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三星、海力士2025年在華投資大漲,技術佈局和經營資料一覽
受全球儲存晶片需求激增影響,三星和海力士正加快本土及中國市場的擴產步伐。據韓國財經媒體 SeDaily 援引兩家企業最新發佈的 2025 年經營報告,三星對其西安工廠的投資額同比大增 67.5%,而 SK 海力士去年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體生產基地的注資總額超 1 兆韓元。三星轉變對華投資策略據 SeDaily 援引三星 2025 年經營報告顯示,該公司 2025 年對西安工廠的投資額增至 4654 億韓元,較 2024 年的 2778 億韓元同比增長 67.5%。與此同時,在大舉擴產的背景下,三星(中國)半導體有限公司 2025 年發展勢頭強勁,全年營收約達 8.64 兆韓元,淨利潤攀升至 1.11 兆韓元。這一舉措標誌著三星的投資策略出現顯著轉變。SeDaily 指出,三星 2019 年對西安工廠完成約 6984 億韓元的初始投資後,2020 年至 2023 年期間,基本未對該工廠進行大規模資本投入。如今,面對本土產能難以消化的全球儲存晶片需求激增現狀,三星正加大在華佈局力度。報告顯示,依託新增投資,三星計畫將西安 NAND 快閃記憶體工廠的產線從 128 層(第六代)升級至 236 層(第八代),同時計畫 2026 年在韓國本土實現 400 層(第十代)NAND 快閃記憶體的量產。集邦諮詢的資料凸顯出中國作為三星核心 NAND 快閃記憶體生產基地的重要地位,該機構預估,2025 年三星中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 30% 至 35%。海力士投資超兆韓元,無錫DRAM產線向高附加值升級與此同時,SeDaily 指出,SK 海力士 2025 年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體子公司的投資總額超 1 兆韓元。其經營報告顯示,僅無錫 DRAM 晶圓廠就獲得 5810 億韓元投資,較 2024 年的 2773 億韓元同比增長 102%;大連 NAND 快閃記憶體工廠投資額達 4406 億韓元,同比增長 52%。據悉,這是 SK 海力士 2022 年收購英特爾大連 NAND 快閃記憶體工廠後,首次對其在華工廠進行兆韓元規模的投資。無錫和大連兩大工廠仍是 SK 海力士的核心生產基地。集邦諮詢資料顯示,2025 年 SK 海力士中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 40% 至 45%,DRAM 記憶體產能佔比也達到 35% 至 40%。韓國《中央日報》報導了一組值得關注的資料:2025 年 SK 海力士對其在華半導體工廠的裝置投資較上一年增長 9 倍。此舉是該企業在遵守美國製裁規定的前提下,最佳化在華生產設施的重要舉措,具體包括將韓國本土工廠的裝置運往中國,同時把中國工廠的老舊裝置運回韓國。《中央日報》還指出,2025 年 SK 海力士約 90% 的裝置交易都集中在無錫 DRAM 晶圓廠。此外 SeDaily 稱,SK 海力士通過此次新增投資,將無錫工廠的 DRAM 工藝節點從 1z 升級至 1a,為 DDR5 等更高附加值產品的量產鋪平了道路,也為企業實現業績增長提供了支撐。 (銳芯聞)
晶片股淪為避險情緒“提款機”,美光、SK海力士領跌半導體三年半最慘單月!
