日媒：因質量和安全性的擔憂，就算中國晶片賣的再便宜，日本公司也不會優先考慮中國晶片

2025/12/14

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據日經中文網報導指出，中國企業正在半導體儲存器領域持續發力，長江儲存已經佔據了全球快閃記憶體市場10%的銷量份額，其目標是在2026年將這個百分比提高至15%。

根據技術機構Techinsights發佈的資料顯示，中國製造的快閃記憶體晶片要比其他國家生產的產品便宜10%—20%。如果中國廠商持續在儲存器領域發力，那麼日美韓廠商將面臨著市場份額下降、利潤空間減小等困境。

2018年，長江儲存推出了自主研發的Xtacking架構。次年，長江儲存實現了32層3D NAND快閃記憶體量產，並同期宣佈64層3D NAND快閃記憶體研發完成。

2022年，長江儲存推出了232層3D NAND快閃記憶體晶片，該快閃記憶體在堆疊層數和儲存密度兩個層面達到了國際領先水平。同年，美國將長江儲存拉入實體清單，宣佈對其實施出口管制。

2024年，長江儲存基於最新的Xtacking 4.0架構，實現了270層快閃記憶體晶片堆疊。該快閃記憶體的讀取速度突破14.5GB/s，比肩全球頂級的SSD產品。該技術的問世，直接縮短了中國與國際企業之間的差距，讓中國企業有了與韓國三星、美國美光、日本鎧俠同台競技的資本。

根據調查公司Counterpoint的報告顯示，長江儲存在全球快閃記憶體市場的收入佔比正在逐步提升。

儘管現在的收入佔比相較於國際企業還略低一些，但中國品牌的消費產品正在大規模應用長江儲存的快閃記憶體晶片。隨著中國產品出貨量的增加，長江儲存的市場佔比和收入佔比將會同步提升。

在DRAM領域，長鑫儲存是中國記憶體行業的領軍者。相較於快閃記憶體市場的激烈競爭，記憶體市場更像是少數企業通吃的產業。

根據Counterpoint的報告顯示，在全球季度記憶體市場的收入佔比當中，三星、SK海力士、美光這三家通吃了全球超90%的記憶體收入市場，來自於中國的長鑫儲存只佔據了5%的收入份額。

現階段用於ai產業的高頻寬記憶體，三星、SK海力士等企業的產品已經進入到了第六代技術，而長鑫儲存還停留在第三代，在技術上面有5年的差距。

雖然有差距，但中國企業正在快速追趕的階段。長鑫儲存在上個月舉辦的國際半導體展覽會上面，首次展示出了自主研發的LPDDR5X和DDR5記憶體。

其DDR5記憶體的最高速率達到了8000Mbps，最高單顆容量24Gb(3GB)，完全追上了世界一流水平。並且長鑫的DDR5記憶體支援的形態產品豐富，包括了桌面型、筆記本型、普通資料中心型在內的7種形態，覆蓋了個人電腦、工作站、伺服器、資料中心等全場景應用。

LPDDR5X記憶體更多應用於消費電子產品，其最高速率達到了的10667Mbps，還有9600Mbps、8533Mbps。單顆最大容量為16Gb(2GB)，同時還有12Gb(1.5GB)，封裝容量提供了12GB、16GB、24GB、32GB等多種方案。

目前長鑫的LPDDR系列記憶體已經搭載到了國產手機品牌當中，依靠國產消費產品的大面積出貨，中國儲存晶片在市場規模以及製造成本上面的優勢也越來越明顯。

2022年，美國禁止本國企業在未經允許的情況下採用中國企業的儲存晶片。蘋果公司曾考慮使用長江儲存的快閃記憶體晶片，但由於美國政府的施壓，最終放棄採用。

據日本鎧俠管理層對日本經濟新聞的記者表示，日本企業由於質量和安全方面的擔憂，對於使用中國儲存晶片的態度並不積極。那怕是中國晶片的價格再便宜，日本企業也都會優先考慮使用本國儲存晶片，不會考慮中國晶片。

日本曾經依靠著政府推動的VLSI（超大規模積體電路）計畫，實現了晶片產業鏈的協同發展，讓日本的半導體產業從基礎的材料到製造裝置全線貫通。

尼康和佳能借此打敗了美國的GCA和珀金埃爾默，成為了光刻機巨頭；東芝（鎧俠前身）憑藉著本土供應鏈製造了大量性價比高、性能強、穩定性強的儲存晶片，將美國英特爾甩在身後；索尼、松下等企業均開始涉足產品製造，將大量日本製造的半導體產品銷往全球各地，也包括美國市場。

如今的中國儲存器產業，正在依靠消費產品的規模化效應，對國際同行發起挑戰。

根據美國調查公司IDC的資料顯示，中國2024年的智慧型手機總出貨量達到了2億8600萬部，同比增長6%，佔全球總出貨量的23%。中國市場佔據了日本鎧俠總銷售額的20%，如果未來中國品牌選擇採用國產儲存晶片製造產品，那麼這對於日美韓的儲存企業來說是一個極大的衝擊。

國際半導體協會研究員對此分析稱，即便美國處處針對中國企業，但中國儲存產業的發展情況並沒有因此原地踏步，其技術水平和良品率產能仍在繼續提升。

如果按照目前的情況持續下去，國際企業採用中國儲存晶片只是時間問題。中國晶片的表現足夠出色，而且價格實惠，同樣的速率下，沒有人喜歡價格更高的產品。 (逍遙漠)