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儲存晶片，最大黑馬
2025年，美光成為了半導體行業關注度最高的公司之一。他們也成為儲存晶片市場最大黑馬。
這家曾在 HBM 賽道上明顯落後的儲存廠商，市值在數月內上漲超過 40%。2025 財年第四季度，美光實現淨利潤 32 億美元，淨利潤率達到 28.3%，這是其自 2017—2019 年伺服器記憶體景氣周期以來的最佳表現。
更具標誌性的是，美光正式躋身輝達 H200 GPU 的 HBM3E 記憶體供應鏈，其 HBM 業務早已進入高速增長通道。而時間撥回三年前，HBM 市場的主角仍是 SK 海力士與三星：兩者在代際演進和客戶繫結上持續推進，而美光的市場份額一度下滑至約 10%，在關鍵技術節點上落後競爭對手整整一代，存在感近乎消失。
這場戲劇性的逆轉背後，是一個關於誤判、掙扎、轉型與重新定位的故事。
HMC的失利
要理解美光在HBM早期的掉隊，需要回到2011年那個充滿雄心的起點。
那一年，美光技術專家Thomas Pawlowski在Hot Chips上發佈了HMC（混合記憶體立方體）技術方案，直指JEDEC標準制定機制的低效——“最低公分母”式的妥協導致DRAM頻寬革新步履維艱。HMC採用全新的高速SERDES資料鏈路架構，第一代原型即實現160 GBps總吞吐量，能效比下一代DDR4高出約3倍。
這是一次技術上頗為超前的嘗試。美光試圖繞開JEDEC的標準化流程，建立自己主導的HMCC聯盟，用封閉生態取代開放標準。但問題在於，HMC的領先優勢只有一到兩年，而成本卻高得驚人——即便美光從未公開具體價格，但業內共識是其遠超同樣昂貴的HBM。
更致命的是時機判斷。2013年AMD和海力士聯合推出HBM時，這項技術迅速被納入JEDEC標準體系，獲得了GPU生態的全面支援。輝達和AMD先後採用HBM作為顯示卡記憶體，而HMC除了少數天文學項目、超級電腦和英特爾定製版Xeon Phi協處理器外，幾乎沒有大規模商業化應用。
美光在HMC上投入了整整七年。2018年8月，當公司正式宣佈放棄HMC、轉向HBM時，韓國雙雄已經開始佈局HBM2E，而美光甚至連第二代HBM都尚未量產。這場技術路線的豪賭，讓美光在AI算力爆發前夜錯失了關鍵窗口期。
但HMC的失敗並非單純的技術選擇錯誤。更深層的問題在於，美光對HBM戰略地位的判斷出現了根本性偏差——公司長期將其視為補充性高端產品，而非決定DRAM產業結構的關鍵變數。這種認知滯後，導致美光在先進封裝協同、與GPU/加速器廠商的聯合驗證，以及定製化產品響應速度上全面落後。
2020年3月，當美光的HBM2姍姍來遲時，市場格局已基本定型：SK海力士佔據50%份額，三星佔據40%，留給美光的只有10%的殘羹冷炙。這不僅是市場份額的差距，更是在AI訓練算力基礎設施中話語權的缺失。
HBM3E的轉折
真正的轉折發生在HBM3E階段，這次轉折的標誌不僅是產品本身，更是美光內部完成的一次明確戰略校準。
前期失利帶來的痛苦反思，迫使美光重新定義HBM在公司戰略中的位置——它不再是邊緣產品，而是與製程節點、資本開支和客戶結構強繫結的核心方向。這種認知轉變帶來的第一個決策，就是直接跳過HBM3代際，全力研發HBM3E。
2023年9月，美光宣佈推出HBM3 Gen2（即HBM3E），這是一次高風險的技術跨越。跳代開發意味著美光必須在更短時間內解決堆疊良率、功耗控制和頻寬最佳化等一系列複雜問題，同時還要與輝達等頭部客戶建立深度協同設計機制。
這場豪賭的回報在2024年顯現。美光成為輝達H200 GPU的HBM3E供應商，這不僅是訂單本身的價值，更意味著美光重新獲得了進入AI訓練核心生態的入場券。與此前HBM2時代被動等待客戶驗證不同，美光在HBM3E階段顯著加快了產品響應節奏，在功耗、頻寬和堆疊可靠性上對標甚至局部超越主流方案。
2025財年第四季度，美光HBM記憶體銷售額接近20億美元，環比增長17.7%，同比增長3.78倍。更重要的是，公司預計到2026財年第三季度，其HBM市場份額將達到約20%，與整體DRAM市場份額持平——這意味著美光正在將其在通用DRAM領域的競爭力複製到HBM賽道。
但HBM3E的意義不止於此。這一代產品的成功，標誌著美光在技術判斷、客戶協同和產能調配上形成了新的能力閉環。公司將常規DRAM產能轉向1γ製程後，釋放出1β製程產能專門生產HBM堆疊DRAM——這種精細化的產能管理，既保證了HBM良率的穩定性（採用相對成熟的製程技術），又避免了新製程低良率對高成本堆疊產品的致命打擊。
