲價幅度接近50%，不排除還有上修的空間。但是上修的空間並不會太大。基本上可以反映明年第一季度的漲幅。從2026年的每個季度的不同類型的DRAM價格漲幅來看，明年上半年消費類DRAM的漲幅會比較明顯。各個類型的DRAM都會持續缺貨，原廠輪流停止報價、漲價、競價的行為模式短期可能不會改變。到明年第四季度，各類型DRAM的漲幅預計將會縮小。小結：以上一個DRAM上升超級周期為例來看，當時是在2016年-2018年間，主要是由通用伺服器需求驅動的，DRAM價格持續上漲了約9個季度。但是，當前這一輪DRAM價格上漲則是由AI伺服器和通用伺服器高通驅動的，並且還存在著結構性的產能轉換和多個維度的需求競爭，情況更為複雜，短缺和漲價可能將會持續更長時間，預計2026年一整年都會面臨供應緊缺和漲價的問題。因此，當前的儲存市場已經成為了買方市場，儲存晶片原廠將會持續提高合約價，並且有意地控制擴產，以期儘量將儲存的供應持續維持在供不應求的狀態，同時推動儲存價格持續上漲並維持高位。儲存晶片原廠當前擴大資本支出新建的產能，等產能開出也要2027年底了，對於2026年和2027年影響有限。或許2028年之後會不會有更多的新的儲存晶片產能供應出來，但是屆時需求可能也會跟上來。所以，對於買方來說，接下來將會面臨殘酷的DRAM供應爭奪戰。由於雲端CSP廠商對於DRAM需求量大且財大氣粗，更容易鎖定原廠的DRAM產能供應，並且會排擠原廠對於消費類DRAM的產能供應。相比之下，手機、PC等終端裝置廠商將會面臨較大的挑戰（畢竟惠普這樣的PC大廠的營業利潤率也就5.8%），特別是對於中小型電子產品廠商來說關乎生死存亡。 (芯智訊)