三星、海力士2025年在華投資大漲，技術佈局和經營資料一覽

受全球儲存晶片需求激增影響，三星和海力士正加快本土及中國市場的擴產步伐。據韓國財經媒體 SeDaily 援引兩家企業最新發佈的 2025 年經營報告，三星對其西安工廠的投資額同比大增 67.5%，而 SK 海力士去年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體生產基地的注資總額超 1 兆韓元。

三星轉變對華投資策略

據 SeDaily 援引三星 2025 年經營報告顯示，該公司 2025 年對西安工廠的投資額增至 4654 億韓元，較 2024 年的 2778 億韓元同比增長 67.5%。與此同時，在大舉擴產的背景下，三星（中國）半導體有限公司 2025 年發展勢頭強勁，全年營收約達 8.64 兆韓元，淨利潤攀升至 1.11 兆韓元。

這一舉措標誌著三星的投資策略出現顯著轉變。SeDaily 指出，三星 2019 年對西安工廠完成約 6984 億韓元的初始投資後，2020 年至 2023 年期間，基本未對該工廠進行大規模資本投入。

如今，面對本土產能難以消化的全球儲存晶片需求激增現狀，三星正加大在華佈局力度。報告顯示，依託新增投資，三星計畫將西安 NAND 快閃記憶體工廠的產線從 128 層（第六代）升級至 236 層（第八代），同時計畫 2026 年在韓國本土實現 400 層（第十代）NAND 快閃記憶體的量產。

集邦諮詢的資料凸顯出中國作為三星核心 NAND 快閃記憶體生產基地的重要地位，該機構預估，2025 年三星中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 30% 至 35%。

海力士投資超兆韓元，無錫DRAM產線向高附加值升級

與此同時，SeDaily 指出，SK 海力士 2025 年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體子公司的投資總額超 1 兆韓元。其經營報告顯示，僅無錫 DRAM 晶圓廠就獲得 5810 億韓元投資，較 2024 年的 2773 億韓元同比增長 102%；大連 NAND 快閃記憶體工廠投資額達 4406 億韓元，同比增長 52%。據悉，這是 SK 海力士 2022 年收購英特爾大連 NAND 快閃記憶體工廠後，首次對其在華工廠進行兆韓元規模的投資。

無錫和大連兩大工廠仍是 SK 海力士的核心生產基地。集邦諮詢資料顯示，2025 年 SK 海力士中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 40% 至 45%，DRAM 記憶體產能佔比也達到 35% 至 40%。

韓國《中央日報》報導了一組值得關注的資料：2025 年 SK 海力士對其在華半導體工廠的裝置投資較上一年增長 9 倍。此舉是該企業在遵守美國製裁規定的前提下，最佳化在華生產設施的重要舉措，具體包括將韓國本土工廠的裝置運往中國，同時把中國工廠的老舊裝置運回韓國。

《中央日報》還指出，2025 年 SK 海力士約 90% 的裝置交易都集中在無錫 DRAM 晶圓廠。此外 SeDaily 稱，SK 海力士通過此次新增投資，將無錫工廠的 DRAM 工藝節點從 1z 升級至 1a，為 DDR5 等更高附加值產品的量產鋪平了道路，也為企業實現業績增長提供了支撐。 (銳芯聞)