據環球時報援引彭博社報導，美國商務部長盧特尼克16日威脅韓國等儲存晶片製造商，如果不承諾增加在美國本土的生產，或將面臨最高100%的關稅。相關報導發佈後，韓聯社、韓國《朝鮮日報》、《每日經濟》等多家韓國媒體迅速關注。《每日經濟》更在標題中反問“又開始了？”並認為相關表態“瞄準”韓國。盧特尼克16日在回答記者提問時稱，“任何想要建設儲存（產能）的人都有兩種選擇：要麼支付100%的關稅，要麼在美國本土進行建設。”他未提及任何具體的公司名稱，僅聲稱“這就是產業政策。”彭博社稱，針對相關置評請求，美國商務部發言人稱，“盧特尼克部長致力於恢復美國製造業的領先地位，而這一目標首先要從半導體產業著手。”截至目前，三星和SK海力士發言人未立即回應置評請求。 (科創板日報)

儲存需求仍被低估！跑贏97%同業的新興市場基金：AI十年景氣驅動下，儲存晶片是最佳押注ClearBridge基金經理Mathur認為，AI驅動下儲存晶片迎十年上升周期，是核心投資標的。其管理的基金因重倉三星、SK海力士跑贏97%同類產品，兩家企業業績與股價飆升，且估值優勢顯著。Divya Mathur 核心觀點未來十年，AI 推高晶片需求，儲存晶片類股是最佳投資選擇。重倉三星電子、SK 海力士，自 2015 年持倉，看好其股價後續走勢，兩家 2025 年股價 / 業績均大幅增長，且分別受益於 AI 伺服器需求、輝達 HBM 供應。市場低估 AI 記憶體需求，儲存行業處於十年上升周期第二年。亞洲 AI 企業估值合理，三星、SK 海力士市盈率顯著低於費城半導體指數。需審慎避險持倉風險，同時持有兩家可規避單一標的執行 / 延期風險。一、跑贏97%的基金：儲存晶片是最佳押注富蘭克林鄧普頓旗下資管子公司ClearBridge Investments的新興市場股票基金經理Divya Mathur，其聯合管理的14億美元規模基金ClearBridge SMASh Series EM Fund，過去一年跑贏97%同類基金，核心邏輯在於重倉儲存晶片龍頭。該基金自2015年起便持倉韓國三星電子與SK海力士，2025年兩隻個股股價表現亮眼，三星電子漲幅超一倍，SK海力士漲幅更是高達274%。作為輝達AI加速器高頻寬記憶體（HBM）的核心供應商，SK海力士去年業績爆發。三星電子則在2025年四季度利潤激增兩倍多至歷史新高，均受益於AI伺服器需求暴漲帶動的儲存晶片漲價潮。二、“儲存晶片需求仍被低估”Mathur指出，AI正永久性重塑儲存晶片行業，打破其長期以來強周期、高同質化的屬性，成為行業全新增長引擎，而市場仍低估了AI對記憶體的龐大需求。多家美國科技企業認為，當前儲存行業正處於十年上升周期的第二年，未來增長空間廣闊。更具吸引力的是估值優勢，亞洲AI相關企業較美國同行更具性價比，三星電子與SK海力士預期市盈率分別為9.3倍和7倍，遠低於費城半導體指數26倍的市盈率。Mathur 強調，儲存賽道需做好持倉避險，同時配置兩家龍頭以規避個股風險，規避 “看對賽道選錯標的” 的陷阱，並持續看好其股價。他指出，AI 正永久性重塑儲存晶片行業，打破其強周期、高同質化的固有屬性，成為新增長引擎，而市場仍低估了 AI 對記憶體的龐大需求。多家美國科技企業認為，當前儲存行業處於十年上升周期的第二年，未來增長空間廣闊。圖：三星電子與 SK 海力士的估值較美國同行存在大幅折讓(芯榜)

華爾街頂級投資機構KeyBanc Capital Markets近日發佈研報稱，全球半導體行業有望迎來需求更加強勁的一年，並且特別指出在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“儲存晶片超級周期”宏觀背景之下，半導體裝置廠商們也將迎來超級周期，它們將是AI晶片(涵蓋AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND儲存晶片產能急劇擴張趨勢的最大規模受益者。另一華爾街巨頭花旗集團近期發佈的一份研報同樣顯示，半導體裝置類股乃AI算力與儲存需求爆表之下的最大贏家之一，花旗在這份研報中預測，全球半導體裝置類股將迎來“Phase 2 牛市上行周期”，也就是說繼2024-25年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。花旗發佈的這份研報顯示，2026年的晶片股主線投資策略絕對不是“泛泛看多半導體”，而是明確落在股票市場半導體裝置龍頭領域(即WFE相關)——即阿斯麥(ASML.US)、泛林集團(LRCX.US)以及應用材料(AMAT.US)。花旗分析師團隊表示，“Phase 2 上行周期”意味著估值錨從“估值觸底修復”轉向“盈利持續上修”：當WFE總盤子從基準情景往牛市情景偏移時，半導體裝置領域龍頭公司盈利彈性甚至有可能大於營收彈性(規模效應+產能利用率提升+高端晶片製造工藝佔比大幅提高)，因此花旗選擇用 阿斯麥、泛林集團以及應用材料的半導體裝置組合來表達“上行斜率”前景。隨著微軟、Google以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI資料中心建設處理程序愈發火熱，全方位驅動晶片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速，半導體裝置類股的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。Google在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後，這一最前沿AI應用軟體隨即風靡全球，推動GoogleAI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發佈即帶來無比龐大的AI token處理量，迫使Google大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量，對Pro訂閱使用者也實施暫時限制，疊加韓國近期貿易出口資料顯示SK海力士與三星電子HBM儲存系統以及企業級SSD需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的“AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段”。在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital以及Wedbush看來，以AI算力硬體為核心的全球人工智慧基礎設施投資浪潮遠遠未完結，現在僅僅處於開端，在前所未有的“AI推理端算力需求風暴”推動之下，持續至2030年的這一輪全球整體AI基礎設施投資浪潮規模有望高達3兆至4兆美元。美國銀行近日發佈的研報顯示，全球AI軍備競賽仍處於“早期到中期階段”;全球最大規模資產管理巨頭之一的先鋒領航公司近日在一份研究報告中指出，人工智慧投資周期可能僅完成了最終峰值的30%-40%，然而，該資管巨頭表示，大型科技股回呼的風險確實正在增加。