中國半導體多位領軍人聯合發文：中國晶片已進入14nm自主攻關時期，依靠14nm自主產業鏈繼續向7nm發起衝擊

2026/03/24

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據中國半導體產業多位領軍人在《科技導報》發佈的專題報告指出，中國已經在衛星、國家安全、軍事網路等戰略體系下所應用的晶片做到了100%自主可控，為國家安全建構出一道堅實的城牆。

下面要面臨的挑戰，則是在具有Fin FET電晶體結構的14nm工藝節點實現自主製造，緊接著便是依靠自主可控的14nm產業鏈，向7nm、5nm等先進節點發起技術攻堅。

晶片產業的體系構成分為最上游設計步驟的EDA工具，緊接著是製造裝置、材料、工廠、製程技術、封測等硬體製造環節，最後則是將晶片搭載到終端載體上面，然後將其與作業系統進行匹配後投入市場進行銷售。

在整個環節當中，每一個步驟都需要專門的軟硬體工具進行製造。缺少了任意一個技術裝置，整個產業鏈便會被切斷，無法正常交付產品。

此前美國對中國晶片產業所實施的制裁限制，就是依靠中國企業在製造環節的薄弱點進行痛擊。

先禁止其他企業給相關品牌代工晶片，然後封鎖外來的製造裝置，最後則是通過施加額外關稅、拉攏國際巨頭在美國本土發展等方法，讓中國晶片在國際市場上失去競爭力，進而將中美晶片技術的差距進一步拉大。

這種在產業鏈上面的制裁，讓中國晶片產業出現了不同程度的技術斷層。雖然中國企業在先進晶片上出現了幾年的停滯，但是卻加速了自主技術的快速發展。

先來看最上游的EDA工具領域，中國早在1993年便開發出了自主智慧財產權的貓熊EDA工具，隨後從2002年起，華大九天、廣立微、概倫電子等國產EDA企業陸續成立，開始在EDA軟體領域進行針對性技術研發。

不同類型產品所需求的EDA工具是不一樣的，不管是模擬電路、儲存電路、射頻、顯示面板等半導體器件，還是晶圓製造、晶片封裝等製造環節都需要不同的EDA工具參與軟體設計。

截止到2024年，華大九天已經成為了國內EDA領域的龍頭，以1.56億美元的企業銷售額位居全球EDA企業第六名的成績，已經成為了中芯國際、海思半導體、紫光展銳、京東方等本土企業的核心供應商。

在下一步設計領域，中國企業與國際水平較為接近，但是受美國製裁條例的影響，雙方的整體營收規模差距很大。甚至輝達一家創造的營收，要比後兩名加在一起還多兩倍左右。

不過海思半導體的技術水平有目共睹，無論是當年台積電製造的最後一代麒麟9000，還是採用自研大核心架構、支援超線程的麒麟9000S，都能體現出海思的設計水平。並且海思還涉及感測器、音訊、模擬晶片等其他技術業務。

另一家紫光展銳則是專注於中低端晶片的設計工作，雖然只涉足中低端晶片設計，但紫光展銳的產品線廣泛，旗下晶片被大量用在千元手機、智能手錶、兒童手錶、學習機等各類細分的產品領域。

海思半導體與紫光展銳設計的晶片，可以算是中國大陸地區出貨量最多的兩大品牌。

海思主打中高端設計，紫光展銳則是專注於中低端晶片設計。如果只說手機SOC晶片，那麼海思的國內市場佔有率在20%左右，紫光展銳則是10%左右。

下一個環節便是中國被美國重點卡脖子的製造環節，無論是製造技術還是製造裝置，中國本土技術均存在不同程度的短板，這也是此前產業發展幾十年一直存在的問題。美國的制裁，成為了讓中國企業有了危機意識，開始針對被卡脖子的地方重點攻關。

中國本土最大的兩家晶圓代工企業就是華虹集團和中芯國際，華虹集團專注於成熟製程的特色工藝，已經在65nm—22nm實現了自主可控。

而中芯國際則是成熟製程和先進製程雙路發展，多年前已經建立起Fin FET生產線，並且為華為代工了一批14nm的麒麟710A，正在提升N+1工藝的7nm產能。

據集邦諮詢（TrendForce）發佈的報告指出，受本土市場的支撐，中芯國際已經拿下全球晶圓廠營收排名第三的好成績，營收規模較去年提升了16%。

華虹集團也因本土市場的紅利在全球晶圓廠營收排名當中位列第六，營收規模較去年提升了25%。

中國的晶片產能優勢明顯，而且也已經進入到了快速發展時期，下面就來到了最為核心的製造裝置領域。

製造裝置是美國卡中國脖子的核心手段，在裝置上面實現技術本土化是當下各大企業的主要目標。

實力較為強勁的裝置企業就是北方華創，北方華創已經形成了刻蝕+薄膜沉積+熱處理+濕法+離子注入的全品類裝置佈局。

2025年3月，北方華創宣佈推出旗下首款離子注入裝置。6月份，北方華創宣佈取得芯源微控股權，開始對光刻技術配套的塗膠顯影裝置進行技術提升。

這種全品類佈局正在讓北方華創成長為類似於美國應用材料、科磊一樣的大型裝備集團。

中微半導體是刻蝕機領域的龍頭，佔全球總刻蝕機出貨量17%的市場份額，旗下最先進的刻蝕機支援5nm節點的晶片刻蝕工藝，已經進入到了台積電先進晶片的生產中。

拓荊科技製造的14nm氣相沉積裝置也已進入商業化環節，在中芯國際的生產線中實現了對部分進口裝置的國產化替代。

在討論話題最熱烈的國產光刻機領域，上海微電子公司製造的28nm光刻機已經進入工藝測試環節。

工藝測試與量產商用是兩個概念，工藝測試的目的是提升裝置的可靠性和穩定性，讓其保持在一個較為良好的製造水平，不能出現晶片良品率極低這種惡性情況。

當測試機器在各方面達到合格水平之後，下一步才是將該裝置進行量產，投入生產線商用。

由於國產裝置還處於測試環節，所以當下國產7nm晶片的製造依賴於多年前從ASML採購的浸潤式光刻機，以及美國應用材料公司提供的先進離子注入裝置。

28nm及以上的成熟工藝，我們已經實現了純國產化的自主可控，將外部風險降到了最低。14nm的Fin FET電晶體工藝，我們正在對其整體產業鏈進行自主技術研發。

而7nm及以下更加先進的工藝，我們則是需要等14nm實現純國產化之後，再對先進工藝進行技術攻堅，穩步推進國產化技術的進度。 (逍遙漠)