早前據《日經亞洲評論》報導，儘管美國持續收緊對華高端晶片及製造裝置出口管制，試圖遏制中國在5nm、3nm等先進製程領域的突破，但中國卻在“被忽視”的成熟製程賽道上悄然崛起，並以驚人的成本控制與規模化能力，掀起一場席捲全球的“成熟晶片價格海嘯”。這場由6英吋碳化矽（SiC）襯底引發的產業地震，正迫使歐美日老牌半導體企業倉促調整戰略，甚至主動退出曾被視為“基本盤”的市場。碳化矽晶圓成熟晶片的“中國式降維打擊”國際半導體產業協會（SEMI）資料顯示，2021年，一片6英吋碳化矽襯底在歐美日市場的報價普遍在800至1000美元之間。彼時，中國供應商尚處技術爬坡階段，難以撼動國際巨頭地位。然而僅兩年後，局面徹底逆轉。2023年起，以天科合達、山東天岳為代表的中國材料企業大規模量產高良率6英吋SiC晶圓，同規格產品報價直降至400美元/片——不足海外價格的一半。“看到中國廠商的報價單時，我一度懷疑是不是單位寫錯了。”德國功率半導體製造商X-Fab銷售總監馬可（Marco Schmidt）在行業峰會上坦言，“他們的價格甚至低於我們的材料成本。我們別無選擇，只能放棄6英吋戰場，全力轉向8英吋。”類似的戰略撤退並非個例。美國碳化矽龍頭科銳（Cree） 於2023年果斷剝離其SiC業務，成立獨立子公司Wolfspeed，並關閉位於北卡羅來納州的一座6英吋晶圓廠，全面押注8英吋平台，明確避開與中國企業的正面交鋒。為何6英吋仍不可替代？儘管全球主流晶圓廠紛紛向8英吋、12英吋升級，但在新能源汽車電控、太陽能逆變器、軌道交通、工業電源等關鍵領域，6英吋碳化矽晶圓憑藉成熟工藝、高穩定性與極低綜合成本，仍是不可替代的“黃金尺寸”。尤其在中國“雙碳”戰略驅動下，SiC功率器件需求激增。而天科合達與山東天岳通過最佳化長晶工藝，將6英吋SiC晶圓的良品率提升至70%以上，同時製造成本比8英吋方案低約60%，完美契合大規模商用需求。更令海外同行焦慮的是，中國企業在上游裝置與能源成本上的“系統性優勢”。全鏈條中國國產化：從裝置到電價的“降本飛輪”在核心裝置端，北方華創自主研發的碳化矽長晶爐售價約200萬美元/台，僅為進口同類裝置（如德國Aixtron或美國Kokusai）價格的一半。且中國國產裝置在本地化服務、快速響應、備件供應和維護成本上優勢顯著。而在能耗方面，中國工業電價普遍維持在0.08–0.12美元/千瓦時，遠低於歐美0.25–0.35美元/千瓦時的水平。考慮到一台長晶爐需連續高溫運行10–15天，耗電量巨大，電價差異直接轉化為數百美元/片的成本優勢。此外，地方政府對半導體材料項目的扶持力度空前。據不完全統計，多個省市對SiC晶圓項目提供每萬片產能1.5億元人民幣的專項補貼，涵蓋廠房建設、裝置採購與人才引進，進一步壓縮企業營運成本。中國國產裝置集體突圍：從“能用”到“好用”如果說材料端是中國的“矛”，那麼裝置端則是堅實的“盾”。根據中國半導體行業協會（CSIA）與賽迪智庫（CCID）聯合發佈的2025年Q3報告，中國國產裝置在多個關鍵環節已實現從“替代”到“引領”的跨越：中微半導體的CCP刻蝕機不僅通過5nm產線驗證，更成功打入三星、台積電供應鏈，全球市場份額達25%，穩居全球前三；北方華創的ALD原子層沉積裝置已在14nm邏輯晶片產線完成驗證並批次交付；華海清科的CMP化學機械拋光裝置在14nm及以下節點實現穩定量產，打破美國應用材料長期壟斷。面對中國裝置的迅猛勢頭，美國應用材料（Applied Materials）、泛林科技（Lam Research）等巨頭被迫採取“價格戰”策略，將成熟製程裝置降價30%，試圖延緩中國國產替代處理程序。聯盟作戰：中國版“EUV LLC”加速技術閉環為應對封鎖，中國早在數年前便組建了“中國積體電路創新聯盟”——一個由中芯國際、華虹半導體、長江儲存、長鑫儲存、中微、北方華創等龍頭企業共同發起的技術共同體。該聯盟效仿上世紀90年代美國EUV LLC模式，推動專利交叉授權、裝置聯合驗證、工藝協同開發。例如，長江儲存將其最新3D NAND工藝提前匯入北方華創裝置進行偵錯；中微刻蝕機同步在合肥長鑫、中芯深圳、積塔半導體三條產線平行驗證，將原本需24個月的裝置驗證周期壓縮至12個月，資料互通效率提升一倍。這種“產學研用”一體化的生態，正讓中國在成熟製程領域建構起自主、高效、低成本的完整產業鏈閉環。打壓催生反制，成熟製程成新戰場美國試圖用“先進晶片封鎖”鎖死中國科技未來，卻意外逼出一個在成熟製程領域“極致內卷、全球通吃”的中國半導體軍團。當西方還在為3nm良率焦頭爛額時，中國已用6英吋碳化矽晶圓、14nm刻蝕機和0.1美元的工業電價，重新定義了“性價比”的全球標準。這場由成熟晶片引發的價格戰，或許才剛剛開始。 (晶片研究室)