股價走勢方面，美股半導體裝置類股自開年以來無比強勁。光刻機巨頭阿斯麥美股ADR價格在2026年開年已經創下歷史新高，1月2日單日漲幅超過8%，2026年開年以來漲幅高達27%，市值高達5200億美元;聚焦於刻蝕/沉積與相關工藝能力的泛林集團美股市場股價則自2025年下半年以來可謂屢創歷史新高，2026年開年以來漲幅高達30%;覆蓋幾乎全套高端半導體裝置的應用材料股價在2026年開年同樣屢創新高，開年以來漲幅高達28%，這三大半導體裝置巨頭股價均大幅跑贏標普500指數與有著“科技股風向標”稱號的納斯達克100指數。世界半導體貿易統計組織(WSTS)近日公佈的最新半導體行業展望資料顯示，全球晶片需求擴張態勢有望在2026年繼續強勢上演，並且自2022年末期以來需求持續疲軟的MCU晶片以及模擬晶片也有望踏入強勁復甦曲線。WSTS預計繼2024年強勁反彈之後，2025年全球半導體市場將增長22.5%，總價值將達到7722億美元，高於WSTS春季給出的展望;2026年半導體市場總價值則有望在2025年的強勁增長基礎之上大舉擴張至9755億美元，接近SEMI預測的2030年1兆美金的市場規模目標，意味著有望同比大增26%。WSTS表示，這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於AI GPU/TPU主導的邏輯晶片領域以及HBM儲存系統、DDR5 RDIMM與企業級資料中心SSD所主導的儲存領域持續強勁的勢頭，預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長，這得益於人工智慧推理系統與雲端運算基礎設施等領域持續強勁擴張需求。晶片產能擴張浪潮啟幕，半導體裝置廠商們贏麻DRAM/NAND儲存晶片需求持續強勁且這些儲存產品系列(比如DDR4/DDR5/企業級SSD系列)價格呈現野蠻擴張之勢，主要因AI算力洪流將儲存晶片需求以及儲存晶片對於AI訓練/推理系統的重要性推向前所未有的高度。當前全球AI算力需求可謂持續呈現出指數級增長趨勢，算力供給遠遠跟不上需求強度，這一點從“全球晶片之王”台積電(TSM.US)周四公佈的無比強勁業績資料中就能明顯看出。台積電第四季度毛利率首破60%，淨利潤大超預期，預計2026年全年營收增速接近30%，並將2026年資本開支指引大幅上調至520-560億美元，兩項核心指引可謂遠超市場預期，此外，台積電管理層還將與AI密切相關聯的晶片代工業務的營收復合年增長率預期從原先的“40%中段”大幅提升至“50%中高段”。這家全球最大規模晶片製造巨頭無比強勁的業績與未來指引帶動周四美股晶片股集體大漲，尤其是儲存晶片與半導體裝置漲勢最為強勁，畢竟台積電資本開支擴張基本用於購置覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝、測試等晶片製造環節的各種高端半導體裝置。值得注意的是，市場對於台積電的晶片產能擴張強勁預期不僅聚焦於輝達、AMD以及博通這三大AI晶片領軍者們帶來的堪稱天量級資料中心AI晶片訂單，以及蘋果公司每年都能夠帶來的龐大消費電子晶片訂單，在資料中心企業級高性能SSD(隸屬於NAND終端應用)領域，面向高性能NVMe(尤其 PCIe Gen5/Gen6)的SSD主控晶片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足AI算力與儲存帶來的“永無止境訂單”，大舉擴張產能可謂迫在眉睫。當前AI基建狂潮所拉動的“算力—儲存—先進晶片製造”半導體投資鏈條決定了半導體裝置capex粘性比以往任何周期都強勁：基於AI訓練/推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯晶片需求，也顯著抬升高端儲存晶片(尤其HBM/企業級SSD相關)的需求強度;在晶片製造工藝複雜度上升背景下，單位晶圓的裝置“前沿先進工序數/步驟數”增加，裝置端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。除了已經公佈產能大舉擴張計畫的台積電與美光，花旗分析師團隊預測，隨著AI晶片與儲存晶片需求持續激增，SK海力士、三星電子以及英特爾這三家全球最大規模的晶片製造巨頭，在即將到來的財報披露中將對2026年以及之後半導體資本開支(capex) 指引顯著上調，進而預判2026年全球晶圓廠半導體裝置(WFE)支出更加可能向其“最樂觀預測前景”靠攏。花旗分析師團隊重點指出，SK海力士與三星電子的最大儲存晶片競爭對手美光科技已經在2025年12月的業績電話會議上將2026財年(截至2026年8月)資本開支從此前的180億美元上調至200億美元，意味著同比大幅增長45%，其中晶片製造工廠建設資本開支幾乎翻倍。美光還表示2027財年資本開支也將繼續增長。作為三星電子與SK海力士在儲存晶片市場最直接競爭的對手，美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於韓國的儲存晶片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。花旗的半導體投資策略鎖定“晶片製造大廠們capex激增到WFE總市場規模擴大，再到半導體裝置領軍者們訂單/營收/利潤擴張”的這一價值傳遞鏈條，押注2026年半導體裝置景氣度繼續上行。“我們最近參加了在舊金山舉行的SEMI行業戰略研討會，”KeyBanc的分析師們在給客戶的報告中寫道。“我們的第一個收穫是，目前的市場一致共識認為，半導體市場銷售額將在今年或最遲明年達到1兆美元。回顧去年同期會議，最樂觀的預期是2028年，而共識預期則是基於2029-2030年的預期。這個轉變是可以理解的——由星際之門等超大規模AI資料中心預算幾乎沒有上限所推動的AI GPU/AI ASIC需求、2nm及以下先進製程工藝節點的滲透率擴張以及儲存產品價格的翻倍式增長。這些動態似乎已經在股價中得到了充分反映，但當敘事轉向半導體裝置的超級周期時，你必須參與其中。可以確定的是，我們聽到了一些必要的謹慎聲音，但本質上沒有人認為這股熱潮會很快結束。”不同於花旗看好三大巨頭， KeyBanc聚焦這三家半導體裝置廠商在周五美股半導體裝置類股，應用材料(AMAT.US)、AEI Industries(AEIS.US)以及MKS(MKSI.US)成為市場焦點，主要因KeyBanc Capital Markets在最新研報中大幅上調了對這三家公司的12個月內目標股票價格。對於AEI Industries，KeyBanc重申了“超配”這一樂觀看漲評級，並將目標價從240美元上調至280美元，該機構預計過去9個月的股價激增似乎將持續下去。“雖然股價自4月以來有顯著上漲，但我們認為大部分表現是由AEI Industries在資料中心領域的曝光推動的，我們繼續看到AEI Industries在未來幾年獲勝的多種方式，”KeyBanc的分析師們寫道。