#儲存
雷軍再談記憶體價格暴漲:手機業務面臨很大壓力
3月5日上午,據中國青年報報導,全國人大代表、小米集團創始人雷軍表示,AI需求暴漲引發儲存晶片價格暴漲,他說:“我們的手機業務面臨很大壓力,會想各種辦法,儘量降低消費者的接受難度。”圖片來源:視覺中國這已經是近期雷軍在公開場闔第三次談晶片漲價。2025年10月在回應Redmi K90系列手機漲價問題時,雷軍就曾表示“最近記憶體漲價實在太多”,直言產品價格調整源於上游儲存晶片成本上漲,作為手機廠商難以完全消化成本壓力,需通過價格調整應對。公開資訊顯示,去年10月,Redmi發佈K90全系售價較上一代上調300-600元不等,引發使用者討論。面對市場反饋,小米此後迅速調整策略,宣佈K90標準版12GB+512GB版本在首銷月內直降300元,售價調整為2899元。2026年1月在直播中,談及新車型成本時,雷軍再次直言,儲存晶片價格按季度上漲,2025年第四季度漲幅達40%-50%,預計2026年第一季度繼續上漲,若按此趨勢,僅車用記憶體全年成本可能增加數千元。國家發展改革委價格監測中心2月28日發佈的資料顯示,截至2026年1月,全球儲存晶片兩大主要產品DRAM(記憶體)和NAND快閃記憶體價格均創下自2016年有統計資料以來的最高值。以主流型號DDR4 8Gb顆粒為例,部分型號的現貨價格更是從2025年低點的3.2美元飆升至15美元,累計漲幅高達369%。據供應鏈的最新消息,兩大儲存巨頭三星電子與SK海力士已向客戶下發通知,2026年第二季度或繼續大幅上調DRAM記憶體價格,DDR5顆粒統一漲價約40%。而兩者產量合計佔據全球DRAM市場超七成份額。自2025年9月以來,儲存晶片價格便開啟了持續攀升模式,其中DRAM(記憶體)和NAND快閃記憶體兩大核心產品價格漲幅尤為驚人。小米集團合夥人、總裁盧偉冰在2025年11月的財報電話會上表示,此次儲存價格上漲是“偏長的周期”,主要驅動力來自AI技術革命帶來的HBM(高頻寬記憶體)需求激增,而非傳統的手機、筆記本行業周期波動,預計要到2027年才可能有新的產出。據藍鯨新聞報導,多位業內人士表示,“今年3月是手機漲價的關鍵節點,此前上市的機型調價幅度相對溫和,但3月之後發佈的新品,漲價幅度將明顯擴大,最低漲幅不會低於1000元,中高端旗艦機型漲幅可能達到2000-3000元。”另據21世紀經濟報導,儲存晶片漲價或導致千元手機減產。一名儲存行業從業者稱,規模較小、產品定位多集中在千元價位段的廠商會面臨更大壓力。Omdia分析師鐘曉磊也表示,儲存漲價對於物料成本影響較大,導致100美元以下機型可能不得不面臨漲價的情況。而對於200美元以上的機型而言,雖然可以通過外圍配置的取捨,以及對管道補貼、行銷等費用的調整抵消成本上漲,但配置上的取捨也意味著在一定程度上會影響2026年AI手機的進一步下沉。富國銀行分析師在一份研究報告中也表示,由於資料中心和人工智慧(AI)應用的需求飆升,全球範圍內記憶體晶片短缺加劇,手機和汽車製造商可能面臨新的成本壓力和潛在的供應中斷。富國銀行還預計,明年全球DRAM需求將增長約26%,而供應預計僅增長約21%,這意味著供應缺口約為14%。報告稱,“隨著手機和汽車行業最大的供應商美光科技、三星和SK海力士等半導體製造商將產能分配給增長更快、利潤更高的資料中心市場,手機和汽車製造商、供應商可能被迫支付更高的價格以確保供應。”摩根士丹利在今年1月發佈的研究報告中指出,傳統儲存晶片供需缺口正持續擴大,2025年第二季度至2026年,行業將迎來新一波超級周期,DDR4等記憶體產品供應緊張態勢加劇。“2026年1月,頭部企業對DDR4採購態度積極,受供應限制,其一季度價格漲幅可能達50%,漲勢將延續至二季度,將波及手機、汽車等行業。”上述研究報告顯示。 (介面新聞)
中芯國際創始人、長江儲存董事長等晶片大咖,聯名建議創立“中國的ASML(阿斯麥)”
中芯國際創始人之一王陽元、北方華創董事長趙晉榮、長江儲存董事長陳南翔、華大九天董事長劉偉平、清華大學教授魏少軍等聯合撰寫的《建構自主可控的積體電路產業體系》,日前在中國科協的學術會刊《科技導報》網站發佈。上述作者中,陳南翔還是中國半導體行業協會理事長,趙晉榮、劉偉平、魏少軍是副理事長。據該文介紹,2024年8月,中國電子行業以11.54兆元的總市值首次超越銀行業,成為A股市場第一大行業。2024年,國內積體電路設計企業有3626家,其產品以通訊和消費類的中低端晶片為主,全行業產值為6460.4億元(約909.9億美元),即中國所有的晶片設計公司的銷售總額不及美國晶片一家設計公司輝達的銷售額(1243.77億美元)。在投資方面,國家大基金一期1387億元、二期2041.5億元、三期3440億元,3期大基金合計約967.4億美元。但2024年英特爾、三星和台積電3家1年的資本支出合計就達到857.8億美元。三星電子1年約360億美元的資本支出,接近組建一支航母戰鬥群的費用。