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AI算力與儲存需求爆表， 半導體裝置迎接超級周期！應用材料業績展望碾壓預期！
全球最大規模半導體裝置製造商之一應用材料(AMAT.US)在周四美股收盤後公佈最新季度業績與未來展望報告，資料顯示，覆蓋幾乎全套高端半導體裝置的應用材料公司給出了超預期季度業績以及無比強勁的未來業績指引區間，凸顯出在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“儲存晶片超級周期”宏觀背景之下，半導體裝置廠商們也迎來超級增長周期，它們將是AI晶片(涵蓋AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND儲存晶片產能急劇擴張趨勢的最大規模受益者。
應用材料股價在美股盤後交易中一度暴漲超14%，主要因該公司給出了出人意料的極度強勁營收預測區間，表明人工智慧與儲存類半導體需求正在大幅推動台積電等晶片製造領軍者們加速推進半導體高端製造裝置採購。
市場最為聚焦的業績展望方面，這家美國最大規模的半導體製造裝置與先進封裝裝置供應商預計，其2026財年第二季度營收約為76.5億美元，上下浮動範圍約5億美元，相比之下，華爾街分析師們對於應用材料該財季(截至今年4月)的平均營收預期為70.3億美元——要知道，隨著3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速，應用材料這一營收預期自今年以來被分析師們不斷上調。
應用材料管理層最新給出的Non-GAAP準則下第二財季每股收益展望區間則為2.44美元至2.84美元(不含部分項目)，這一展望遠遠高於2.29美元的分析師平均預期。
應用材料首席執行長加里·迪克森(Gary Dickerson)在一份聲明中表示，“關於AI計算領域的全球行業整體投資處理程序的加速”正在推動公司的業績邁向強勁增長軌跡。
截至1月25日的2026財年第一季度業績方面，儘管第一季度營收同比小幅下滑2%至70.1億美元，但降幅遠小於該公司此前預期，並且顯著強於華爾街分析師們平均預期的約68.6億美元。Non-GAAP 準則下的第一季度每股收益為2.38美元，高於2.21美元的華爾街平均預期，與上年同期基本持平;第一季度該公司毛利率來到49%，上年同期約48%，第一季度的Non-GAAP自由現金流高達10.4億美元，意味著實現大幅增長91%。
業績報告最大亮點——儲存晶片擴張帶來的強勁裝置需求
應用材料正在從新一輪美國政府對華半導體裝置出口限制引發的增速放緩中大舉反彈，面臨美國晶片制裁的中國長期以來是該公司半導體製造裝置類產品的最大市場，但近年來應用材料諸多高端型號的半導體製造裝置無法出口至中國。與DRAM/NAND儲存晶片產能擴張相關的半導體裝置擴張需求是應用材料這份最新季度業績與未來展望報告一個最特別的增長亮點，凸顯出三星電子與美光科技、SK海力士等大客戶們正在加速擴大產能，以應對該市場的急劇短缺。
周四發佈強勁業績展望之後，該股在美股盤後一度上漲至375美元的高位。今年以來該股已大幅上漲28%，周四收於 328.39 美元。
迪克森在業績電話會議上提到，市場對於高頻寬儲存(即HBM)——一種用於AI計算系統的高性能儲存裝置的無比強勁需求，是關鍵驅動因素。“我們預計今年按自然年測算，半導體裝置業務將大幅增長20%以上，”他表示。
HBM是一種高頻寬、低能耗的儲存技術，專門用於高性能計算和圖形處理領域。HBM通過3D堆疊儲存技術，將堆疊的多個DRAM晶片全面連接在一起，通過微細的Through-Silicon Vias(TSVs)進行資料傳輸，從而實現高速高頻寬的資料傳輸，與輝達GB200/GB300這類 AI GPU以及GoogleTPU AI晶片配合搭載使用。
HBM儲存系統的本質是把DRAM 從“單顆晶片的密度/成本最佳化”升級為“面向GPU頻寬/能效的系統級互連最佳化”：更高堆疊層數、更高I/O密度、更激進的互連間距，意味著 DRAM 製造中的關鍵工序(深孔刻蝕、介質/阻擋層沉積、金屬互連與平坦化、缺陷/形貌控制)被顯著強化。與此同時，HBM 作為 AI 計算系統的關鍵供給，也在推升全行業擴產與良率爬坡的迫切性。
SK海力士、三星以及美光這三大堪稱壟斷的儲存晶片原廠紛紛將多數產能集中於HBM儲存系統——這類儲存產品需要的先進製程產能以及製造、封測複雜度相比於DDR系列以及HDD/SSD系列儲存晶片而言複雜得多，因此三大儲存晶片領軍者不斷將產能遷移至HBM，在很大程度上導致一些面向工業、電動汽車以及消費電子端的普通儲存產品供不應求。
美國儲存巨頭美光科技CEO在2026財年第一季度財報電話會上表示，該公司2026年度的所有HBM產能已全部售罄，並預計HBM總潛在市場(TAM)將在2028年將達到1000億美元(對比之下2025年約為350億美元)。
Bloomberg Intelligence的一份研究報告顯示，應用材料用於製造DRAM類儲存晶片的刻蝕與沉積工具，“將因輝達等AI晶片客戶們的無比強勁需求而擴大”。
業績報告還顯示，該公司剛剛解決了一項備受關注的監管問題。本周早些時候，應用材料宣佈計畫支付2.525億美元，以和解美國商務部關於不當向中國出口的調查，結束了一段持續多年的調查事件。
毋庸置疑的是，美國政府更嚴格的出口監管也對該公司基本面造成了巨大負面衝擊。10月，應用材料表示，美國政府對中國限制措施的擴大將使其在2026財年損失約6億美元營收。總部位於加州聖克拉拉(Santa Clara)的這家半導體裝置巨頭還宣佈計畫裁減其全球員工總數的 4%。
