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中國刻蝕機之父，帶出1700億晶片裝置巨頭
外延收購，加速擴張。
中國刻蝕機之父，籌劃一樁交易。
12月19日，尹志堯掌舵的中微公司稱，擬發行股份，購買“杭州眾硅”控股權。
其行動迅速，已與標的股東杭州眾芯硅工貿、上海寧容海川等簽署《購買資產意向協議》。
作為買方，中微頭頂技術光環，產業資源豐富。其董事長尹志堯，為頂尖半導體專家，60歲時創辦中微，專注研發刻蝕裝置。
經過21年的攻堅，他帶出一家市值超1700億元的晶片裝置龍頭，且6年來已投資30多家產業鏈標的。此次，尹志堯即將再下一城，沿著“平台化”路徑狂奔。
“此次籌劃收購，絕非簡單的規模擴張，而是中微基於行業發展規律和自身階段作出的審慎決策。”芯謀研究首席分析師顧文軍向《21CBR》記者解釋。
老驥伏櫪
現年81歲的尹志堯，長期奔波在一線，幹勁十足。
4月，他撰寫《董事長致詞》，強調中微的目標，是成為“國際一流半導體裝置公司”，並給團隊打氣，稱“目標一定能實現”。
其精神矍鑠，今年以來，多次帶著管理層，接待投資機構，規劃未來。
“我們計畫，通過外延收購和內生研發的方式，覆蓋超六成的半導體前道裝置品類。”管理層5月指出，對收購機會，中微保持積極且開放的態度。
中微併購經驗豐富。
尹志堯曾列出一組資料，上市以來，公司投資了30多家產業鏈上下游企業，斥資20多億，浮盈50多億，實現良好的經濟效益和戰略協同效果；參股的8家企業，已在A股上市。
臨近年底，中微再度出手。
其看中的杭州眾硅，成立於2018年，早就躋身“獨角獸”之列，擅長製造高端CMP（化學機械平坦化拋光）裝置。
CMP屬於晶片製造的前道工序，可以理解為“拋光打磨”技術，即把晶片壓在旋轉的拋光墊上，一邊靠細小磨料做物理研磨，一邊靠化學試劑腐蝕晶片表面，共同將表面磨平整。
杭州眾硅的裝置，已獲客戶認可，陸續中標上海新微、雲南創視界光電科技的訂單，還被評為杭州士蘭集昕的優秀供應商。
值得注意的是，中微本就是其第二大股東，持股12%；尹志堯本人還於9月，進入杭州眾硅管理層，擔任董事。
當前，半導體產業整合更注重戰略協同與技術補強，而非單純的資本擴張
“中微此次籌劃收購，是經過長期觀察、先期戰略投資後的穩步推進，核心目的在於‘補全’與‘強化’。”
顧文軍告訴記者，杭州眾硅主攻濕法工藝，在技術上具有稀缺性和互補性。
“交易價格將以資產評估報告為基礎，經各方協商確定。”公告補充，僅達成初步意向。尹志堯團隊將在簽署正式協議後，發佈詳細方案。
劍指平台
尹志堯是中微的靈魂人物，履歷豐富。
他是北京人，本科畢業於中科大，後拿到加州洛杉磯分校博士學位。
40歲那年，他作為第一個中國留學生加入英特爾，二十年後，毅然放棄百萬年薪，帶領十五位同仁飛抵上海浦東，開啟創業。
《21CBR》記者注意到，2024年財報顯示，尹志堯已放棄美國國籍，恢復中國籍。
這位“發明家創始人”，正帶領中微衝刺新目標。
他計畫用五至十年，逐步覆蓋半導體高端裝置的50%-60%，推動中微儘早轉型高端裝置平台化公司。
到2035年，中微要進入全球半導體裝置第一梯隊。
10月底，尹志堯提到，中微擁有三十多種裝置，覆蓋半導體高端裝置的25%-30%。結合處理程序來看，若達成目標，他將實現“再造一個中微”。
加緊趕路，尹一手抓併購，一手抓研發。
目前，中微的在研項目涵蓋六類裝置，同時開發超二十款新裝置，速度顯著加快。
過去，其通常需要3-5年開發一款新裝置，現只需兩年或更短時間完成新品開發，並迅速量產。官方稱，未來數年，將加速、大規模推出多種新品。
走向平台化，其重要的產品抓手，在於薄膜沉積裝置。
2025年9月，尹志堯一口氣發佈6款新品，其中有四款是薄膜沉積裝置。
1-9月，其薄膜裝置收入，體量已有4個多億，同比增速高達13倍。
這塊業務，於2010年開始佈局，近兩年開發的新產品——LPCVD和ALD薄膜裝置，已進入市場，並獲得重複性訂單。
按計畫，中微未來要開發約40種導體薄膜裝置，覆蓋全部類別的先進金屬應用。
“我們很快將會把國際對國內禁運的20多種薄膜裝置開發完成，預計到2029年，完成所有開發。”尹志堯5月表示。
提速擴張
尹志堯圍繞平台化的大干快上，在於裝置生意迎來好周期。
晶片製造，離不開“三劍客”，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置。
打個比方，光刻機是打草稿的“畫筆”，刻蝕機是“雕刻刀”，薄膜沉積裝置則是給晶圓貼材料的“油漆刷”。
微觀器件越做越小，結構從2D轉到3D，帶來刻蝕跟薄膜的應用總量跟步驟數，大幅增加。
市場對這兩類裝置的需求量大增，這是中微業績強勁增長的底層動力。
從規模來看，刻蝕裝置仍是主力，貢獻超75%收入。尹志堯主導下，中微已開發3代、18款刻蝕機，持續鞏固基本盤。
其電漿體刻蝕已批次出貨給國記憶體儲、邏輯等客戶產線，截至2025年上半年，CCP刻蝕裝置累計裝機量超4500個反應台，ICP刻蝕裝置累計裝機量超1200個反應台。
目前，業內量產所用刻蝕機的深寬比在60:1，尹志堯團隊正在突破90到100:1的深孔刻蝕。
擴大產品覆蓋面的同時，尹志堯加緊提高產能。
南昌生產研發基地、上海臨港生產研發基地，均已投入使用，產能大幅提升；上海臨港滴水湖畔，佔地約10萬平方米的總部大樓暨研發中心，也在順利建設。
這三塊基地，合計新增總面積將達42萬平方米，較2022年，新增15倍。
為確保今後十年有足夠的廠房，保障新品研發和產能高速增長，中微規劃，在廣州增城區及成都高新區，落地新生產基地，且已開工。
擴地，也增員。
截至6月底，中微員工大幅增至2638人。管理層預計，2025年也將保持穩定的人員增速。
投人投錢，外部併購、自主研發雙線平行，這位半導體專家期待抓住機遇，再一次突圍。 (半導體產業縱橫)