該文的核心結論為:1、在國家安全領域,中國已經能夠實現100%自主製造、具有自主智慧財產權的晶片,築牢了國家安全的底線;2、28nm以上的成熟工藝的中低端晶片佔世界市場的80%,中國在該領域的晶片產能佔世界市場的33%,且晶片的設計與製造均不受制約;3、在攀登積體電路產業頂峰的征途中,中國已經登上了進入世界前10的“第一台階”,並在這個台階上建立了繼續攀登的“大本營”。文章指出,美國遏制中國積體電路產業發展主要是利用EDA、裝置和材料3張牌。“十五五”期間應首先解決EDA、極紫外光刻(EUV)和矽片這3個關鍵問題。“舉國之力”不應是口號,而應該是“十五五”期間必須由國家層面建立的整合機制,從而鍛造出真正可以與強手對壘的“頭部企業”。以光刻機為例,ASML的EUV有10萬個零部件,零部件供應商有5000家,ASML不過是集大成者。據報導,中國EUV的雷射光源、移動平台和光學系統均在不同單位取得突破性進展,如何以舉國之力將其整合,是“十五五”期間必須解決的問題。如何創立中國的ASML,讓“被整合者”跳出“名利”的藩籬,統一調度資金和人力資源,是有關部門應立即制定實施方案的緊急課題。同樣,EDA和矽片也必須由國家層面統籌引導,在企業合作中創造出嶄新的共贏機制。在“十五五”規劃的思考和建議部分,文章建議,在發展目標上:1、 按WSTS的統計標準,中國積體電路產業躋身積體電路產業強國前3名的行列;2、國民經濟領域需求的晶片自給率提高到80%,加強積體電路全產業生態鏈的建設,國內能夠滿足市場需求的、小於1美元的中低檔產品逐步減少進口或停止進口(用於整機產品加工復出口產品除外);3、夯實自主可控的28nm全產業鏈體系,14 nm生產鏈能夠穩定生產,初步完成全國產化的7nm生產線建設及試運行;4、建設最先進工藝能力的公共平台來研發驗證最新器件結構、工藝(邏輯、儲存、光電、異構整合等)、裝備、零部件、材料、EDA軟體等,成熟的新結構器件迅速擴大產能;5、在基礎研究領域,原始創新能更多地湧現,在新器件結構、新材料、新工藝研發和生產的某些領域引領世界發展潮流。在實施的舉措方面,文章建議研究制定有利於企業整合、併購的政策,集中各種資源建立與世界產業巨頭比肩的頭部企業,將“各自為戰”變為“團隊作戰”。以舉國之力攻克最重要的材料(矽圓片、電子氣體)、裝置(曝光機)難關,努力提高國產EDA軟體的系統整合水平,擴大其在國內外市場的佔有率。文章最後認為:“今後5年,中國的晶片產業將會是“臥薪嘗膽”的5年;是丟掉幻想、準備鬥爭的5年;是紮穩中端腳跟、夯實內循環市場的5年;是尊重科學規律、潛心基礎研究“磨一劍”的5年。既然核心技術買不來、要不來、討不來,那就只能“幹出來”。”                               那麼,你覺得創立“中國的ASML(阿斯麥)”是否可行?那家公司有望挑起這副重擔? (算力芯辰)
史上最慘!IDC預警:2026手機銷量將跌12.9%、PC跌11.3%,均價漲14%!
儲存晶片危機,正在徹底炸穿全球消費電子市場!IDC近日發佈的全球PC和智慧型手機市場最新預測報告警告稱:受儲存晶片供應緊缺及漲價影響,2026年,智慧型手機市場將迎來史上最大年度出貨量跌幅,PC市場同樣將大幅下滑。更扎心的是,新機的平均單價還將上漲14%。接下來,一場由儲存晶片引發的消費電子行業大地震,已經不可避免。智慧型手機、PC廠商格局重構,低價機型加速消失、產品價格將普遍上漲,市場份額也將向頭部廠商集中。2026年PC與智慧型手機出貨量將同比下滑超10%IDC在報告中指出,隨著2025年底PC和智慧型手機廠商對DRAM和NAND定價上漲的擔憂加劇,這些廠商也採取了更為積極的行動,以搶先應對這一問題。對於PC市場,IDC此前的資料顯示,2025年第四季度PC出貨量顯著增長。預計2026年一季度PC市場將會延續之前的高出貨量水平,因為OEM廠商正在搶先於DRAM和NAND定價上漲前全面發貨。這樣帶來的結果是,IDC現在預計2026年第一季度PC市場的表現將遠高於之前的預測。但是,從2026年全年趨勢來看,IDC預計全球PC市場將同比下滑11.3%,但由於平均銷售單價(ASP)的提升,整體收入將同比增長1.6%。IDC認為,2027年PC市場將趨於平穩,反彈將推遲到2028年。對於智慧型手機市場,IDC預計2026年第一季度智慧型手機出貨量將同比下降6.8%。因為,隨著儲存晶片持續供不應求和價格上漲,尤其是一些小型智慧型手機廠商難以獲得(和/或支付)充足供應,預計從第二季度開始,銷量將大幅下降。與此同時,智慧型手機的ASP會上升,這也會進一步抑制銷量需求。從2026年全年來看,全球智慧型手機市場將同比下滑12.9%,雖然ASP在增長,但整體收入還是會略微下降0.5%。預計接下來的2027年,智慧型手機市場將實現溫和的1.9%同比增長,2028年則可能會迎來更強勁的5.2%反彈。IDC預計儲存晶片的供應挑戰將會持續到2026年,甚至可能延續到2027年。雖然IDC預計2026年下半年儲存晶片價格上漲的速度會放緩,但價格仍會持續上漲並保持高位。根據當前假設,IDC的模型並未顯示預測期記憶體儲晶片價格水平會回歸到2025年水平。