十張圖拆解儲存全球產業鏈(白馥說)

3月26日，Google研究院發表了一篇論文，全球儲存晶片市場應聲大跌——美國和韓國巨頭一夜之間蒸發超900億美元市值。引發這場“血案”的，是一個叫 TurboQuant 的新演算法。Google宣稱，它能在幾乎不損失精度的前提下，把AI大模型的記憶體佔用壓縮到原來的1/6。論文發表僅一天後，一位中國學者在社交媒體公開“開火”：“Google的論文存在嚴重學術問題，明知有錯卻不改，還刻意迴避與我們方法的相似性。”這位學者叫高健揚，目前是蘇黎世聯邦理工學院的博士後。他在新加坡南洋理工大學讀博期間，曾發表過一個叫 RaBitQ 的向量量化演算法。01. “Google主動找我們幫忙偵錯程式碼”高健揚說，早在2025年1月，Google論文的第二作者就主動聯絡過他，請他幫忙偵錯自己基於RaBitQ程式碼翻譯的Python版本，還詳細描述了復現步驟和報錯資訊。“這說明他們對我們方法的技術細節非常瞭解。”高健揚說。但2025年4月Google論文正式發佈後，高健揚發現，論文中對RaBitQ的描述嚴重失實：把RaBitQ的核心技術說成別的東西，反而忽略了自己最關鍵的設計，在沒有證據的情況下，說RaBitQ的理論保證“不如他們的”實驗對比故意設定了不公平的條件02. 溝通一年對方只是“最小限度讓步”發現問題後，高健揚團隊從2025年5月開始與Google論文作者郵件溝通。對方第二作者表示已把意見轉告給全體作者。但當高健揚要求修正論文中的事實錯誤後，對方就不再回覆了。2025年11月，高健揚發現這篇論文被AI頂會ICLR 2026接收，裡面的錯誤內容一字未改。他聯絡了會議主席，沒得到回應。今年3月，Google通過官方管道大規模推廣這篇論文，高健揚再次給全體作者發郵件。這次對方回覆了——但只同意修正理論描述和實驗條件，明確拒絕討論方法論的相似性，而且承諾只在會議結束後才改。03. “核心像一道菜的完整食譜”高健揚用一個比喻來解釋兩者的相似性：一位廚師率先公開發佈了一道菜的完整食譜。另一位廚師後來做了一道菜，用了幾乎一樣的關鍵步驟，卻在介紹中把前者說成“做法不同、效果較差”的另一道菜，對兩者的聯絡隻字不提。讀者在不知情的情況下，根本無法做出公正判斷。但Google作者在最終版本中，不但沒有補充討論，反而把原本正文中對RaBitQ的不完整描述移到了附錄。04. “小型團隊很難與Google抗衡”為什麼不繼續通過學術管道解決，而是選擇公開？他們先後聯絡了論文作者、會議主席、倫理委員會，也提交了正式投訴，並在公開評審平台發佈了評論。“但我們是一個小型高校團隊，對方是Google研究院。在資源、影響力和話語權上，完全不對等。”Google論文在社交媒體上的相關瀏覽短時間內達到數千萬次——這是任何高校實驗室都不可能做到的。05. 如果不更正，會有什麼後果？龍程認為，如果不修正，至少帶來三個問題：扭曲學術史：後來的研究者會誤判技術源頭，在錯誤的基礎上繼續研究。打擊原創：一個經過嚴格理論推導的高品質方法，被重新包裝後以千萬級曝光推向公眾，原創者卻得不到應有的認可。誤導產業：向量量化是工業界高度關注的方向，不精準的方法歸屬會讓從業者選錯技術路線。06. 接下來怎麼辦？高健揚和龍程表示，他們會在學術平台發佈詳細的技術報告，系統梳理兩者的真實關係。同時繼續通過正式管道向Google研究申訴理事會反映。“我們的目標從來不是製造對立，而是讓學術記錄精準地反映各方法之間的真實關係。”這場爭議裡，有一個細節值得所有人留意：Google論文的問題，歸根結底不是演算法好壞，而是如何精準描述自己的工作、如何恰當地引用前人的貢獻——這恰恰是學術寫作中最基礎、也最容易出錯的環節。 (科研轉運站)

近期，NAND儲存巨頭閃迪（SanDisk）正式開建高頻寬快閃記憶體（HBF）原型生產線，並計畫在下半年推出樣品，瞄準於2027年實現商業化量產。早在2025年8月，閃迪就與SK海力士簽署諒解備忘錄，宣佈共同推動HBF新技術標準。2026年2月，雙方在美國加州閃迪總部高調成立“HBF規格標準化聯盟”，合作進入實質性推進階段。很顯然，這場合作蓄謀已久。如今回望，這並非一次尋常的技術合作，而是兩家儲存巨頭在AI從訓練轉向推理的關鍵節點上，鋪墊一場基於未來的深刻產業判斷，以及商業化層面的戰略佈局。01為何選擇此時搶跑要理解此次合作的意義，必須看清AI發展帶來的階段性挑戰。過去三年，AI突破集中在訓練階段，極度依賴高頻寬記憶體HBM為GPU提供海量資料流。HBM通過3D堆疊緊貼GPU，頻寬極高，但容量有限且成本高昂。目前，大模型開始進入推理階段，進而需求發生了根本性變化——推理業務需要頻繁呼叫已訓練好的龐大模型，進而性能瓶頸從純粹頻寬轉變為頻寬與容量的雙重挑戰。HBM雖快但容量不足，同時傳統固態硬碟SSD雖容量大，但通過PCIe通道的訪問速度太慢，也無法滿足即時推理的低延遲要求（如SK海力士HBM3E可提供超1.2TBps 頻寬，但其頂級SSD僅可提供14GBps，相比HBM3E速率慢了近100倍）。也基於此，HBM和SSD之間，就缺少了一個既能提供接近HBM的高頻寬，又能提供遠超HBM的大容量，而且成本可控的中間儲存層級——這也成了制約AI推理業務進行規模化部署的巨大記憶體牆。自此，HBF正是為了填補這一未來產業必要的中間層而生：1）架構方案：它借鑑HBM的先進封裝理念，將多層NAND快閃記憶體晶片通過矽通孔TSV技術垂直堆疊，並與底層中介層相連，實現了遠超傳統SSD的平行資料通道和訪問速度。2）性能目標：在成本相近的情況下，可提供媲美HBM3的頻寬，同時將儲存容量提升至HBM的10倍以上。畢竟，HBF單個堆疊上的容量可達512GB（16層堆疊），也遠超HBM4的上限64GB（16層堆疊），進而預計HBF將在HBM6推廣階段實現廣泛的行業應用。這也就意味著，AI伺服器能以更經濟的成本，在GPU近端放置一個巨大的HBF倉庫，使得推理過程無需頻繁向遠端SSD取數，進而極大地提升了效率。簡而言之，HBF試圖在AI儲存體系中創造出一個全新的層級——它不是要取代HBM在訓練中的核心地位，而是瞄準了更具潛力的AI推理市場，以及未來需要更大記憶體池的複雜AI應用。02瞄準的是整個AI生態的未來長期以來，閃迪作為NAND快閃記憶體製造商，始終處於產業鏈的元件層。而當前由SK海力士、三星和美光主導的HBM市場，是AI訓練領域的核心戰場。也基於此，為了破局，閃迪決心開闢HBF這一未來趨勢——其本質還是利用自身在3D NAND堆疊（如超過332層的BiCS技術，暫時領先於三星）和晶圓鍵合CBA工藝上的深厚積累，製造出一種高容量，同時也可以快速訪問的NAND版HBM，從而與巨頭站上新的起跑線。自此，其戰略意圖很明確，主動創造一個介於百億美元HBM市場與近千億美元SSD市場之間的全新增量市場，而非在自己並不擅長的存量市場之中博弈。這也無非正是瞄準了AI推理場景的下一波需求——如長上下文對話、多輪互動，以及智能體Agent等持續運行皆會產生海量的工作資料集和鍵值快取（KV Cache）的應用場景。但這些資料也需要比SSD更快的訪問速度，而HBF正是瞄準這一未來需求而生。如今回望，閃迪選擇與SK海力士結盟，也是相當具有產業邏輯的一步。畢竟，SK海力士作為HBM市場的首席（2025年市佔率近60%），在TSV矽通孔、3D堆疊、高速介面，以及與輝達等AI晶片巨頭的協同設計上，擁有無與倫比的大規模量產經驗——這場合作也必將是優勢的完美互補，閃迪提供高密度NAND堆疊的核心製造工藝，SK海力士則提供其已被HBM驗證的稀缺先進封裝和高速互連解決方案。