奧爾特曼表示，“雖然說這是2026年（要考慮）的事，但它是我個人最期待的部分之一。”“這是整個系統裡我個人最期待的部分之一。”在日前的Big Technology訪談中，OpenAI CEO山姆•奧爾特曼（Sam Altman）如此形容記憶功能。在他看來，AI的下一個重大飛躍並非是更敏銳的推理能力，而是更為根本的記憶。ChatGPT問世三年多以來，聊天介面並沒有出現大變動，但底層功能進步不少，其中就包括記憶功能。在訪談中，當被問及“記憶功能究竟發展到什麼程度”時，奧爾特曼表示，“其實我認為我們現在完全無法想像它最終能發展到什麼程度。人類本身是有侷限的：即使你擁有世界上最好的私人助理，他們也不可能記住你說過的每一句話，不可能讀過你的每一封郵件，不可能看過你寫的每一份檔案，不可能每天觀察你的所有工作並記住每一個細節，也不可能以那樣的深度參與到你的生活中——沒有任何人類擁有完美無限的記憶，但AI肯定可以做到這些。”記憶功能是OpenAI內部經常討論的一個問題。目前ChatGPT雖然迭代到了5.2，但記憶功能“依然非常粗糙、非常早期”，仍處於“GPT-2時代”。一旦AI真的能記住你整個人生的每一個細節，並在此基礎上加以個性化——不僅能記住事實，還能察覺、捕捉並利用那些連使用者自己都沒意識到未曾刻意表達過的小偏好，AI將變得極其強大。“我覺得這是一個非常令人興奮的方向。雖然說這是2026年（要考慮）的事，但它是整個系統中我個人最期待的部分之一。”奧爾特曼直言。▌KV Cache重要性凸顯此前，OpenAI已於2024年2月啟動記憶功能小範圍測試，並於2025年4月升級為可參考全部歷史對話的長期記憶系統，能跨對話保留使用者偏好、工作內容與常用格式，在互動中持續呼叫，顯著強化個性化服務與使用者黏性。可以看到，在奧爾特曼的描述遠景中，擁有了成熟記憶能力的ChatGPT堪稱“開了掛的超級個人AI Agent”。根據《Heterogeneous Memory Opportunity with Agentic AI and Memory Centric Computing》（Jinin So），建構一個強大的“Agentic AI”，因為自注意力機制需要對序列中的每個元素（token）與序列中所有其他元素之間的關係進行建模，因此對記憶體和儲存系統提出了前所未有的、多層次的需求和挑戰。AI記憶系統可以被劃分為工作記憶（處理當前任務）和長期記憶（知識、技能、經驗）。程序性記憶（模型本身）：隨著大語言模型參數量的增長，其自身大小已達到TB等級；語義記憶（外部知識庫）：儲存外部知識的向量資料庫，其容量需求可達數十TB；工作記憶（執行階段快取）：在高並行推理時，僅KV快取（KV Cache）一項就能消耗上百TB的記憶體。整個系統融合了大模型（如Gemini）、外部資料庫（如Milvus）和快取記憶體機制，並通過檢索、學習等方式進行互動，這對資料流動的頻寬和延遲提出了極高要求。其中，“能記住使用者說過的所有話、讀完所有郵件和文件、深度全量參與使用者生活”的AI，需要的正是“工作記憶”。廣發證券指出，AI的“工作記憶”在技術上體現為大模型的“上下文窗口”，它是AI進行複雜、多步推理和決策的工作台與基礎。它的核心功能是整合所有相關資訊以支援連貫思考。通過將系統指令、歷史對話、使用者問題、外部知識（來自語義記憶）和模型的中間思路全部“盡收眼底”，大模型才能進行全面、有深度的推理，而不是孤立地看問題。國金證券稱，目前隨著大模型應用的普及和上下文窗口的不斷擴展，KV Cache技術的重要性將進一步凸顯。無論是ChatGPT的流暢對話體驗，還是Claude的長文件處理能力，都需要KV Cache的技術支撐。未來KV Cache將在智能化、硬體加速、邊緣部署等方向持續演進，為更廣泛的AI應用提供強有力的技術支撐。智能化與硬體化趨勢明確，KV Cache有望在未來數年持續提升大模型推理效率並改善算力成本結構。落實到具體方向上，東方證券認為，儲存供不應求持續，同時海外儲存巨頭在通用儲存方面的擴產進度可能有限，建議關注國內半導體裝置企業中微公司、京儀裝備、微導奈米、拓荊科技、北方華創等；佈局端側AI儲存方案的兆易創新、北京君正等；受益儲存技術迭代的瀾起科技、聯芸科技等；國產企業級SSD及儲存方案廠商江波龍、德明利、佰維儲存等。 (科創板日報)

最近3個月記憶體及快閃記憶體兩種儲存晶片價格大漲，而且漲勢之猛是30多年來最強的。這一次尤其關鍵的一個轉變就是，國內公司沒有缺席，長江、長鑫兩家公司的記憶體及快閃記憶體已經不可小覷。日前有消息稱長江儲存發佈了通知，宣佈快閃記憶體晶圓漲價40%，模組產品漲價100%，不過這個消息並沒有得到完全證實。供應鏈人士表示12月的快閃記憶體晶圓成交價比11月提升了10%多一點，SSD成品漲幅在15-20%。供應鏈表示，該公司今年已經多次調整價格，部分規格的產品價格已經不輸三星等原廠，暗示策略已經轉向控量穩價，不再是追求低價搶市場。報導還提到了兩家國產儲存廠商產能，長江儲存的快閃記憶體產能達到了16萬片/月，長鑫的記憶體產能更是高達28萬片晶圓/月，2026年還會進一步提升到30萬片/月。隨著產能及價格策略的變化，這兩家公司的儲存晶片已經不是以往的備胎，電腦廠商也會開始採購他們的晶片，進行測試驗證。其中華碩、宏碁已經進入評估階段，希望借此提高供應鏈彈性，分散風險。在技術上，長江儲存已經發佈了300層堆疊的快閃記憶體產品，長鑫11月底也發佈了8000MHz的DDR5產品，LPDDR5也達到了10677MHz。這些都是當前的頂級產品，被認為與三星等廠商的技術差距不到1年時間了。國產記憶體及快閃記憶體晶片目前主要的問題還是裝置受限，導致產能及良率面臨挑戰，但是在一步步解決自主供應鏈之後，很快不再受美國禁令影響。到時候會真正有機會重塑市場格局，兩三年內超越三星不太可能，但坐三望二是有機會的。說到三星，日前有消息稱AMD最快明年1月份跟三星簽訂合作協議，將使用後者的2nm工藝SF2P生產新一代晶片，這有望給三星帶來數十億美元的訂單。與此同時，Intel也在跟三星談晶片代工合作，不過他們已經有自己的18A工藝了，不需要三星2nm代工，這次談的反而是已經很成熟的5nm及8nm工藝，尤其是後者，Intel決定將PCH晶片組訂單給三星8nm來做。這個晶片組主要用於新一代處理器，也就是26年底的Nova Lake處理器，目前已經準備進入量產階段。Intel當前的PCH晶片組使用的是三星14nm工藝，是在三星美國工廠生產的，但8nm PCH晶片要轉回韓國的華城工廠生產，這裡的產能畢竟穩定，可以月產3-4萬晶圓，這也是Intel選擇三星韓國工廠生產的關鍵原因。對Intel來說，他們自己將專注於先進工藝的研發生產，PCH晶片組這樣的簡單產品外包給代工廠更有助於降低成本，三星的8nm也是比較成熟穩定的工藝了，之前NVIDIA的RTX 30系列GPU就是這個工藝生產的。從14nm升級到8nm之後，預計Nova Lake的晶片組面積會更小，發熱也會更低，這對PC玩家來說也是好事，不然高負載下工作時主機板的散熱也不讓人放心。(硬體世界)