因為推動儲存晶片短缺的結構性因素依然存在,人工智慧基礎設施需求激增,與消費裝置對同一DRAM和NAND供應的需求競爭,依然根深蒂固。隨著DRAM和NAND產能擴充增加以及中國儲存供應商的介入,可能會使得市場供需緊張的情況有所緩解。然而,這並不足以彌補缺口,改變危機的走向。儲存晶片供應危機的後續影響將會日益明朗,並將重塑PC和智慧型手機市場,以及平板電腦、XR頭顯、可穿戴裝置和遊戲主機等其他裝置市場的競爭格局。市場份額向頭部OEM廠商集中IDC預計,2026年全球PC和智慧型手機市場份額將會顯著轉向全球最大的幾家OEM廠商。因為這些廠商擁有更強的購買力、更強的供應商關係以及能夠承諾大量合同,所以更有能力以更高但更易管理的價格獲得儲存晶片的供應。相比之下,規模較小和區域性品牌廠商,由於利潤率本身已較低,將越來越難以爭奪儲存晶片供應,進而丟失更多的市場份額。此外,對於OEM廠商來說,預計也將會開始推出一些對於儲存晶片需求相對較少的新裝置。比如,一些OEM廠商不會完全承擔高價儲存晶片的成本,而是選擇減少產品中平均的DRAM和NAND容量配置。一款一年前可能配備12GB DRAM和256GB NAND的手機,現在可能以相同價格或略低的價格,配備8GB記憶體和128GB儲存。同樣的情況也會出現在個PC新產品,基礎配置可能會顯著減少DRAM和NAND容量。由於低端的智慧型手機和PC本身的利潤就極其微薄,這也使得OEM廠商已經沒有空間來吸收價格上漲。特別是當儲存晶片的成本每個季度激增兩位數甚至三位數百分比時,售價低於150美元的智慧型手機或400美元的筆記型電腦將會無法承受。許多廠商可能將會完全退出或停止在這一價格區間的競爭,要麼就必然需要交付規格明顯降低的產品,且價格還可能會更高。這對價格敏感的消費者和小企業來說,將促使他們推遲購買計畫中的裝置,延長換機周期,從進一步壓制銷量。對於低端智慧型手機市場來說,影響將更為嚴重。2025年,全球出貨的超過3.6億部智慧型手機價格低於150美元,佔據了全球智慧型手機銷量的相當大份額,其中非洲和印度等關鍵新興市場的這一比例上升至近60%和30%。隨著儲存晶片成本的上升使這一價格區間在經濟上變得不可持續,智慧型手機行業將逆轉過去十年來消費者持續以更低價格獲得規格更優的智慧型手機的趨勢。IDC預計,大多數面向低端市場的OEM廠商計畫通過降低規格或將定價提升至200美元以上來保住市場份額,但該區間的需求在新興市場仍然有限,導致無法維持當前的出貨。這些廠商還將面臨更高層次成熟品牌更強的競爭,進一步限制了其保持銷量和市場份額的能力。因此,IDC認為,當前預測期內,總可服務市場(TAM)將大幅減少,競爭格局將趨於停滯。與此同時,雖然消費者對於預算較低的智慧型手機的需求將持續存在,但現狀將促使價格敏感的消費者要麼延長裝置生命周期,要麼轉向經濟實惠的二手智慧型手機,而這些智慧型手機的採用速度已經在加快。一些新興市場的消費者甚至可能回歸功能手機,逆轉智慧型手機滲透率的增長,因為50美元以下的超低端智慧型手機將不再存在。簡而言之,智慧型手機市場正面臨結構性重設,無論是在規模、產品組合還是競爭格局上。DRAM+NAND組合容量下降趨勢,對AI PC產品的影響尤其令人擔憂。儘管PC廠商將大量整合了專用神經處理單元(NPU)的AI PC投入市場,但AI PC迄今未能兌現對消費者和商業買家承諾的變革性的AI能力,其應用場景依然狹窄,軟體生態系統也未能跟上硬體的發展步伐。如今,正如PC行業需要圍繞AI建構更具吸引力的故事,但是DRAM供應危機正威脅著為此奠定的基礎,因為本地的AI工作負載,包括將PC置於代理AI未來核心、能夠代表使用者管理和協調多項AI任務的願景,本質上是需要大容量的DRAM來作為支撐。AI PC所配置的DRAM容量的減少,將會限制這些裝置運行本地大模型、管理上下文窗口以及處理裝置內AI所需的資料吞吐量的潛力。關稅不確定性風險當地時間2月20日,美國聯邦最高法院裁定,川普政府依據《國際緊急經濟權力法》徵收的關稅違法。但這一裁決出爐後,川普政府立即援引《1974年貿易法》第122條加征10%臨時性全球進口關稅,並計畫將該稅率提升到15%,這也加劇了關稅政策的混亂。對於PC及智慧型手機等電子裝置行業來說,這帶來了深刻的不確定性。對成品和零部件徵收15%的關稅,在已經膨脹的儲存晶片價格基礎上將給廠商帶來額外的成本壓力。供應商無法自信地規劃定價、採購或庫存策略。雖然部分成本可以轉嫁給消費者,但這將加劇消費者的承受能力;另一部成本則將需要終端品牌廠商以及上游供應商和管道合作夥伴共同吸收,但這也將進一步壓縮他們的利潤。小結:總結來看,2026年對PC和智慧型手機市場來說,將是一個充滿挑戰的一年。儲存晶片的供應緊缺和價格上漲的危機、前期交易量過大的前瞻拉購活動、抑制銷量增長的ASP上升以及貿易政策的波動性環境,使得對於市場的精準預測極為困難。從半導體供應商到裝置OEM、管道合作夥伴和企業採購商,整個價值鏈的組織都應為持續的動盪做好規劃。這是一種結構性轉變,將定義終端裝置市場的敘事走向,直到2027年。 (芯智訊)
傳蘋果將採用中國國產儲存晶片!