隨著投資者準備應對中東地區持久的衝突,他們正選擇拋售近幾個月來市場表現最強勁的科技股。儲存晶片製造商美光科技(MU.US)周一收盤下跌 9.9%,並在盤後交易中進一步走低。在同行業中,三星電子股價大跌近 5%,而 SK 海力士在周二韓國交易所早盤交易中一度跌幅高達 7.7%。美國與以色列針對伊朗的戰爭能否通過潛在和平談判結束,其不確定性正令全球市場感到不安,市場上的“割肉”投降跡象正在增加。在經歷了幾年的由人工智慧(AI)驅動的上漲後,科技股目前錄得最慘烈的跌幅。Ortus Advisors 分析師安德魯·傑克遜寫道,“隨著季度末臨近,投資者正在逃離近期的贏家,”“今天需要一些極其重大的利多消息才可能扭轉跌勢。”Bloomberg半導體股指數 3 月份跌幅已超過 13%,有望創下三年半以來最差單月表現。儘管如此,該指數仍有望在季度末維持 10% 的漲幅。由於擔心伊朗戰爭導致石油供應中斷的影響,投資者一直轉向更具防禦性的股票。在經歷了熾熱的上漲後,考慮到對高支出水平和估值的額外擔憂,AI 交易顯得尤為脆弱。“情緒正從 AI 領域轉移,”Reed Capital Partners 首席投資官傑拉爾德·甘在周一的採訪中表示,“我會考慮更多地獲利了結,而不是增加更多頭寸。” (invest wallstreet)
三星、SK海力士,加速在華擴產
3月25日,據韓國媒體Businesskorea報導,儲存晶片大廠三星電子和SK海力士正在對他們在中國的工廠進行大規模設施投資,以同時提升工藝技術和產能。隨著全球人工智慧(AI)投資熱潮加劇儲存半導體短缺,三星電子和SK海力士正全力調動包括中國工廠在內的所有產能來增加對客戶的供應。三星和SK海力士去年合計對中國工廠投資了1.5兆韓元(約合69億人民幣、10億美元),希望通過升級當地工廠的NAND Flash和DRAM生產工藝和產能來擴大晶片供應並提高盈利能力。據韓國金融監督院3月24日發佈的資料顯示,三星電子去年在其位於中國西安的工廠投資了4654億韓元(約合3.44億美元),較上年的2778億韓元(約合1.85億美元)大幅增長了67.5%。西安工廠是三星電子唯一的海外NAND Flash生產基地,產量約佔其總產量的40%。△三星西安工廠報導稱,三星電子在 2019 年向西安工廠投資約 6984 億韓元後,從 2020 年到 2023 年沒有進行任何重大投資。但是該公司已恢復 2024 年的投資,投資了 2778 億韓元,去年又將投資額增加到 4654 億韓元,用於升級西安工廠的生產線。同樣,SK海力士去年在其位於中國無錫的DRAM生產工廠和位於大連的NAND Flash製造子公司進行了超過1兆韓元(約合6.66億美元)的投資。其中,無錫DRAM工廠投資5810億韓元,較2024年的2873億韓元增長102%;大連NAND Flash工廠投資4406億韓元,增長52%。這是SK海力士自2022年收購英特爾大連NAND Flash工廠以來,首次在中國工廠進行兆韓元規模的投資。△SK海力士無錫工廠儘管在2022年10月以來,美國對中國實施了針對半導體裝置的出口管制,但三星電子和SK海力士這兩家全球儲存器“兩大巨頭”仍然積極投資中國生產設施,其背景是持續增長的儲存晶片需求。目前全球儲存晶片市場供應短缺,三星、SK海力士、美光等頭部大廠的DRAM 和 NAND Flash今年的全部產能已售罄。隨著AI服務從簡單的搜尋發展到需要更多推理和學習的“智能體”形式,對高性能DRAM 和NAND Flash的需求不斷增長,AI資料中心所需的HBM訂單也在激增。事實上,瑞銀證券預測,全球半導體市場規模將較去年增長超過40%,達到1兆美元(約合1496兆韓元)。此外,由於AI基礎設施投資,中國國內需求強勁。去年,中國儲存晶片市場規模約為4580億元人民幣(約合99兆韓元),預計今年將進一步擴大。由於僅靠韓國國內產能無法滿足全球需求,三星電子和SK海力士正通過升級其位於中國的工廠(其關鍵生產基地之一)來擴大供應。三星電子計畫通過大量追加投資,將其西安NAND工廠的主要生產工藝從128層(第六代)升級到236層(第八代)。一位業內人士解釋說:“為了防止核心技術外洩,三星中國工廠和韓國工廠之間通常保持著大約兩代的工藝差距。” 他補充道:“由於三星計畫今年在韓國生產400層(第十代)NAND產品,中國工廠向第八代NAND的過渡可能會加快。”據瞭解,SK海力士近期投資升級了其無錫工廠的DRAM生產工藝,從10奈米級的第三代(1z)工藝升級到第四代(1a)工藝。此次升級後,無錫工廠將能夠量產高附加值產品,例如DDR5記憶體,預計這將顯著提升其業績。另一位業內人士評論道:“無錫工廠佔SK海力士DRAM總產量的30%以上,已經轉型為高附加值產品生產基地。”他還預測:“大連工廠也將通過加大投資,改善財務結構,提高生產效率。” (芯智訊)
二季度儲存價格漲幅“遠超預期”!野村:“儲存長期牛市”遠超“油價短期上漲”!
