全球首顆！中國全新架構快閃記憶體晶片問世，10億次儲存刷新行業標竿

當資料儲存速度突破“億級”大關，一顆晶片可瞬間完成10億次資料讀寫，中國自主研發的全新架構快閃記憶體晶片不僅填補全球技術空白，更以顛覆性創新打破歐美日韓長期壟斷的儲存晶片市場格局。這一里程碑式突破，標誌著中國在核心儲存領域實現從跟跑到領跑的跨越，為全球半導體產業注入全新發展動能。

中國快閃記憶體晶片研發之路是自主創新的堅韌探索。2016年長江儲存成立之初，全球快閃記憶體市場被三星、SK海力士、美光等巨頭瓜分，國內自主生產能力幾乎為零。面對技術鴻溝，中國企業選擇難度更高的3D NAND賽道，從32層到64層再到128層，僅用兩年實現關鍵技術跨越。

2022年底，長江儲存推出全球首款232層3D NAND晶片，儲存密度超越國際同行；2025年，全新架構快閃記憶體晶片橫空出世，憑藉獨創技術實現10億次/秒的儲存速度，完成從“追趕到引領”的蛻變，累計申請專利超1.2萬件，95%為發明專利。

這項突破背後是多重世界級難題的攻克。核心挑戰在於全新架構的設計與實現，研發團隊摒棄傳統整合模式，採用儲存陣列與外圍電路分離製造再鍵合的創新方案，破解了性能與密度的矛盾。

高深寬比刻蝕、高精度鍵合等關鍵工藝曾依賴進口裝置，在美國製裁導致裝置斷供的困境下，中國企業與北方華創、中微公司等組成“攻堅聯盟”，實現45%的裝置國產化率，攻克了壞塊管理、ECC平行計算等行業痛點 。同時，需在奈米級空間內平衡速度、功耗與穩定性，最終通過工藝最佳化將良率提升至國際先進水平。

該晶片的技術參數達到全球領先水準。儲存速度突破10億次/秒，較國際主流產品提升3-5倍；採用自主創新架構，儲存密度達15.03 Gb/mm²，在同等尺寸下儲存容量實現翻倍；支援3V和1.8V雙工作電壓，連續讀取速率最高可達83MB/s，功耗較傳統產品降低40% ；內建先進壞塊管理功能和8bit ECC平行計算技術，資料可靠性達到99.999%，滿足高端場景嚴苛需求。

在應用層面，該晶片將賦能多領域數位化升級。在AI與資料中心領域，10億次儲存速度可支撐海量資料即時處理，助力人工智慧模型訓練效率提升；在消費電子領域，適配智慧型手機、SSD等終端，實現秒級開機與大型檔案瞬時傳輸；在工業控制與IoT領域，低功耗、高可靠性特性可滿足極端環境下的長期穩定運行，推動智能製造與物聯網發展 。華為、浪潮等企業已簽署長期採購協議，加速技術落地應用。

這一突破徹底打破了歐美日韓的壟斷格局。此前全球儲存晶片市場CR5超90%，國外企業長期掌控定價權 。如今中國快閃記憶體晶片全球市佔率已提升至12.8%，國內市場覆蓋率超30%，迫使國際巨頭調整定價策略。更具里程碑意義的是，三星等國際巨頭已向中國企業支付專利授權費，標誌著中國在儲存領域從技術追隨者轉變為規則制定參與者。同時，帶動上游裝置、材料國產化協同發展，形成完整產業生態，為全球半導體產業提供多元技術路徑。

從無到有、從追趕到引領，中國全新架構快閃記憶體晶片的突破，印證了自主創新的核心價值。隨著產能逐步擴張至月產30萬片的目標，中國將進一步提升全球市場話語權，推動儲存晶片行業進入“中國智造”引領的新時代。這不僅是中國半導體產業的重大跨越，更為全球科技產業格局重塑注入了中國力量。 (我是科技達人)