據外媒報導,蘋果正推進供應鏈多元化佈局,其即將推出的iPhone 18系列機型,以及MacBook、台式Mac等多款產品或將採用中國產儲存晶片!據悉,蘋果目前已在考慮與中國儲存企業展開深度合作,計畫讓兩家中國儲存企業為其即將推出的iPhone 18系列機型,以及MacBook、台式Mac等多款核心產品,提供記憶體與儲存晶片支援,這意味著國產儲存晶片有望正式叩開蘋果供應鏈的大門。蘋果此次考慮牽手國產儲存廠商,並非偶然之舉,而是行業環境與自身需求雙重作用下的必然選擇。長期以來,蘋果的記憶體與儲存晶片供應高度依賴鎧俠、三星、SK海力士等日韓廠商,這幾家企業幾乎壟斷了蘋果相關晶片的核心供應。但近年來,全球儲存晶片行業迎來供給緊張的局面,疊加晶片價格大幅上漲,這些主流供應商紛紛抬高報價,其中鎧俠更是將NAND晶片報價翻倍,還要求按季度重新議價,這讓堅持維持產品官方定價不變的蘋果,面臨著利潤持續被擠壓的巨大壓力,供應鏈的單一性隱患也進一步凸顯。為有效分散供應風險、緩解成本壓力,同時降低對日韓廠商的依賴度,蘋果已啟動供應鏈最佳化計畫,據稱正全面評估將國產的DRAM記憶體晶片,以及NAND快閃記憶體晶片,正式納入自身的核心供應體系,借助國產廠商的技術實力與成本優勢,實現供應鏈的多元化佈局,這也是蘋果應對行業變局的關鍵舉措。如果這一消息屬實,即蘋果正式決定在iPhone、Mac以及自身產品中大規模採用國產儲存晶片,這將是中國半導體產業里程碑式的事件,其帶來的實質性利多將是驚天動地的。 (半導體技術天地)
【以美襲擊伊朗】最多隻能撐25天?摩根大通警告:荷姆茲海峽若封鎖,儲存限制或導致中東原油全面停產
中東局勢急劇升溫,全球能源市場面臨數十年來最嚴峻的供應中斷風險。AI生成摩根大通Natasha Kaneva分析師團隊在最新的報告中發出警告:一旦荷姆茲海峽完全封鎖,中東產油國的陸上與海上儲存能力合計僅能消化約25天的滯留產量,此後將被迫全面停產。摩根大通表示,“再多的話,儲存瓶頸將導致強制停產。”這一判斷意味著,若局勢持續惡化,全球能源市場將面臨的不僅是價格衝擊,而是實物供應的物理性中斷。據央視新聞報導,美國總統川普當地時間3月1日發表視訊講話稱,美國和以色列將繼續對伊朗的軍事行動,直到達成所有目標。在此背景下,儘管荷姆茲海峽尚未正式封鎖,但船東已普遍選擇迴避,油輪實際上已停止通行——這一關鍵航道承載著全球約五分之一的石油和液化天然氣(LNG)運輸量。海峽通行實際已陷入停滯荷姆茲海峽是伊朗周邊海域的咽喉要道,正常情況下每天約有1900萬桶液體燃料經此出口,其中原油約1600萬桶。然而,摩根大通資料顯示,2月28日該航線上的原油出口量已驟降至約400萬桶,且幾乎全部為伊朗原油,僅相當於正常日出口量的四分之一。沙烏地阿拉伯和阿聯等國雖可通過管道將部分石油輸送至其他海上航線,但摩根大通指出,這一替代路徑的總量十分有限,無法彌補荷姆茲海峽全面停運所造成的缺口。25天:儲存上限的精確測算摩根大通對七個海灣產油國——沙烏地阿拉伯、阿聯、伊拉克、科威特、卡達、阿曼及伊朗——的儲存能力進行了詳細測算。據該行估計,上述國家的陸上原油儲存能力約為3.43億桶,相當於可容納約22天的滯留產量。此外,海灣地區約有60艘空置油輪可提供額外的海上儲存緩衝,合計可儲存約5000萬桶原油,從而將生產維持時間再延長三到四天。兩項合計,中東產油國在海峽完全封鎖的情景下,最多隻能維持約25天的正常生產。一旦超過這一時限,儲存設施將告飽和,產油國將別無選擇,只能強制削減乃至停止生產。風險溢價高企,能源通膨壓力顯現中東局勢的持續緊張已在油價中留下明顯印記。摩根大通估計,當前布倫特原油價格中已計入高達9至10美元/桶的風險溢價,主要與伊朗局勢相關聯。與此同時,能源價格壓力正向消費端傳導。摩根大通資料顯示,美國零售汽油價格已從1月份的每加侖2.83美元升至2.94美元,儘管仍較一年前低約6.7%,但上行趨勢已然確立。摩根大通在報告中指出,今年前兩個月全球原油日均消費量同比增長約140萬桶,增速幾乎是該行此前預期的兩倍。在需求強勁、供應通道受阻的雙重壓力下,一旦荷姆茲海峽局勢進一步惡化,油價所面臨的上行風險將遠超當前市場定價所反映的水平。 (華爾街見聞)
儲存晶片最高漲價1800%,波及人形機器人?