自此，這能極大加速HBF從概唸到產品的成功落地。對閃迪而言，此舉也是其切入全球主流AI算力生態的關鍵。數十年以來，一項新技術要成為產業標配，單打獨鬥幾乎不可能，最終皆離不開產業生態的支援。因此，獲得HBM首席的支援，就等於提前備好了進入頂級資料中心生態的資質，並且能有效應對接下來以三星為主的強大市場競爭。對SK海力士來說，這同樣是一次防禦性進攻。儘管目前統治HBM市場，但AI推理的廣闊前景必將催生新的儲存層級，HBF市場規模未來很可能超越HBM——通過與閃迪合作，SK海力士可以將其在高速儲存介面和封裝上的優勢提前延伸至NAND領域，進而共同定義下一代儲存標準，從而鞏固其在整個高端儲存的全球市場地位。也基於此，閃迪與SK海力士於2026年2月在全球開放計算項目的框架之下，成立了專項工作組，意圖也非常清晰，即，通過開源協作，拉攏晶片設計商、伺服器製造商和雲服務商共同制定標準。畢竟，也只有實現標準化，才能吸引整個生態參與，最終將HBF打造成像DDR或HBM那樣普及的基礎設施元件。閃迪也將借此前所未有的契機，被納入納斯達克100指數。整體來看，這場合作遠不止於技術融合。本質上，它是在為2030年前後即將爆發的AI推理儲存需求，進行一場前瞻性的基礎設施的戰略佈局。閃迪也很可能從元件供應商，晉陞為解決方案供應商，而SK海力士則意在將當前的領先優勢延續到下一個AI時代。03SK海力士的成功有何借鑑2025年，國際固態電路會議（ISSCC）上，閃迪與鎧俠聯合宣佈了第10代BiCS 3D NAND快閃記憶體，其堆疊層數達到332層，一舉超越了當時主要競爭對手如三星、SK海力士等普遍在300層徘徊的水平，刷新了行業紀錄——這是兩大儲存巨頭長達二十餘年的深度聯盟，以及一次關鍵的架構轉型，同時也是對儲存市場格局的再次洗牌。此次，閃迪的突破核心在於 CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到儲存陣列）技術路線的有效佈局。畢竟，單純的堆疊層數如同盲目蓋高樓，倘若無架構革新，性能與穩定性終將遇到行業天花板——傳統做法是在同一晶圓上同時製造儲存單元和外圍CMOS控制電路，兩者設計相互妥協，也限制了性能與工藝最佳化。相較之下，CBA方案是採用分而治之的策略，進而將CMOS控制電路與NAND儲存陣列分別在兩片獨立晶圓上製造，再通過先進混合鍵合工藝精準鍵合成三明治一般的結構。很巧的是，此架構與長江儲存的Xtacking技術，存在異曲同工之處。也基於此，這麼做的好處於儲存行業而言也是巨大的：1）性能飆升：控制電路可採用更先進邏輯工藝，儲存陣列專注堆疊密度。介面速度達4800MT/s（基於Toggle DDR 6.0-NAND快閃記憶體介面標準），比其第8代產品提升33%，足以滿足AI推理、即時分析等高頻寬任務需求。2）密度暴漲：得益於層數的增加和工藝最佳化，儲存密度達到了每平方毫米36.4Gb，比第八代提升了驚人的59%。這意味著在同樣大小的晶片裡，能塞進去的資料量大幅度增加，是降低單位儲存成本的根本。目前，三星也計畫在其第10代NAND中引入類似技術（三星已與長江儲存簽署了相關專利許可協議，計畫從第10代NAND開始，全面採用長江儲存的專利技術，特別是混合鍵合技術——該技術是長江儲存“晶棧Xtacking”的核心，可以有效解決高堆疊層數下的可靠性和性能問題）。也可以說，閃迪和鎧俠的332層晶片，不僅是工藝的勝利，也是此類快閃記憶體架構的勝利。畢竟，全球儲存市場由三星、SK海力士和美光主導的格局之下，閃迪和鎧俠的業務協同，常被視為儲存市場的二線聯盟。但也正是這種市場地位，迫使其形成了獨特而堅韌的生存模式——長達二十年的合資與聯合研發。自NAND快閃記憶體誕生以來，雙方通過合資工廠分攤巨額的製造投入，再通過聯合研發分擔技術的創新成本。這種深度繫結也讓其在資本與技術密集的行業之中，始終保有一席之地——建造和維護一座先進的NAND晶圓廠，動輒需要上百億美元的投資，研發332層這樣的尖端技術，更是燒錢的無底洞。自此，閃迪通過合資以相對較小的規模，撬動與巨頭抗衡的資本開支，進而共同營運四日市（Yokkaichi）和北上（Kitakami）生產基地。這也是全球數一數二的NAND快閃記憶體生產所在（北上的工廠專門為生產先進3D NAND而建，採用了革命性的CBA技術）。此次，這332層的快閃記憶體，正是閃迪和鎧俠聯盟的最新結晶，其量產時間也提前一年至2026下半年，就開始大規模生產這款332層的BiCS10快閃記憶體，甚至有部分客戶已經開始洽談2027-2028年的長期供應合同。這在此前周期中也是罕見的，也是明確的市場進攻訊號。如今回望，SK海力士的成功，是一個堅定押注技術路線，並深度影響行業HBM標準建立的成功。早在2023年，SK海力士在行業尚處觀望之時，就已經全力押注HBM，進而也最早實現HBM3的大規模量產，甚至一度成為輝達H系列AI晶片的獨家供應商。簡而言之，SK海力士本質上是通過堅定押注並持續最佳化MR-MUF技術路線（這項技術在散熱、良率和堆疊質量上表現出色，使其在HBM2E、HBM3時代獲得了領先的客戶驗證和市場份額），從而在HBM市場取得了壓倒性的客戶認可。這種市場和技術主導地位，使其SK海力士有能力顯著影響行業標準的走向。2025年，國際組織JEDEC發佈HBM4標準之時，將封裝高度從720微米放寬至775微米。這一調整被普遍認為有利於SK海力士沿用其成熟的MR-MUF技術，實現16層堆疊，而不必立即轉向其競爭對手（如三星）正在大力投資的混合鍵合技術——這是一場典型的技術領先（MR-MUF）、市場統治（HBM3獨家供應）、標準話語權（HBM4高度放寬）的商業勝利。也基於此，以史為鑑，閃迪能否真正崛起，將取決於三個關鍵變數：1）一是HBF能否走向行業主流標準，這是其價值暴漲的關鍵。畢竟，技術再好，沒有生態支援也只是空中樓閣。閃迪深知此道，因此在2025年就與SK海力士簽署了諒解備忘錄，共同制定HBF規範。2026年，雙方在開放框架下也聯合啟動了HBF規格標準化聯盟，目標就是將其打造成行業通用標準——拉攏HBM領域的SK海力士合作，無疑是為HBF的普及鋪就未來的道路。閃迪的目標是2026年下半年推出樣品，並在2027年初看到首批搭載HBF的AI推理裝置。2）二是能否在企業級市場，特別是AI資料中心，成為市場支柱。HBF是未來的增量，而企業級SSD是當下的基本盤。閃迪在這方面並非沒有籌碼，其背靠與鎧俠的合資產能，在全球NAND快閃記憶體供應合計30%以上市場份額。同時，鎧俠自身也在與輝達合作開發直連GPU的SSD，這也說明整個快閃記憶體陣營都在積極向AI計算核心靠攏。閃迪需要利用其技術優勢和產能保障，在AI資料中心這個高增長領域，擴大自己的市場份額，進而為HBF的未來商業化，提供現金流和市場基礎。3）三是駕馭獨立營運的能力。儲存行業的周期，波峰波谷十分劇烈。作為一家獨立的公司（從西部資料分拆後），閃迪需要在技術投入、產能規劃，以及財務健康之間做到智慧的平衡——在行業上行期佈局投資HBF等前沿技術，在下行期又能保持原有的戰略佈局，這將十分考驗其管理層的企業經營智慧。從更廣闊的產業視角來看，閃迪與SK海力士的合作，也揭示了一個明確的產業趨勢：AI儲存架構正在從單一性能競賽，轉向分層的生態必然——未來的AI伺服器將不再僅僅依賴HBM，而是形成“HBM + HBF + SSD”的混合儲存層次。在這種架構中，HBM負責最核心的即時計算，HBF負責近存的大容量，而傳統儲存SSD則負責冷資料歸檔。基於以上判斷，閃迪的核心戰略，並非取代海力士，而是定義並佔據這個全新的、不可或缺的生態位置。閃迪或許無法擁有HBM那樣的極致利潤，但如果HBF成功普及，閃迪也將實現真正崛起——三年之後，海力士鞏固了其在AI儲存全端解決方案的領導力，而閃迪則獲得了重返行業中心的絕佳機遇，進而共同描繪的是，一個由異構儲存驅動、更高效，也是必然的AI未來。 (新財富)