根據券商Kiwoon Securities的高級研究員預計，三星明年的營業利潤將達到90兆至100兆韓元（約台幣2.14兆元）。這呼應了先前報告指出，三星計畫在2027年實現晶圓代工業務獲利，意味著提高2nm GAA製程的良率是其首要任務，還有高頻寬記憶體HBM4和DRAM價格56%上漲的加持。wccftech報導，三星面臨的第一個真正考驗是，其首款採用上述曝光技術製造的晶片組Exynos 2600在應用於Galaxy S26系列後的性能表現。資深研究員朴有岳（Park Yoo-ak，音譯）對三星在2026年登頂業界霸主地位做出了最為樂觀的預測，他表示該公司明年的營業利潤將達到100兆韓元。根據《韓國經濟日報》報導，他的預測基於高頻寬記憶體HBM4市場佔額的顯著增長，以及通用DRAM價格56%的上漲。朴有岳也提到，由於NAND快閃記憶體價格上漲，三星的營收可望大幅提升。此外，該公司2nm GAA製程的良率有望提高，目前已獲得兩家中國加密貨幣挖礦裝置製造商的訂單，並與特斯拉簽署了價值165億美元的巨額交易，這將有助於三星建立穩固的客戶基礎。三星還向高通提供驍龍8 Elite Gen 5的樣品，用於評估其2nm GAA製程，但隨著驍龍8 Elite Gen 6 明年的發佈，三星的作用可能會更加突出。另一位來自KB證券的研究員金東元（Kim Dong-won，音譯）指出，三星的成功部分源自於GoogleTPU訂單的成長。根據Newspim報導，金東元還表示，由於Google Gemini的整合，記憶體供應增加，Galaxy智慧型手機銷量上升，這將有利於三星的營業利潤，預計營業利潤將達到100兆韓元，年增129%。HBM4的押注推動三星進入新一輪牛市三星電子股價目前已突破 10 萬韓元（68 美元），投資者開始質疑這家科技巨頭能否保持上漲勢頭，達到幾家券商預測的 15 萬韓元目標價位。這些券商指出，市場對人工智慧至關重要的高頻寬記憶體晶片的需求正在加速增長。10 月 30 日，三星公佈了強於預期的第三季度財報；第二天，人工智慧巨頭輝達宣佈計畫向三星和其他韓國科技公司提供 GPU。受此消息影響，當地券商紛紛上調三星目標股價。韓國投資證券、KB證券和Eugene投資證券均將目標價上調至15萬韓元，NH投資的目標價為14.5萬韓元，未來資產的目標價為14.2萬韓元。SK證券的目標價更高，達到17萬韓元。即使是去年警告儲存晶片行業“寒冬將至”的摩根士丹利，也將其對三星的目標股價上調至 144,000 韓元，並表示在牛市情況下，假設對儲存器和有機發光二極體的強勁需求持續，宏觀經濟狀況趨於穩定，而中國努力進入儲存晶片行業，其股價甚至可能達到 175,000 韓元。樂觀的前景主要基於這樣的預期：三星能夠向輝達供應其下一代 HBM4 晶片，並在 HBM3E 延遲發佈後重新奪回市場份額，此前 HBM3E 的延遲發佈導致該公司落後於競爭對手，並拖累了其盈利。KB證券高級分析師金東元周四表示，他預計三星明年將佔據輝達HBM4供應鏈的40%，並預測三星2026年的HBM出貨量將比今年增長2.5倍。金表示：“三星預計將成為最大的受益者，因為過去三年HBM的折扣價將轉為溢價，而傳統DRAM的價格則持續上漲。”他指出，這一組合可能推動三星市值達到1000兆韓元。截至周四發稿時，三星的市值為675兆韓元。韓國投資證券分析師蔡敏淑也表達了樂觀的看法，她說：“人工智慧驅動的記憶體上行周期才剛剛開始。”“由於供應短缺，平均售價將持續上漲至 2026 年，而 HBM 銷售的擴大將顯著提高（三星的）盈利能力。”三星、SK海力士股價進入第二波上漲行情“從輝達的GPU（圖形處理器）到Google的TPU（張量處理器），人工智慧記憶體半導體的需求比供應量高出50%以上。三星電子和SK海力士即將進入第二波增長階段。”KB證券研究部主管、汝矣島半導體行業長期“最佳分析師”金東元（人稱“半導體先生”）預測，半導體股票將進入第二輪上漲行情。金在1日的一份報告中指出：“三星電子和SK海力士的股價在過去一個月裡從高點下跌了15%，進入了暫時的回呼階段。這主要是由於短期美元流動性收緊、聯準會降息以及對人工智慧泡沫的擔憂引發的外資拋售，但預計這些不確定因素將從12月開始緩解。”他分析道：“人工智慧生態系統的多元化，包括Google的TPU和輝達的GPU，將直接推動HBM（高頻寬記憶體）和伺服器DRAM的普及，從而加劇未來記憶體價格上漲和出貨量增長。截至第四季度，人工智慧記憶體需求已超過供應50%以上，由於供應短缺加劇，預計第四季度的價格漲幅將遠超市場預期。”KB證券預測，三星電子明年的營業利潤將同比增長129%至97兆韓元，而SK海力士的營業利潤將增長89%至81兆韓元。三星預計將受益於北美“七大巨頭”（M7）公司HBM供應量的增加以及晶圓代工廠產能利用率的提高，而SK海力士則將受益於強勁的HBM出貨量。兩家公司明年的合併營業利潤預計為178兆韓元，佔韓國綜合股價指數（KOSPI）預計總營業利潤的40%。金特別指出：“從明年開始，Google的下一代TPU預計將採用HBM4，這將加劇供應短缺。三星電子在HBM4速度方面具有競爭優勢，極有可能在今年年初通過質量認證，從而為擴大對北美大型科技公司的供應鋪平道路。” (EDA365電子論壇)