“在半導體領域，我們還沒有看到新產品引入產生實質性影響，這應能鞏固其在導體刻蝕中的獨家RF定位，並可能導致在介電材料領域的市場份額增長。因此，我們將2027年和2028年各細分市場的營收預期分別大幅上調至11%和10%。工業和醫療終端市場在過去幾年一直承壓，若出現復甦，不僅會增加營收，還會改善產品組合。”“此外，我們提醒投資者，AEI Industries仍在積極尋求I&M(工業和醫療)收購，我們認為其高端目標加起來可能為其帶來5億美元的銷售額和1.25美元的每股收益，合併協同效應將進一步提升。此外，我們認為AEI Industries的營運戰略將在未來幾年逐漸提升其利潤率，並預計其長期毛利率目標將從目前的30%上行至超過43%。”AEI主要聚焦於為晶圓與封裝廠提供 RF/介質加工類半導體製造裝置，資料中心擴產可謂大幅推高RF和導電/介電材料加工裝置的需求。資料中心規模的大幅擴張不只帶來AI算力叢集與儲存裝置需求激增，還涉及高頻率網路與RF元件。KeyBanc的分析師們還保持了對有著“半導體裝置超級工廠”稱號的應用材料“超配”評級，並將目標價從285美元大幅上調至380美元。該公司股價與估值相比於同行，比如相比於科磊(KLAC.US)和泛林集團(LRCX.US)面前則表現落後。“我們認為，相對溫和的擴張是應用材料公司在中國和其他地區客戶面臨的先進工藝節點的較高曝光所致，”分析師們寫道。“我們理解這種表現不佳，但注意到應用材料是最具業務多樣化的半導體裝置供應商，隨著晶片架構在領先節點(最終包括DRAM)走向垂直化，它應從日益增強的先進封裝、沉積和刻蝕強度中受益。它也是最暴露於傳統DRAM領域的半導體裝置公司，DRAM無疑是與AI相關的儲存晶片裝置中最為稀缺的儲存產品，這一點我們認為最終應轉化為產能大幅擴張。我們還預計應用材料的‘應用全球服務部門’將在2027-2028財年實現雙位數的營收增長，主要因為客戶們將在高產能利用率背景下運行應用材料裝置。我們認為應用材料應該因其相對估值和在半導體製造中的核心地位而受到新資金們青睞。”在晶片廠，應用材料(AMAT.US)的身影可謂無處不在。不同於阿斯麥始終專注於光刻領域，總部位於美國的應用材料提供的高端裝置在製造晶片的幾乎每一個步驟中發揮重要作用，其產品涵蓋原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、快速熱處理(RTP)、化學機械拋光(CMP)、晶圓刻蝕、離子注入等重要造芯環節。應用材料在晶圓Hybrid Bonding、矽通孔(Through Silicon Via)這兩大chiplet先進封裝環節擁有高精度製造裝置和定製化解決方案，對於台積電2.5D/3D 等級先進封裝步驟至關重要。應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體裝置覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/儲存晶片堆疊的鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造裝置可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新晶片製造節點裝置則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相比於應用材料，泛林集團(Lam Research)的優勢則全面集中在先進HBM儲存所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，並且3D NAND/先進DRAM結構與互連也都高度依賴泛林獨家的HAR工藝。KeyBanc的分析師們還將該機構對於MKS的目標價大幅上調至250美元，從此前予以的180美元大幅上調，並保持“超配”評級。“鑑於其強勁的自由現金流狀況，我們對MKS的槓桿率並不特別擔憂，我們看好MKS廣泛的子系統曝光度，並認為其應從接下來的幾年內領先製造技術的建設中受益，”KeyBanc的分析師們表示。“此外，MKS的電源產品在大多數NAND刻蝕工具中佔有主導地位，這意味著即使在短期內不新增綠地產能，它也應從NAND產品工藝推動的裝置升級支出中持續受益。在先進封裝方面，我們看好MKS在PCB和封裝基板領域的‘鑽孔填充’產品組合，該公司技術進步正在為先進晶片的功率和性能帶來一些最具影響力的益處，而且該細分市場幾乎沒有現有額外產能來滿足需求。我們認為這些因素將共同推動營收和每股收益的加速增長，這些增長將受到半導體銷售周期性復甦和先進封裝產能擴張帶來的長期增長的推動。由於這些因素，再加上其相對於同行較低的估值溢價，MKSI仍然是我們看好半導體裝置周期上行的首選方式之一。”MKS的半導體製造裝置廣泛用於刻蝕、薄膜沉積和先進封裝工藝，尤其是該公司領先全球的子系統和電源工具在NAND高性能企業級儲存和先進封裝市場中長期佔據穩固份額以及長期斬獲穩健訂單增長趨勢，在儲存新產線擴產之外，其技術也長期支援邏輯和封裝裝置市場的產能增長。 (invest wallstreet)

據證券時報·資料寶統計，翔宇醫療近一周（1月9日—15日）有208家機構調研，其中包括63家基金公司、21家證券公司、22家私募、13家保險公司等。公司在調研中稱，翔宇醫療腦機介面產品覆蓋的作業療法、運動療法、認知言語、吞嚥等康復場景有望快速落地。如腦機介面吞嚥電刺激產品，可捕捉患者腦電訊號形成閉環治療，解決傳統吞嚥障礙治療依賴醫患配合、患者易誤嗆的痛點，已獲得多家醫院、數百個臨床案例的正向反饋；腦機介面上下肢主被動康復訓練系統、腦機介面手功能康復裝置等康復科剛需產品，覆蓋臨床多場景需求，可較快實現商業化落地。康復機器人方面，公司已形成完善的產品矩陣規劃，AI理療機器人系列產品涵蓋推拿機器人、衝擊波機器人、上肢多維度康復訓練機器人、經顱磁機器人、艾灸機器人、電磁理療機器人、射頻理療機器人等，預計2026年將有5—6款陸續下證；醫用款外骨骼機器人、可攜式外骨骼機器人預計2026年上半年拿證。過去腦機介面行業發展緩慢的原因包括產品價格高、體積大、醫保收費支援度不高、置換率低、穿戴繁瑣、佔用康復治療師時間等。公司重點從關鍵核心技術及臨床效果兩個維度攻關克難，不斷突破，精準評估、精準康復，助力終端客戶提高人效。海天瑞聲、愛朋醫療、帝科股份等個股也獲得較多機構關注。愛朋醫療在調研中表示，公司獲取的兩款腦電採集產品醫療器械註冊證是公司“多模態ADHD（注意缺陷多動障礙）行為治療管理系統”的核心組成部分，為ADHD兒童提供全新認知行為治療解決方案。ADHD行為治療在院內是有相應的收費目錄的，同時湖北、浙江、江蘇等地相繼出台腦機介面相關醫療服務價格項目，其中非侵入式腦機介面適配費966元/次。2025年9月24日國家醫保局出台新規，明確將為腦機介面等創新醫療產品開通醫保賦碼“綠色通道”，為腦機介面臨床實踐及應用提速。