4月17日消息，據業內報導，因為龐大儲存晶片訂單湧入，中國國產儲存正以最快速度擴充產能！業內人士指出，某國產儲存為了保證產能，在今年建成一座新廠的基礎上，將再建兩座工廠。當這三座工廠全速生產時，其總產能將從目前的每月20萬片晶圓翻倍至40萬片晶圓。“可以說是史詩級擴產”。據悉，此次三期工廠採購的國產裝置，覆蓋了3D NAND垂直堆疊等核心生產環節。目前國內晶圓廠的國產裝置整體佔比僅15%至30%，三期工廠的落地，也將成為國產半導體裝置在規模化量產場景下的一次關鍵驗證，考驗國產裝置能否支撐3D NAND的規模化量產良率，目前這一目標的實現仍存在不確定性。後續兩座新廠的建設規劃，將直接取決於三期工廠的量產驗證結果。為推動半導體裝置國產化，相關部門已投入並將持續投入數百億資金，扶持本土技術追趕國際領先水平。除了NAND快閃記憶體的核心主業，此國產儲存商也在儲存品類上實現新突破。消息顯示，該公司已向客戶送樣低功耗DRAM產品，預計今年年底獲得客戶反饋。有市場分析機構指出，隨著產能的提升，預計2027年初的NAND快閃記憶體市場份額將突破14%，也就是說進一步貼近前三名，分別是三星的30.4%、SK海力士的16%、以及鎧俠（Kioxia）的15.9%。 (國芯網)

美伊以衝突導致卡達天然氣設施受損，其天然氣副產品氦氣供應出現了短缺訊號，導致市場擔憂這一關鍵材料將限制全球半導體的生產。然而，除了氦氣之外，市場忽略了另一個致命風險。溴是專業化學品供應商生產半導體級溴化氫氣體的原材料，韓國公司在所有動態隨機存取儲存器（DRAM）和NAND快閃記憶體晶片生產中，離不開這一關鍵氣體。目前，韓國記憶體巨頭三星和SK海力士合計佔到全球DRAM市場約70%的份額，是全球市場的關鍵供應方，但其97.5%的溴進口來自以色列。全球其他的溴供應商也無多餘產能可以替代以色列的空白，這讓以色列的供應至關重要。由於DRAM和NAND是所有現代計算裝置的基礎，溴供應中斷的影響將波及整個消費電子和工業電子產業鏈，甚至是國防行業。危險程度以色列跨國公司ICL集團是溴的核心生產商，其利用含溴量極高的死海完成生產，並做到了全球最低的成本。以色列與約旦合計佔到全球溴供應量的三分之二。但由於生產加工的便利性，ICL將溴提取和溴化氫氣體轉化綜合設施設定在死海附近的索多姆，距離伊朗過去三周襲擊的內蓋夫沙漠不到35公里，處於伊朗的導彈打擊範圍之內。另一方面，雖然以色列不走荷姆茲海峽運輸溴，而是從海法和阿什杜德等地中海港口經波斯灣出口，但這條路線同樣存在胡塞武裝控制紅海的風險。雖然目前伊朗並未對以色列的溴工業進行打擊，紅海航道也仍在正常進出，但以色列運輸行業已經看到成本上漲。船舶停靠以色列港口的戰爭風險保險費已從船舶價值的0.2%上漲至0.7%至1.0%，這意味著一艘中型貨船每次航行將增加高達50萬美元的成本。即使船舶的航線並非途經紅海而是地中海，只要船舶停靠以色列港口，這些保險費用就會立即生效。這將大大增加以色列出口貨物的成本，從而引發下游一系列產品漲價的連鎖反應。這對本已大幅漲價的記憶體行業來說無疑是雪上加霜。可怕後果成本的問題相比起來還只是小問題，由於溴化氫在先進技術中的不可替代性，一旦該材料陷入短缺，記憶體生產商將被迫調整產線目標，極大可能優先生產利潤率更高的人工智慧高頻寬記憶體，這將再次擠壓傳統記憶體的供應。而傳統記憶體是手機、個人電腦、筆記型電腦和資料儲存的核心配件。目前記憶體已經佔到中端智慧型手機材料成本的15%到20%，繼續漲價將對終端消費者產生巨大的打擊。與此同時，最壞情況下人工智慧資料中心也會受到影響。SK海力士是輝達Blackwell和Rubin兩代晶片的記憶體供應商，而輝達又是微軟、亞馬遜、Google和Meta等公司資料中的晶片供應商。韓國記憶體能否按時交貨將是美國人工智慧資料中心能否順利建設投產的關鍵變數，而其又取決於以色列ICL工廠會否被伊朗打擊這一不確定因素，這讓整個人工智慧行業的投資前景變得十分脆弱。這條供應鏈上的參與者或許可以通過遠期合約、增加庫存以及尋找其他地方的溴來提前預防，但上述措施均只能支撐幾個月的時間，完全消弭風險需要以色列在其他地區尋找新的溴生產基地，或者將其轉移出以色列，而這往往需要幾年的時間。更可怕的是，市場尚未充分意識到這種風險。 (財聯社)

紅色三倍速！據路透社獨家報導，長江存儲計畫在現有兩座工廠的基礎上，再新建三座現代化晶圓廠，旨在實現產能的成倍增長。知情人士透露，長江存儲位於武漢的第三工廠已完成主體建設，目前正在密集安裝裝置，預計將於今年年底前正式投產。屆時，該工廠的月產能將逐步爬坡至 50,000 片。而後續規劃中的兩座新工廠，將使長江存儲的總月產能在未來幾年內突破 50 萬片大關，徹底改變全球 NAND 快閃記憶體的市場格局。最令人振奮的是，長江存儲在自主化道路上邁出了堅實一步。消息稱，其第三工廠的裝置國產化率已突破 50%，包括用於晶片垂直堆疊的關鍵工具在內，大量採購了中微公司（AMEC）等本土領軍企業的裝置。自 2022 年被列入“實體清單”以來，長江存儲與國內供應商的協作深度已不可同日而語。在技術層面，分析師認為長江存儲最新的 Xtacking 4.0 架構已經足以與三星、SK 海力士等國際巨頭掰手腕。瑞銀（UBS）報告顯示，去年長江存儲在全球 NAND 快閃記憶體市場的份額已達 11.8%，與閃迪（Sandisk）平起平坐，並預計在 2027 年初突破 14%。不僅如此，長江存儲的野心正在從 NAND 快閃記憶體延伸至 DRAM 記憶體領域。新規劃的三座工廠均預留了 DRAM 產能。目前，長江存儲已向客戶傳送了低功耗記憶體（LPDDR）樣品，預計年底前將收到反饋。一旦通過驗證，國產儲存將迎來又一個“雙核驅動”的巨頭。如今世界儲存格局大變，原本數家原廠都去轉移產能生產 HBM 高頻寬記憶體，這就導致 OEM 廠、移動等等很多原本需求大量儲存的消費行業出現了供應真空。而這種市場情況，恰好為國產廠商提供了機會，巨大的供應缺口急需有實力的廠商填補。此前宏碁董事長陳俊聖直言不諱地表示：“如果中國企業開放產能，市場供需結構只需幾個月就能發生逆轉。” (AMP實驗室)