自今年第三季度起，儲存晶片行業開始進入史無前例的“超級周期”。TrendForce集邦諮詢的資料顯示，2025年第三季度DRAM產業營收季增30.9%，達414億美元；前五大NAND品牌商合計營收季增16.5%，逼近171億美元；前五大企業級SSD品牌廠合計營收季增28%，達65.4億美元，創今年新高。儲存晶片領軍企業SK海力士指出，當前DRAM的需求激增，供應商庫存已經達到最低水平，缺貨情況可能要持續到2028年。全新的周期下，海外大廠產能向高端轉移造成中端供給缺口，本土儲存晶片廠商迎來了關鍵機遇窗口期。如何精準錨定市場缺口、攻克核心技術、最佳化產能佈局，成為本土廠商把握機會的關鍵。“超級周期”導致巨大市場缺口與以往周期不同，此輪“超級周期”的核心驅動力是供需失衡的結構性矛盾。儲存晶片已從消費電子的“成本部件”升級為AI基礎設施的“戰略物資”。隨著AI從訓練階段邁向規模化推理應用，“以存代算”技術成為企業降本增效的核心路徑，直接拉高了高端儲存晶片的需求。今年10月，OpenAI發佈了“星際之門”計畫，與三星、SK海力士正式簽署了儲存晶片供應協議，鎖定每月高達90萬片DRAM晶圓供應，相當於全球DRAM產量的40%。業內專家表示，一台AI伺服器對DRAM和NAND的需求量分別約為普通伺服器的8倍和3倍；同等規格的LPDDR5 DRAM，用於AI伺服器的價格可達消費電子類產品的1.5倍。TrendForce集邦諮詢預計，AI與伺服器相關應用到2026年將佔DRAM總產能的66%，DRAM的整體營收將飆升56%。受利潤驅動，三星、美光、SK海力士三大海外巨頭紛紛將產能向HBM（高頻寬記憶體）、DDR5 DRAM等高端儲存產品傾斜，甚至完全停產DDR4 DRAM、DDR3 DRAM等前代產品，導致供應短缺。美光為聚焦AI資料中心等高增長、高利潤領域，更是在近日宣佈退出旗下Crucial（英睿達）品牌的消費級業務，後續不再向一般消費者銷售該品牌相關產品。圖片來源：集邦儲存市場與此同時，各大廠商相繼調高儲存器產品價格。11月3日，三星率先暫停10月DDR5 DRAM合約報價，引發SK海力士、美光等儲存原廠跟進，恢復報價時間延後至11月中旬。受此影響，短短一周內DDR5現貨價格飆升25%。中信證券研報預測，三大儲存原廠此次暫停報價將導致DDR5 DRAM價格季度漲幅達到30%~50%。DDR4 DRAM產品雖已逐步退出主流產能，但供應短缺導致價格“逆勢上漲”，16GB DDR4記憶體條價格較去年同期漲幅超過200%。巨大的中低端儲存晶片市場需求和價格空間為本土儲存晶片企業提供了多元化的市場切入點。消費電子領域，智慧型手機和筆記型電腦的出貨量預計2026年小幅下滑，但儲存容量升級趨勢未改，中端機型6GB/8GB記憶體、256GB快閃記憶體成為主流配置，本土廠商的高性價比產品有望填補海外廠商留下的市場空白；AI與雲端運算領域，國內雲端運算廠商年儲存採購規模超千億元，阿里雲、騰訊雲等為保障供應鏈安全，持續加大國記憶體儲晶片採購比例；汽車電子領域，L3及以上等級自動駕駛對儲存容量的需求是傳統車型的10倍以上，智能座艙單系統儲存容量已突破256GB，預計2028年全球車用儲存市場規模將達102.5億美元。中國作為新能源汽車大國，已有很多國內車企開始採用本土的儲存晶片產品。本土廠商有望提升話語權當前，本土儲存晶片廠商不斷完善中低端產品佈局，並已實現量產，高端產品也取得新進展，且具備價格優勢，正在逐步填補海外廠商留下的市場空白。在DRAM領域，長鑫儲存自2019年實現了第一代19nm工藝的DDR4 DRAM記憶體量產以來，產品良率穩步提升，已完成從DDR4到DDR5、從LPDDR4X到LPDDR5X的產能與技術雙重迭代。其在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）正式發佈的最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb；而在今年10月推出的LPDDR5X最高速率達到10667Mbps，產品覆蓋12GB至32GB，並通過封裝創新，滿足手機小型化、輕薄化等需求。長鑫科技集團股份有限公司市場中心負責人駱曉東表示：“當下DRAM市場供不應求的狀況給下遊客戶和行業帶來了極大的挑戰。中國需要有非常穩定的本土DRAM產能供應，通過產能提升和規模效應來減少對國際大廠的產能依賴。”在NAND領域，長江儲存自主研發的Xtacking架構實現了3D NAND技術的跨越式發展，完成了從32層三維快閃記憶體晶片的突破，到64層追趕、128層並跑，再到232層領跑的技術升級，當前294層3D NAND產品良率已突破90%，連續讀寫速度超7000MB/s。其首條全本土化NAND產線於2025年下半年試產，裝置本土化率達45%。在主控方面，江波龍從2023年開始推出自研的主控產品，當前，公司基於自研WM7400主控推出的UFS4.1產品能夠在一個系統中相容TLC（三層單元）和QLC（四層單元），讓容量選擇更加豐富的同時，性能領先業界平均水平。深圳市江波龍電子股份有限公司副總裁、嵌入式儲存事業部總經理黃強表示：“我們擁有自有封測製造基地，主控晶片和軟體完全是自主設計的，更加貼近本土客戶的需求；同時，江波龍始終踐行的PTM（儲存產品技術製造）模式，令我們能夠為本土客戶設計、生產定製化產品的同時，更加靈活、快速地響應客戶需求。”在此次儲存晶片的“超級周期”中，本土廠商已不再是被動跟隨者，而是具備技術突破能力、產能供給能力和產業鏈協同能力的核心參與者。把握這一機遇，本土廠商有望在中端市場快速實現替代，在高端市場逐步突破，提升市場競爭話語權。 (中國電子報)

iPhone17系列發佈之前，果粉就“128GB容量該不該取消”引發激烈爭論。這個爭論在iPhone17系列發佈後，終於停止爭論了。因為蘋果今年取消128G版容量，iPhone17和iPhone17Pro容量都提升到256G起。按照目前的情況來看，小編預計，2026年第一季度發佈的iPhone17e，大機率也會取消128GB容量。其實對於許多果粉來說，128GB容量根本不夠用。更重要的是，iPhone手機容量滿了後，很可能會壞。最近就有網友分享蘋果手機記憶體滿了無法開機，即便刷機也顯示錯誤程式碼。因此就詢問蘋果官方，記憶體空間滿了，提示軟體閃退，會不會丟失資料。蘋果官方客服給出的答案也很直接：記憶體佔用太多，或導致沒有空餘記憶體讓系統正常運行，就可能出現無法開機或啟動不了的情況。建議使用者做好備份資料，再重啟手機。小編也建議，手裡的iPhone最好留出5G儲存空間，並且定期清理資料，特別是微信聊天記錄特別佔用空間。如果iPhone手機儲存容量不夠，可以提前備份到電腦裡面，同步開啟iCloud雲服務，避免記憶體滿了，導致無法開機的情況。出現這種局面，很可能刷機都沒有辦法。256GB版已經是蘋果手機最低儲存配置，如果你的iPhone要用好幾年，或經常儲存照片和視訊，小編建議你買512G版。雖然說蘋果手機儲存容量差價很高，但總比iPhone手機壞掉要好吧！值得一提的是，現在國行蘋果AI還沒有上線，這個功能佔用的空間也比較大。 (果粉青年)

