#SiC
《台亞攜手台灣伊藤忠推供應鏈合作 強化化合物半導體與智慧醫療布局》台亞半導體(TW 2340)12日與台灣伊藤忠(ITOCHU Taiwan)就「半導體供應鏈與資源共享合作」簽署合作意向書,未來雙方將聯手於「化合物半導體SiC/GaN」與「非侵入式血糖監測技術」兩大領域展開深度合作。本次結盟整合台亞的研發製造優勢與伊藤忠集團強大的全球通路與商社資源,預期將加速技術商業化並強化國際市場布局。值得一提的是,伊藤忠作為日本五大商社之一,近年也獲得全球資本市場高度關注,包括投資大師沃倫·巴菲特(Warren Buffett)旗下波克夏·海瑟威(Berkshire Hathaway)多次增持其股份,更凸顯伊藤忠在全球供應鏈中的長期價值與成長潛力,而本次合作中,台亞將透過旗下子公司積亞半導體負責提供 SiC(碳化矽)晶片,而冠亞半導體則提供GaN(氮化鎵)晶片,促使本次結盟更具國際戰略意義。簽約儀式現場,由伊藤忠(東亞區)總裁-三村 剛、台灣伊藤忠董事長兼總經理-桐山 寛史、機械事業部(東亞區)總經理-佐佐木 將博,及台亞半導體董事長-李國光、副董事長-戴圳家、總經理-蔡育軒等雙方經營高層代表出席。依照合作內容,台亞與伊藤忠集團將成立聯合工作小組,並共同爭取台日雙方政府或產業計畫支持,預計優先於日本市場進行小規模示範專案,後續再擴大至亞洲及其他國際市場。受惠於新能源車、工業設備以及通訊基礎設施的持續成長,化合物半導體需求快速提升,同時全球對非侵入式血糖監測技術的醫療需求也逐年增加。台亞與伊藤忠透過本次合作,將共同推動關鍵技術落地,並強化兩國在材料、半導體與智慧醫療領域的合作能量。伊藤忠(東亞區)總裁三村 剛表示,本次合作代表伊藤忠集團對化合物半導體及智慧醫療領域的高度重視,期待與台亞攜手推動技術應用加速成長。台亞董事長李國光指出,本次與伊藤忠集團合作主要是雙方看好化合物半導體未來的應用發展,以及非侵入式血糖監測市場,建立彼此緊密的合作關係,加速技術的商業化,在功率元件領域,台亞將透過旗下子公司積亞半導體提供SiC(碳化矽)晶片,而冠亞半導體提供GaN(氮化鎵)晶片,並負責產品的相關研發、設計與技術支援。伊藤忠集團則將運用其全球客戶網絡,協助推廣應用於新能源車、工業設備及通訊基站等高成長利基市場,共同提升供應鏈穩定性並降低生產成本與風險。而在非侵入血糖監測合作方面,則是透過台亞最新的HUSD (Hybrid Ultra Sensing Device)光學感測技術,搭配伊藤忠集團所屬醫療領域相關部門,協助在日本與亞洲醫療機構導入及推廣,並協助完成法規審查與臨床試驗規劃,推動產品邁向醫療級監測市場,並運用至全球供應鏈與客戶網絡。台亞半導體副董事長暨日亞化學專務取締役戴圳家表示,此次跨界合作展現台亞深耕感測技術 40 年的成果,也是落實「感測半導體 × 智慧醫療」願景的關鍵一步。來將持續與合作夥伴緊密協作,從材料到終端應用提升供應鏈效率,並共同打造具全球競爭力的產品與服務。
瑞薩電子已放棄SiC!
近日,業內傳出消息,瑞薩電子已正式放棄使用碳化矽(SiC)生產功率半導體的計畫,原定於「2025年初」在群馬縣高崎工廠投產的項目宣告擱置。這項決策背後,是電動車需求下滑與中國晶片製造商產能增加雙重因素作用下,碳化矽晶片市場環境的持續惡化。瑞薩電子原本對SiC晶片生產寄予厚望,但現實卻讓其望而卻步。該公司認為在當前市場情勢下,開展SiC晶片新業務很難實現收支平衡。今年早些時候,瑞薩電子就已解散了高崎工廠的SiC晶片生產團隊,從實際行動上為這項計畫的終止埋下了伏筆。瑞薩電子首席執行官柴田英利(Hidetoshi Shibata)在二月份的一次簡報會上曾明確表示:“我們認為(市場狀況)極其嚴峻。”從市場資料來看,儘管長期內SiC需求預計將呈現成長態勢,但短期表現卻不盡人意。東京研究公司富士經濟(Fuji Keizai)的資料顯示,2024年SiC市場規模僅成長18%,達到3,910億日元(約26.9億美元),遠低於2024年2月預測的27%成長至4,915億日元。市場成長低於預期的背後,存在著多方面的因素。一方面,歐洲政府補貼的取消,導致該地區電動車銷量放緩,進而影響了對SiC晶片的需求。另一方面,中國製造商的晶圓和晶片產能增加,使得SiC晶片市場競爭加劇,價格下跌。同時,中國汽車製造商增加對國產晶片的採購,也進一步壓縮了國際SiC晶片製造商的市場空間。瑞薩電子並非唯一在SiC晶片市場遭遇困境的企業。羅姆公司截至今年3月的2024財年,由於加大對SiC半導體的投資,12年來首次出現淨虧損。客戶包括特斯拉等的瑞士晶片製造商意法半導體的股價自2024年以來已暴跌逾50%。而美國碳化矽晶片製造商Wolfspeed更是正準備申請破產保護。碳化矽晶片市場目前正面臨前所未有的挑戰。對瑞薩電子等企業來說,如何在市場寒冬中調整策略、尋找新的發展機遇,將成為未來一段時間需要重點思考的問題。而對於整個產業而言,市場的洗牌或許才剛開始,後續的發展態勢值得密切關注。 (半導體技術天地)
中國碳化硅,價格暴跌
自2024年初以來,6英吋碳化硅(SiC)襯底價格持續下跌,行業從供應短缺迅速轉向供過於求,預計未來價格將進一步下降。隨著中國SiC襯底製造商加速擴產,供需失衡問題加劇。業內人士預計,行業整合潮將提前到來,最快或在2025年中期開始。 消息人士指出,2024年中期,6英吋SiC襯底價格已跌至500美元以下,接近中國製造商的生產成本線。然而,到第四季度,價格將進一步跌至450美元甚至400美元,給大部分製造商帶來沉重財務壓力。一些一線供應商已經在尋求出售業務,以避免巨額虧損的持續擴大。 中國市場上,SiC襯底供過於求的現象尤為嚴重,價格混亂加劇了市場的不穩定。儘管國內SiC襯底產能增長迅速,但不同供應商之間的良率差異較大,部分企業在訂單履行方面面臨挑戰。供應商之間的激烈競爭導致價格不斷走低,許多廠商被迫虧本銷售。 面對持續下跌的價格,許多客戶選擇觀望,期待價格進一步觸底,這使得供應商的定價策略未能有效刺激需求。與此同時,SiC襯底的主要應用領域——電動汽車和光伏發電市場(SiC器件最大的市場),因長達6個月到1年的驗證期,使得客戶在選擇供應商時尤為謹慎,擔心驗證期結束後供應商可能已破產。這一情況進一步拖累了供應鏈的流動性。