近日，業內傳出消息，瑞薩電子已正式放棄使用碳化矽（SiC）生產功率半導體的計畫，原定於「2025年初」在群馬縣高崎工廠投產的項目宣告擱置。這項決策背後，是電動車需求下滑與中國晶片製造商產能增加雙重因素作用下，碳化矽晶片市場環境的持續惡化。瑞薩電子原本對SiC晶片生產寄予厚望，但現實卻讓其望而卻步。該公司認為在當前市場情勢下，開展SiC晶片新業務很難實現收支平衡。今年早些時候，瑞薩電子就已解散了高崎工廠的SiC晶片生產團隊，從實際行動上為這項計畫的終止埋下了伏筆。瑞薩電子首席執行官柴田英利（Hidetoshi Shibata）在二月份的一次簡報會上曾明確表示：“我們認為（市場狀況）極其嚴峻。”從市場資料來看，儘管長期內SiC需求預計將呈現成長態勢，但短期表現卻不盡人意。東京研究公司富士經濟（Fuji Keizai）的資料顯示，2024年SiC市場規模僅成長18%，達到3,910億日元（約26.9億美元），遠低於2024年2月預測的27%成長至4,915億日元。市場成長低於預期的背後，存在著多方面的因素。一方面，歐洲政府補貼的取消，導致該地區電動車銷量放緩，進而影響了對SiC晶片的需求。另一方面，中國製造商的晶圓和晶片產能增加，使得SiC晶片市場競爭加劇，價格下跌。同時，中國汽車製造商增加對國產晶片的採購，也進一步壓縮了國際SiC晶片製造商的市場空間。瑞薩電子並非唯一在SiC晶片市場遭遇困境的企業。羅姆公司截至今年3月的2024財年，由於加大對SiC半導體的投資，12年來首次出現淨虧損。客戶包括特斯拉等的瑞士晶片製造商意法半導體的股價自2024年以來已暴跌逾50%。而美國碳化矽晶片製造商Wolfspeed更是正準備申請破產保護。碳化矽晶片市場目前正面臨前所未有的挑戰。對瑞薩電子等企業來說，如何在市場寒冬中調整策略、尋找新的發展機遇，將成為未來一段時間需要重點思考的問題。而對於整個產業而言，市場的洗牌或許才剛開始，後續的發展態勢值得密切關注。 （半導體技術天地）

近日，輝達與納微半導體(Navitas)展開戰略合作，開發下一代資料中心供電架構，特別是針對輝達未來的高性能計算平台。這項合作聚焦於創新的800伏高壓直流系統，旨在為包括 Rubin Ultra 在內的GPU提供穩定高效的AI算力供電，支援“Kyber系統”等先進AI資料中心基礎設施。納微的氮化鎵和碳化矽技術將在這一合作中發揮關鍵作用。納微半導體首席執行官指出，納微的創新技術正在AI資料中心 等市場中創造新的市場增長點。這項納微輝達合作預計將顯著提升電源效率約5%，並有望將資料中心的維護成本降低高達70%，為AI資料中心電源 帶來革命性的改進。有媒體指出，這代表了資料中心基礎設施領域的重大技術飛躍，特別是在支撐GW級AI計算負載方面，納微的技術將一定程度上大幅提升能效並降低銅材使用量。周三美股盤後，納微股價一度暴漲200%。(雅時化合物半導體)