一、全球儲存公司梳理：總覽（按市佔率）三星電子、海力士在DRAM、HBM、NAND、SSD等領域市佔率均較高，為全球儲存龍頭公司；其次為美光，產品矩陣全面，但市佔率略低於三星、海力士；SanDisk、鎧俠聚焦於NAND、SSD領域，西部資料、希捷科技聚焦於HDD領域；從地域來看，全球儲存公司主要集中在韓國、美國、中國（包括台灣）、日本。圖1：全球儲存公司總覽（25Q2各產品市佔率情況）二、全球儲存公司梳理：三星電子三星電子：全球NAND、DRAM領先企業。三星電子業務包括消費電子產品、儲存產品（NAND&DRAM等）、OLED手機面板以及Harman（音響產品）等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DX部門（TV、手機、空調等）、DS部門（DRAM、NAND、移動Aps等）、SDC（OLED手機面板）、Harman（智能座艙、汽車音響等）收入佔比分別為55%、33%、8%、4%，儲存業務為公司第二大業務，僅次於消費電子業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，三星電子市佔率為33.2%，全球第二；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率34.0%，全球第一；25Q2全球HBM市場，三星電子市佔率17.0%，全球第二；25Q2全球SSD市場三星電子市佔率為32.0%，全球第一，在消費級、企業級SSD均具備競爭優勢。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1969年成立，最初主要生產電子電器類產品，1874年通過收購韓國半導體進軍半導體業務；1983年開始發力DRAM領域，1984年研發成功64kDRAM；1988年公司在韓國推出第一部手機；1998年開發出第一款128MB Flash快閃記憶體，2004年公司研發出全球首款8GB NAND快閃記憶體，2005年開始進入晶圓代工行業，2011年出售HDD業務，專注發展儲存晶片，2016年收購Harman，強化自身在汽車晶片、車載娛樂領域優勢。2）從DRAM產品發展歷史來看：1984年研發成功64k DRAM，1996年首次提出DDR概念，1998年發佈全球第一個商用DDR晶片，2003年量產DDR2，2008年開始DDR3，2013年量產DDR4，2021年量產DDR5。3）從HBM產品發展歷史來看：2016年量產HBM2，2020年量產HBM2E，2023年量產HBM3，2024年量產HBM3E。4）從NAND產品發展歷史來看：1998年開發出第一款128NM Flash快閃記憶體，2013年開始進入3D V-NAND階段（24層），後堆疊層數持續增長，2024年第九代VNAND（300+層）量產。圖2：三星電子HBM產品lineup圖3：三星電子NAND產品發展圖4：三星電子SSD產品發展圖5：三星電子收入結構（25Q3）三、全球儲存公司梳理：海力士海力士：全球NAND、DRAM領先企業。海力士主要從事NAND、DRAM的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM、SSD等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND（包括SSD）、其他業務收入佔比分別為78%、20%、2%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，海力士市佔率為39.1%，全球第一；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率22.0%，全球第二；25Q2全球HBM市場，海力士市佔率67.0%，全球第一；25Q2全球SSD市場海力士市佔率為19.6%（包括Solidigm，收購的英特爾的NAND業務），其中海力士優勢在消費級SSD領域，市佔率為9.15%，全球第四，Solidigm 優勢在企業級SSD領域，市佔率23.18%，全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1983年成立，最初名為現代電子，以DRAM的生產製造為主；1998年收購LG半導體，2001年改名為海力士，2003年從現代集團完成剝離，2004年出售非儲存業務，將重心轉向半導體儲存；公司於2012年併入SK集團，改名為SK海力士；2021年SK海力士收購英特爾的NAND業務，成立了Solidigm；2023年開發並大規模生產全球最高規格的HBM3E。2）從DRAM產品發展歷史來看：1985年，公司256kb DRAM量產，整合LG半導體後於2001年推出128MB DDR SDRAM；2003年底512MB DDR2通過英特爾認證，2004年開始量產；2007年開發出業內首款DDR3並獲得英特爾認證；2011年成功研發2GB DDR4；2018年完成DDR5研發，2020年正式量產；2013年與AMD聯合開發全球首款HBM1，2017年發佈HBM2，2019年發佈HBM2E，2021年發佈HBM3，2023年量產HBM3E。3）從NAND產品發展歷史來看：2004年開始進軍快閃記憶體領域，開發了512MB NAND快閃記憶體，2014年正式進軍3D NAND領域，推出24層3D NAND晶片，2018年業內率先實現4D NAND商業化突破，發佈96層4D NAND快閃記憶體，2024年開始量產全球首款321層4D NAND快閃記憶體。圖6：海力士NAND產品發展圖7：海力士HBM產品發展四、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：美光美光：全球DRAM、NAND領先企業。美光主要從事DRAM、NAND的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND、其他業務收入佔比分別為76%、23%、1%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，美光市佔率為22.8%，全球第三；25Q2全球NAND市場，美光市佔率13.8%，全球第四；25Q2全球HBM市場，美光市佔率16.0%，全球第三；25Q2全球SSD市場美光市佔率為11.1%，全球第三。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1978年成立，以DRAM的生產製造為主，1981年量產64KB DRAM；1998年收購TI(德州儀器）全球儲存業務，躋身全球儲存前列；同年，併購Rendition，進入3D圖形晶片領域；1999年發佈產業內第一款DDR晶片；2002年美光收購日本東芝在美國的DRAM工廠，生產能力進一步提升；2005年美光與英特爾合資成立IM FlashTechnologies，開進發力NAND領域，2006年又收購了Lexar Media，進一步開拓消費級儲存卡和SSD市場；2009年收購奇夢達持有的華亞科技全部股份，2015年收購華亞科技全部股份，改名為台灣美光；2013年美光完成對爾必達的收購，改名為美光日本；2015年美光與英特爾聯合發佈3D NAND技術；2018年美光放棄HMC技術，開始轉向HBM產品的研發，2020年美光開始提供HBM2產品。