穩住!別慌!冷靜!有影響,但不大。2025下半年以來,一場席捲全球的儲存晶片“超級漲價周期”愈演愈烈,其烈度遠超以往。DDR4 16Gb晶片價格漲幅高達1800%,DDR5 16Gb漲幅也達到500%。相關市場研究資料顯示,2026年第一季度DRAM合約價預計上漲90%-95%,NAND合約價上漲55%-60%。儲存巨頭SK海力士在2026年初的投資者會議上緊急警告:當前DRAM及NAND庫存僅剩約4周,處於歷史極低水平,所有客戶均無法獲得足額供應。幾乎同時,三星電子將一季度NAND快閃記憶體供應價格上調超100%,DRAM價格漲幅接近70%。美光更是預警記憶體晶片短缺將持續到2026年之後。這場漲價潮的背後,是AI伺服器需求的爆發式增長。單台AI伺服器對DRAM的需求是普通伺服器的8-10倍,巨頭們爭相建設AI資料中心,導致儲存晶片供需嚴重失衡。而儲存晶片原廠紛紛將產能轉向HBM等高利潤產品,傳統DRAM產能遭到擠壓,進一步加劇通用儲存晶片供應緊張。SK海力士DRAM庫存周由AI算力需求引爆的漲價潮,正從雲端算力中心迅速蔓延至每一個智能終端。這場風暴中,一個關鍵問題浮出:作為人形機器人即時感知與自主進化的記憶中樞,儲存晶片漲價潮是否會波及到這條發展正熱的賽道?人形機器人量產元年剛過,時值產能爬坡期,儲存漲價是否會進一步擠壓人形機器人在產業初期極其微薄的利潤空間?儲存漲價,對人形機器人造成實際影響了嗎?對於已進入小批次出貨或早期商用階段的人形機器人廠商而言,成本壓力與供應鏈穩定性是其必須面臨的課題。人形機器人的“大腦”、“小腦”及各類感測器等均需配套儲存晶片。行業資料顯示,單台人形機器人至少需搭載48顆以上的各類儲存晶片。其中包括用於快速啟動的NOR Flash、用於臨時資料快取記憶體的DRAM,以及用於儲存作業系統、AI模型和日誌資料的大容量NAND Flash。頻寬不足會導致“大腦”資料飢餓,延遲過高會使動作僵硬,可靠性差則可能在關鍵時刻引發系統故障。儲存晶片的性能直接決定了人形機器人“感知-思考-行動”閉環的流暢度與智能水平。高工人形機器人製圖如此重要的零部件漲價,對人形機器人影響如何?我們圍繞該話題和國內兩家頭部儲存晶片企業聊了聊。佰維存儲方面回應稱:“這波儲存漲價對人形機器人產業確實有成本端的傳導影響,因為上游NAND和DRAM晶圓是共通的。但我們觀察到,對於人形機器人廠商而言,選型的核心矛盾不在於短期價格波動,而在於能否找到真正滿足其場景需求的方案。”上游晶圓因供需緊張漲價,下游所有的儲存產品成本都將對應增加。在機器人廠商的採購考量中,價格的優先順序相對靠後。因為對尚處發展初期的人形而言,技術可行性遠比成本最佳化更重要。而人形機器人對儲存晶片有非常特殊且嚴苛的需求,這也就導致標準品難以滿足,比如用在USB 隨身碟或手機裡的儲存晶片。“特殊需求包括空間極度受限,需要高抗震性,同時還要兼顧高頻寬與低功耗,這些都不是標準化產品能直接解決的。”佰維存儲方面進一步解釋。在滿足系列技術需求的過程中,儲存晶片面臨著多重技術難點。比如,提高儲存晶片的性能通常意味著更高的功耗,而人形機器人對功耗有嚴格要求。如何在性能和功耗之間找到最佳平衡點,是儲存晶片設計的重要挑戰;又如人形機器人內部空間有限,尤其是關節部位,需要超小型封裝的儲存晶片。但小型封裝通常意味著容量受限,如何在有限的空間內提供足夠的儲存容量,也是一大難題。更別提機器人在運行過程中,電機和驅動器產生大量熱量,導致內部溫度升高。儲存晶片需要在寬溫度範圍內穩定工作,這對晶片的設計和製造工藝提出了更高的要求。另一家儲存晶片企業則表示,當前漲價的儲存品類並非人形機器人常用,波動較小,對人形機器人影響不大。人形機器人的核心算力主要依賴主控晶片(MCU/SoC)和邊緣計算單元,而非大容量儲存。其運行側重於即時運動控制、感測器融合和本地化AI推理,對DDR5、HBM等高規格儲存晶片的需求遠低於AI伺服器。當前人形機器人更依賴利基型儲存,比如中小容量NOR Flash、NAND Flash、DRAM等,這類產品雖然也有所提價,但並非本輪漲價的核心品類。相比儲存佔成本10%-30%的手機或AI伺服器,人形機器人BOM成本中儲存晶片佔比微乎其微。從原廠的反饋來看,對於絕大多數仍處於原型研發和演算法驗證階段的國內人形企業,儲存漲價潮對其確實有影響,但影響相對有限。且遠期威脅不容忽視,當前人形機器人對儲存的採購量小,多通過分銷商或現貨市場獲取樣品,對價格波動的承受能力稍強。但它們共同面臨的是一個未來確定性可能降低的供應鏈環境。巨頭們的產能轉向,意味著長期來看,適合人形機器人應用的、在性能、功耗、可靠性上取得平衡的利基型儲存晶片,其產能保障和價格穩定性將面臨更大挑戰。人形機器人賽道內,出現中國國產儲存晶片身影隨著越來越多人形機器人原型機陸續展示出驚人的運動與互動能力,行業意識到專用化、高性能的人形機器人儲存方案成為剛需。而供應緊張與價格上漲,也在倒逼下游更加積極地評估和匯入國產儲存方案,以建構多元化的供應鏈體系。這為已在人形機器人領域有所佈局的一眾國記憶體儲晶片玩家,提供了加速產品驗證、切入主流供應鏈的寶貴窗口期。