中國國產半導體裝置新突破，便宜大碗的自主儲存晶片真要來了？

坐等

根據瑞銀（UBS）近期發佈的一份報告，中國半導體裝置領軍企業北方華創（NAURA）在關鍵的深孔刻蝕技術上取得了重大進展。北方華創成功攻克了 90:1 高縱橫比（HAR）深孔刻蝕技術，這為國記憶體儲晶片廠商實現300層以上3D NAND快閃記憶體的製造奠定了裝置基礎。

3D NAND技術是當前儲存晶片提高密度的核心路徑，廠商通過不斷堆疊儲存單元層數來提升容量。隨著層數從128層邁向200層乃至300層，對製造工藝的要求也達到了極致。

晶片製造商需要在數微米厚的多層材料中，垂直打出直徑僅幾十奈米的“通孔”，以連接各層儲存單元。當層數達到300層以上時，所需的深寬比（即深度與直徑之比）將達到90:1或更高。深孔刻蝕正是實現這一目標的最苛刻工藝之一，長期以來由美國泛林（Lam Research）和日本東京電子（TEL）等國際巨頭主導。

在美國對華實施半導體裝置出口管制、先進儲存裝置禁運的背景下，國記憶體儲廠商對核心裝置的中國國產化需求已上升為“必選項”。北方華創此次的技術突破，正是在這一戰略關鍵期的重要進展。

值得一提的是，中國另一家刻蝕裝置龍頭中微公司此前也已宣佈具備90:1深孔刻蝕能力，並正在加速攻克100:1技術，顯示出中國裝置廠商在這一領域整體的奮起直追態勢。

瑞銀分析指出，如果北方華創的90:1刻蝕裝置能順利獲得中國NAND晶圓廠的訂單，預計將為公司打開數億乃至數十億美元的新增市場空間。同時，由於中國邏輯晶片廠商對先進製程裝置的需求持續旺盛，北方華創來自邏輯客戶的收入也有進一步增長潛力。

基於對市場需求的樂觀判斷，瑞銀已將北方華創2026年和2027年的晶圓廠裝置（WFE）收入預測分別上調1%和8%。

事實上，北方華創的業務佈局已覆蓋多個高增長領域。公司近期在投資者互動平台上透露，隨著 HBM（高頻寬記憶體）市場需求的爆發，公司在HBM晶片製造領域已形成完整的解決方案。這包括深矽刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心裝置。

面對投資者關於“美系裝置斷供下訂單情況”的提問，北方華創回應稱，目前公司在儲存裝置和成熟製程裝置方面的訂單保持良好態勢，產品已廣泛應用於中國主流晶片廠商的生產線。

當前，AI、雲端運算等新興應用正在推動儲存晶片進入新一輪擴產周期，行業供需缺口明顯。據業內預測，2025 年至2027年全球HBM產能將增長超過300%。中國作為全球最大的儲存晶片消費市場，本土製造的迫切需求為北方華創等中國國產裝置商帶來了歷史性的發展機遇。

此次突破，使得國記憶體儲晶片廠商在關鍵裝置採購上擁有了可靠的本土選項，極大地降低了外部管制帶來的風險。配合中微公司的同步進展，中國國產刻蝕裝置正在形成強大的叢集效應，這對於儲存器產業實現自主可控具有里程碑意義。

目前中國市場對儲存晶片的依賴度，仍以韓國的三星和 SK 海力士為主，美光也佔據重要地位，有大量的市場等待開拓。

當下中國國產DRAM佔據全球市場份額僅3~5%，而NAND快閃記憶體領域也不過是5~8%。而中國是全球雲端運算和 AI 基礎設施增長最快的市場之一，對高性能伺服器記憶體的需求巨大，同時也是全球最大的智慧型手機和 PC 製造及消費市場，對DRAM的需求佔比預估為30~40%。

隨著資料中心和 PC 市場對固態硬碟的需求增加，NAND快閃記憶體的需求量持續攀升，在手機儲存上也需要大量的UFS儲存晶片，因此對NAND快閃記憶體的產能需求同樣巨大，佔全球產能1/3左右。而若要實現中國國產裝置儲存全面自主化，這些待開拓的市場價值超過三千億元，這對於我們的企業既是機會也是挑戰。

希望我們的儲存晶片企業能夠抓住這次機會，趁上行期好好擴充產能，為全面自主添磚加瓦。 (AMP實驗室)