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據韓聯社報導，SOCAMM2 競爭升溫，三星已經向輝達交付了 SOCAMM2 的樣品，2026 年初會擴大該產品的產能。

SOCAMM2（小型輪廓壓縮附加記憶體模組）每個模組包含四個LPDDR模組，大幅提升頻寬、降低功耗。其模組化設計便於更換和升級，無需直接銲接LPDDR到主機板上。

這種技術和HBM都是為高性能場景（比如 AI 晶片）設計的記憶體方案，只是技術路徑不同 ——HBM 走 “堆疊提頻寬”，SOCAMM2 走 “整合 LPDDR 提能效 + 靈活性”，而輝達是當前這兩種技術的核心需求方。

韓聯社報導，除了輝達以外的其他主要客戶也對SOCAMM2表現出強烈興趣，美光等儲存廠也在跟進這一技術。SOCAMM2預計將為NVIDIA的下一代AI晶片Vera Rubin提供動力。與此同時，ZDNet表示三星SOCAMM2預計將在2026年初全面進入量產，並補充說該模組基於1b（第五代10nm級）DRAM 開發，目前正在進行質量測試。 (銳芯聞)

據韓聯社報導，SOCAMM2 競爭升溫，三星已經向輝達交付了 SOCAMM2 的樣品，2026 年初會擴大該產品的產能。SOCAMM2（小型輪廓壓縮附加記憶體模組）每個模組包含四個LPDDR模組，大幅提升頻寬、降低功耗。其模組化設計便於更換和升級，無需直接銲接LPDDR到主機板上。這種技術和HBM都是為高性能場景（比如 AI 晶片）設計的記憶體方案，只是技術路徑不同 ——HBM 走 “堆疊提頻寬”，SOCAMM2 走 “整合 LPDDR 提能效 + 靈活性”，而輝達是當前這兩種技術的核心需求方。韓聯社報導，除了輝達以外的其他主要客戶也對SOCAMM2表現出強烈興趣，美光等儲存廠也在跟進這一技術。SOCAMM2預計將為NVIDIA的下一代AI晶片Vera Rubin提供動力。與此同時，ZDNet表示三星SOCAMM2預計將在2026年初全面進入量產，並補充說該模組基於1b（第五代10nm級）DRAM 開發，目前正在進行質量測試。 (銳芯聞)

記憶體方案“SOCAMM2”與HBM有啥不同？三星已向輝達交付樣品！