綜合各家資訊、投資者關係記錄、產業鏈資訊來看,目前國內領先的人形機器人企業在儲存晶片供應商選擇上,已出現國產晶片的身影,但整體仍處於驗證與早期匯入階段。如,國記憶體儲與MCU雙龍頭兆易創新將其車規級高可靠性NOR Flash/Nand Flash產品線,以全容量覆蓋、極致性能、高可靠性及超小封裝,為人形機器人提供從核心到末梢的全方位“記憶”護航。目前已成功匯入國內多家頭部人形機器人廠商的人形產品上,確保機器人在各種嚴苛環境下穩定運行。江波龍在年初的CES2026上推出覆蓋AI機器人等前沿領域的AI-Grade儲存產品矩陣,並佈局UFS 4.1、LPDDR5x等儲存晶片,為AI機器人的小型化、輕量化發展提供更多可能;佰維存儲的LPDDR4X和eMMC,也已實現在宇樹科技Go2上的應用,滿足其高動態環境下的資料吞吐需求。下面,我們詳細盤點國內已在人形機器人領域明確落子、具備產品適配性或正積極佈局的儲存晶片廠商及代表產品。他們的產品路線、技術突破與市場進展,不僅勾勒出當前國產儲存衝擊高端應用的技術高地,也預示了在這場具身智能革命中,中國供應鏈的未來格局與走向。兆易創新在儲存產品上,兆易創新主要提供NOR Flash/Nand Flash解決方案。其為人形機器人“大腦”提供高速儲存支援的核心產品GD25/55 X/LX系列SPI NOR Flash。該系列快閃記憶體擁有400MB/s的資料吞吐量,能夠滿足即時啟動及即時響應的需求。高速的資料讀取能力對於執行AI決策的機器人大腦至關重要,可保障系統快速載入程式碼、模型和指令,實現即時響應。事實上,作為人形機器人控制-儲存-模擬一站式方案提供商,兆易創新基於人形機器人感知、決策、控制、執行的核心技術鏈路,建構了覆蓋MCU、儲存、模擬晶片的全端解決方案。整個方案以高算力MCU為核心中樞,協同高速儲存晶片與高可靠性模擬晶片,形成從關節驅動、感測器訊號處理、通訊互動到電源管理的端到端技術閉環,精準匹配機器人大小腦、靈巧手、手臂關節、腿關節、IMU模組等關鍵部位的晶片需求。尤其在MCU上,兆易創新針對人形機器人不同關節的差異化需求,推出了多款高性能產品。針對靈巧手等空間受限、電機密集的場景,GD32G553採用Arm® Cortex®-M33核心,主頻高達216MHz,單晶片可同時驅動3至4個電機,其WLCSP81封裝尺寸僅4×4mm,可有效節省空間。針對腿部關節等需要支撐動態平衡、即時計算步態的高算力場景,GD32H7系列搭載600MHz Cortex®-M7核心,配備雙精度FPU、TMU及濾波演算法加速器,整合CAN-FD、乙太網路等工業介面,能夠在單晶片上完成多感測器資料融合。該系列是國內率先基於M7核心實現量產的MCU,已廣泛應用於國內人形機器人及機器狗中。在需要精密運動控制的手臂關節中,GD32H75E在GD32H7基礎上整合倍福正版授權的EtherCAT® IP,內建2顆百兆乙太網路PHY,滿足複雜運動場景下高速、低延遲通訊需求。該晶片支援105℃環溫運行,有效解決了機器人關節空間狹小、運行溫度較高的痛點。佰維存儲目前,佰維存儲面向人形機器人領域推出了多款高性能儲存晶片產品,建構了完整的儲存解決方案。核心產品系列包括eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR4X/5/5X等產品。這些產品針對機器人對高頻寬、低延遲、大容量儲存的需求進行了專門最佳化。公司創新性地提出了“內建+外擴”一體化儲存架構——BGA SSD作為內建儲存方案,採用PCIe 4.0×4介面,順序讀取速度高達7350MB/s,最高2TB容量,可實現作業系統與AI模型"秒級啟動",滿足機器人高頻資料寫入需求;Mini SSD作為外接可擴展儲存,採用類似SIM卡槽式設計,實現一插即用的擴容體驗。產品尺寸小至SIM卡,重量僅1g,採用PCIe 4.0×2介面,讀/寫速度分別達3700MB/s、3400MB/s,無需拆機即可擴展高達2TB儲存空間。據佰維存儲方面介紹,依託研發封測一體化的能力,其推出的ePOP、BGA SSD、Mini SSD等面向具身智能場景的小型化儲存方案,在宇樹科技等頭部人形機器人企業上已有落地應用。目前,公司正持續積極拓展具身智能領域頭部客戶,推動儲存產品在機器人行業的規模化落地。江波龍在MWC 2026上,江波龍展示了面向具身機器人的全維度儲存產品佈局,包括QLC eMMC、UFS 4.1、LPDDR5x等多款產品,以及Lexar雷克沙品牌的AI-Grade SSD、AI-Grade Storage Stick等創新形態產品,全面覆蓋AI PC、智慧型手機器人等多元場景。UFS4.1高端嵌入式儲存是江波龍可應用於人形機器人上的旗艦級產品。該產品搭載自研WM7400主控晶片,採用先進Foundry工藝,順序讀取速度高達4350MB/s,隨機讀寫性能達750K/630K IOPS,容量最高支援2TB。公司通過蘇州封測製造基地的創新封裝工藝,將產品尺寸最佳化至9×13mm,較主流方案面積減少18%,滿足機器人內部空間對輕薄化、高整合度的嚴苛要求。