更值得關注的是美光在HBM4佈局上的策略轉變。與HBM3階段的跳代不同，這次美光選擇同時佈局HBM4和後續的HBM4E產品，引腳速度提升至11 Gb/s，單堆疊總頻寬達2.8 TB/s。首席執行長Sanjay Mehrotra公開表示，這將是市面上速度最快的HBM4記憶體。而在HBM4E階段，美光更進一步提供定製化基底裸片，支援記憶體子系統的部分計算功能——這宣告了美光正在學習SK海力士，加速向系統級能力滲透。
從賣記憶體到參與系統架構
如果說HBM3E是美光重返主賽道的敲門磚，那麼SOCAMM（Socket Capable Advanced Memory Module）等新型記憶體形態的佈局，則反映出了其在產品形態和參與方式上的變化。相較於傳統標準化記憶體，美光正在更多介入面向 AI 模組與系統層級的記憶體方案設計。
SOCAMM 並非單一器件層面的創新，而是一種面向 AI 伺服器與 PC 的模組化記憶體標準。該方案基於 1c DRAM 製程，重點最佳化能效表現，其頻寬水平低於 HBM，但在功耗和成本方面更具優勢。當前，輝達、Google、OpenAI 以及亞馬遜 AWS 等公司正在開發整合大量通用 DRAM 的定製化 AI 加速器與計算平台。隨著 AI 應用由訓練向推理階段擴展，對高能效、可規模部署的通用 DRAM 需求正在提升，SOCAMM 與這一技術方向具有較高匹配度。
在具體合作層面，美光是輝達 Grace CPU 的 LPDDR5 記憶體供應商，並預計將繼續為下一代基於 Arm 架構的處理器平台提供板載記憶體支援。這類合作模式使美光能夠在產品定義階段參與系統設計，對記憶體形態、功耗預算和封裝方式進行協同規劃，而不再僅限於後期供貨。
與此同時，美光與客戶之間的技術協作方式也在發生變化。在 HBM 早期階段，記憶體廠商主要依據 GPU 或加速器廠商提出的規格進行產品開發；而在 SOCAMM、CXL 記憶體等新方向上，記憶體廠商與系統廠商更多採用聯合定義的方式，共同確定介面形式、性能目標及應用場景。這種協作機制提升了記憶體在系統層級中的適配度。
這種系統級協同能力的積累，也對美光在 HBM 領域形成支撐作用。當公司能夠同時提供 HBM、LPDDR5、SOCAMM 等多種記憶體方案，並參與異構計算架構的整體設計時，其在技術溝通和產品組合上的靈活性隨之提高。這一背景下，美光在 HBM3E 階段獲得主要 AI 客戶的採用，更符合長期技術協作逐步深化的結果，而非單一產品節點的偶然突破。
製程、產能與業務收縮
技術路線的調整需要資源支撐，美光再推進技術的同時的，近兩年也在通過製程、產能與資本配置，來為其 HBM 戰略提供源源不斷的“子彈”。
在製程層面，美光持續推進 1γ 節點的研發與匯入。該節點的應用有助於提升 DRAM 的能效和良率，並為後續 HBM4 及更高代際產品提供工藝基礎。同時，美光將部分常規 DRAM 產能遷移至 1γ 製程，將 1β 製程產能更集中地用於 HBM 生產，通過區分不同製程節點的應用場景，實現對規模化產品與高複雜度堆疊產品的平行支援。
在產能佈局上，美光正進行跨區域的產能重組。公司在美國愛達荷州、紐約州，日本廣島，以及台灣等地推進晶圓廠的新建或擴建計畫。其中，愛達荷 ID1 晶圓廠預計於 2027 年上半年投產，台灣 A5 工廠則側重於 HBM 相關的後段堆疊能力。此外，近期美光宣佈收購力積電位於台灣的晶圓廠資產，該舉措使其在當地直接獲得成熟的 300mm DRAM 製造能力，縮短了新增產能的爬坡周期，也降低了在 HBM 相關產品上對外部代工資源的依賴。資本支出方面，美光 2025 財年資本開支為 138 億美元，2026 財年預計提升至約 180 億美元，投入強度已接近晶圓代工廠水平。
與此同時，美光對業務結構進行了系統性調整。自 2025 年起，公司陸續終止移動 NAND 產品開發、縮減消費級品牌業務，並逐步退出 DDR4 等成熟產品線，將研發和製造資源進一步集中於資料中心相關儲存產品。這一調整反映出其對未來需求結構的判斷，即資料中心將成為中長期內最具確定性的需求來源。
從財務表現看，不同業務線之間的盈利能力差異明顯。2025 年上半年，美光資料中心儲存產品的毛利率約為 42%，而消費級儲存產品毛利率約為 14%。在此背景下，美光對產線用途進行了重新分配，例如在博伊西晶圓廠將原本面向消費級產品的多條生產線改造為 HBM 和資料中心用 DRAM 產線，以支援與主要 AI 客戶簽訂的長期供貨協議。