隨著中國在成熟半導體和利基基板領域的擴張，導致價格降至此前難以想像的水平，讓晶片行業倍感壓力。 Marco是一家德國晶片裝置製造商在亞洲的銷售總監，表示“就在兩年前，全球領先企業 Wolfspeed 的主流6英吋碳化矽（SiC）晶圓售價為1500美元，但現在中國供應商的報價可以低至每片500美元甚至更低。” SiC基板是製造航空航天、電動汽車、渦輪機和資料中心基礎設施中使用的高壓功率半導體的關鍵材料。 Marco表示，除了價格之外，中國供應商的崛起速度以及搶佔全球市場份額的積極性也令他吃驚。

近日，法國市場研究機構KnowMade最新發佈的一份針對碳化硅（SiC）的智慧財產權 （IP） 報告顯示，2021 年至 2023 年期間，中國參與者披露的SiC發明專利數量增加了約 60%，是全球主要國家和地區當中增長更快的，同時也是專利申請量最多的。如果僅看2023年，在全球SiC 專利申請當中，超過 70% 被都是來自於中國實體。 激烈的市場競爭和持續的地緣政治緊張局勢，促進了整個碳化硅供應鏈的專利增長 自 2021 年以來，KnowMade 注意到與SiC器件相關的專利申請活動中有趣的動態。例如，2023 年披露的SiC發明專利數量比 2021 年高出了 50% 以上。此外，一些現有專利持有人有效地擴大了其碳化硅發明的覆蓋範圍。隨著 SiC 功率器件在電動汽車 （EV） 中大規模採用的前景，SiC 公司開始在該行業的戰略區域申請越來越多的專利。與此同時，快速增長的 SiC 市場的幾家先驅已經加速了他們的專利活動，預計 SiC 行業領域將有許多挑戰者進入（圖 1）。事實上，專利可以在競爭激烈的環境中維護 SiC 公司的市場地位方面發揮關鍵作用。 如圖1，在全球SiC相關專利擁有者當中，三菱電機無疑是領導者，而從新的SiC專利申請增長來看，DENSO、ROHM、意法半導體、HITACH增長都比較快。

自2024年初以來，6英吋碳化硅（SiC）襯底價格持續下跌，行業從供應短缺迅速轉向供過於求，預計未來價格將進一步下降。隨著中國SiC襯底製造商加速擴產，供需失衡問題加劇。業內人士預計，行業整合潮將提前到來，最快或在2025年中期開始。 消息人士指出，2024年中期，6英吋SiC襯底價格已跌至500美元以下，接近中國製造商的生產成本線。然而，到第四季度，價格將進一步跌至450美元甚至400美元，給大部分製造商帶來沉重財務壓力。一些一線供應商已經在尋求出售業務，以避免巨額虧損的持續擴大。 中國市場上，SiC襯底供過於求的現象尤為嚴重，價格混亂加劇了市場的不穩定。儘管國內SiC襯底產能增長迅速，但不同供應商之間的良率差異較大，部分企業在訂單履行方面面臨挑戰。供應商之間的激烈競爭導致價格不斷走低，許多廠商被迫虧本銷售。 面對持續下跌的價格，許多客戶選擇觀望，期待價格進一步觸底，這使得供應商的定價策略未能有效刺激需求。與此同時，SiC襯底的主要應用領域——電動汽車和光伏發電市場（SiC器件最大的市場），因長達6個月到1年的驗證期，使得客戶在選擇供應商時尤為謹慎，擔心驗證期結束後供應商可能已破產。這一情況進一步拖累了供應鏈的流動性。

風水輪流轉，世事難料。 在剛經歷過的新一輪周期下行的漩渦中，大多數晶片門類身陷囹圄，而碳化硅（SiC）絕對算是逆勢而上的典型代表之一，相較於其他賽道的砍單、裁員、破產等市場寒風，加大投資、建廠擴產、搶佔市場，成為碳化硅行業過去幾年來的真實寫照。 在此背景下，許多行業參與者已經相繼公佈了相應的擴張計畫，以快速搶佔市場份額。行業主要參與者之間的合作與整合正在重塑碳化硅的供應鏈。 而今，下行周期已經基本翻篇，半導體行業也大有整體回暖復甦之勢。