mSSD高速儲存介質則是是江波龍專為端側AI裝置推出的創新產品,採用Wafer級系統級封裝技術,將主控、NAND、PMIC等元件整合進單一封裝體內。基於mSSD衍生的AI Storage Core產品矩陣,具備大容量、熱插拔、AI應用定向韌體最佳化等特性,可廣泛適配智慧型手機器人等前沿領域。此外,江波龍的FORESEE品牌儲存產品已實際應用於機器人領域。公司去年在投資者互動平台確認,宇樹Go2機器狗拆解視訊中顯示的FORESEE儲存器屬實。該品牌產品具備高速資料儲存和讀取能力,能夠支援機器人在避障、導航和圖像識別等複雜任務中的即時資料處理需求。科美存儲科美存儲是國內專注於高可靠工業儲存解決方案的廠商,目前已針對人形機器人及具身智能領域推出了系列儲存產品,主要聚焦於嵌入式儲存和工業級固態硬碟兩大方向。在嵌入式儲存方面,科美存儲推出了BGA SSD系列產品,這是其面向人形機器人領域的重要佈局。BGA SSD採用球柵陣列封裝,具有體積小巧、抗震性強、可靠性高等特點,適用於空間受限且對穩定性要求極高的機器人內部儲存場景。公司還推出了工業級eMMC嵌入式儲存(如Jupiter EWP 703XT系列),該產品搭載國產自研主控和長江儲存快閃記憶體顆粒,採用SLC快閃記憶體,支援-40℃至+85℃寬溫工作,適用於機器人等工業裝置的系統程式碼儲存和資料記錄。在工業級固態硬碟方面,科美針對機器人應用推出了加固M.2 2248 NVMe固態硬碟。該產品搭載3D TLC快閃記憶體顆粒,支援NVMe 1.4協議和PCIe 3.0x4介面,順序讀寫速度分別高達3399MB/s和3140MB/s,容量覆蓋128GB至1TB。產品採用加固連接器設計,MTBF(平均無故障時間)高達200萬小時,並可在-40℃至+85℃寬溫環境下穩定運行。該產品已實現100%全國產化配置,並已成功應用於機器狗等智慧型手機器人項目。總體來看,科美存儲面向人形機器人的產品佈局以高可靠性、全國產化、寬溫適應為核心特色,通過BGA SSD、eMMC、M.2 NVMe SSD等產品組合,滿足人形機器人在程式碼儲存、資料記錄、運行記憶體等方面的多樣化儲存需求。除上述幾家外,更多儲存玩家也在同步發力。北京君正針對人形機器人對高整合度、低功耗儲存方案的需求,推出3D DRAM技術,並通過近存計算架構最佳化儲存與計算的協同效率。其研發的智慧大腦晶片將儲存單元與AI計算模組深度融合,顯著提升機器人在環境感知、多模態決策中的即時資料處理能力。曙光儲存在2025中國人形機器人生態大會上提到的“超級隧道 HyperTunnel”技術,通過硬體與軟體的深度協同最佳化,建構高效、低時延的資料傳輸路徑。其分佈式全快閃記憶體儲ParaStor、集中式全快閃記憶體儲FlashNexus兩大產品線均應用該技術,針對演算法模型訓練場景,以高性能分佈式全快閃記憶體儲加速具身智能大腦升級。目前,其技術方案已應用在智元機器人等頭部人形企業產品中。小結儲存晶片的超級漲價周期,如同一面棱鏡,折射出AI時代算力需求對硬體基礎設施的深刻重塑。對於方興未艾的人形機器人產業,這既是短期成本與供應鏈的壓力測試,更是加速核心部件自主創新的催化劑。短期來看,漲價潮確實給機器人企業帶來了影響,儘管程度有限,這也促使產業界更早、更嚴肅地思考供應鏈安全與成本最佳化路徑。中長期而言,危機中孕育著巨大的戰略機遇。人形機器人對儲存晶片提出的低延遲、高可靠、小尺寸、低功耗等需求,恰恰是國產儲存晶片實現高端突破、擺脫中低端內卷的理想賽道。產能傾斜的同時,也留下了寶貴的市場縫隙。從本次盤點可以看出,以兆易創新、佰維存儲、江波龍等為代表的一批國產儲存晶片企業,已經深入佈局。儘管整體上國產份額仍小,生態仍在建構,但已在頭部人形機器人客戶中實現從樣品到量產的突破。當前這場由外部市場環境變化所引發的產業鏈躁動,或許正是中國儲存晶片企業,在人形機器人這一未來核心場景中,從備用選項邁向主流選擇,乃至參與定義技術標準的關鍵轉折前夜。 (高工人形機器人)
中國國家發改委價格監測中心:《儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導》
2月28日,國家發改委價格監測中心發文《儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導》2025 年 9 月至今,受 AI 需求爆發、儲存巨頭減產保價、產能緊缺及下游囤貨推動,DRAM、NAND 價格暴漲並創歷史新高。漲價已傳導至電腦、手機等終端,年內漲勢或延續,將帶動電子製造 PPI 走穩、通訊工具 CPI 回升,需持續關注下游價格影響。全文如下:標題:儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導2025年9月至今,受需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺等因素影響,全球儲存器市場缺口擴大,儲存晶片價格持續上漲,近1個月多以來,漲幅呈現擴大態勢,建議關注儲存晶片對下游價格的影響。一、近期儲存晶片價格大幅快速上漲調研反映,截至今年1月,儲存晶片兩大主要產品DRAM和NAND快閃記憶體價格均創2016年有資料以來最高。