市場反彈之際，全球儲存晶片股成為先鋒。隔夜，美股儲存巨頭閃迪暴漲近12%，股價創下了歷史新高；今天，韓國SK海力士暴漲逾7%，首次站上110萬韓元關口。這股熱潮也順利傳導A股，儲存晶片類股出現多股漲停，有個股盤中創歷史新高。其中，半導體裝置ETF易方達(159558)今日上漲3.27%，近5日漲幅11.9%。01. 業績驗證持續火熱的儲存晶片漲價潮，在業績期得到了驗證。根據相關上市企業披露的資料，儲存分銷龍頭香農芯創預計2026年Q1歸母淨利潤11.4億至14.8億元，同比增長6714%至8747%，一個季度的盈利就達到2025年全年的兩倍還多，創下A股一季報預增紀錄新高；德明利預計Q1歸母淨利潤31.5億至36.5億元，由上年同期虧損6908.77萬元轉為巨額盈利，營收同比增長483%至523%；海外方面，三星電子Q1營業利潤同比大增755%至約57.2兆韓元，銷售額同比增68.1%，雙雙創歷史新高。SK海力士在投資者會議上表示，記憶體市場已轉向賣方市場，公司庫存僅約4周，難以滿足全部客戶需求。而且，這場漲價潮並沒有消退的跡象。據TrendForce集邦諮詢資料，進入Q2，儲存價格仍在上行，預計DRAM環比漲58%至63%，NAND Flash環比漲70%至75%。三星電子Q1將DRAM合約價上調100%後，Q2再度上漲30%，兩季度合計漲幅高達130%。同時，另外一條關於儲存晶片行業的重要新聞也刷屏了。閃迪已開始與材料、元件和裝置合作夥伴接洽，以建構HBF（高頻寬快閃記憶體）原型生產線的生態系統，計畫於2026年下半年推出原型產品，目標在2027年實現商業化量產，試點生產線預計下半年建成並在年底前後投入營運。作為AI算力的核心儲存（HBM），閃迪HBF的產線建設也是AI需求持續高位的證據。更重要的是，這場起於儲存領域的漲價潮，正在蔓延至全產業鏈。從上游儲存晶片、模擬晶片、功率器件，到中游晶圓代工、封測，再到下游雲端運算、資料中心和消費電子產品，數十家廠商密集發佈漲價通知，部分品類漲幅超過100%。儲存封測端也出現產能滿載跡象，力成、華東、南茂等儲存封測廠訂單湧進，產能利用率直逼滿載，近期陸續調升封測價格，漲幅上看三成。雲端運算方面，阿里雲、百度智能雲將於4月18日起同步上調AI算力及儲存產品價格，最高漲幅達34%。02. 傳導路徑儲存晶片持續漲價，對整個半導體類股的傳導路徑非常清晰：漲價潮→企業盈利改善→擴產意願增強→資本開支增加→裝置、原材料、零部件、配套等訂單增加其中，對於裝置類股的傳導邏輯，主要集中在資本開支增加和裝置訂單加速這個環節。外資報告也指出，中國儲存廠商正積極推動產能擴張，以DRAM為例，上海有新建HBM產線，合肥三期擴建工程也同期推進，武漢三期晶圓廠也計畫在2026年擴建，2026年儲存擴產總量預計超過12萬片。有研究機構更直白地指出，本輪行業上行的核心驅動力來自DRAM與HBM投資超預期及中國市場的持續擴產，AI基礎設施的裝置需求正在從高端邏輯晶片向儲存、先進封裝等環節持續傳導。就以閃迪HBF原型產線建設為例，HBM生產涉及TSV矽通孔和堆疊封裝，需要混合鍵合裝置、電鍍裝置、晶圓減薄裝置等先進封裝裝置的支撐，這些裝置成為延續晶片性能提升的關鍵。而SEMICON China 2026中，集中發佈的混合鍵合、TSV、Chiplet、HBM相關裝置與材料，成為支撐AI算力晶片先進封裝需求，幫助國內先進封裝產業與國際接軌的重要事件。目前，儲存正從傳統周期品演化為AI基礎設施中的核心戰略資源，HBM新產線的建設，正帶動相關半導體裝置的訂單增長。另外，不能忽略的一個重要邏輯，在於國產化。統計資料（口徑或有差異）顯示，中國大陸使用本土半導體製造裝置的佔比，已從2024年的25%提升至2025年的35%，這種趨勢正深刻影響國產半導體裝置企業的訂單增長。以DRAM裝置為，其在地化比率提升，將成為2026年中國本土裝置商的重要訂單動能來源，先進邏輯製程裝置市佔率有望於2027至2028年進一步提升。日系外資報告則全面上修中國半導體裝置市場需求，將2025至2027年中國SPE市場規模上修5%至14%，預估達540億至600億美元，主因是儲存與先進邏輯製程擴產需求強勁。二級市場上，半導體裝置ETF易方達(159558)近60日資金淨流入28.63億元，最新規模49.92億元，年初至今日均成交額2.8億元，場內交投活躍、流動性高。半導體裝置ETF易方達(159558)跟蹤中證半導體材料裝置主題指數，裝置權重佔比高達64.3%，材料佔比約22.5%，兩者合計86.8%，覆蓋光刻機、蝕刻機、薄膜沉積等關鍵裝置及矽片、光刻膠等核心材料，剔除低毛利環節，相比全產業鏈，彈性大。從過往表現看，半導體裝置ETF易方達(159558)標的指數近一年漲幅72.83%，跑贏滬深300指數及多數行業指數。半導體裝置ETF易方達聯接基金(A/C:021893/021894)為場外佈局半導體的投資者提供了便捷工具。03. 底層驅動2026年開年以來，半導體裝置類股持續走強，成為資本市場最受關注的賽道之一。這背後，是全球半導體裝置銷售額連續三年創新高，更是AI算力需求爆發、國產替代加速，以及半導體裝置在產業鏈中的獨特屬性驅動。先說需求。當前全球半導體裝置市場的景氣上行，根本驅動力只有一個—AI。現階段，AI算力需求正從模型訓練向推理應用遷移，推理場景對低延遲、高頻寬的要求更高，直接推高了高性能計算晶片和HBM儲存的需求。2026年HBM市場規模預計同比增長58%至546億美元，三星、SK海力士、美光三大原廠已將約70%新增產能傾斜至HBM，帶動刻蝕、薄膜沉積等前道裝置需求同步擴張。台積電2026年資本支出大幅上調至520億至560億美元，明確釋放了全球先進製程擴產的強烈訊號。AI產業的增長空間廣闊、周期長，是裝置需求最重要也最長期的壓艙石。再說，回到國內，疊加多了一層國產化需求。統計資料顯示，2025年國內半導體裝置企業整體訂單金額同比增長80%，部分頭部廠商的訂單排期已經延伸至2027年。其中，北方華創裝置訂單超150億元，排期至2027年；中微公司刻蝕裝置訂單超45億元，5nm裝置排期至2027年一季度；拓荊科技薄膜沉積裝置訂單超50億元，排期至2027年二季度。政策層面的支援力度也在持續。大基金三期正加速流向半導體裝置、材料等上游核心環節，註冊資本高達3440億元，規模遠超一期和二期總和。工信部發佈《半導體裝置產業發展指引》，對國產裝置進入晶圓廠產線的企業給予最高15%的採購補貼。如果說全球AI需求是β，那麼國產替代就是A股半導體裝置類股強α。最後說到，半導體裝置有著“賣鏟人”的獨特屬性。無論下游的晶片設計格局如何變化，無論那家晶圓廠的製程技術領先，要製造晶片，就必須採購刻蝕機、薄膜沉積裝置、清洗裝置、測試裝置，這是繞不開的剛需。更重要的是，隨著晶片製程微縮逼近物理極限，先進封裝成了延續晶片性能提升的關鍵。HBM需要TSV矽通孔和堆疊封裝，AI晶片需要2.5D/3D封裝，這進一步擴大了“賣鏟人”的市場空間。04. 結語儲存晶片業績爆發、全產業鏈漲價、HBM需求激增等訊號，驗證了半導體市場的景氣度，AI需求則為半導體市場注入了長期增長的邏輯。國產化率突破35%且仍在提升，頭部裝置廠商訂單排期延伸至2027年，則推動了半導體裝置行業的發展。投資者應持續跟蹤SEMI裝置銷售額、國產化率季度變化、晶圓廠資本開支公告以及頭部裝置企業訂單交付節奏等關鍵變數，並在當中尋找到合適的機會。 (格隆)