帝科股份（300842）本周股價大爆發，一周累計漲幅超43%。據機構調研透露，公司及子公司持續關注導電漿料產品在太空太陽能等高可靠性需求領域的應用。公司分三個技術維度進行了產品佈局與儲備，包括當下成熟的P型PERC電池技術、中期重點開發的P型HJT電池技術，以及長期戰略佈局的鈣鈦礦疊層電池技術。在上述三類電池技術上，公司均儲備了相應的性能領先的高可靠導電漿料產品，其中部分產品已經實現商用衛星太陽翼使用。此外，公司部分電子元器件漿料產品已應用於衛星通訊領域，但目前規模較小。帝科股份同時透露，2025年公司儲存晶片業務實現營業收入約5億元，收入規模和盈利能力均同比大幅增長，尤其是2025年第四季度單季度實現營業收入約2.3億元，全年出貨量約2000萬顆，四季度出貨約660萬顆，數量與盈利能力均大幅提升。報告期內，公司持續加大儲存類股投入和佈局，通過收購江蘇晶凱實現儲存業務“晶片應用性開發設計一晶圓測試一晶片封裝及測試”一體化產業佈局，具備高效利用多種晶圓資源的能力，形成成本優勢。面對當前市場供需緊張、需求旺盛的局面，公司計畫2026年將出貨量目標提升至3000萬至5000萬顆，充分利用現有產能保障供應，疊加漲價因素，進一步擴大營收與歸母淨利潤規模。公司管理層明確將儲存業務作為第二主業，持續加大資金與資本投入，目標在未來兩三年內發展成為國內領先的第三方DRAM儲存模組企業。從市場表現來看，近一周機構調研的個股平均上漲近4%，寶萊特、帝科股份、利歐股份、世嘉科技等均漲逾30%。寶萊特在調研中稱，在腦部監測領域，公司過去三至四年聚焦於手術室與ICU場景的醫療級、無創腦部監測技術的應用。公司開發三個方面技術：多通道長程腦電圖監測（輔助術前術中術後腦神經放電異常分析），麻醉深度即時監測（判斷麻醉是否進入手術適宜區間），腦部氧飽和度監測（評估麻醉藥致缺氧風險及術後後遺症）。公司對應孵化產品與註冊進度分別為：擁有腦電監測功能的產品已獲二類註冊證；麻醉深度監測內部實驗完成，正在申請三類註冊證；腦氧監測相關產品計畫2026年同步申請二類與三類註冊證。近日，蘇州市世嘉科技股份有限公司基於公司整體發展戰略規劃，結合光通訊細分行業的良好市場前景，擬通過戰略增資方式深化相關領域業務佈局。對於為什麼要投資光彩芯辰（浙江）科技有限公司，世嘉科技稱，一是基於公司發展戰略規劃，公司看好光通訊行業的市場前景，擬進入光通訊行業促進公司長遠發展。二是認可光彩芯辰（浙江）科技有限公司在光通訊領域內的前期投入、技術儲備以及客戶資源。(資料寶)

從地球表面到外太空軌道，儲存技術的應用邊界不斷拓展。2026年，全球儲存行業正迎來前所未有的變革與機遇。巨頭戰略調整引發市場供需重構，AI技術迭代催生新型儲存需求，商業航天爆發開闢太空儲存賽道，三大風口交織共振，推動儲存行業進入全新發展周期。從消費級市場到AI資料中心，從地球表面到外太空軌道，儲存技術的應用邊界不斷拓展，成為數字經濟與尖端科技發展的核心支撐。01. 中國國產DRAM出海：巨頭撤離下的全球突圍目前儲存晶片廠商都在集中精力生產第三代高頻寬記憶體（HBM3E），這種用於GPU和AI加速器的超高速記憶體適用於AI推理和訓練，導致伺服器DRAM產能承壓，Google、微軟等公司也在開拓基於推理的AI服務業務，一定程度上也催生了伺服器DRAM需求。在此背景下，全球儲存市場正經歷深刻的格局重塑。美光甚至關停了擁有29年歷史的消費級品牌英睿達。這一趨勢是儲存巨頭向高附加值領域轉型的必然選擇，卻意外為中國儲存企業打開了全球市場的突破口。同時，由AI驅動的供需失衡直接引發了記憶體的價格波動，三星與SK海力士計畫在2026年第一季度將伺服器DRAM價格較2025年第四季度提升60%-70%，PC與智慧型手機DRAM也將同步漲價，傳統DRAM合約價格環比漲幅預計達55%至60%。這也影響了戴爾等OEM廠商及眾多第三方記憶體/SSD品牌的核心元件的供應。一旦供應中斷，全球消費級儲存市場將面臨嚴重"斷糧"危機，而三星將成為全球最大的儲存和NAND供應商，市場集中度進一步提升。價格上漲與供應短缺的雙重壓力下，全球整機廠商開始主動拓寬供應鏈。惠普已啟動中國記憶體供應商的資格審查，儘管短期內不會大規模轉向中小廠商供貨，但完成"資格認證"標誌著中國儲存企業正式進入國際主流供應鏈的候選名單。記憶體晶片的大宗商品屬性為這一轉型提供了天然優勢——品牌和型號間可替代性較強，終端消費者更關注性能穩定性與價格合理性，而非顆粒供應商身份。這意味著中國儲存企業可在三星、美光等巨頭之外，憑藉高性價比產品獲得"補貨"市場份額，逐步鞏固全球市場地位。業內預測，市場供需失衡局面至少持續至2028年。中國記憶體出海，是必然，也是未來常態。02. AI推理推動NAND需求暴漲DRAM不夠，NAND來湊。在DRAM供應緊張的背景下，NAND儲存憑藉技術適配性成為AI時代的核心受益領域，尤其是AI推理場景的爆發式增長，正在重構NAND市場的需求格局。AI大模型的長上下文處理、海量參數儲存等需求，推動NAND從傳統儲存場景向AI核心基礎設施升級。輝達的技術創新成為需求增長的關鍵引擎。其推出的BlueField-4 DPU可為單GPU額外提供16TB NAND上下文空間，有效解決AI運行中的記憶丟失與HBM視訊記憶體容量不足問題。在新一代Rubin NVL72架構AI伺服器中，4顆BlueField-4晶片統一管理記憶體，每塊GPU配備16TB NAND專門儲存AI"記憶"。僅按10萬機櫃測算，這一架構就將新增115.2EB的NAND需求，佔2025年全球供給的12%，將極大拉動NAND市場需求。DeepSeek開放原始碼的Engram技術則進一步拓寬了NAND的應用邊界。這種"條件記憶"機制將大模型的"死記硬背"部分從神經網路計算中剝離，交由TB級靜態記憶表承擔，形成"MoE計算+Engram靜態記憶"的全新架構。靜態記憶表極有可能採用分層儲存方案（DRAM+SSD冷熱分層）。DeepSeek Engram把AI大模型的儲存戰場，將儲存戰場從昂貴的HBM視訊記憶體轉移至性價比更高的DDR5+NVMe體系，開源大幅降低AI模型部署成本的同時，進一步拉動NAND儲存需求。03. 太空儲存：商業航天催生的特種儲存藍海商業航天的井噴式發展，正在地球之外開闢出儲存行業的全新賽道。全球衛星部署進入爆發期：美國衛星工業協會資料顯示，2010-2020年在軌衛星數量從958顆增至3371顆，預計2030年在軌衛星將突破10萬顆；中國於2025年底向ITU集中申報20.3萬顆衛星的頻率與軌道資源，涵蓋14個衛星星座，創下中國規模最大的國際頻軌申報紀錄。其中，無線電頻譜開發利用和技術創新研究院申報的CTC-1與CTC-2兩個星座，各申請96714顆衛星，合計193428顆，佔本次申報總量的95%以上。其他申報主體包括中國星網、中國移動、垣信衛星等。東吳證券指出，展望2026年，商業航天行業將迎來多重催化，特別是多枚可回收/大載量的商業火箭密集首飛，火箭運力將有望迎來顯著提升，從而打通此前衛星通訊發展的堵點。