美國決定對三星、SK海力士中國工廠的裝置出口限制部分放寬

美國BIS已更改政策，取消韓國半導體公司中國工廠的VEU資格，允許其每年出口裝置。

美國政府決定部分放寬對包括三星電子和SK海力士在內的韓國半導體公司向其中國工廠出口裝置的限制。此舉將避免每次裝置出貨都需要單獨審批的最壞情況。

據業內人士12月30日透露，美國商務部工業與安全域（BIS）已更改政策，取消韓國半導體公司中國工廠的“終端使用者認證（VEU）”資格，允許其每年出口裝置。

回溯其歷史，美國商務部自2022年起對美製半導體裝置出口中國實施嚴格管制，但當時給予三星、SK海力士及英特爾豁免，允許它們維持在華現有工廠的運作。根據最新規定，這些公司今後如要在中國採購相關裝置，必須逐案申請出口許可證。

隨後在今年8月，美國商務部發佈通知，宣佈將撤銷韓國晶片製造商三星和SK海力士在其中國工廠使用美國裝置的豁免，這將使兩家公司更難在中國生產晶片。限制措施將在120天后生效。美國商務部在一份聲明中稱，美國計畫向相關企業發放許可證，允許其繼續在華營運現有的設施，但不打算發放擴大產能或升級技術的許可，從而取消“只對外國生產商有利、卻沒有給美國製造商帶來類似好處的寬鬆做法”。

三星和SK海力士很大一部分的儲存晶片產能依賴於中國。三星西安廠佔三星NAND Flash四成產能，兩座廠月產能25萬片，佔全球NAND Flash產能1/10，也是三星在海外唯一的儲存晶片工廠。三星蘇州廠主營儲存器、儲存器模組及積體電路的組裝和測試。三星天津廠則主營LED產品，天津三星LED公司成立於2009年，經營範圍包括電子元器件製造、電子元器件批發、電子元器件零售、半導體照明器件製造等。

SK海力士則在中國有兩個生產基地，分別位於重慶與無錫。其中無錫廠是SK海力士的儲存晶片生產主力之一。有分析師之前指出，SK海力士無錫廠的產量約佔該公司DRAM晶片的大約一半、全球產量的15%。重慶廠主要側重於晶片封裝。值得一提的是，SK海力士已於2021年收購英特爾NAND快閃記憶體及儲存業務，其中包括英特爾大連工廠。

根據市場追蹤機構Gartner的資料，全球前五大半導體裝置公司佔整個市場的70%以上的裝置，大多為美國製造。此舉將使韓國兩大儲存晶片製造商在中國的營運難度大增，限制措施也衝擊到美國半導體裝置供應商，包括科磊（KLA Corp）、泛林集團（Lam Research）和應用材料（Applied Materials）。

韓國《中央日報》報導稱，根據三星發佈的公司治理報告，該公司去年向中國半導體工廠加入了總價值3400 萬美元的裝置。其中包括2100萬美元用於其位於蘇州的封裝工廠和1300萬美元用於其位於西安的 NAND 快閃記憶體生產設施。同樣在中國生產 DRAM 晶片的SK 海力士的投資甚至更大。該公司去年將價值8300 萬美元的裝置轉移到其位於無錫的 DRAM 工廠、位於重慶的封裝工廠以及從英特爾手中收購的位於大連的 NAND 快閃記憶體工廠。僅在3月份，就有價值3200萬美元的裝置從韓國運往無錫晶圓廠。兩家公司都以“生產效率”為轉移裝置的原因。

SK海力士在一份聲明中表示，“將與韓國和美國政府保持密切溝通，並採取必要措施，儘量減少對我們業務的影響”。

2025年全球儲存晶片市場的持續升溫，成為此次美國政策放寬的關鍵產業背景。隨著儲存晶片供需缺口短期難以填補，漲價趨勢持續延續。這一輪儲存熱潮的核心驅動力來自AI伺服器部署加速、智能駕駛與端側AI應用拓展等新興場景的需求爆發，帶動儲存晶片用量激增。在此背景下，三星、SK海力士在華工廠的產能穩定性直接關係到全球儲存晶片的供給平衡——若因裝置審批受阻導致產能下滑，將進一步加劇全球儲存晶片供應緊張格局，推高終端產品成本，最終反噬全球電子產業生態。

此舉顯著降低了三星電子和SK海力士中國工廠營運期間因裝置進口延遲而導致生產中斷的可能性。每次裝置出貨都需要審批的最壞情況也得以避免。這為中國NAND快閃記憶體和DRAM生產線的穩定運行提供了保障。然而，用於工廠擴建或工藝改進的裝置進口仍然受到限制，這限制了中長期投資策略的實施。 (半導體產業縱橫)