AI居然救活了一家馬桶公司？日本高端智能馬桶企業TOTO，因為AI在過去幾個月股價飆升，並不是因為馬桶賣得更好了，而是因為TOTO有一個隱藏業務：高純度陶瓷靜電吸盤，這是晶片製造時固定晶圓用的關鍵耗材，TOTO把精度做到了頭髮絲的1/80，純度業界第一。恰逢儲存晶片需求爆發、上游廠商瘋狂擴產，這一業務就成了絕對的剛需。這使得高盛等投行紛紛上調TOTO股價評級，原因很簡單：靜電吸盤的訂單已經排到了2027年。現在這塊業務佔了TOTO超過四成的營業利潤。當一家馬桶公司，都成為了AI概念股，可見目前的AI儲存賽道有多火爆了，三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）、閃迪（SanDisk），這些儲存行業的重要玩家股價瘋漲的背後，是全球儲存晶片，正在經歷四十年來最嚴重的供需失衡。這篇文章，我們就來梳理一下這輪儲存的“超級周期”，並與三星業內人士和華爾街投資人深度盤點一下：為什麼這一次的周期跟以前不一樣，儲存在AI產業為什麼如此重要，Google等AI巨頭正在如何破除對儲存的依賴，以及這樣的短缺周期還會持續多久、又如何影響你我呢？01. 漲幅超1800%“比黃金還貴”的HBM2026年1月底，韓國儲存雙雄三星電子和SK海力士同時公佈了上一年第四季度財報。數字有多誇張呢？兩家公司合計營業利潤接近40兆韓元，折合大概278億美元，相當於每天淨賺3億美元。在這樣創下歷史的利潤下，SK海力士的年終獎，人均達到64萬元人民幣，刷新公司歷史紀錄。把這一切推上巔峰的核心產品，是HBM（高頻寬記憶體）晶片。一塊指甲蓋大小的HBM，售價400到500美元，這比同等重量的黃金還貴。而全球能做這產品的，就三家：SK海力士佔大約6成，剩下的是三星和美光各2成。但HBM只是冰山一角，真正讓整個行業慌了的，是從高端到低端、從DRAM到NAND，全線告急。從2024年底到2025年12月，DDR5（16GB）的現貨均價，從4.6美元漲到了28美元，漲了500%多；更老的DDR4，從3.2美元飆到62美元以上，累計漲幅高達1800%；資料中心用的64GB伺服器記憶體模組，去年半年之內從255美元漲到了700美元，漲了將近175%。而SK海力士2026年的產能已經全部賣光了，三星2026年一季度直接把NAND快閃記憶體的供應價格上調了100%，直接翻倍。Candice Hu三星儲存產品行銷經理我們現在看到DRAM的spot price（現貨價格）已經超過了2016-2018年cloud（雲）那個時候最高的現貨價格了。我們現在的短缺的情況是2026年已經全部賣完，27年大機率也差不多賣完了。像我們SSD（固態硬碟）給非常核心的GPU provider（GPU廠商）的報價，就是非常誇張，一周內乘以2的價格。與此同時，出現了一個更有標誌性的訊號。閃迪（SanDisk）在2026年初的CES上，告訴華爾街：它正在跟客戶簽一種全新的長期供貨協議——LTA（long term agreement），而且這次客戶要打預付款，毀約不退錢。這在儲存行業幾十年的歷史上從未發生過。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人Long-term agreement（LTA，長期供貨協議）在歷史上不是沒有過，但過去這麼幾十年，LTA是從來沒有任何執行效力的。如果市場進入一個下行周期的時候，客戶說這東西我們就不認了，如果客戶不認的話，你拿他完全沒有辦法。而這一次，畫風變了。強勢的儲存供應方制定了新規則。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人SanDisk告訴華爾街或告訴市場說：我們現在跟客戶簽署的LTA和過去有很大不同。這東西有法律效力，而且客戶要給我們提前預付款，如果你提前預付了款，最後你要走人，如果不按這個價格付，你的預付款是拿不回來的。Rob的判斷是，如果閃迪都能做到這一點，那另外三大巨頭SK海力士、三星和美光，沒理由做不到。在這樣的情況下，整個超級周期很有可能持續到2027年。02. 產業鏈全景拆解儲存行業如何運作？對於儲存行業來說，我們可以用熱和冷來做劃分，當它離計算的關係越近，就越熱；越偏向純粹的儲存屬性，就越冷。所以最“熱”的就是DRAM（動態隨機存取儲存器），是離計算最近的儲存，可以理解為電腦和手機的“運行記憶體”，晶片在工作的時候，資料必須先載入到DRAM裡才能被處理。它的特點是速度極快，但斷電就丟資料，屬於“短期記憶”。其中，HBM（高頻寬記憶體）是DRAM的一種特殊進化形態。它把多層DRAM晶片，通過矽通孔（TSV）技術垂直堆疊在一起，再用先進封裝和GPU貼在同一塊基板上，這樣做的好處是極大增加了頻寬。這就是為什麼所有用於AI訓練的頂級晶片，無論是輝達的GPU還是Google的TPU，都離不開HBM，它是這輪超級周期裡最耀眼、最緊缺的產品。當然DRAM家族內部，其實品類很豐富。包括GDDR（顯示卡用）、Low-Power DDR（手機和筆記本用的LPDDR）等等，不同的應用場景，對應著不同的產品。不是說一顆DRAM晶片能通吃所有裝置，給輝達GPU用的HBM，和你手機裡的LPDDR，雖然都是DRAM，但製造工藝、封裝方式、性能指標完全不同。而在“冷”的這一端，就是NAND。如果DRAM是短期記憶，那NAND Flash就是長期記憶。它斷電不丟資料，是我們日常用的固態硬碟（SSD）、手機儲存、USB 隨身碟的核心。你在手機裡存的照片、電腦裡裝的遊戲，都躺在NAND上。NAND在AI時代的角色也在快速升級。以前它就是單純的“倉庫”，負責把資料長期存好，但現在NAND正在從後台的倉庫，變成前線的彈藥庫。再往“更冷”走，就是傳統的機械硬碟HDD，靠磁碟旋轉來讀寫資料，速度慢但便宜，容量大，現在主要用在資料中心的冷儲存和歸檔場景。隨著AI推理對儲存層級的需求越來越精細，現在越來越像一個分層倉儲系統。最急著用的資料放在HBM，像擺在手邊；常用但沒那麼急的資料放在DRAM，像放在辦公桌抽屜；更冷一些、只是備用的資料放在NAND/SSD，像放在辦公室儲物櫃；而真正長期積累、需要多人共享呼叫的大量資料，則放在後端的大型共享儲存裡，像公司的總檔案館。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人AI起來對熱的東西更有利，當然對於儲存也是需要的。我用AI做了很多圖片，製作了很多視訊，根據各國各地的法規，這東西不能刪，要留著，那對儲存的需求增量肯定起了很大的作用。但它的第一步最直接的體現，一定是跟計算相關的方面，誰跟計算的關係越近，誰在短期的收益越明顯。接下來我們盤點一下整個儲存產業鏈上的玩家們。最上游是材料和矽片，比如日本的SUMCO，它是全球最重要的半導體矽片供應商之一。製造環節裡，關鍵裝置廠商包括ASML這樣的光刻機龍頭，以及Tokyo Electron這類覆蓋塗膠顯影、沉積、刻蝕和清洗等多個環節的裝置公司。與此同時，在製造之前的晶片設計層，Cadence和Synopsys這類EDA、驗證和設計IP公司同樣不可或缺；而像Rambus這樣的介面IP廠商，則在HBM等高速記憶體架構裡扮演關鍵角色，它們看起來不如GPU那樣顯眼，但在這輪AI驅動的超級周期裡，都是超級剛需。中游就是儲存晶片的設計和製造。在DRAM領域，三星、SK海力士、美光，這三家公司加在一起就佔據了全球95%的市場份額。而在NAND領域，除了這三家之外，還有鎧俠（Kioxia）、西部資料、閃迪。然後是在這輪周期裡變得格外關鍵的環節——先進封裝。因為HBM不是單純把DRAM造出來就結束了，它要先把多層DRAM裸片（die）堆疊，再通過2.5D封裝與GPU或其他AI加速器整合在一起。也正因為如此，CoWoS這種半導體封裝技術一度成為AI晶片供應鏈最關鍵的瓶頸之一，直接限制了HBM的實際出貨，而CoWoS產能主要由台積電提供。下游就是各種終端應用了。包括資料中心和雲廠商，微軟、Google、亞馬遜、字節跳動，是現在最大的金主，之後是手機廠（蘋果、三星、小米、OPPO）、PC廠（聯想、戴爾、惠普）、汽車廠（特斯拉、理想、蔚來），以及遊戲主機、工業裝置等等。所以你能看到，雖然整條鏈非常長，但真正的定價權，高度集中在中游那三家：三星、SK海力士、美光。它們決定了做什麼產品、給誰供貨、以什麼價格賣。而在當下這個供給遠小於需求的市場裡，它們擁有的議價權是前所未有的。03. 為何總是暴漲暴跌儲存行業的天然周期宿命儲存行業還有一個非常大的特點，就是周期性。從歷史來看，它總是在“大漲”和“大崩”之間反覆橫跳。