全球半導體裝置，賣瘋了

2027年破1500億美元！

全球300毫米晶圓裝置支出預計將在2027年增長14%，達到1510億美元。

SEMI今日在其最新的300毫米工廠展望中報導，全球300毫米晶圓裝置支出預計將在2026年增長18%，達到1330億美元，2027年增長14%，達到1510億美元。這一強勁增長反映了資料中心和邊緣裝置對AI晶片需求的激增，以及通過本地化工業生態系統和供應鏈重組，關鍵區域對半導體自給自足的日益承諾。

展望未來，報告預測投資將持續增長3%，2028年達到1550億美元，2029年將再增長11%，達到1720億美元。

SEMI總裁兼首席執行長Ajit Manocha表示：“人工智慧正在重塑半導體製造投資的規模。”“全球300毫米晶圓裝置支出預計2027年首次突破1500億美元，行業正對推動人工智慧時代所需的先進產能和韌性供應鏈做出歷史性且持續的承諾。”

細分到各領域，邏輯與微系統類股預計將引領裝置擴張，從2027 年至 2029 年期間總投資額達 2280 億美元，這主要歸因於受次 2 奈米尖端產能投資推動的晶圓廠領域強勁需求。先進節點技術對於提升晶片性能與能效至關重要，從而滿足各類 AI 應用對晶片設計的嚴苛要求。預計更多先進節點技術將於 2027 年到 2029 年進入量產階段。此外，AI 性能的改善預計將推動各類邊緣 AI 裝置的顯著增長。除先進節點外，所有節點以及各類電子器件的需求預計也將溫和增長，從而為對成熟節點的投資提供支撐。

記憶體領域預計將成為裝置支出中的第二大類別，從2027 年至 2029 年期間總支出將達到 1750 億美元。這段時期標誌著該領域進入一個新的增長周期。在記憶體類別內，DRAM 裝置支出預計將從 2027 年到 2029 年累計達到 1110 億美元，而同期 3D NAND 裝置支出則估計為 620 億美元。

由於人工智慧訓練和推理的需求，對記憶體的需求顯著增加。人工智慧訓練顯著推升了對高頻寬記憶體（HBM）的需求，而模型推理則對儲存容量形成了巨大需求，從而推動了資料中心中NAND快閃記憶體應用領域的增長。這種強勁的需求導致記憶體供應鏈在短期及長期內持續面臨高額投資，有助於緩解因傳統記憶體周期波動可能帶來的衰退影響。

從 2027 年至 2029 年期間，全球 300 毫米晶圓廠裝置投資預計仍將廣泛分佈於各主要半導體製造區域，這反映出先進節點擴展、儲存器容量增加以及政策支援的供應鏈本地化等多種因素的綜合作用。預計中國大陸、台灣、韓國以及美洲地區在此期間都將出現顯著的支出水平，而日本、歐洲及中東地區以及東南亞地區則將繼續從相對較小的基數上持續擴大投資。

在中國大陸，投資預計將繼續受到國內產能持續擴大以及旨在增強半導體製造能力的國家計畫的支撐。在台灣地區，支出預計將主要受到領先型晶圓廠產能持續擴張的推動，包括 2 奈米及以下技術。韓國的投資前景仍與記憶體領域緊密相關，該領域的人工智慧相關需求正支撐著新一輪的產能與技術升級周期。在美洲，支出預計會受到先進工藝擴展以及更廣泛強化國內製造業生態系統的努力的支撐。

半導體裝置產業正站在技術變革與市場重構的關鍵節點，未來五年將迎來前所未有的機遇與挑戰。此外，先進封裝技術正在從"配角"變為"主角"，為半導體裝置市場創造新的增長極。隨著摩爾定律趨緩，先進封裝接棒前道先進製程成為後摩爾時代提升晶片性能的主力軍，尤其是CoWoS、InFO、SoIC等異構整合技術。先進封裝，尤其是高端封裝的實現越來越依賴前道技術，可以說先進封裝是前道工序的衍生，在晶圓上通過矽通孔技術(TSV)和重布線層(RDL)分別實現縱向和橫向的互聯，需要使用薄膜沉積和刻蝕裝置。這一趨勢使得傳統前後道裝置的界限變得模糊，也為裝置企業帶來新的業務機會。 (半導體材料與工藝裝置)