2）從DRAM產品發展歷史來看：1981年，公司64KB DRAM量產，通過收購TI儲存業務、華亞科技、爾必達，DRAM產品能力持續提升；1991年推出DDR1，2003年推出DDR2，2007年推出DDR3，2014年推出DDR4，2020年推出DDR5；3）從HBM產品發展歷史來看：美光最初專注於HMC技術，2011年發佈第一代HMC，2018年放棄HMC，開始轉向HBM技術，2020年推出HBM2,後持續迭代；4）從NAND產品發展歷史來看：2005年通過和英特爾合資公司進軍快閃記憶體領域，2015年和英特爾聯合發佈3D NAND技術，2024年232層NAND已經大批次量產。圖8：美光發展歷史圖9：美光收入結構（FY2025）五、全球儲存公司梳理：SanDiskSanDisk：全球消費級NAND領先企業。SanDisk主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，在消費級儲存市場具有領先優勢。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，公司產品主要包括儲存卡、USB快閃記憶體驅動器、SSD，FY2025公司消費端、商業端、雲端產品收入佔比分別為56%、31%、13%。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2SanDisk市佔率為12.1%，全球市佔率第五；從全球SSD市場來看，25Q2SanDisk市佔率為11.8%，全球市佔率第三名；從消費級SSD市場，25Q2SanDisk市佔率分別為19.0%，市佔率全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1988年公司成立，1991年推出首款基於快閃記憶體的固態硬碟，2016年被西部資料收購，2025年西部資料剝離快閃記憶體業務，獨立上市；2）從NAND和SSD產品發展歷史來看：1991年SanDisk為IBM生產了首款基於快閃記憶體的SSD；1992年推出FlashDisk，可以插入筆記型電腦的拓展槽中；1994年發佈CF卡，成為早期數位相機和可攜式電子裝置的主流儲存方案；2000年，公司正式推出SD儲存卡格式；2001年，公司與東芝聯合發佈全球首款商業化的NAND MLC快閃記憶體技術；2004年，作為核心推動者參與制定microSD儲存卡標準；2005年發佈首款基於快閃記憶體的MP3播放器SanDisk Sansa e100，開始進入數字音訊播放器領域；2011年，公司收購固態硬碟製造商Pliant Technology；2012年，發佈首款SATA SSD產品，發力消費級SSD市場；2013年，公司收購面向企業市場的SSD製造商SMART Storage Systems；2014年，公司收購企業資料中心快閃記憶體製造商Fusion-io，開始佈局企業級SSD市場；2019年SanDisk主導發佈SD Express標準，通過PCIe NVMe將介面速度大幅提升；2024年SanDisk發佈microSD Express儲存卡。圖10：SanDisk產品發展歷史圖11：SanDisk收入結構（FY2025）六、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：西部資料西部資料：全球HDD領先企業。西部資料主要從事硬碟（HDD）的開發、生產和銷售，覆蓋資料中心級、商業級、消費級HDD產品。從收入結構來看：根據西部資料財報披露資料，HDD為其核心產品，FY2025財年西部資料Cloud（雲）、Client（商業級）、Consumer（消費級）收入佔比分別為88%、6%、6%，資料中心等級HDD貢獻主要收入。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，其中希捷、西部資料市佔率合計達80.8%，呈現雙寡頭壟斷格局。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1970年西部資料成立，為全球知名的儲存解決方案提供商，1990年開始確立“硬碟主業”戰略，2011年收購日立環球儲存科技，擴張企業級HDD市場，2016年收購SanDisk，確立“HDD+快閃記憶體”雙核心業務，2025年完成對SanDisk分拆，正式剝離NAND快閃記憶體業務，目前全面聚焦於HDD領域；2）從HDD產品發展歷史來看：1988年收購Tandon，切入硬碟製造領域；1992年發佈Caviar驅動器，獲得市場認可；1999年，同IBM合作，推出Expert系列驅動器；2001年，西部資料成為第一家提供8MB磁碟緩衝區的主流ATA硬碟驅動器製造商；2003年收購磁頭製造商Read-Rite，推出首款10,000轉SATA硬碟WD Raptor；2005年，開始進入筆記本HDD市場，推出Scorpio系列硬碟；2006年推出採用垂直磁記錄（PMR）技術的硬碟；2009年，推出全球首款2TB硬碟WD Caviar Green；2012年，完成對HGST收購，成為全球最大的傳統硬碟製造商，並獲得HGST在企業級HDD和氦氣硬碟技術優勢；2013年，發佈全球首款商用氦氣硬碟Ultrastar He；2017年，展示MAMR（微波輔助磁記錄）技術原型；2020年，發佈ePMR技術(Energy-Assist PMR)。圖12：西部資料產品發展圖13：西部資料收入結構（FY2025）七、大模型對儲存的需求：訓練&推理全球儲存公司梳理：希捷科技希捷科技：全球HDD領先企業。希捷科技主要從事硬碟及儲存產品的開發、生產和銷售，核心產品為HDD硬碟，此外亦覆蓋系統、SSD等產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司HHD、系統&SSD&其他產品收入佔比分別為93%、7%，HDD產品業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年HDD市場希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，希捷為全球龍頭；SSD產品全球佔比較低。