這背後有兩層原因，一層是物理學，一層是經濟學。先說物理學。DRAM，就是手機電腦裡的“運行記憶體”，靠儲存電荷來保存資料。幾十年來，工程師一直在把儲存單位做小、做多，來提高密度。巔峰時期，DRAM密度每十年能翻100倍。但如今不行了，SemiAnalysis的報告指出，過去十年DRAM密度總共才翻了大約2倍，而以前是每十年100倍，縮放已經嚴重放緩了。這意味著儲存晶片的成本下降，不再像以前那樣靠技術進步“自動”實現，而是更多取決於產能的增減和供需的博弈。再來說說經濟學。儲存晶片製造是全球資本密度最高的產業之一，建一座先進晶圓廠，動輒幾十億上百億美元，建設周期兩三年。這些錢投進去就是沉沒成本，所以即便需求不好，廠商也傾向於繼續生產，因為不開工反而更虧。更要命的是，儲存行業的模式是“先建後賣”，跟台積電“先接單後擴產”的邏輯完全不同，儲存廠商得自己猜未來需求有多大，提前兩三年布產能。猜對了皆大歡喜，猜錯了就是災難。這種結構性矛盾，造就了儲存行業反覆上演的經典循環：需求爆發→供不應求→價格飆漲→利潤暴增→激進擴產→供過於求→價格崩盤→行業大洗牌。過去三十年，這個循環平均每3到4年上演一次，從未例外。結果就是，全球DRAM供應商從1990年代的20多家，淘汰到今天只剩三家巨頭和中國長鑫這樣的追趕者。每一輪都有人被淘汰出局，比如德國奇夢達破產，日本爾必達退出。這些血淋淋的教訓，讓整個行業對“周期”二字充滿敬畏。在儲存行業過去幾十年的歷史上，曾經出現過四次周期。第一次是1993年，Windows PC黎明期。圖形介面普及讓記憶體需求暴增，供給端產能嚴重不足，價格飆漲。結果全球一口氣新建了約50座新廠，產能過剩後價格暴跌，大批玩家出局。第二次是2010年，智慧型手機加雲端運算時代。iPhone和Android帶來爆發式增長，伺服器DRAM從個位數GB跳到數十GB。但標準化加速了商品化，供應商很難做出差異，結果這輪周期比預期更短。第三次是2017到2018年。雲廠商升級資料中心，單台伺服器塞進更多DRAM，而伺服器記憶體又比消費級更貴更賺錢，三大廠商毛利率衝到歷史高位。但高利潤刺激擴產，需求一過峰值，2018年末行業重新滑入下行。第四次是2020到2021年，疫情驅動的意外繁榮。居家辦公、雲用量暴增，但恐慌性雙重下單製造了虛假需求，退潮後庫存嚴重積壓，接著就是2022到2023年的痛苦大跌。從那時起產能被大幅削減，但正是這段保守期為現在的短缺埋下伏筆。進入2025年，全行業產能再次嚴重不足。所以歷史給我們的核心教訓是什麼？是過去所謂的超級周期，從來沒有持續超過兩年，都是“高利潤→瘋狂擴產→過剩→崩盤”，這是過去四十年的鐵律。經歷了這麼多輪循環，投資者和從業者，都有一種根深蒂固的條件反射：漲得越猛，崩得越快。但這一次，越來越多的證據在暗示，歷史模式可能要被打破了。04. 這次為什麼不同從訓練到推理的需求質變4.1 先從一個最樸素的直覺講起在講複雜的供需模型之前，我們先建立一個最簡單的邏輯。你每天打開ChatGPT或者Gemini，上傳檔案、存對話、讓AI記住你的偏好，你可能沒意識到，每一次互動都在消耗儲存資源。不僅是伺服器端的計算，更是海量的記憶體和快閃記憶體。現在大部分AI使用者是沒有忠誠度的，誰的模型好用、誰便宜就用誰。但想像一下，如果有一天你的AI助手真的“懂你”了，記得你的工作習慣、表達偏好、三個月前討論過的項目細節，你還會輕易換平台嗎？這種“記憶粘性”，是大模型公司建構護城河的核心武器，而支撐這種粘性的硬體基礎設施，就是儲存，海量的、多層級的儲存。還有另一個同樣直覺的邏輯：視訊模型越來越強了，AI生成視訊正在逼近實用化。而視訊資料量是文字的幾十甚至上百倍，這對儲存的需求將是指數級的躍升。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人記憶體就像一塊小黑板，以前我們計算的是1+1=2，所以你不需要一塊巨大的黑板，一塊正常的黑板就夠了。只是來到了AI時代，現在計算的強度會很高，也很複雜，有很多步。如果我是一塊小黑板，你每寫一次、擦掉一次，又寫一次、又再擦掉一次，有100步的計算的話，你需要擦100次，就會耗費你的時間。所以我們現在需要造一塊巨大無比的黑板，我可以一口氣把算數的100個步驟全部寫完，再一口氣擦掉，這樣可以省我的時間。所以，一塊越來越大的黑板，這就是AI時代對儲存的需求。4.2 從訓練到推理：儲存需求發生了質變在生成式AI的早期階段，算力和錢都砸在了模型訓練上，訓練階段儲存系統干的活兒，主要是向上千個GPU高效喂資料，以及定期做模型檢查點，防止訓練中斷功虧一簣。但如今，推理正在迅速成為主戰場，而推理對儲存的需求模式，比訓練複雜得多。它需要把模型從儲存層載入到記憶體層：活躍權重主要駐留在HBM，部分狀態和快取則留在DRAM；當KV Cache（鍵值快取）在高層記憶體中裝不下時，一部分會被解除安裝到SSD/NAND上，需要時再取回；而RAG查詢依賴的外部知識，通常存放在更後端的共享儲存或資料湖中，由檢索系統即時調取。而更大的變數是AI Agent的崛起。摩根士丹利在最新研報中指出，2026年將是AI從實驗走向核心基礎設施的一年，這些智能體更可靠、更有記憶力、幻覺更少，還能持續學習。這份研報中寫到說：“推理正在成為一種記憶體挑戰，而不僅僅是計算挑戰”。但智能體要運轉起來，就需要維護多層記憶：短期工作記憶（當前對話）、長期記憶（跨會話的使用者歷史）、預訓練知識庫、工具呼叫記錄……而每一層都需要不同層級的儲存支撐：從HBM裡的“熱資料”，到DRAM裡的“溫資料”，再到NAND SSD裡的“冷資料”。所以趨勢很明顯：AI的下一波進步，不是來自更強的推理能力，而是來自更好的上下文處理。一個能記住一切的AI助手，比一個更大但什麼都記不住的模型有用得多。對於儲存來說，這意味著什麼呢？4.3 算筆帳：AI到底要吃掉多少儲存？摩根士丹利做了一個非常詳細的分層測算。他們以一個類似ChatGPT規模的模型為基準，假設大約8億周活躍使用者、峰值每秒30萬請求、每次請求2000個輸入token，並且假設只算文字，圖片和視訊不計入。按這個要求詳細拆分結果，這樣的系統大致對應HBM 226PB、DRAM 4.6EB、NAND/SSD約47EB、資料湖約294EB的需求。這組數字意味著，如果全球有三個這種規模的模型，比如ChatGPT+Gemini+Claude，僅僅是純文字推理的需求，就會佔到2026年全球HBM供給的17%、DRAM的35%、NAND的92%。而這還沒有把圖片、視訊等多模態需求算進去。更重要的是，這套測算對上下文長度非常敏感。摩根士丹利的敏感性分析顯示，如果把輸入從每次2000 token，提高到5000 token，在其他條件不變時，每個模型的DRAM需求會再增加約2EB，Rack SSD/NAND再增加約3EB。也就是說，隨著更長上下文和更長思考鏈成為常態，這對儲存的壓力會迅速放大。SemiAnalysis管這叫“記憶體帕金森定律”：HBM容量每提升一次，開發者就會立刻建構更大的模型來把它填滿。以前用來壓縮模型的各種技巧，一有新空間就被放鬆，直到再次撞牆，這就意味著：儲存永遠是下一個瓶頸。這也是為什麼業內有聲音會認為，儲存晶片廠商，可能集體低估了大語言模型token激增所帶來的需求。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人以前的周期可能也就一年半到兩年時間，這次周期有可能會持續一個很長的一個時間，或者說當一個周期性的行業，變成一個結構性增長的行業，它就不再是個周期了。