儘管應用材料股價去年股價大幅上漲58%，但仍落後於其他美國半導體裝置製造商的爆發式股價表現。比如Lam Research Corp.股價在這一時期幾乎翻番，科磊(KLA Corp.)股價上漲 93%。周四在應用材料公佈強勁的業績展望後，這些股票價格在盤後交易中也獲得提振。
AI算力與儲存晶片需求野蠻擴張! 半導體裝置迎接超級周期
最近多家華爾街金融巨頭髮布研報稱，半導體裝置類股乃AI算力與儲存需求爆表之下的最大贏家之一。隨著微軟、Google以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI資料中心建設處理程序愈發火熱，全方位驅動晶片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速，半導體裝置類股的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。
Google在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後，這一最前沿AI應用軟體隨即風靡全球，推動GoogleAI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發佈即帶來無比龐大的AI token處理量，迫使Google大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量，對Pro訂閱使用者也實施暫時限制，加上近期有著“OpenAI勁敵”稱號的Anthropic重磅推出的一系列AI工具/代理式AI智能體協作平台瞬間爆火，再疊加韓國近期貿易出口資料顯示SK海力士與三星電子HBM儲存系統以及企業級SSD需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的“AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段”。
史無前例的AI基建浪潮與儲存超級周期，可謂把半導體推入了一個更“材料密集、過程控制密集、封裝工藝前移”的新階段：邏輯側三維結構與新材料疊加、儲存側HBM堆疊與互連升級、封裝側CoWoS/混合鍵合把系統性能轉化為製造難度——這三股力量共同提高了沉積/刻蝕/CMP/先進封裝/核心量測等關鍵環節的價值密度，並且把半導體裝置需求從“周期波動”更明顯地改寫為“結構性大擴張周期”。
尤其值得注意的是，先進封裝正從“焊凸點時代”向“混合鍵合(Hybrid Bonding)時代”加速遷移：混合鍵合通過銅-銅直接互連進一步縮短互連長度、提升I/O密度、降低能耗，正好擊中 AI 訓練/推理對頻寬-延遲-功耗的極致約束。應用材料不僅在官網系統闡釋混合鍵合相對 TSV 的性能/功耗優勢，還推出面向規模化的混合鍵合平台，並通過入股 BESI(混合鍵合裝置龍頭之一)來強化“工藝-裝備協同”的產業卡位
當前全球AI算力基礎設施與資料中心企業級儲存晶片需求可謂持續呈現出指數級增長趨勢，供給端遠遠跟不上需求強度，這一點從“全球晶片之王”台積電(TSM.US)近期公佈的無比強勁業績資料中就能明顯看出。
台積電第四季度毛利率首破60%，淨利潤大超預期，預計2026年全年營收增速接近30%，並將2026年資本開支指引大幅上調至520-560億美元，兩項核心指引可謂遠超市場預期，此外，台積電管理層還將與AI密切相關聯的晶片代工業務的營收復合年增長率預期從原先的“40%中段”大幅提升至“50%中高段”。這家全球最大規模晶片製造巨頭無比強勁的業績與未來指引帶動近期晶片股行情升溫，尤其是儲存晶片與半導體裝置漲勢最為強勁，畢竟台積電資本開支擴張基本用於購置覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝、測試等晶片製造環節的各種高端半導體裝置。
在晶片廠，應用材料(AMAT.US)的身影可謂無處不在。不同於阿斯麥始終專注於光刻領域，總部位於美國的應用材料提供的高端裝置在製造晶片的幾乎每一個步驟中發揮重要作用，其產品涵蓋原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、快速熱處理(RTP)、化學機械拋光(CMP)、晶圓刻蝕、離子注入等重要造芯環節。應用材料在晶圓Hybrid Bonding、矽通孔(Through Silicon Via)這兩大chiplet先進封裝環節擁有高精度製造裝置和定製化解決方案，對於台積電2.5D/3D 等級先進封裝步驟至關重要。
應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體裝置覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/儲存晶片堆疊的鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造裝置可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新晶片製造節點裝置則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。 (invest wallstreet)