#儲存
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記憶體晶片，新變局！

儲存製造，重新回到美國？ 美國曾經在儲存領域擁有絕對的主導權。如果把時間拉回二三十年前，美國其實是全球儲存產業最重要的發源地之一。 英特爾、美光、AMD、閃迪，以及後來從AMD和富士通快閃記憶體業務中發展起來的Spansion（飛索半導體），都曾是全球儲存產業的重要力量。 但在之後漫長的產業整合中，美國儲存產業發生了明顯分化。
記憶體晶片，新變局！
科技#儲存晶片#美光#三星
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長江記憶體這下要爆了！

9月23日，儲存行業傳來重磅司法進展，長江儲存與美光的全球專利戰迎來關鍵轉折。 德國慕尼黑法院完成案件裁決，認定美光侵犯長江儲存兩項實用新型專利。 法院正式頒布銷售禁令，限制美光在德國市場售賣相關侵權儲存產品。 本次判決是2023年11月雙方專利爭端全面爆發後，長存斬獲的首個實質性海外禁令。
長江記憶體這下要爆了！
科技#專利戰#長江儲存#美光
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長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍到底有什麼區別？從DRAM、NAND到主控和SSD，看懂中國記憶體產業鏈真正的價值分工

上一篇文章我們聊HBM時提到：未來記憶體行業競爭，不會只是“誰能製造DRAM”。 而會變成：記憶體製造能力、先進封裝能力、高速介面能力以及系統解決方案能力的綜合競爭。 這也帶來一個問題：中國記憶體產業裡面，到底誰真正受益？ 很多時候，市場會把：長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍、佰維記憶體放在一起討論。
科技#半導體#長鑫儲存#長江儲存
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長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！

🔷DRAM電晶體開始“豎起來”，金屬柵也從TiN走向MoN 🔷Vth提升35%、漏電降低約40%，下一代1T1C技術路線浮出水面 在整理這份DRAM技術資料時，小編最大的感受是 當傳統DRAM不斷逼近微縮極限，電晶體“豎起來”只是第一步，如何進一步解決漏電、閾值電壓與可靠性問題，正在成為下一代DRAM的關鍵。這篇論文中，長鑫儲存（CXMT）將垂直無結柱狀電晶體（VJLPT）與高功函數MoN金屬柵結合，在保持約7.6 μA/cell導通電流的同時，將閾值電壓從0.20 V提升至0.35 V。 今天，小編就藉著這篇論文，帶大家看看下一代1T1C DRAM如何從平面電晶體走向垂直電晶體，以及MoN金屬柵、Wrapped Gate和VJLPT，如何成為DRAM繼續向更高密度、更低漏電方向演進的新技術路線。
長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！
科技#DRAM#長鑫儲存#MoN
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記憶體持續漲價被懟“不實”！

在AI引爆記憶體超周期記憶體價格節節攀升之際，市場的主流判斷是記憶體漲價會持續到2027年甚至更久。 但據媒體報導，中國台灣PC及IT硬體廠商宏碁（Acer）董事長陳俊聖駁斥了“三大記憶體廠商”關於記憶體價格將持續上漲至202X年的說法，直言這種說法並不真實。 他特別指出，記憶體廠商之所以不斷對外表示“價格上漲趨勢將持續到2027年”，是因為受到反壟斷法規限制，廠商不能直接協調價格，因此只能通過公開發表言論的方式，向彼此釋放某種“訊號”。 陳俊聖表示，自己在這個行業做了這麼多年，一看就知道其中的門道。
記憶體持續漲價被懟“不實”！
科技#記憶體漲價#AI儲存超週期#反壟斷法
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路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場

2026年9月18日，路透社報導了一條消息。 長鑫記憶體計畫在北京新廠，建一條NAND Flash研發產線。 它還在北京設立研究院，項目包括NAND開發。 三名知情人士對路透社透露了這些資訊。
路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場
科技#長鑫科技#長江儲存#NAND
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大摩：中國半導體裝置強勁增長將持續2028年，看好中微、北方華創和盛美！

我們預計，中國半導體裝置市場規模在2027年和2028年均將以23%的年增速增長。持續的記憶體器投資以及本土化處理程序加速，將支援中國本土半導體裝置供應商繼續提升市場份額。 中國半導體裝置增長將持續強勁至2027-28年。大摩預計中國半導體裝置支出在2026/27/28年分別為456億美元/558億美元/686億美元，對應同比增長9%/23%/23%；中國佔全球WFE的比例分別為28%/25%/27%。增長越來越由記憶體器驅動，因為國內DRAM和NAND製造商正在擴充產能並推動關鍵工藝環節國產化。進入2028年，先進製程邏輯晶片擴產可能帶來另一增長動力，使WFE機會從記憶體器進一步擴展。 記憶體器擴產仍在持續，但時間安排更加靈活。 長江記憶體：我們預測其在 2027 年和 2028 年都將新增 10 萬片/月 (kwpm) 的產能。其 IPO 申請檔案支援了其持續的 WFE 投資強度：在其計畫募集的 330 億元人民幣中，有 208 億元已被指定用於大規模生產線的技術升級。
大摩：中國半導體裝置強勁增長將持續2028年，看好中微、北方華創和盛美！
A股#長鑫儲存#長江儲存#MATCH法案
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長江記憶體加速擴產！

長江記憶體（YMTC）已開始在武漢第三座晶圓廠（Fab 3）進行生產裝置的全面接入。隨著晶圓廠進入投產前的最後準備階段，其年內啟動初期營運已漸行漸近。 據報導，“武漢長江記憶體FAB3二次配管A區B包工藝裝置配管總承包項目”中的“氣體段3”已啟動，而二次配管（Secondary Piping）是指將已經鋪設到晶圓廠內部的氣體、水等公用工程供應網路，進一步連接到具體生產裝置。氣體管路則負責向刻蝕、沉積等半導體製造工序所使用的裝置輸送特種氣體。 業內將這一工程視為YMTC正在進一步推進已安裝生產裝置的啟用工作。 Fab 3預計年底開始初期營運
長江記憶體加速擴產！
A股#長江儲存#YMTC#NAND Flash