中國國家發改委價格監測中心：《儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導》

2月28日，國家發改委價格監測中心發文《儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導》

2025 年 9 月至今，受 AI 需求爆發、儲存巨頭減產保價、產能緊缺及下游囤貨推動，DRAM、NAND 價格暴漲並創歷史新高。漲價已傳導至電腦、手機等終端，年內漲勢或延續，將帶動電子製造 PPI 走穩、通訊工具 CPI 回升，需持續關注下游價格影響。

全文如下：

標題：儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導

2025年9月至今，受需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺等因素影響，全球儲存器市場缺口擴大，儲存晶片價格持續上漲，近1個月多以來，漲幅呈現擴大態勢，建議關注儲存晶片對下游價格的影響。

一、近期儲存晶片價格大幅快速上漲

調研反映，截至今年1月，儲存晶片兩大主要產品DRAM和NAND快閃記憶體價格均創2016年有資料以來最高。以主流型號為例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合約平均價格為11.5美元，比上月上漲約24%，比2025年9月上漲約83%；NAND快閃記憶體（128Gb 16G*8 MLC）合約平均價格為9.5美元，比上月上漲約65%，比2025年9月上漲近1.5倍。

從上漲原因來看，儲存晶片價格上漲主要受到需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺以及下游“恐慌性”囤貨等因素影響。一是AI算力增長帶動高端儲存需求增加。集邦諮詢預計，2026年全球AI伺服器出貨量同比增長超28%，加上單台AI伺服器的記憶體需求達到傳統伺服器的8倍左右，AI伺服器、資料中心對高頻寬、大容量儲存晶片的需求將呈“爆發式”增長。同時，2025年四季度以來，智慧型手機等電子產品新款集中上市，對消費級儲存需求有所支撐。二是儲存巨頭生產策略疊加產能周期的剛性約束，加劇市場供應緊張。三星、SK海力士、美光三大廠商壟斷了全球90%以上的DRAM產能，頭部廠商採取“減產保價”“棄低追高”策略，將80%以上先進產能轉向高毛利率的高頻寬記憶體，減少成熟製程的產能比重，導致消費級儲存晶片供應緊缺。同時，儲存晶片擴產周期長，晶圓廠建設需1.5~2年，新增產能短期內難以釋放。三是矽片、六氟化鎢、金屬等原材料價格上漲從成本端提供一定支撐。2025年，12英吋矽片、六氟化鎢、銀、銅等晶片製造原材料價格不同幅度上漲。此外，隨著市場看漲情緒升溫，消費電子、AI伺服器廠商、智能汽車等下游領域的恐慌囤貨也對近期價格走高起到推波助瀾作用。

二、儲存晶片價格上漲將向下游傳導

當前，儲存晶片正處於上漲周期。年內來看，在AI伺服器算力需求持續增長的帶動下，全球儲存晶片市場供不應求局面仍將持續，儲存晶片價格將延續上漲態勢。儲存晶片價格上漲正逐步傳導至消費電子終端產品。隨著AI應用滲透率提升，消費者對高端化、智能化的消費電子產品的偏好增強，消費升級趨勢明顯，對記憶體性能的要求更高。廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限，上調終端價格將成為普遍趨勢。目前聯想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發佈調價函，漲幅普遍在500~1500元之間，小米、vivo等國產新發售機型相同儲存配置版本價格較上一代上漲300~500元。

受儲存晶片價格上漲及對下游的傳導影響，PPI方面，電腦、通訊及其他電子裝置製造業分項價格有望止跌走穩，對PPI的拖累作用有所減弱。CPI方面，疊加提振消費政策效果持續顯現，通訊工具分項價格將繼續回升。 (芯榜)