DeepSeek震撼一年後：中國“非EUV路線”創新！

2025年1月，國產大模型DeepSeek-R1橫空出世，以28nm晶片+光子互聯實現千億參數訓練，被外媒稱為“中國AI最深度突圍”。一年之後，ICIS今日發佈長文對比中美AI競賽最新態勢：中國在論文高被引、開源模型數量上已反超美國；但在尖端算力、EDA/IP和2nm以下晶片仍落後約半代，整體技術差距從2024年的12個月壓縮至約6個月，進入“貼身肉搏”階段。

史丹佛HAI資料顯示，2025年全球AI高被引論文前1%中，中國機構佔比29.8%，首次超過美國（29.4%）。DeepSeek、阿里、百度、華為、字節跳動五家合計開源67個十億級以上模型，同期美國Meta、OpenAI、Google僅開源43個。DeepSeek-R1在數學推理榜單AIME2025上得分與GPT-4.5持平，訓練成本僅為後者1/18。

美國BIS自2024年10月將HBM3E、CoWo-S納入對華管制，中國被迫轉向成熟工藝+Chiplet+光子互聯。DeepSeek團隊披露，其最新兆模型使用國產14nm+28nm混合Chiplet，HBM2E國產替代率60%，訓練算力成本下降40%，但單卡性能仍比H100低35%。ICIS援引分析師指出，若2026年國產HBM3E順利量產，中美算力硬體差距有望從1.5代縮小至半代。

2025年中國AI領域股權融資達260億美元，佔全球37%，僅次於美國。清華、北大、浙大AI專業本科招生人數三年翻倍，2026屆畢業生預計超4萬人。DeepSeek母公司幻方量化設立10億元“算力獎學金”，被業內稱為“中國版OpenAI Grants”。

ICIS測算，2026年國產HBM將拉動中國高純硫酸、銅電鍍液需求增長22%，光刻膠消費量突破1.2萬噸，年復合增速18%。美國限制ArF光刻膠對華出口，促使南大光電、上海新陽加速研發，2025年國產ArF光刻膠驗證線已通過28nm工藝考核，目標2027年匯入14nm。

報告認為，中國在AI工程化、資料規模和政府集聚度上具備優勢，但2nm以下GPU、EDA/IP、先進封裝仍受制；美國則依靠CUDA生態、2nm GAA和High-NA EUV保持半代領先。若2027年中國仍無法量產EUV級GPU，技術差可能重新被拉大至12個月。

DeepSeek一周年表明，封鎖並未阻止中國AI崛起，反而加速“非EUV路線”創新。6個月的技術差已進入“同一世代”競爭，誰能率先在下一代2nm GAA、光子計算和開源生態上突破，誰就能定義2027年後的AI新格局。對於仍在擴產中的國產HBM、光刻膠與裝置企業而言，DeepSeek打開的窗口期，只爭朝夕。 (晶片行業)