中國低軌衛星網際網路從2025年下半年已進入批次發射建設階段，2026年有望迎來更大批次發射，產業發展進一步加速。與此同時，美國聯邦通訊委員會批准馬斯克旗下美國太空探索技術公司（SpaceX）的下一代衛星星座計畫，授權SpaceX在現有已部署8000顆衛星的基礎上，增加部署營運7500顆第二代星鏈衛星，全球獲批在軌運行的二代衛星總數超1.5萬顆伴隨衛星數量指數級增長，商業航天井噴式發展，直接拉動了對宇航級特種儲存晶片的需求。此類晶片需通過嚴苛的宇航認證體系，方可保障在太空極端環境下的長期穩定運行。海量衛星組網升空，早已突破“訊號中轉站” 的傳統定位，進化為集資料採集、運算處理於一體的智能平台。地球觀測衛星每日產生大量遙感資料，通訊衛星需承載與日俱增的高通量通訊流量，新一代衛星更被賦予在軌AI處理能力。那麼，太空資料該如何安全儲存？太空堪稱儲存裝置的“終極試煉場”。高能粒子輻射、-55℃至 125℃的寬溫劇變、微重力環境下的散熱難題，以及航天器發射與對接過程中的劇烈振動衝擊，共同構成了對儲存晶片的致命考驗。普通消費級儲存晶片在此環境中，極易出現資料錯亂、元件失效甚至徹底報廢的問題，唯有通過宇航級認證的特種儲存晶片，才能肩負起太空資料儲存的重任。空間站的儲存裝置面臨的挑戰更為嚴峻，不僅要耐受上述極端環境，更需滿足長期在軌運行的高可靠性要求。高能粒子可穿透裝置封裝，直接損傷晶片電晶體結構，引發資料丟失或邏輯錯誤；極端溫差會導致材料熱脹冷縮、電子元件壽命銳減；微重力環境削弱散熱效率，頻繁振動則對裝置機械結構的穩定性提出嚴苛標準。多重考驗疊加，讓普通儲存產品在空間站環境中毫無立足之地。為攻克上述技術難關，晶片製造商需突破三大核心技術壁壘：第一、抗輻射加固技術。通過特種材料封裝、冗餘電路設計、SOI（絕緣體上矽）抗輻射工藝等多重手段，將輻射引發的錯誤率降至航天級標準。例如採用 “三模冗餘” 架構，讓三組獨立電路同步運行，即便單組電路受損，系統亦可通過冗餘校驗恢復正確資料。第二、寬溫適應性最佳化。選用耐高低溫的特種封裝材料，在晶片內部整合溫度感測器與動態調節電路，實現極端溫度下的自適應穩定運行。部分高端產品更搭載微型熱管主動散熱系統，精準調控晶片工作溫度。第三、機械結構強化。採用金屬加固外殼與減震支架，搭配防鬆脫鎖緊結構，抵禦發射與對接階段的劇烈振動；最佳化內部元件佈局，將主控晶片等核心部件置於低振動區域，並通過灌封膠固定，杜絕微重力環境下的元件移位。一款合格的太空級儲存裝置，必須歷經“全維度極限測試”的嚴苛洗禮。輻射測試：在粒子加速器中模擬太空輻射環境，持續輻照數小時乃至數天，驗證晶片抗單粒子翻轉、單粒子鎖定的能力；溫度循環測試：在 - 55℃至 125℃區間反覆切換，單次循環時長數小時，模擬太空晝夜溫差劇變，考驗材料與元件的耐受性；振動衝擊測試：通過振動台復現航天器發射、對接時的力學環境，驗證裝置結構穩固性；壽命測試：開展數月乃至數年的連續讀寫測試，確保裝置在長期在軌運行中性能無衰減。唯有通過所有測試的產品，才能斬獲進入太空的“通行證”。在眾多候選技術中，磁阻隨機存取儲存器（MRAM）憑藉卓越性能脫穎而出，成為太空儲存領域的潛力新星。MRAM 對太空輻射引發的單粒子翻轉效應具備天然免疫力，擁有近乎永久的使用壽命；同時兼具對稱讀寫速度與超低運行功耗，相較於同密度動態隨機存取儲存器（DRAM），實現了“速度更快、功耗更低” 的雙重突破，完美適配長距離太空飛行的能源約束需求。在航天器遠離太陽、太陽能供電受限的場景下，MRAM 的低功耗優勢尤為突出，可在降低系統能耗的同時，承載更多在軌資料處理任務，大幅降低太空任務的失敗風險。日本發射的地球觀測衛星 SpriteSat，便已將其磁強計子系統的儲存器升級為 MRAM，驗證了該技術的太空應用價值。此外，儲存晶片巨頭美光科技也於去年推出了首款通過航天級驗證、具備抗輻射能力的單層儲存單元（SLC）NAND快快閃記憶體儲器，成為其航天儲存器產品線的起點，並著手籌組航天工程實驗室，瞄準太空產品市場。美光這款航天級NAND快快閃記憶體儲器，單顆晶片容量達256Gb，為目前市面上密度最高的太空用NAND產品，通過NASA及美國軍規所要求的關鍵驗證測試，包括耐溫老化、總電離劑量（TID）與單粒子效應（SEE）等，證實其可在高輻射與極端環境中長期穩定運作，符合太空任務對元件可靠性的高標準。2026年的儲存行業，機遇與挑戰並存。國產DRAM企業在全球供應鏈重構中尋求突圍，NAND儲存在AI推理爆發中實現價值躍升，太空儲存則在商業航天浪潮中開闢全新賽道。這三大風口不僅重塑著儲存行業的市場格局，更支撐著數字經濟、人工智慧、航空航天等前沿領域的發展。隨著技術創新的持續推進與應用場景的不斷拓展，儲存行業正迎來新一輪黃金發展期，而那些能夠精準把握風口、突破核心技術的企業，終將在全球市場競爭中佔據主導地位。 (半導體產業縱橫)

美國在半導體領域動作不斷。據最新消息，美國商務部長盧特尼克威脅稱，如果韓國儲存晶片製造商不在美國增加生產，就可能被徵收高達100%的關稅。據悉，韓國儲存晶片巨頭SK海力士日前宣佈，計畫投資19兆韓元（約合人民幣900億元）在韓國清州市新建一座先進封裝工廠。在此之前，美國白宮發佈聲明，宣佈自1月15日起，對部分進口半導體、半導體製造裝置及其衍生品加征25%的從價關稅。對此，韓國產業部在最新發佈的聲明中表示，產業部已與韓國半導體企業代表召開會議，商討應對策略。美國商務部長威脅：100%關稅美東時間1月16日，美國商務部長盧特尼克稱，韓國儲存晶片製造商如果不在美國增加生產，就可能被徵收高達100%的關稅，除非他們承諾在美國境內擴大產能。在儲存巨頭美光科技位於紐約州錫拉丘茲郊外的新工廠奠基儀式後，盧特尼克指出，美國潛在徵稅條款可能波及韓國晶片製造商。“所有希望生產儲存晶片的企業都有兩條路可選：要麼繳納100%的關稅，要麼來美國建廠。”盧特尼克當天在回應提問時如此表示，“這就是我們的產業政策。”據悉，美光科技於當地時間1月16日下午在美國紐約州破土動工興建其巨型晶圓廠。經過嚴格的環境審查和必要的許可審批，美光科技已經準備好基地和施工工作。該項目是美國紐約州歷史上最大的私人投資項目，總投資約1000億美元，將打造全球最先進的儲存晶片製造中心，包含多達四個工廠，旨在滿足人工智慧系統日益增長的需求。美光科技於2022年10月宣佈建廠計畫時，原定於2024年中期開工，但因長達上萬頁的環境評估審查報告，工期被推遲約一年半。公司計畫在3月31日前完成場地內所有樹木清除，並推進鐵路支線建設和濕地平整工作。根據公告，該項目預計於2030年正式投產，產能將在隨後十年內逐步釋放，以滿足人工智慧、資料中心及高性能計算等領域對先進儲存晶片持續增長的需求。預計到2045年第四家工廠建成時，員工總數將達到9000人。在此之前，韓國儲存晶片巨頭SK海力士宣佈，計畫投資19兆韓元新建一座先進封裝工廠，以應對人工智慧技術蓬勃發展所引發的高頻寬記憶體（HBM）需求激增。根據聲明，新工廠將主要聚焦於先進封裝技術，這是提升晶片性能與能效的關鍵環節。該設施將位於韓國清州市，依託公司現有的生產佈局進行擴建。