而這個周期的另外一個決定性因素，就是產能上的供應擴張，問題是，為什麼擴產會這麼挑戰呢？05. 越擴產越短缺HBM-DRAM困境與博弈理解這輪超級周期，還有一個核心密碼在於搞懂一個看上去很矛盾的現象：HBM的大規模擴產，不但沒緩解DRAM的短缺，反而讓它更嚴重了。SemiAnalysis的追蹤資料顯示，2023年底，三大儲存廠商分配給HBM的晶圓產能大約12.3萬片/月。到2025年底漲到了33.1萬片/月，兩年擴了將近3倍。預計到2027年底還會進一步到66.8萬片/月，四年翻5倍。擴得這麼猛，為什麼DRAM還是緊缺？關鍵在於，做HBM要消耗大量普通DRAM的產能，而且效率極低。HBM是一種極其消耗晶圓的架構。一片用於HBM3E 12層堆疊的晶圓，位產出（也就是能生產出來的儲存容量）只有普通DRAM晶圓的大約三分之一，到了HBM4，這個比例可能進一步惡化到四分之一。Candice Hu三星儲存產品行銷經理相比較於傳統的DRAM，生產HBM，我們同一片Wafer（晶圓）的產量只能達到普通的DRAM的1/3。這意味著，廠商每多生產1GB的HBM，市場就失去了生產3-4GB普通DRAM的機會。為什麼效率這麼低？因為HBM的製造複雜度遠超普通DRAM，比如TSV（矽通孔）、晶圓減薄、背部加工，這些步驟都會引入額外的良率損耗。在做8層或12層堆疊時，只要有一顆die（裸片）是壞的，整個stack（堆）可能就報廢了。所有這些問題加起來，使得HBM成了一種“反向縮放”的產品，越做它，對產能的消耗越大。這也就帶來了“HBM-DRAM困境”，在業內被稱為“產能排擠效應”。因為HBM的利潤更高，且被AI巨頭預定，廠商會優先把有限的晶圓塞進HBM產線。這導致普通手機和電腦用的傳統DRAM產能，被嚴重壓縮，從而引發了價格的報復性飆漲。來自J.P.Morgan研報中的供需模型也得出了類似結論：DRAM的供給增長，在未來兩年將被壓制在20%以下，跟不上需求增長。於是，又出現了一個令人匪夷所思的現象：雖然普通DRAM工藝比HBM簡單，但由於產能受限、價格飛漲，它的利潤率到2025年四季度，竟然已經追平甚至超過了HBM。因為HBM大多是長期合同鎖了價，而普通DRAM的現貨價格，能迅速反映供需緊張。這就給廠商出了個難題：到底是繼續猛擴HBM，還是把一部分產能，留給同樣暴利的普通DRAM？06. 擴產三座大山潔淨室緊缺、裝置商保守與製程摩擦需求端已經夠瘋狂了，而供給端的約束更加讓人窒息。第一個瓶頸：潔淨室等生產資源不夠。生產晶片需要潔淨室，但在疫情後由於進入周期低谷，儲存廠商集體保守，投資縮水，這使得2025和2026年潔淨室嚴重不足。Candice Hu三星儲存產品行銷經理因為晶片生產對環境的要求實在太高了，反而clean room（潔淨室）夠不夠倒是我們比較擔心的，還有就是電力夠不夠。因為我們可能會晶片做得夠多，可是沒有足夠的power（電力）去讓他們工作。SemiAnalysis的追蹤顯示，2026年全行業幾乎所有新增晶圓產能，就集中在三座工廠：三星的P4、SK海力士的M15X、美光的A3。而且M15X和A3主要是給HBM用的，對普通DRAM貢獻很有限。真正有意義的新產能呢？SK海力士的龍仁（Yongin）工廠，最早2027年2月才能上線；美光的愛達荷（Idaho）工廠瞄準2027年年中。也就是說，未來一年多，供給端基本沒有增量。第二個瓶頸：上游裝置商不肯擴產。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人很多裝置商，比如說日本的很多供應商，有一家很大的叫Tokyo Electron，它自己不願意擴產，很保守。因為過去幾十年，它走過了很多個周期，目前擴產能也需要幾年，等到擴產能出來，說不定那個時候AI周期就爆掉了。所以它寧可不擴，就不求掙500塊錢了，就掙100塊錢，小日子過得也很好。圖片來源：TEL這就是一個典型的“木桶效應”，就算儲存廠商有錢有決心擴產，上游裝置的供貨瓶頸，也會大幅拖慢產能上線的速度。第三個瓶頸：先進節點遷移自身的摩擦。為了在晶圓產能有限的情況下儘量多產出記憶體位，三大廠商都在加速向1b（目前最尖端的量產節點）和1c（即將進入大規模量產的下一代節點）先進節點遷移，因為製程越先進，意味著電路刻蝕得越細，在同樣大小的一片晶圓上，1c節點能切出的儲存顆粒數量比1b更多。但這個產線的遷移過程，就必須把機器停下來，進行長達數周甚至數月的重新偵錯和安裝，本身也會導致幾個季度的良率波動和產能損失。在2026年這個AI需求爆發的節骨眼上，就有點遠水解不了近渴。Candice Hu三星儲存產品行銷經理從開始決定增加產能到建立起來一個Fab（半導體製造廠），然後再到back-end（後端）能夠做出來DRAM晶片或者是NAND晶片，它需要三年的時間。在這個時候又出現了HBM這種難做的晶片，就像我剛提到的HBM跟conventional（傳統的）DRAM相比的話，它是1/3的產能。那我本來要等兩到三年，產能才能增加，現在又只能砍掉1/3的output（輸出），所以它的供需在這個cycle（周期）之下是還比較緊張的。潔淨室等生產資源不夠、裝置商不擴產、先進節點遷移自身的摩擦——這三個瓶頸疊在一起，就是為什麼即使所有人都知道儲存晶片在瘋漲，供給端依然束手無策。07. 產業鏈利潤重分配誰在盛宴，誰在寒冬儲存晶片價格的瘋漲，當然不是沒有代價，它正在重新分配整個電子產業鏈的利潤。先說這條利潤鏈上的大贏家，除了韓國雙雄的天文數字利潤，中國國內的儲存廠商也跟著起飛了，佰維儲存預計2025年利潤同比增長427%到520%，德明利預計增長85%到128%。至於行業利潤率，野村的口徑是2026財年，通用DRAM原廠利潤率，有望回升至上一輪周期的峰值70%。而J.P.Morgan更激進，它的說法是到2027年，營業利潤率可能超過80%，甚至要高於上一輪的峰值。而這條產業鏈上的輸家，就是硬體廠商了。摩根士丹利測算過，儲存晶片價格每漲10%，硬體OEM的毛利率就要下降45到150個基點。手機市場最先遭殃，小米、OPPO出貨預測下調超過20%，vivo下調近15%。TrendForce直接把2026年全球智慧型手機生產總數預測，砍到了同比下降10%。魅族宣佈取消魅族22Air的上市計畫，因為成本扛不住了。Nothing的CEO裴宇在社交媒體上感嘆：小公司不得不尋找其他出路。PC市場同樣慘烈，聯想部分機型上調了500到1500元，戴爾和惠普也已明確預告提價，漲幅主要由儲存成本轉嫁而來。戴爾COO克拉克直言“從沒見過成本上漲得如此之快”，惠普CEO甚至在考慮“減少產品中的記憶體使用量”。汽車行業也沒能倖免，理想汽車供應鏈副總裁公開警告，2026年車規儲存滿足率可能不到50%。蔚來李斌說“今年最大的成本壓力是記憶體”。雷軍在直播中坦言“光車用記憶體一項，成本就要增加幾千塊”。Candice Hu三星儲存產品行銷經理PC和手機這些廠商現在在我們這裡，那怕名字再響，它都沒有那麼大的pricing influence（議價權），它們現在不是那麼吃香，因為對我們來說，它們的margin（利潤）就是比雲廠商的低。比如說某一個國產車企，我們最近聽說它因為記憶體不夠，所以它可能就把後排的車載的entertainment system（娛樂系統）給閹割掉。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人手機和PC今年肯定至少會要跌5個點，有可能會更多，但沒人會在乎這個事情。