三星、SK海力士，加速在華擴產

3月25日，據韓國媒體Businesskorea報導，儲存晶片大廠三星電子和SK海力士正在對他們在中國的工廠進行大規模設施投資，以同時提升工藝技術和產能。

隨著全球人工智慧（AI）投資熱潮加劇儲存半導體短缺，三星電子和SK海力士正全力調動包括中國工廠在內的所有產能來增加對客戶的供應。三星和SK海力士去年合計對中國工廠投資了1.5兆韓元（約合69億人民幣、10億美元），希望通過升級當地工廠的NAND Flash和DRAM生產工藝和產能來擴大晶片供應並提高盈利能力。

據韓國金融監督院3月24日發佈的資料顯示，三星電子去年在其位於中國西安的工廠投資了4654億韓元（約合3.44億美元），較上年的2778億韓元（約合1.85億美元）大幅增長了67.5%。西安工廠是三星電子唯一的海外NAND Flash生產基地，產量約佔其總產量的40%。

報導稱，三星電子在 2019 年向西安工廠投資約 6984 億韓元後，從 2020 年到 2023 年沒有進行任何重大投資。但是該公司已恢復 2024 年的投資，投資了 2778 億韓元，去年又將投資額增加到 4654 億韓元，用於升級西安工廠的生產線。

同樣，SK海力士去年在其位於中國無錫的DRAM生產工廠和位於大連的NAND Flash製造子公司進行了超過1兆韓元（約合6.66億美元）的投資。其中，無錫DRAM工廠投資5810億韓元，較2024年的2873億韓元增長102%；大連NAND Flash工廠投資4406億韓元，增長52%。這是SK海力士自2022年收購英特爾大連NAND Flash工廠以來，首次在中國工廠進行兆韓元規模的投資。

儘管在2022年10月以來，美國對中國實施了針對半導體裝置的出口管制，但三星電子和SK海力士這兩家全球儲存器“兩大巨頭”仍然積極投資中國生產設施，其背景是持續增長的儲存晶片需求。

目前全球儲存晶片市場供應短缺，三星、SK海力士、美光等頭部大廠的DRAM 和 NAND Flash今年的全部產能已售罄。隨著AI服務從簡單的搜尋發展到需要更多推理和學習的“智能體”形式，對高性能DRAM 和NAND Flash的需求不斷增長，AI資料中心所需的HBM訂單也在激增。

事實上，瑞銀證券預測，全球半導體市場規模將較去年增長超過40%，達到1兆美元（約合1496兆韓元）。此外，由於AI基礎設施投資，中國國內需求強勁。去年，中國儲存晶片市場規模約為4580億元人民幣（約合99兆韓元），預計今年將進一步擴大。

由於僅靠韓國國內產能無法滿足全球需求，三星電子和SK海力士正通過升級其位於中國的工廠（其關鍵生產基地之一）來擴大供應。三星電子計畫通過大量追加投資，將其西安NAND工廠的主要生產工藝從128層（第六代）升級到236層（第八代）。

一位業內人士解釋說：“為了防止核心技術外洩，三星中國工廠和韓國工廠之間通常保持著大約兩代的工藝差距。” 他補充道：“由於三星計畫今年在韓國生產400層（第十代）NAND產品，中國工廠向第八代NAND的過渡可能會加快。”

據瞭解，SK海力士近期投資升級了其無錫工廠的DRAM生產工藝，從10奈米級的第三代（1z）工藝升級到第四代（1a）工藝。此次升級後，無錫工廠將能夠量產高附加值產品，例如DDR5記憶體，預計這將顯著提升其業績。

另一位業內人士評論道：“無錫工廠佔SK海力士DRAM總產量的30%以上，已經轉型為高附加值產品生產基地。”他還預測：“大連工廠也將通過加大投資，改善財務結構，提高生產效率。” (芯智訊)