SK海力士表示，建設計畫於今年4月啟動，預計在2027年底完工投產，屆時將大幅提升其將多個儲存晶片整合至單一高密度單元的能力。對特定半導體等加征25%關稅據央視新聞報導，美國白宮於當地時間14日宣佈，從15日起對部分進口半導體、半導體製造裝置和衍生品加征25%的進口從價關稅。美國總統川普表示，此舉是美國人工智慧和技術政策的重要組成部分。根據美國白宮聲明，此次加征關稅行動分為兩個階段：1. 第一階段，美國將對一小部分相關進口產品立即加征關稅，同時與有潛力增強美國半導體行業的境外主管部門繼續談判。2. 第二階段，在完成相關談判後，美國將在更大範圍內對進口半導體以顯著稅率加征關稅。此外，美國商務部長建議推出關稅抵消機制，為投資於美國半導體生產及供應鏈的企業提供優惠關稅待遇。此前，川普曾於2025年8月初宣稱，美國將對進口半導體產品徵收100%關稅。美國白宮本周早些時候稱，川普可能會“在近期”宣佈新的關稅政策及配套的抵消計畫，以此激勵本土製造業發展。據韓國產業部最新發佈的聲明，該國產業部長金廷官（音譯）表示，政府將持續關注美國針對部分人工智慧半導體晶片徵收關稅的相關動態，以最大限度降低其對本土產業的衝擊。該部門發佈的第二份聲明稱，產業部已與韓國半導體企業代表召開會議，商討應對策略。聲明指出，政府官員表示，由於該關稅政策暫不適用於供應美國資料中心及初創企業的晶片，因此對韓國企業的影響相對有限。不過聲明同時提到，韓國企業注意到，白宮發佈的一份情況說明書顯示，川普或計畫擴大半導體及其衍生品的進口關稅徵收範圍，以此刺激美國本土製造業發展。此舉或將給全球半導體產業帶來顯著的不確定性。 (券商中國)

如果用一個詞概括HBM這幾年的進化，那就是：堆得越來越高。HBM本質上是一種“把 DRAM 垂直疊起來”的儲存技術。層數越高，單顆 HBM 的容量越大、頻寬越高，對 AI GPU 來說就越香——因為 AI 真正稀缺的從來不是算力，而是喂資料的速度。因此，HBM 的演進路線也非常清晰：從4層到8層、12層，再逼近16 層。8 層是 HBM 真正成熟、規模化出貨的主力，它是過去一段時間 AI GPU 的“最常見配置”，良率穩定、供應鏈也最成熟；12層則成為近兩年的主力量產方向，在容量、性能與成本之間取得了更理想的平衡，也最適合大規模出貨。而截至目前，HBM 已經正式邁入16層堆疊的量產前夜：在剛剛結束的 CES 2026 上，SK 海力士已經展出了全球首款16層 HBM4 樣品，單堆疊容量提升至 48GB。但層數的提升，並不只是“多堆幾層”這麼簡單。事實上，每增加 4 層，整個系統的製造難度都會顯著上一個台階：貼裝精度、焊點間距、Z 方向高度控制、翹曲、底填（MUF）可靠性……所有原本還能被工藝余量掩蓋的問題，都會被 16 層這種高度放大到“生死線”等級。面對困局，行業分化出了兩種聲音：一種是追求終極的革命，另一種是基於現實的改良。混合鍵合：被“標準”暫時擋住的革命晶片的堆疊主要是考驗封裝的能力。這兩年先進封裝圈子裡一個詞異常火熱：混合鍵合（Hybrid Bonding）。它是一種高級的互連技術，徹底拋棄了焊料與助焊劑，通過金屬層與介質層的同步鍵合，實現更接近“直接連接”的互連形態。它代表了更小互連間距、更高 I/O 密度、甚至接近“原子級連接”的終極方向。通用 HBM 結構。圖中顯示了微凸點。採用混合鍵合技術後，DRAM 晶片之間的間隙將消失。（圖源：semiengineering）原本，業界普遍預測 HBM4 將是混合鍵合的商業化首秀。但 JEDEC 組織的一項最新修訂——將 HBM 模組高度上限從 720µm 放寬至 775µm——為 16 層 HBM 繼續沿用傳統微凸點（Micro-bump）技術騰出了寶貴的 55µm 空間。這一標準紅利，讓原本緊繃的物理極限得到了喘息，也讓一項名為 Fluxless（無助焊劑） 的技術被緊急推向了台前。Fluxless：通往終局前的一項過渡技術然而，即便有了高度冗餘，即便暫時不用混合鍵合，問題依然沒有消失：傳統互連工藝的穩定性與成本結構，已很難從容支撐 16 層 HBM 的量產爬坡。為什麼？我們把鏡頭拉回到 HBM 堆疊裝配中的關鍵工藝——熱壓鍵合（TCB）。在各種先進封裝架構下，熱壓鍵合（TCB）被認為是最先進的互連方法之一。儘管這項技術已經開發並應用了十餘年，但由於其在引入時帶來的諸多收益，仍在不斷被新應用持續採用。需要說明的是，TCB 不僅僅是為了 HBM，它是為了將不同節點的 Chiplets 強行“縫合”在一起的關鍵手段。熱壓鍵合（TCB）作為針對細間距（Finer Pitch）應用的解決方案而興起。TCB 使用配備有銅柱（Cu Pillar）和焊料帽（Solder Cap）的晶圓，通過限制焊料量來縮減銅柱間距，從而實現更高的互連密度。TCB 有多種類型（如下圖所示），無論那種類型，其主要方法都是在固定晶片和基板的同時進行局部焊料回流，隨後冷卻使焊料固化，從而將晶片固定在基板上。通常只有在焊料部分或完全固化後，晶片才會被釋放。該方法實現了更高的精度，因為它不依賴於焊料的自對中效應，同時通過在鍵合過程中保持晶片和基板的平整，緩解了翹曲（Warpage）問題。此外，TCB 允許主動控制鍵合層厚度（BLT），確保互連焊料形狀均勻，並為後續的底部填充（Underfill）等工藝提供便利。TCB 的四種主要類型包括：毛細管底部填充 TCB (TC-CUF)、模塑底部填充 TCB (TC-MUF)、非導電膠 TCB (TC-NCP) 和 非導電膜 TCB (TC-NCF)（來源：BESI）傳統TCB依賴助焊劑（flux）與回流（reflow）來促進焊料潤濕和去除氧化層。但在細間距鍵合中，尤其是40μm以下pitch，這種方式往往導致：空洞（void）、殘留污染物、可靠性下降，難以滿足更高精度的要求。而 HBM4 16 層把互連間距壓縮到 10µm 級，這些問題會被進一步放大：助焊劑體系的殘留與清洗成本開始成為良率與可靠性的瓶頸，甚至會影響後續 MUF/底填材料的潤濕與粘附。於是，在真正邁向混合鍵合之前，產業迫切需要一種不推翻既有 TCB 體系，卻能向更細間距（通常在 10µm 至 25µm 範圍內）、更高堆疊過渡的現實路徑——Fluxless（無助焊劑）TCB，便是在這樣的背景下走上前台。顧名思義，這種方法完全不使用任何形式的助焊劑。在無助焊劑 TCB 中，帶有銅柱和焊料帽的晶片直接鍵合到基板上，無需任何中間介質。然而，氧化物去除成為了一個核心問題，因為氧化層會抑制焊料的潤濕性，阻礙其與基體材料形成冶金結合。該工藝必須確保在晶片與基板接觸之前清除所有現存氧化層，並防止在 TCB 升溫過程中生成新的氧化物。在氧化物去除方面，ASMPT 通過電漿體活化（AOR：主動氧化物去除）替代化學助焊劑。這種“干法”工藝能確保介面極度潔淨，顯著降低訊號損耗，並改善熱性能。Besi則傾向於甲酸和氫基還原。無論那種技術路徑，無助焊劑 TCB（Fluxles TCB）的發展代表了一項重大進步，解決了助焊劑和薄膜在實現穩固可靠鍵合工藝方面的侷限性。