野村認為,受AI需求爆發和供應增加滯後影響,儲存晶片的長期牛市將遠超短期的油價上漲周期。預計2026年二季度大宗DRAM和NAND價格將環比分別暴漲51%和50%,遠超此前預期的6%和20%。儲存行業正加速轉向長期協議模式,供應短缺預計將持續至2028年初。在市場緊盯中東局勢之際,野村表示“儲存長期牛市”將遠超“油價短期上漲”。3月23日,野村證券發佈全球市場研究報告指出,儲存行業的牛市周期持續時間將遠比地緣政治引發的油價上漲更久、更可持續,核心變數在於AI需求的持續擴張與供給擴張的滯後。野村預計2026年第二季度儲存價格漲幅將“顯著超過此前預期”,其中商品DRAM和NAND的價格環比漲幅將分別達到51%和50%。這一數字較其此前預測的6%和20%出現了“量級式”的跳升。基於價格走勢的強勁預期,野村將SK海力士的目標價從156萬韓元上調24%至193萬韓元,並重申“買入”評級。野村認為,近期受中東局勢影響帶來的股價回呼,對投資者而言是極佳的逢低買入機會。AI需求重塑行業邏輯野村在報告中深入分析了為何儲存周期能夠“穿越”宏觀經濟波動。一大邏輯在於AI資本支出驅動儲存“長期牛市”。野村認為,在AI熱潮的推動下,大型科技公司的投資周期將成為AI行業的主導力量。這種由科技巨頭AI資本支出帶來的強勁需求增長,使得其周期“比短期的油價上漲周期更長且更具可持續性”。相比之下,對宏觀環境敏感的消費裝置(PC和智慧型手機)相關需求佔比已大幅下降,從10年前的60%降至如今的不到30%。這為儲存行業的長期穩定性提供了堅實基礎。野村將AI開發趨勢描述為儲存需求的“黑洞”。隨著AI需求從簡單的文字聊天機器人轉向企業級代理,從文字驅動轉向多模態,記憶體需求正在細分化,從以HBM/LPDDR為中心轉向用於RAG的DDR、以及用於更大型上下文處理的下一代SSD。商業模式“長協化”增強穩定性野村認為,儲存行業的另一個亮點是正在發生的商業模式變革。為了應對持續的供應短缺,儲存供應商與客戶正積極轉向長期協議(LTA)。野村在報告中寫道:“由於供應短缺可能長期存在,我們認為儲存廠商正在尋求可持續的長期協議(LTA),而不是簡單的漲價。客戶也在主動要求與供應商簽訂LTA,以滿足持續增長的AI記憶體需求。”據悉,這些協議包含預付款(作為押金)、容量保證和定價方案等條款。野村認為,雖然LTA能否完美抵禦周期尚不確定,但儲存行業正從“現貨驅動”轉變為“長期規劃驅動”,這將顯著提升盈利的穩定性。供應端增速緩慢:缺口或延續至2028年在供應端,野村的結論相對悲觀。報告強調,儘管需求在激增,但供應增長在至少2028年初之前都將處於不足狀態。野村強調,儲存(尤其是處理複雜推理和訓練的HBM)仍然是AI的關鍵瓶頸。報告寫道:“增加記憶體供應以趕上高需求增長仍需要物理時間……至少在2028年初之前,供應增長將不足以趕上高儲存需求增長。”即便SK海力士等巨頭擁有強勁的現金流,但受制於擴產周期和技術瓶頸,短期內產能難以大幅擴張。野村預測,SK海力士在2026年和2027年的營業利潤將分別上調36%和37%,達到256兆韓元和365兆韓元。對於投資者關心的現金回報,野村預計SK海力士2026財年的自由現金流(FCF)收益率將達到19%,具有顯著的估值吸引力。 (invest wallstreet)