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司成立於1978年，1980年發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，後成為IBM PC主要供應商，1989年收購CDC旗下的儲存部門ImprimisTechnology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1996年，公司與Conner Peripherals合併，成為當時全球最大的獨立儲存裝置製造商；2003年發佈Momentus系列產品，重回筆記本HDD市場；2006年收購Maxtor，整合其消費級產品線，市場份額進一步提升；2011年，為應對西部資料收購HSFT，希捷收購三星旗下硬碟業務；2013年佈局SSD市場，2014年收購LSI快閃記憶體業務；2020年公司HAMR技術開始商業化，HDD容量大幅提升。2）從HDD產品發展歷史來看：1980年公司發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，為個人電腦提供了首個標準儲存解決方案，1981年發佈10MB版本ST-412，以此獲得IBM主要OEM供應商合同，後出貨量快速增長；1989年收購CDC旗下的儲存部門Imprimis Technology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1992年發佈全球首款7200RPM硬碟BarraCuda（酷魚），1996年發佈全球首款10000RPM硬碟Cheetah系列，鞏固其在企業級儲存領域地位；2003年發佈Momentus系列硬碟，重回筆記本硬碟領域；2005年收購Maxtor，整合其消費級產品線FreeAgent等，擴大消費級市場份額；2011年收購三星旗下硬碟業務，進一步提升市場份額；2020年HAMR技術開始商業化，2022年推出基於HAMR技術的Exos M系列硬碟，2025年推動第二代HAMR技術開發，目標容量提升到30TB以上。圖14：通過HAMR技術，希捷產品容量持續提升圖15：希捷科技收入結構（FY2025）八、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：鎧俠鎧俠：全球NAND快閃記憶體領先企業。鎧俠主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，覆蓋企業儲存產品、個人消費儲存產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，2025H1公司SSD&儲存、智能裝置、其他業務收入佔比分別為53%、31%、16%，SSD&儲存業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2三星、海力士、鎧俠、美光、SanDisk佔比分別為34.0%、22.0%、13.9%、13.9%、12.1%，鎧俠僅次於三星、海力士；從全球SSD市場來看，25Q2三星、Solidigm、SanDisk、美光、鎧俠市佔率分別為28.7%、12.6%、11.8%、11.2%、8.1%，全球市佔率第五名。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1987年東芝公司發明NAND快閃記憶體，2017年鎧俠前身東芝儲存器集團從東芝公司剝離，2019年公司改名為鎧俠；2）從NAND產品發展歷史來看：1987年公司發明NAND快閃記憶體，1991年發佈全球首個4MB NAND快閃記憶體（全球第一個商業化NAND產品），2001年鎧俠和SanDisk聯合開發，推出首款1GB MLC NAND產品（首次在NAND中使用MLC技術，實現每單元儲存2位資料），2007年率先發佈三維(3D)快閃記憶體層疊技術，2014年發佈全球首款15nm工藝NAND產品，2015年發佈全球首款256GB（48層）TLC BICS FLASH，實現了3D NAND技術的商業化突破，2019年全球首次實現量產96層QLC 3D NAND產品，後續堆疊層數、容量持續提升；3）從SSD產品發展歷史來看：2001年發佈首個PATA SSD，2007年發佈第一代SATA介面SSD（128GB），2010年首款SAS SLC企業級SSD發佈，2012年發佈首款SAS MLC企業級SSD+QSBC技術（錯誤矯正技術），2016年面向消費級市場推出SATA介面TLC SSD產品，2018年發佈全球首款採購96層BiCS4 FLASH的NVMe SSD。圖16：鎧俠產品發展圖17：鎧俠收入結構（2025H1）(AI雲原生智能算力架構)

伯恩斯坦更新了儲存器及行業模型（包括高頻寬儲存器（HBM）、動態隨機存取儲存器（DRAM）、快閃記憶體（NAND）、三星、SK 海力士、美光及鎧俠的模型）。即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”。近期訊號顯示，三星、SK 海力士及美光將大幅增加 DRAM 資本支出，因此，隨著 2026 年底新增產能釋放，儲存器價格或將開始走軟。我們認為，HBM 的增長具備結構性特徵，因此其價格在 2027 年底僅會 “正常化”（而非 “暴跌”）至本輪上漲啟動前的水平。成本下降將維持高利潤率，造就史上最強周期。儘管價格最終會回落至起點，但此期間的成本下降將支撐利潤率維持高位。我們預測，2026 年四季度行業 DRAM 毛利率將達到 77% 的歷史新高，2027 年四季度僅小幅回落至 62%，這意味著本輪周期將成為行業史上表現最佳的周期。歷史交易規律顯示，當前 “下車” 仍為時過早。資本支出增加及中國競爭對手 IPO 可能構成利空訊號，但在以往周期中，只有當儲存器現貨 / 合約價格實際開始下跌時，相關股票才會開啟回呼。中國競爭對手將提升市場份額，但短期內不足以扭轉供需短缺格局。憑藉產能擴張、技術升級及良率提升，我們預測長鑫儲存（DRAM 領域）與長江儲存（NAND 領域）的位元市場份額將從 2025 年的 8%、12%，分別提升至 2027 年的 10%、15%。儘管從低基數來看增速可觀，但未來兩年其新增供給規模仍不足以推動市場從短缺轉向過剩。DRAM 資本支出大幅增加，NAND 增幅有限。