與三星和 SK 海力士相比，美光在業務聚焦上的力度更為集中。前兩者仍保留一定規模的消費級儲存業務，以平衡周期波動；而美光則選擇進一步收縮低利潤領域，將資本開支與工程資源集中於 HBM 和資料中心 DRAM。這種策略在一定程度上提高了對單一市場景氣度的敏感性，但在當前 AI 驅動的需求環境下，已對其營收結構和盈利能力產生了直接影響。
從追趕者到競爭者
隨著 HBM 產業由 HBM3E 向 HBM4 過渡，美光的地位也在悄然發生變化。
目前，SK 海力士仍以約 60% 的市場份額處於領先位置，其優勢來自較早進入 HBM 量產階段、較高的良率水平以及與輝達等頭部客戶形成的穩定供貨關係；三星電子則因在 1c DRAM 製程上的推進不及預期，HBM 市場份額自 2024 年以來明顯下滑。在此過程中，美光的市場地位發生了顯著變化，其 HBM 份額已由此前的個位數提升至約 20% 左右，成為當前 HBM 市場中增速最快的廠商之一。
多家投行預計，2025 年 SK 海力士、三星和美光在 HBM 市場的份額結構將逐步穩定在約 5:2:2 的區間，美光份額有望達到 18%–21%。與 2022 年約 10% 的水平相比，其在高端儲存市場中的存在感明顯提升。美光也在財報中多次強調，HBM 已成為其資料中心業務中增長最快的產品線之一，並預計在 2025 財年貢獻數十億美元等級的收入。
不過，與市場份額提升平行的，是產能約束帶來的現實限制。當前，美光在 HBM 相關 TSV 工藝和晶圓加工能力上，仍明顯落後於韓國廠商。公開資料顯示，其月度 HBM 晶圓級產能約為 5–6 萬片，而三星和 SK 海力士分別在 15–16 萬片區間。這一差距意味著，美光即便在技術和客戶認證層面取得突破，短期內也難以通過放量迅速改寫整體市場結構。
為解決這一瓶頸，美光正在對產能結構進行系統性調整。一方面，公司加快在日本廣島推進新一代 HBM 晶圓廠建設，計畫在 2026 年前後形成新增產能；另一方面，現有 DRAM 產線正逐步向 HBM 和資料中心用 DRAM 傾斜。按照規劃，到 2026 年底，美光 HBM 相關產能有望提升至約 10 萬片/月，新增產能增幅高於同期 DRAM 總體產能的增長幅度，顯示出公司在資源配置上的明確取向。
與 SK 海力士的穩定擴張路徑相比，美光的節奏更具階段性特徵。前者通過成熟製程和長期供貨協議鎖定了 2026 年前後的需求可見性；三星則仍在 1c DRAM 良率、HBM4 客戶認證之間進行調整。而美光的戰略重心，已由“是否具備 HBM 能力”轉向“如何在有限產能下提升高端產品佔比，並為下一代產品預留擴張空間”。
綜合來看，美光已完成從 HBM 市場邊緣參與者向有效競爭者的轉變，其在 HBM3E 節點切入主流 AI 平台，標誌著其技術路線和客戶策略開始發揮實際效果。
但在 HBM4 周期中，美光能否進一步提升份額，仍取決於三個關鍵變數：一是 HBM4 產品的量產進度和性能驗證結果，二是新增產能的落地節奏，三是與頭部 AI 客戶在長期供貨層面的持續繫結程度。這些因素，將共同決定其在下一階段 HBM 競爭中的上限。
巔峰還是新起點？
我們回到最初的問題：美光是否重返巔峰？
如果將“巔峰”定義為市場份額第一、技術絕對領先，那麼答案顯然是否定的。SK海力士和三星在HBM領域的先發優勢、客戶繫結深度以及產能規模，仍然是美光短期內難以踰越的壁壘。美光2025財年的財務表現雖然亮眼，但這更多是AI熱潮下整個儲存行業的紅利，而非美光單獨的結構性優勢。
但如果將“巔峰”理解為重新確立關鍵競爭者的位置、建立可持續的技術與市場競爭力，那麼美光確實正在經歷一次深刻的戰略重生。從HMC的慘痛失敗到HBM3E的成功突圍，從被動追隨到主動參與系統架構設計，從泛化的產品組合到激進的業務聚焦，美光在過去五年完成的不僅是技術補課，更是對自身在AI時代儲存產業中角色的重新定義。
美光當前的位置，或許更像是一個新的起點，而非傳統意義上的巔峰迴歸。它已經證明了自己有能力在技術路線失誤後實現戰略校準，有決心通過激進的資源騰挪聚焦核心賽道，有實力在HBM等關鍵領域重新獲得競爭資格。但要真正站上行業之巔，美光還需要在技術持續迭代、生態話語權建構、產能規模化擴張等維度，完成更長期的積累。
巔峰或許還很遙遠，但至少，美光已經重新回到了通往巔峰的道路上。 (半導體行業觀察)