早前據《日經亞洲評論》報導,儘管美國持續收緊對華高端晶片及製造裝置出口管制,試圖遏制中國在5nm、3nm等先進製程領域的突破,但中國卻在“被忽視”的成熟製程賽道上悄然崛起,並以驚人的成本控制與規模化能力,掀起一場席捲全球的“成熟晶片價格海嘯”。
這場由6英吋碳化矽(SiC)襯底引發的產業地震,正迫使歐美日老牌半導體企業倉促調整戰略,甚至主動退出曾被視為“基本盤”的市場。
國際半導體產業協會(SEMI)資料顯示,2021年,一片6英吋碳化矽襯底在歐美日市場的報價普遍在800至1000美元之間。彼時,中國供應商尚處技術爬坡階段,難以撼動國際巨頭地位。
然而僅兩年後,局面徹底逆轉。2023年起,以天科合達、山東天岳為代表的中國材料企業大規模量產高良率6英吋SiC晶圓,同規格產品報價直降至400美元/片——不足海外價格的一半。
“看到中國廠商的報價單時,我一度懷疑是不是單位寫錯了。”德國功率半導體製造商X-Fab銷售總監馬可(Marco Schmidt)在行業峰會上坦言,“他們的價格甚至低於我們的材料成本。我們別無選擇,只能放棄6英吋戰場,全力轉向8英吋。”
類似的戰略撤退並非個例。美國碳化矽龍頭科銳(Cree) 於2023年果斷剝離其SiC業務,成立獨立子公司Wolfspeed,並關閉位於北卡羅來納州的一座6英吋晶圓廠,全面押注8英吋平台,明確避開與中國企業的正面交鋒。
儘管全球主流晶圓廠紛紛向8英吋、12英吋升級,但在新能源汽車電控、太陽能逆變器、軌道交通、工業電源等關鍵領域,6英吋碳化矽晶圓憑藉成熟工藝、高穩定性與極低綜合成本,仍是不可替代的“黃金尺寸”。
尤其在中國“雙碳”戰略驅動下,SiC功率器件需求激增。而天科合達與山東天岳通過最佳化長晶工藝,將6英吋SiC晶圓的良品率提升至70%以上,同時製造成本比8英吋方案低約60%,完美契合大規模商用需求。
更令海外同行焦慮的是,中國企業在上游裝置與能源成本上的“系統性優勢”。
在核心裝置端,北方華創自主研發的碳化矽長晶爐售價約200萬美元/台,僅為進口同類裝置(如德國Aixtron或美國Kokusai)價格的一半。且中國國產裝置在本地化服務、快速響應、備件供應和維護成本上優勢顯著。
而在能耗方面,中國工業電價普遍維持在0.08–0.12美元/千瓦時,遠低於歐美0.25–0.35美元/千瓦時的水平。考慮到一台長晶爐需連續高溫運行10–15天,耗電量巨大,電價差異直接轉化為數百美元/片的成本優勢。
此外,地方政府對半導體材料項目的扶持力度空前。據不完全統計,多個省市對SiC晶圓項目提供每萬片產能1.5億元人民幣的專項補貼,涵蓋廠房建設、裝置採購與人才引進,進一步壓縮企業營運成本。
如果說材料端是中國的“矛”,那麼裝置端則是堅實的“盾”。根據中國半導體行業協會(CSIA)與賽迪智庫(CCID)聯合發佈的2025年Q3報告,中國國產裝置在多個關鍵環節已實現從“替代”到“引領”的跨越:
的CCP刻蝕機不僅通過5nm產線驗證,更成功打入三星、台積電供應鏈,全球市場份額達25%,穩居全球前三;
的ALD原子層沉積裝置已在14nm邏輯晶片產線完成驗證並批次交付;
的CMP化學機械拋光裝置在14nm及以下節點實現穩定量產,打破美國應用材料長期壟斷。
面對中國裝置的迅猛勢頭,美國應用材料(Applied Materials)、泛林科技(Lam Research)等巨頭被迫採取“價格戰”策略,將成熟製程裝置降價30%,試圖延緩中國國產替代處理程序。
為應對封鎖,中國早在數年前便組建了“中國積體電路創新聯盟”——一個由中芯國際、華虹半導體、長江儲存、長鑫儲存、中微、北方華創等龍頭企業共同發起的技術共同體。
該聯盟效仿上世紀90年代美國EUV LLC模式,推動專利交叉授權、裝置聯合驗證、工藝協同開發。例如,長江儲存將其最新3D NAND工藝提前匯入北方華創裝置進行偵錯;中微刻蝕機同步在合肥長鑫、中芯深圳、積塔半導體三條產線平行驗證,將原本需24個月的裝置驗證周期壓縮至12個月,資料互通效率提升一倍。
這種“產學研用”一體化的生態,正讓中國在成熟製程領域建構起自主、高效、低成本的完整產業鏈閉環。
美國試圖用“先進晶片封鎖”鎖死中國科技未來,卻意外逼出一個在成熟製程領域“極致內卷、全球通吃”的中國半導體軍團。當西方還在為3nm良率焦頭爛額時,中國已用6英吋碳化矽晶圓、14nm刻蝕機和0.1美元的工業電價,重新定義了“性價比”的全球標準。
這場由成熟晶片引發的價格戰,或許才剛剛開始。 (晶片研究室)