我們預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%，以支援裝置及基礎設施建設；NAND 資本支出雖也將增長，但基數極低，且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平。結構性邏輯不變，但需警惕短期波動。儲存器類股票貝塔係數較高，估值易受宏觀風險偏好及 AI 泡沫擔憂影響。我們近期研究進一步印證了 “儲存器是資料經濟基石” 的觀點，但投資者仍需謹慎對待此類股票。註：加粗部分為目標價調整 / 預期調整；評級說明：O - 跑贏大盤，M - 與大盤持平，U - 跑輸大盤，NR - 未評級，CS - 暫停覆蓋；美光的 EPS 為調整後資料，市盈率為調整後市盈率（倍），基準年份為 2025 年。詳細分析即將到來的資本支出增加或於 2026 年底推動儲存器價格 “正常化”，成本下降將維持高利潤率，造就史上最強周期隨著雲服務商需求日益明確，我們認為儲存器供應商或將在 2026 年大幅增加資本支出，以把握當前供需短缺及價格飆升的機遇。因此，我們預計相關企業將在即將發佈的財報中披露 2026 年資本支出大幅增加的計畫；若未披露，晶圓廠裝置（WFE）供應商也可能在其下一次財報中釋放類似訊號。然而，由於裝置訂單到儲存器產能釋放存在時滯，2026 年大部分時間新增產能難以實質貢獻供給，直至 2026 年底新增產能逐步上市，並在 2027 年進一步擴大。因此，短期記憶體儲器短缺局面仍將持續，價格或繼續上漲；2026 年下半年起，價格漲幅將逐漸縮小，2027 年底趨於平穩。2027 年隨著更多產能釋放，價格將出現回落（詳見圖表 1 - 圖表 2）。但我們預計價格不會重現 2019 年的暴跌態勢，因潔淨室空間限制將制約產能擴張幅度；同時，2027 年 HBM 需求仍將保持強勁，使得傳統 DRAM 產能相對緊張。因此，我們認為 2027 年儲存器價格更多是 “正常化”，預計 2027 年底傳統 DRAM 價格將回落至 2025 年三季度末本輪上漲啟動前的水平（詳見圖表 3 - 圖表 4）。短期內價格大幅上漲也將推動利潤率攀升，預計 2026 年下半年利潤率達到峰值，水平接近甚至超過 2018 年的高點。2027 年價格雖將回落，但成本同步下降，我們預測 2027 年底 DRAM 毛利率仍將高於當前水平。如圖表 5 - 圖表 6 所示，本輪周期將成為行業史上最強周期：上行階段推動毛利率創歷史新高，下行階段僅為 “正常化” 而非 “調整” 或 “崩盤”，使得 2027 年底毛利率仍維持在高位。圖表 1：預計 DRAM 價格將持續上漲，直至 2026 年底開始走軟圖表 2：NAND 價格預計呈現類似走勢，但漲幅或不及 DRAM 顯著圖表 3：2026 年底及 2027 年更多產能釋放後，DRAM 價格有望回落至本輪上漲前水平圖表 4：雖對 NAND 需求持續性信心不足，但預計供給增長將保持克制，因此價格或於 2026 年底開始正常化，並在 2027 年進一步延續圖表 5：預計 2026 年底行業 DRAM 毛利率將創歷史新高，即便後續平均售價正常化，2027 年底毛利率仍將維持高位圖表 6：預計行業 NAND 毛利率也將升至新高，並在後續維持強勁水平上調 HBM 及晶圓代工（CoWoS）預期：供應商擴產以滿足強勁需求鑑於過去數月宣佈的 AI 項目及下游積極訊號，我們預計台積電、日月光（未覆蓋）、安靠（未覆蓋）將擴大 CoWoS 產能（詳見我們近期關於台積電的報告）；同理，三星、SK 海力士、美光也將增加 HBM 供給，以支撐這些 AI 項目。例如，輝達若要實現 5000 億美元營收目標，就需要更多 HBM 供給；未來若有更多下游項目公佈，供給缺口或進一步擴大。因此，我們上調 HBM 位元出貨量預期，預計 2026 年增長 100%，2027 年再增長 35%（詳見圖表 23）。2026 年 HBM 與傳統儲存器均將面臨供給緊張，因此 HBM 價格有望保持堅挺 ——HBM3E 價格下跌將被 HBM4 的溢價部分抵消。我們預測，明年起 HBM3E 價格將下跌 20% 以上，但 HBM4 價格較 HBM3E 將有 40% 以上的溢價；綜合來看，2025-2026 年 HBM 綜合平均售價同比僅小幅下跌 5%（詳見圖表 24 - 圖表 25）。這意味著 2026 年 HBM 總收入將增長 91%，達到 750 億美元（詳見圖表 26）。不過，由於傳統 DRAM 價格及收入大幅飆升，2026 年 HBM 在整體 DRAM 收入中的佔比或出現下滑；2027 年隨著傳統 DRAM 價格正常化，HBM 佔比有望回升至約 40%（詳見圖表 27）。鑑於 HBM 對整體 DRAM 平均售價的支撐作用增強，我們預測 2027 年底 DRAM 綜合平均售價仍將高於當前水平（詳見圖表 3）。從晶圓消耗量來看，預計到 2027 年，HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的近 30%，或超過傳統伺服器 DRAM，成為 DRAM 晶圓最大應用領域（詳見圖表 29）。如前所述，HBM 晶圓消耗量的擴大將繼續制約傳統 DRAM 產能，因此我們僅預測 DRAM 平均售價 “正常化”，且 2027 年底 DRAM 毛利率仍將維持在可觀水平。相比之下，我們認為三星在 HBM 領域的地位將從 HBM3E 時代向 HBM4 時代提升 —— 其更先進的 DRAM 及基底晶片製造技術，使其既能滿足輝達對更高速度的要求，又能保持良好良率。此外，三星的潔淨室空間限制小於 SK 海力士和美光，在當前供給短缺的市場中可釋放更多產能以提升份額。因此，我們預測 2026 年三星在 HBM 市場的份額將出現回升（詳見圖表 30）。圖表 23：上調 HBM 預期，預計 2026 年 HBM 位元出貨量增長 100%圖表 24：HBM3E 價格下跌將被 HBM4 溢價大幅抵消圖表 25：隨著張量處理單元（TPU）需求升溫，預計 2026 年 HBM3E 及 HBM4 位元出貨量佔比僅為 27%圖表 26：總體來看，預計明年 HBM 總收入將接近翻倍，達到 750 億美元圖表 27：2026 年受傳統 DRAM 價格強勁上漲影響，HBM 收入佔比或下滑；2027 年有望回升圖表 28：預計 2026 年 HBM 位元出貨量佔比將顯著提升，並在 2027 年繼續增長圖表 29：預計 2027 年 HBM 晶圓消耗量將佔 DRAM 行業總消耗量的 28%，或超過傳統伺服器 DRAM圖表 30：預計三星在 HBM 市場的份額將提升 —— 既因 HBM3E 產能釋放，也因 HBM4 時代競爭地位較 HBM3E 時代改善短期與長期需求明確，預計 2026 年 DRAM 資本支出大幅增加，NAND 增幅有限美光首席財務官在近期會議中明確暗示將大幅增加資本支出；我們從供應鏈也獲悉，三星和 SK 海力士也計畫顯著提高資本支出。