01前沿導讀據中國半導體產業多位領軍人在《科技導報》發佈的專題報告指出，中國已經在衛星、國家安全、軍事網路等戰略體系下所應用的晶片做到了100%自主可控，為國家安全建構出一道堅實的城牆。下面要面臨的挑戰，則是在具有Fin FET電晶體結構的14nm工藝節點實現自主製造，緊接著便是依靠自主可控的14nm產業鏈，向7nm、5nm等先進節點發起技術攻堅。02自主技術晶片產業的體系構成分為最上游設計步驟的EDA工具，緊接著是製造裝置、材料、工廠、製程技術、封測等硬體製造環節，最後則是將晶片搭載到終端載體上面，然後將其與作業系統進行匹配後投入市場進行銷售。在整個環節當中，每一個步驟都需要專門的軟硬體工具進行製造。缺少了任意一個技術裝置，整個產業鏈便會被切斷，無法正常交付產品。此前美國對中國晶片產業所實施的制裁限制，就是依靠中國企業在製造環節的薄弱點進行痛擊。先禁止其他企業給相關品牌代工晶片，然後封鎖外來的製造裝置，最後則是通過施加額外關稅、拉攏國際巨頭在美國本土發展等方法，讓中國晶片在國際市場上失去競爭力，進而將中美晶片技術的差距進一步拉大。這種在產業鏈上面的制裁，讓中國晶片產業出現了不同程度的技術斷層。雖然中國企業在先進晶片上出現了幾年的停滯，但是卻加速了自主技術的快速發展。先來看最上游的EDA工具領域，中國早在1993年便開發出了自主智慧財產權的貓熊EDA工具，隨後從2002年起，華大九天、廣立微、概倫電子等國產EDA企業陸續成立，開始在EDA軟體領域進行針對性技術研發。不同類型產品所需求的EDA工具是不一樣的，不管是模擬電路、儲存電路、射頻、顯示面板等半導體器件，還是晶圓製造、晶片封裝等製造環節都需要不同的EDA工具參與軟體設計。截止到2024年，華大九天已經成為了國內EDA領域的龍頭，以1.56億美元的企業銷售額位居全球EDA企業第六名的成績，已經成為了中芯國際、海思半導體、紫光展銳、京東方等本土企業的核心供應商。在下一步設計領域，中國企業與國際水平較為接近，但是受美國製裁條例的影響，雙方的整體營收規模差距很大。甚至輝達一家創造的營收，要比後兩名加在一起還多兩倍左右。不過海思半導體的技術水平有目共睹，無論是當年台積電製造的最後一代麒麟9000，還是採用自研大核心架構、支援超線程的麒麟9000S，都能體現出海思的設計水平。並且海思還涉及感測器、音訊、模擬晶片等其他技術業務。另一家紫光展銳則是專注於中低端晶片的設計工作，雖然只涉足中低端晶片設計，但紫光展銳的產品線廣泛，旗下晶片被大量用在千元手機、智能手錶、兒童手錶、學習機等各類細分的產品領域。海思半導體與紫光展銳設計的晶片，可以算是中國大陸地區出貨量最多的兩大品牌。海思主打中高端設計，紫光展銳則是專注於中低端晶片設計。如果只說手機SOC晶片，那麼海思的國內市場佔有率在20%左右，紫光展銳則是10%左右。下一個環節便是中國被美國重點卡脖子的製造環節，無論是製造技術還是製造裝置，中國本土技術均存在不同程度的短板，這也是此前產業發展幾十年一直存在的問題。美國的制裁，成為了讓中國企業有了危機意識，開始針對被卡脖子的地方重點攻關。03製造產業鏈中國本土最大的兩家晶圓代工企業就是華虹集團和中芯國際，華虹集團專注於成熟製程的特色工藝，已經在65nm—22nm實現了自主可控。而中芯國際則是成熟製程和先進製程雙路發展，多年前已經建立起Fin FET生產線，並且為華為代工了一批14nm的麒麟710A，正在提升N+1工藝的7nm產能。據集邦諮詢（TrendForce）發佈的報告指出，受本土市場的支撐，中芯國際已經拿下全球晶圓廠營收排名第三的好成績，營收規模較去年提升了16%。華虹集團也因本土市場的紅利在全球晶圓廠營收排名當中位列第六，營收規模較去年提升了25%。中國的晶片產能優勢明顯，而且也已經進入到了快速發展時期，下面就來到了最為核心的製造裝置領域。製造裝置是美國卡中國脖子的核心手段，在裝置上面實現技術本土化是當下各大企業的主要目標。實力較為強勁的裝置企業就是北方華創，北方華創已經形成了刻蝕+薄膜沉積+熱處理+濕法+離子注入的全品類裝置佈局。2025年3月，北方華創宣佈推出旗下首款離子注入裝置。6月份，北方華創宣佈取得芯源微控股權，開始對光刻技術配套的塗膠顯影裝置進行技術提升。這種全品類佈局正在讓北方華創成長為類似於美國應用材料、科磊一樣的大型裝備集團。中微半導體是刻蝕機領域的龍頭，佔全球總刻蝕機出貨量17%的市場份額，旗下最先進的刻蝕機支援5nm節點的晶片刻蝕工藝，已經進入到了台積電先進晶片的生產中。拓荊科技製造的14nm氣相沉積裝置也已進入商業化環節，在中芯國際的生產線中實現了對部分進口裝置的國產化替代。在討論話題最熱烈的國產光刻機領域，上海微電子公司製造的28nm光刻機已經進入工藝測試環節。工藝測試與量產商用是兩個概念，工藝測試的目的是提升裝置的可靠性和穩定性，讓其保持在一個較為良好的製造水平，不能出現晶片良品率極低這種惡性情況。當測試機器在各方面達到合格水平之後，下一步才是將該裝置進行量產，投入生產線商用。由於國產裝置還處於測試環節，所以當下國產7nm晶片的製造依賴於多年前從ASML採購的浸潤式光刻機，以及美國應用材料公司提供的先進離子注入裝置。28nm及以上的成熟工藝，我們已經實現了純國產化的自主可控，將外部風險降到了最低。14nm的Fin FET電晶體工藝，我們正在對其整體產業鏈進行自主技術研發。而7nm及以下更加先進的工藝，我們則是需要等14nm實現純國產化之後，再對先進工藝進行技術攻堅，穩步推進國產化技術的進度。 (逍遙漠)