來源：ASMPTASMPT認為，在下一代 HBM 中（見下圖），Flux-TCB 已具備 HBM 量產資格，且已用於最高 12 層的 HVM（高產量製造）；而 AOR TCB 已在 12～16 層範圍內展示出成功實現的能力，從而進一步支撐 HBM 路線圖。這一經驗證的能力確保：可在覆蓋全部層數的前提下，嚴格控制堆疊晶片的間隙高度，從而賦能下一代HBM——這是滿足最新 HPC 與 AI 器件性能需求的關鍵。HBM路線圖規劃（來源：ASMPT）可以說，Fluxless 既是對傳統銲接工藝的最後一次極致壓榨，也是在混合鍵合全面統治戰場前，裝置商為 AI 晶片量產平衡性能與良率的最佳“最優解”。SK海力士：Fluxless技術為時尚早然而，即便作為過渡方案的Fluxless方案，在量產落地的過程中也並非一帆風順。作為HBM的領頭羊，SK 海力士在對 Fluxless 進行了長達數月的評估後，給出了一個略顯保守的結論：“現在還早”。 據悉，SK 海力士在 HBM4/4E 的 16 層產品上，將繼續沿用其引以為傲的 Advanced MR-MUF 工藝。SK海力士的MR-MUF工藝，是在晶片完成堆疊後，將液態封裝保護材料注入層間空隙並固化的一種方式。公司與日本 Namics 共同開發並完善了 MUF 關鍵材料，並將其應用於第三代 HBM2E。SK海力士認為，相比競爭對手在每堆疊一層晶片時都需要鋪設膜狀材料的 TC-NCF 工藝，MR-MUF 更高效。此後 SK海力士又通過引入新型保護材料、改善散熱特性，將“先進 MR-MUF”匯入 HBM3，並一直沿用至 HBM4 12層產品。來源：SK海力士但是SK海力士的現行 MR-MUF 工藝中，為去除 micro-bump 周圍的氧化膜仍需塗布助焊劑（Flux）；若清洗後殘留物存在，就可能影響良率——這也是 Fluxless 被研究的重要原因之一。據Dealsite的報導，半導體業內一位相關人士表示：“SK海力士為了在 HBM4 16層上匯入Flxless鍵合，從去年第四季度開始進行了正式評估。雖然此前曾向 ASMPT 下達過支援 Fluxless 的 TC Bonding 裝置訂單，但評估結果顯示，在當前的良率壓力與成本天平上，成熟工藝的慣性依然強大。這句“還早”，也意味著Fluxless 在量產這關，遇到了比想像更難的現實問題。從邏輯上看，如果連“過渡性質”的 Fluxless TCB 在 HBM4/16H 這一代都被謹慎對待乃至延期匯入，那麼更終極的互連技術——混合鍵合，在 HBM 體系內實現全面規模化的節奏，大機率也會更保守。混合鍵合不僅昂貴，還需要全新裝置、材料與測試流程重構；首批採用它的產品單封裝成本勢必抬升（儘管容量提升可能攤薄每位元成本）。因此，這一趨勢更像是對產業的提醒：混合鍵合方向不會變，但“從路線圖走向大規模量產”的時間表可能被拉長。這場互連路線的節奏變化，並不只發生在技術論文與路線圖裡，也正在傳導到裝置採購層面。裝置商的分野隨著HBM4 16層標準高度的放寬，鍵合裝置市場不再是一場簡單的“全速衝刺”，而演變成了一場關於技術節拍、量產良率與供應鏈博弈的深度對壘。1.BESI：混合鍵合的“終局信仰者”在全球裝置鏈中，BESI 往往被視為混合鍵合產業化的“風向標”。BESI 堅信：隨著 I/O 密度繼續上升、microbump 的物理極限逼近，真正的 3D 整合必須走向 Hybrid Bonding at scale。也正因此，BESI 的技術與市場策略更偏向“提前卡位終局”——儘可能把混合鍵合的節拍、精度、平台化能力提前打磨出來，等待 HBM5 或 20 層+時代的臨界點到來。這裡也需要強調一點：BESI 並非只押注混合鍵合。在 HBM4 仍以 microbump/TCB 為主的現實中，BESI 同樣擁有熱壓鍵合與高精度貼裝等關鍵產品線。然而，終局的正確無法抹平短期的震盪。JEDEC對HBM4模組高度的寬容，給了微凸點技術更長的生命周期，也讓BESI不得不面臨“領先半步是先驅，領先一步是先烈”的風險。其2025年前三季度訂單總額（4.346億歐元）同比下降6.5%，揭示了混合鍵合的匯入節奏慢於預期。儘管第四季度收到預期中的HB訂單，但BESI可能正在經歷一場艱難的“黎明前守望”。2.ASMPT：TCB的“現實主義進化派”與 BESI 相比，ASMPT 在 HBM 產業鏈裡更像“現實主義工程派”：它並不否認混合鍵合的重要性，但更強調在當下的量產窗口期，TCB 仍是 HBM 堆疊的核心工藝平台——尤其在 12層 到 16層的過渡階段。ASMPT 推動的 Fluxless 方向（例如 AOR：電漿體主動去氧化）本質上是回答一個量產問題：在不推翻 microbump/TCB 體系的前提下，如何把介面做得更乾淨、更穩定、更可複製？這條路線比混合鍵合更容易向下相容現有產線，並且更貼近客戶眼前的 KPI：良率、節拍、TCO、可靠性。在業績方面，ASMPT 的先進封裝業務在 2025 年上半年收入佔比提升至約 39%（約 3.26 億美元），明確受 AI 需求拉動。更值得注意的是其在 TCB 訂單上的連續加碼：2025年12月3日，ASMPT 宣佈從一家領先代工廠的主要 OSAT 合作夥伴處獲得 19 台晶片到基板（C2S）TCB 新訂單；2025年12月22日，ASMPT 又宣佈追加獲得 15 台用於尖端 AI 計算晶片的 C2S TCB 裝置訂單。同時，ASMPT 預計到 2027 年，TCB 總潛在市場規模（TAM）將超過 10 億美元，並稱已做好戰略佈局，目標佔據 35%~40% 的市場份額。3.兩家韓國公司：韓美半導體與韓華作為SK海力士最核心的裝置供應商，韓美半導體（Hanmi）是“改良路線”中最具實戰經驗的玩家。其核心王牌是Dual TC Bonder。不同於傳統的NCF（熱壓非導電膜）路線，韓美通過最佳化的TCB裝置，完美配合了SK海力士的MR-MUF（批次回流模塑底填）工藝。在16層HBM4時代，韓美正緊鑼密鼓地開發下一代TC鍵合裝置，試圖將生產效率和散熱穩定性推向極致。對於SK海力士而言，只要MR-MUF能走通，韓美的裝置就是其守住HBM王座的最強屏障。韓華精密機械（Hanwha）是韓系供應鏈中的最大變數，是志在攪局的“後起之秀”。由於不甘心韓美在海力士供應鏈中的壟斷地位，韓華在2025年加速了針對HBM4的TC鍵合裝置開發。韓華的策略是“多點佈局”：一方面利用其精密機械製造能力追趕TCB的高產出率；另一方面，它正秘密研發適用於16層以上的無助焊劑工藝。韓華的入局，本質上是SK海力士為了分散供應風險、壓低裝置成本的一種戰略扶持。不過近期，這兩家公司正在打專利戰。據朝鮮日報英文站報導：韓美在 2024 年 12 月提起訴訟，爭議聚焦 HBM TCB/TC bonder 關鍵技術。據TrendForce 和 DIGITIMES等的報導，部分觀點認為ASMPT拿到SK海力士的訂單與韓美韓華糾紛有關。