據此，我們預測 2026 年三星、SK 海力士、美光的 DRAM 資本支出同比增幅將達 30%-65%，整個 DRAM 行業資本支出同比增長 40%，用於晶圓廠裝置採購及基礎設施持續建設（詳見圖表 31）。值得注意的是，資本支出增加的訊號主要集中在 DRAM 領域，NAND 領域相關訊號則弱得多。我們瞭解到，三星甚至計畫將一座 NAND 工廠改造為 DRAM 工廠。這與我們對 NAND 市場的長期謹慎立場一致，因此預測 2026 年 NAND 資本支出同比增長 30%，但基數極低，且總體支出仍將顯著低於 2022 年及之前水平（詳見圖表 32）。圖表 31：預計 2026 年 DRAM 行業資本支出將增長 40%，再創歷史新高DRAM 行業資本支出圖表 32：預計 NAND 資本支出增速較慢，且總體規模仍將顯著低於 2022 年及之前水平NAND 行業資本支出中國企業借力 IPO 擴產，但明年不足以扭轉供需短缺中國正抓住當前供給短缺的機遇擴大生產、提升市場份額，甚至可能借助儲存器價格飆升獲得可觀盈利。我們瞭解到，長江儲存和長鑫儲存正將現有潔淨室空間下的產能提升至接近滿產狀態。隨著製程遷移及良率改善，預計 2026 年兩家企業的位元產出將增長 40%-50%。此外，兩家企業均在尋求 A 股 IPO（詳見相關連結），預計通過股權市場融資後，將啟動新工廠建設，未來兩年內完成並釋放新增產能。儘管如此，中國企業的增長基數仍較低，明年新增供給規模不足以扭轉市場短缺格局。尤其值得注意的是，長鑫儲存或需供應 HBM 以支援中國本土 AI 晶片生產，這將進一步減少其傳統 DRAM 的可用產能。因此，我們預測未來兩年中國企業市場份額將逐步提升，但幅度有限，尤其是在 DRAM 領域（詳見圖表 33）。長期來看，NAND 技術迭代無需極紫外光刻（EUV）裝置，中國在出口管制背景下仍能獲得足夠的本土裝置支援以擴大產能，因此我們認為中國企業是現有 NAND 供應商的長期威脅，這也是我們對 NAND 市場持結構性謹慎立場的原因之一。圖表 33：預計未來兩年長鑫儲存（CXMT）和長江儲存（YMTC）市場份額將提升，但基數較低，幅度有限（長鑫儲存尤為明顯）各企業位元出貨量市場份額總結：雖對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀，但需警惕儲存器股票的高貝塔屬性我們一直主張 “儲存器是資料經濟的基石”然而，傳統儲存器價格的快速波動及對 AI 泡沫的擔憂，仍將導致相關股票波動率高企。因此，儘管我們對 DRAM 持結構性樂觀、對 NAND 持結構性悲觀態度，但仍建議投資者謹慎對待此類股票。 (大行投研)

坐等根據瑞銀（UBS）近期發佈的一份報告，中國半導體裝置領軍企業北方華創（NAURA）在關鍵的深孔刻蝕技術上取得了重大進展。北方華創成功攻克了 90:1 高縱橫比（HAR）深孔刻蝕技術，這為國記憶體儲晶片廠商實現300層以上3D NAND快閃記憶體的製造奠定了裝置基礎。3D NAND技術是當前儲存晶片提高密度的核心路徑，廠商通過不斷堆疊儲存單元層數來提升容量。隨著層數從128層邁向200層乃至300層，對製造工藝的要求也達到了極致。晶片製造商需要在數微米厚的多層材料中，垂直打出直徑僅幾十奈米的“通孔”，以連接各層儲存單元。當層數達到300層以上時，所需的深寬比（即深度與直徑之比）將達到90:1或更高。深孔刻蝕正是實現這一目標的最苛刻工藝之一，長期以來由美國泛林（Lam Research）和日本東京電子（TEL）等國際巨頭主導。在美國對華實施半導體裝置出口管制、先進儲存裝置禁運的背景下，國記憶體儲廠商對核心裝置的中國國產化需求已上升為“必選項”。北方華創此次的技術突破，正是在這一戰略關鍵期的重要進展。值得一提的是，中國另一家刻蝕裝置龍頭中微公司此前也已宣佈具備90:1深孔刻蝕能力，並正在加速攻克100:1技術，顯示出中國裝置廠商在這一領域整體的奮起直追態勢。瑞銀分析指出，如果北方華創的90:1刻蝕裝置能順利獲得中國NAND晶圓廠的訂單，預計將為公司打開數億乃至數十億美元的新增市場空間。同時，由於中國邏輯晶片廠商對先進製程裝置的需求持續旺盛，北方華創來自邏輯客戶的收入也有進一步增長潛力。基於對市場需求的樂觀判斷，瑞銀已將北方華創2026年和2027年的晶圓廠裝置（WFE）收入預測分別上調1%和8%。事實上，北方華創的業務佈局已覆蓋多個高增長領域。公司近期在投資者互動平台上透露，隨著 HBM（高頻寬記憶體）市場需求的爆發，公司在HBM晶片製造領域已形成完整的解決方案。這包括深矽刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心裝置。面對投資者關於“美系裝置斷供下訂單情況”的提問，北方華創回應稱，目前公司在儲存裝置和成熟製程裝置方面的訂單保持良好態勢，產品已廣泛應用於中國主流晶片廠商的生產線。當前，AI、雲端運算等新興應用正在推動儲存晶片進入新一輪擴產周期，行業供需缺口明顯。據業內預測，2025 年至2027年全球HBM產能將增長超過300%。中國作為全球最大的儲存晶片消費市場，本土製造的迫切需求為北方華創等中國國產裝置商帶來了歷史性的發展機遇。此次突破，使得國記憶體儲晶片廠商在關鍵裝置採購上擁有了可靠的本土選項，極大地降低了外部管制帶來的風險。配合中微公司的同步進展，中國國產刻蝕裝置正在形成強大的叢集效應，這對於儲存器產業實現自主可控具有里程碑意義。目前中國市場對儲存晶片的依賴度，仍以韓國的三星和 SK 海力士為主，美光也佔據重要地位，有大量的市場等待開拓。當下中國國產DRAM佔據全球市場份額僅3~5%，而NAND快閃記憶體領域也不過是5~8%。而中國是全球雲端運算和 AI 基礎設施增長最快的市場之一，對高性能伺服器記憶體的需求巨大，同時也是全球最大的智慧型手機和 PC 製造及消費市場，對DRAM的需求佔比預估為30~40%。隨著資料中心和 PC 市場對固態硬碟的需求增加，NAND快閃記憶體的需求量持續攀升，在手機儲存上也需要大量的UFS儲存晶片，因此對NAND快閃記憶體的產能需求同樣巨大，佔全球產能1/3左右。而若要實現中國國產裝置儲存全面自主化，這些待開拓的市場價值超過三千億元，這對於我們的企業既是機會也是挑戰。希望我們的儲存晶片企業能夠抓住這次機會，趁上行期好好擴充產能，為全面自主添磚加瓦。 (AMP實驗室)