以主流型號為例,1月DARM(DDR4 8Gb 1G*8)合約平均價格為11.5美元,比上月上漲約24%,比2025年9月上漲約83%;NAND快閃記憶體(128Gb 16G*8 MLC)合約平均價格為9.5美元,比上月上漲約65%,比2025年9月上漲近1.5倍。從上漲原因來看,儲存晶片價格上漲主要受到需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺以及下游“恐慌性”囤貨等因素影響。一是AI算力增長帶動高端儲存需求增加。集邦諮詢預計,2026年全球AI伺服器出貨量同比增長超28%,加上單台AI伺服器的記憶體需求達到傳統伺服器的8倍左右,AI伺服器、資料中心對高頻寬、大容量儲存晶片的需求將呈“爆發式”增長。同時,2025年四季度以來,智慧型手機等電子產品新款集中上市,對消費級儲存需求有所支撐。二是儲存巨頭生產策略疊加產能周期的剛性約束,加劇市場供應緊張。三星、SK海力士、美光三大廠商壟斷了全球90%以上的DRAM產能,頭部廠商採取“減產保價”“棄低追高”策略,將80%以上先進產能轉向高毛利率的高頻寬記憶體,減少成熟製程的產能比重,導致消費級儲存晶片供應緊缺。同時,儲存晶片擴產周期長,晶圓廠建設需1.5~2年,新增產能短期內難以釋放。三是矽片、六氟化鎢、金屬等原材料價格上漲從成本端提供一定支撐。2025年,12英吋矽片、六氟化鎢、銀、銅等晶片製造原材料價格不同幅度上漲。此外,隨著市場看漲情緒升溫,消費電子、AI伺服器廠商、智能汽車等下游領域的恐慌囤貨也對近期價格走高起到推波助瀾作用。二、儲存晶片價格上漲將向下游傳導當前,儲存晶片正處於上漲周期。年內來看,在AI伺服器算力需求持續增長的帶動下,全球儲存晶片市場供不應求局面仍將持續,儲存晶片價格將延續上漲態勢。儲存晶片價格上漲正逐步傳導至消費電子終端產品。隨著AI應用滲透率提升,消費者對高端化、智能化的消費電子產品的偏好增強,消費升級趨勢明顯,對記憶體性能的要求更高。廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限,上調終端價格將成為普遍趨勢。目前聯想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發佈調價函,漲幅普遍在500~1500元之間,小米、vivo等國產新發售機型相同儲存配置版本價格較上一代上漲300~500元。受儲存晶片價格上漲及對下游的傳導影響,PPI方面,電腦、通訊及其他電子裝置製造業分項價格有望止跌走穩,對PPI的拖累作用有所減弱。CPI方面,疊加提振消費政策效果持續顯現,通訊工具分項價格將繼續回升。 (芯榜)
憂心忡忡!韓媒警示:長鑫儲存正在改寫全球記憶體格局
《“中國永遠做不成”的說法已經過時了,中國半導體公司正在撼動全球市場》——近期韓國財經媒體《韓國經濟》發文指出:“中國儲存器之王長鑫儲存正在崛起……正在撼動全球半導體行業格局,其影響力已超越國內市場。該公司正加速進軍此前由韓國企業主導的高附加值儲存器市場。”圖:韓媒《韓國經濟》報導DRAM行業素有“半導體產業皇冠上的明珠”之稱,技術壁壘極高、投資規模巨大,長期由韓國的SK海力士、三星以及美國的美光三家企業壟斷。根據公開資訊,長鑫儲存自成立以來僅用不到十年時間,便實現了國產DRAM“從零到一”的突破。韓媒指出:“儲存器產業已發展成熟,新建一座晶圓廠需要數兆韓元的投資,且需要積累大量技術才能穩定良率。紫光集團因財務困境破產,福建晉華因美國製裁而發展停滯。中國儲存器產業的早期發展歷程可謂是一系列失敗的縮影。然而,在這一系列波折中最終倖存下來的儲存器公司是中國首家DRAM製造商長鑫儲存。”長鑫突破國外技術封鎖實現中國DRAM記憶體的自主已堪稱奇蹟,近期長鑫新品頻發,產品性能已邁入高端陣營,韓媒對此評價稱長鑫打破了國際社會的刻板印象。《韓國經濟》表示:“CXMT(長鑫儲存)已開始量產速度為8000Mbps的DDR5產品和速度為10667Mbps的LPDDR5X產品。這意味著CXMT的產品能夠滿足最新伺服器、Al加速器和高性能移動裝置的基本性能要求,從而打破‘中國製造意味著低性能’的固有印象。”根據Omdia等權威機構資料,當前從產能與出貨量來看,長鑫已穩居中國第一、全球第四,僅次於三星、美光、海力士等盤踞全球記憶體數十年的三大企業。一位接受《韓國經濟》採訪的韓國業內人士認為長鑫“不再是一家普通的中國本土企業”,而是不容小覷的,並呼籲“三星電子和SK海力士需要通過加大對下一代DRAM工藝研發的投資來保持技術優勢,以應對下一個經濟周期,而不是僅僅追求盈利。”同期另一家韓國媒體亦發表社論《中國在所有先進產業領域超越韓國,亟需制定“中國衝擊”應對戰略》,表示以長鑫儲存等中國半導體企業正全面追趕韓國,“韓國正面臨結構性危機,失去曾經擁有的技術優勢,‘中國衝擊’正在扼殺韓國經濟”。韓國媒體普遍認為,長鑫儲存的崛起無疑正在實質性改變市場生態,全球記憶體市場格局可能從“三強主導”加速向“多強並立”的新階段演變。 (1 ic芯網)