因為它們三個人（巨頭），尤其是美光，它說我現在不做這個事情了，這個市場變成0都無所謂。而在需求的另一端，雲廠商們（微軟、Google、亞馬遜AWS）表現出驚人的價格不敏感。Candice Hu三星儲存產品行銷經理現在雲廠商它們的marginal cost off（邊際成本）、它們的software（軟體）是0。它們的錢和敘事，都跟股價有關係，所以它們是極其的price insensitive（價格不敏感），就是它們不是很在意到底這個記憶體多少錢。對於雲廠商們來說，即使手機和PC市場歸零，儲存廠商都覺得無所謂，因為AI資料中心的前景太誘人了。所以最後的問題是，這場超級周期到底還能持續多久？這次是不是真的不一樣？08. 2026年接下來會怎樣？如今，整個儲存產業鏈的競爭格局依然穩固。HBM目前大概是“6:2:2”的格局，SK海力士佔大頭，三星和美光各佔自己的地盤。當然也有投資人認為，在當下這個供遠小於求的賣方市場裡，爭論誰份額大其實沒什麼意義。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人因為它們三個巨頭產能都受限，誰的市場份額更多，無非在於誰能把產能擴出來，誰就可以賣動，誰有多的供應，誰就可以吃市場份額。但這個事情和誰的技術更好關係不大，因為目前是一個供給遠遠小於需求的市場。所以在這個時候討論市場份額，比如海力士的市場份額是一半，比其他兩家都大，是沒有任何意義的，因為它們三家都擴不出產能。所以現實就是，儲存三巨頭都已經賣光了，誰能多擠出一點產能，誰就多吃一口肉。不過有意思的是，儲存大廠們卻可能不追求“壟斷”。Candice Hu三星儲存產品行銷經理我覺得沒有一個儲存玩家想壟斷，三星害怕壟斷，我們的客戶也不希望我們壟斷。你一旦有短缺，像現在客戶給到任何一個memory supplier（供應商）100%的market share（市場份額），對於儲存玩家來講都是非常大的壓力。所以打破壟斷，反而是我們儲存玩家比較願意看到的事情。大家通常覺得壟斷等於高溢價，但在儲存這種周期波動極大的行業裡，100%的市場份額意味著100%的需求風險，客戶一砍單就非常的被動，所以儲存廠商反而希望保持三家競爭的平衡態。那麼，這輪周期到底能持續多久呢？Candice Hu三星儲存產品行銷經理2026年就是100%賣完，然後供給和需求中間的差值有到30%，甚至50%。2027年一樣是在短缺，可能到2028年才會有真正的好轉，所以這是一個接下來兩到三年的短缺的情況。同時，需求端完全看不到放緩的跡象。接下來，AI推理和agent的爆發，以及之後的機器人和物理AI需求，也將進一步讓儲存的吞吐量和容量需求出現指數級跳躍。SemiAnalysis認為，2026年總DRAM供給仍將比需求低約7%。在HBM這條線上，供需缺口到2027年還會繼續擴大。至於新增供給，真正有意義的產能更可能要到2027年下半年才陸續出現。如果按野村證券的口徑，真正體現在產量上的增量，甚至要等到2028年。但更值得關注的，是一個更大的問題：這個行業會不會從此告別周期？從華爾街視角，Rob在採訪中給了一個很有深度的思考角度：Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人這次周期有可能會持續一個很長的一個時間，或者說它把一個周期性的行業變成一個結構性增長的行業，它就不再是個周期了。如果說現在行業出現一個很大的一個變化，它從一個周期性的行業變成一個非周期性行業，變成一個結構性很穩定增長行業的話，那整個市場可能對這個行業的看法就會有一個質的改變。周期行業我們給你一個10倍市盈率都算很高了，但如果變成結構性增長行業，且持續很多年的話，那它們的市盈率都可以再翻倍了。那在現在這場超級周期裡，我們到底處在什麼位置呢？以下這幅圖的橫軸是以過去五個周期、每輪周期的谷底為零點的時間線，豎軸是市場交易的漲幅。可以看到，每輪周期都會經歷四個階段：悲觀、懷疑、樂觀、狂熱，然後再回到悲觀。當前這輪紅線走勢，我們已經到了“樂觀”的這個區間，並且漲幅遠大於以往的任何一個周期。這就對應了剛剛Rob說的，這種思考方式的轉變，萬一AI真的打破了這種周期呢？這也意味著那怕利潤不增長，光是估值從“周期股”重新定價為“成長股”，就能讓股價翻一倍。就像沒有人會說蘋果賣手機，在過去20年是個周期性行業。如果儲存也能走到這一步，這將是整個半導體投資框架的一次範式轉換。不過，儲存行業的需求也是會有不確定性的，需求側的變數不只來自宏觀層面，技術本身也可能改寫供需關係。比如說，3月底，Google發佈了一個新演算法TurboQuant，號稱是一個高效AI記憶體壓縮演算法。發佈之後是直接轟動了矽谷科技圈，更是引發儲存類股的全線暴跌。但很快，業內有聲音反駁說：這次暴跌是一場烏龍。首先這篇論文發表於一年前，且本身存在一些學術上的爭議。並且這個演算法目前只在Gemma、Mistral等小模型上驗證過，70B以上模型、MoE架構、百萬級token上下文，這些AI記憶體需求真正爆炸的場景，都沒有。還有技術人士出來說，在技術上，TurboQuant壓縮的只是推理時GPU視訊記憶體裡的KV Cache，是AI記憶體需求三大來源之一，但訓練環節完全不受影響。反正，這篇論文和演算法是被各種炮轟。但這就有意思了：這一篇存在爭議的舊論文成果，就能引發資本市場如此劇烈的崩盤，是不是本身就能說明一些問題。是不是這意味著：市場對儲存類股的信心，已經高到了極度脆弱的程度。要知道，在這波暴跌之前，閃迪2026年以來已經暴漲了200%，美光也漲了超過80%。有空頭機構直接指出，閃迪以920億美元的市值、對應2026年僅60億美元的預期淨利潤，估值很難站住腳。美光同樣面臨質疑：儘管創下了歷史最佳業績，但2026財年200億美元的資本開支同比增長68%，這就是在豪賭記憶體需求會持續增長。說到底，TurboQuant論文只是一根導火線，真正的火藥桶是過去兩年積累的極端估值，任何一個“需求可能沒那麼多”的訊號，都足以觸發踩踏。這類演算法層面的進步，恰恰是“超級周期”敘事中，最難被提前定價的風險，Rob也很清醒地給出了終極風險提示。Rob Li紐約Amont Partners管理合夥人對儲存行業的擔憂會一直存在，直到最後發現這東西變成一個穩定上升的“蘋果式”的業務。第一個擔心是AI爆掉，那大家都會死，因為現在主要的增量來自於AI，如果有一天AI不行了，大家發現AI沒有什麼用，那你講的一切的未來都是空話，都會變成0。所以，當前對“超級周期”的樂觀預判，都建立在一個前提上：AI的需求是真實的、可持續的。如果有一天AI出現泡沫破裂，儲存行業很難獨善其身。這個達摩克利斯之劍會一直懸在那裡，直到行業真正證明自己成為了一個“蘋果式”的穩定增長業務。SemiAnalysis將這輪周期定義為“四十年一遇的短缺”。但更有價值的方向或許是：儲存晶片行業正站在一個分岔路口，它要麼像過去四十年一樣，在價格峰值後滑入又一輪低谷；要麼，在AI的結構性需求驅動下，真正打破周期宿命，成為一個持續增長的產業。至少在2026年，答案似乎正在傾向於後者。三大儲存廠商的產能全部售罄，上游裝置商的訂單排到了2027年，客戶開始交預付款簽有法律約束力的長期合同，甚至連一家做馬桶的日本公司，都因此改變了命運。但歷史從不缺少對“這次不一樣”的嘲諷。唯一確定的是：無論這次能不能打破周期，它已經不可逆轉地重塑了全球科技產業的權力版圖。在這場對儲存晶片的飢餓遊戲中，誰掌握了供給，誰就掌握了AI時代的話語權。 (硅谷101)