但同時，DealSite提到另一種解釋：ASMPT在 fluxless bonding TCB 裝置方面有優勢，且這批裝置可能屬於既定供應計畫。4.Kulicke & Soffa (K&S)：工藝延續下的“基石守護者”當Fluxless成為中場休息的避風港，K&S這種擁有高穩定性、大規模製造經驗的老牌巨頭，便成了產線不可缺的“基礎設施”。2025財年第四季度，K&S以1.776億美元營收和45.7%的毛利證明了其經營韌性。據semiengineering的報導，Brewer Science 的 Hamed Gholami Derami 指出：“並不是 HBM 中所有互連都會變成混合鍵合。企業正在探索方案：DRAM die 之間採用面對面混合鍵合形成配對，再將這些配對結構用微凸點背靠背堆疊。”這是一種折中路線，意味著 TCB 與 MR 裝置在相當長一段時間裡仍將留在牌桌上。總的來看，在鍵合裝置領域，BESI握住了通往未來的鑰匙，ASMPT和韓美半導體掌控著當下的錢袋子，而韓華正在試圖定義新的平衡。在16層HBM4這一戰中，誰能把現有的Microbump工藝做到極致，誰才是真正的盈利之王。結語Fluxless 的延期，不是技術的失敗，而是工業的現實。它提醒我們：當互連間距進入 10µm 等級，封裝不再是“把晶片粘在一起”那麼簡單，它變成了一個集潔淨度、材料學、熱管理、計量檢測、工藝窗口於一體的系統工程。任何一條鏈路不夠成熟，都可能讓先進工藝從“看起來很美”變成“算不過帳”。SK 海力士選擇繼續 Advanced MR-MUF，不是因為 Fluxless 沒價值，而是因為在 HBM4 這一代，“更穩的方案”比“更先進的方案”更重要——它必須先確保 16 層能穩定出貨，讓 GPU 有足夠的 HBM 能喂飽算力。但這並不意味著終局遠去。混合鍵合依然是那座繞不開的高山，只是它不會以革命的方式突然降臨，而更可能以漸進、混合、折中的方式悄然滲透：先在局部關鍵互連上落地，再逐步擴展到更大範圍。先進封裝這場戰爭，最殘酷的一點就在於：技術進化永遠不會停，但每一步進化，都必須通過量產的審判。 (半導體行業觀察)

Future Horizons 認為，全球半導體行業未來一年將面臨高度不確定性，預計2026 年市場增長率將在正負 12% 左右。該研究公司最新發佈的市場報告指出，2025年22%的增長率過於集中，並不代表整個行業的全面復甦。Future Horizons 表示，如果人工智慧基礎設施需求疲軟，智慧型手機和汽車等傳統市場未能反彈，半導體行業今年可能面臨急劇下滑。雪上加霜的是，關於晶片出貨量何時恢復、平均售價能否繼續上漲以及對傳統節點晶圓廠（尤其是在中國）的過度投資將如何影響市場等問題仍懸而未決。該研究公司將當前的AI熱潮與2020-2021年疫情引發的激增相比較，並警告稱，正如那輪周期戛然而止一樣，這一輪也可能如此。全球最大的晶片製造商台積電本周發表了更為樂觀的言論，稱人工智慧的繁榮是“真實的”，人工智慧驅動的需求“無論如何都將在未來很多年裡持續下去”。AI泡沫，可能在兩年內破裂目前強勁的半導體市場正受到人工智慧應用的推動。麥肯錫的一項調查顯示，到2025年，88%的企業將使用人工智慧，而2023年這一比例僅為55%。據Inc.com報導，在2025年第三季度財報電話會議上，標普500指數成分股公司中有306家提及了人工智慧，而三年前的2022年第三季度，提及人工智慧的公司僅有53家。世界半導體行業協會（WSTS）2025年12月的預測顯示，繼2024年增長20%之後，2025年半導體市場將增長22%，2026年將增長26%。這一增長主要由儲存器和邏輯器件兩大類別推動。儲存器預計在2025年增長28%，2026年增長39%；邏輯器件預計在2025年增長37%，2026年增長32%。剔除儲存器和邏輯器件類別後，半導體市場其他類別在2024年下降了3%，預計2025年僅增長6%。過去兩年，所有儲存器公司都將人工智慧（AI）視為其主要增長動力。最大的AI半導體公司輝達（Nvidia）在2024年的收入增長了114%，並預計2025年將增長63%。輝達的大部分AI半導體產品都屬於邏輯器件類別。人工智慧熱潮能持續多久？半導體市場又將走向何方？我們可以從以往半導體市場的泡沫中尋找線索。PC氣泡1981年IBM PC的問世引發了PC市場的繁榮。由於IBM為PC硬體和軟體樹立了標準，企業紛紛放心投資PC。1983年PC出貨量增長了85%，1984年增長了29%。PC的繁榮帶動了半導體市場的蓬勃發展，尤其是記憶體和英特爾微處理器。然而，PC的繁榮在1985年戛然而止，PC出貨量下降了11%。1985年的疲軟是由多種因素造成的。康柏、戴爾和惠普等廠商推出的IBM PC相容機擾亂了市場。此外，美國GDP增速也從1984年的7%放緩至1985年的4%。1985年個人電腦市場崩盤導致半導體市場下滑17%。記憶體銷量下降38%，英特爾營收下降16%。但這種下滑趨勢是短暫的。1986年，個人電腦出貨量增長22%，半導體銷量增長23%。1987年，記憶體和英特爾的營收恢復強勁增長。網際網路泡沫20世紀90年代，隨著大型企業建立網路連線，全球資訊網制定標準並實現瀏覽，網際網路的使用開始呈爆炸式增長。1995年和1996年，網際網路使用者數量幾乎每年翻一番。從1997年到2000年，使用者數量每年增長約50%。2001年，網際網路使用者增長率放緩至21%。網際網路的快速發展催生了眾多由風險投資推動的網際網路公司。到2000年初，利率上升以及大多數網際網路初創公司缺乏盈利能力導致投資大幅下滑。納斯達克100指數（該指數權重主要由網際網路公司構成）從2000年3月到2002年10月下跌了78%。許多網際網路公司的倒閉導致電信公司在網際網路基礎設施方面出現產能過剩。作為最大的網際網路基礎設施硬體供應商，思科的收入在1999年和2000年實現了超過50%的增長，但在2001年卻下降了23%。2001年，半導體市場下滑了32%，其中儲存器市場下滑了49%。半導體和儲存器市場在2003年恢復了兩位數的增長。人工智慧泡沫？下圖展示了個人電腦泡沫時期（藍線）、網際網路泡沫時期（紅線）以及當前人工智慧時期（綠線）半導體市場的變化。在個人電腦和網際網路泡沫時期，半導體市場經歷了兩年強勁增長，增速在19%至46%之間，隨後泡沫破裂，市場大幅下滑。在當前周期中，預計2024年半導體市場增速為20%，2025年為23%，2026年為26%。問題不在於人工智慧泡沫是否會破裂，而在於何時破裂。基本上，所有重大的新技術在最初幾年都會經歷一段強勁的增長期。許多新公司湧現出來，試圖利用這項新技術，這主要得益於風險投資基金的推動。最終，新技術的增長速度會放緩甚至下降。投資資金也隨之減少。支撐這項新技術的硬體公司的收入下降，導致半導體市場下滑。歷史經驗表明，人工智慧泡沫可能在未來一兩年內破裂。泡沫並非新技術的終結，而是一種調整。誠然，個人電腦和網際網路是重要的經濟驅動力，它們已經徹底改變了企業和消費者的生活方式。人工智慧也有望帶來重大變革。然而，這種變革能否順利實施，還有待觀察。 (半導體行業觀察)