近期，在AI浪潮席捲、汽車電子滲透率飆升，儲存市場引領趨勢下，半導體行業正迎來需求與技術雙輪驅動的發展熱潮。根據SEMI最新預測，2025年全球半導體產能將實現15%的同比增幅，創下歷史新高。在此背景下，從晶圓製造到先進封裝，從AI晶片到儲存器市場，半導體大廠相繼釋放明確的擴產訊號，新一輪產能佈局的帷幕已然拉開。全球半導體巨頭擴產圖景SK海力士：AI超級周期的最大贏家在全球AI記憶體需求爆發的推動下，儲存晶片巨頭SK海力士啟動大規模產能擴張，以“雙線並進”為核心戰略：在鞏固高附加值HBM市場絕對領先優勢的同時，積極擴充包括1c DRAM在內的通用型DRAM產能，形成“高端突破+通用補位”的戰略佈局。作為第六代10奈米DRAM（1c DRAM）的核心玩家，SK海力士計畫大幅提升該尖端通用DRAM產能。據韓國經濟日報報導，其1c DRAM月產能將從當前約2萬片300mm晶圓，於2026年提升至16-19萬片，增幅達8-9倍，屆時該產能將佔其DRAM總產能的三分之一以上。韓國利川工廠是此次擴產的核心引擎，通過現有產線工藝升級，該工廠1c DRAM月產量將先實現從2萬片到14萬片的增幅，部分業內人士透露實際產能或向17萬片衝刺。擴產的1c DRAM將重點用於生產GDDR7圖形記憶體模組和低功耗SOCAMM2記憶體模組，直接對接輝達、AMD等科技巨頭及雲服務提供商的訂單需求。在HBM領域，SK海力士已佔據全球超過60%的市場份額，幾乎壟斷輝達的HBM訂單。為延續優勢，SK海力士針對輝達HBM4的產能擴張正穩步推進，其位於韓國忠清北道清州園區的M15X工廠將於2025年四季度投產，配備1b DRAM生產線，月均進料量為6萬片晶圓，主要用於生產HBM4核心晶片。目前，SK海力士HBM4已實現漲價超50%，單顆價格突破500美元，且2026年產能已全部售罄，預計將搭載於輝達2025年下半年發佈的Rubin晶片。另一方面，受HBM產能擠壓，全球標準型DRAM供應持續短缺，波及PC、筆記型電腦、智慧型手機及通用伺服器市場。對此，SK海力士計畫2026年標準型DRAM供應量較2025年增加超過一成：一是提升M16晶圓廠產能利用率；二是對M15晶圓廠進行產線轉換，將部分代工業務或CMOS圖像感測器生產線，重新配置為DRAM生產線。SK海力士明確表示，儘管HBM增長迅猛，但標準型DRAM市場規模遠大於HBM，在鞏固AI記憶體領先地位的同時，滿足標準型DRAM需求是公司戰略重心之一，需要通過最佳化現有資產來保障供應，防止因過度傾向HBM而導致傳統市場出現供應缺口。這也是其爭奪DRAM全球市佔率第一的關鍵支撐。大規模擴產背後是密集的資本投入，SK海力士通過最佳化現有基地、佈局新叢集，為產能釋放提供保障，2025年設施投資額預計約25兆韓元，2026年將輕鬆超過30兆韓元。除利川工廠1c DRAM產線升級外，清州M15X工廠作為HBM產能核心載體已啟動1b DRAM試驗生產線，計畫四季度舉行落成典禮，初始月產量目標1萬片晶圓，逐步提升至6萬片。同時，SK海力士將利川、清州工廠的有限生產裝置向新叢集遷移，最大化現有基地產能效率。此外，作為規劃至2050年的長期項目，龍仁半導體叢集是SK海力士未來產能擴張的核心支點。該叢集近期獲得龍仁特別市規劃調整，SK海力士用地（A15）容積率從350%上調至490%，建築物最高高度從120米放寬至150米，使得潔淨室面積較原計畫擴大50%。根據規劃，SK海力士將在該叢集建設4座晶圓廠，單座規模與清州M15X工廠的6座晶圓廠相當。據此估算，4座晶圓廠全部完工後總投資至少達480兆韓元，而SK會長崔泰元透露，該叢集總體投資預計將達約600兆韓元，差異主要源於長期規劃中的物價上漲及開發成本增加因素。目前，龍仁首座工廠於2025年動工，預計於2027年投產。總結來說，SK海力士的擴產計畫展現了一家行業龍頭在技術十字路口的精準判斷，以利潤豐厚的HBM為矛，積極搶佔AI時代的技術制高點；同時以規模龐大的通用DRAM為盾，確保基本盤的穩定與增長。據瞭解，SK海力士已在2025年一季度以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一，終結三星四十多年的壟斷地位。此次擴產將進一步鞏固其優勢，同時在HBM領域通過技術壁壘築牢盈利護城河。三星：儲存晶片加碼對決，2nm代工破局突圍面對SK海力士的強勁攻勢，三星電子正以更大規模的擴產計畫發起反擊，同步推進儲存晶片與先進製程代工兩大領域的激進擴產：一方面以1c DRAM為核心衝刺高階儲存產能，重啟關鍵工廠並佈局長期生產基地，力圖穩固DRAM市場主導權；另一方面加速2nm代工產能落地，斬獲多家客戶訂單，打破台積電在先進製程領域的壟斷格局。在儲存晶片領域，三星主攻高階，1c DRAM成其產能競賽核心。據悉，面對AI伺服器對高頻寬、低功耗記憶體的爆發性需求，三星將第六代10奈米級DRAM作為擴產核心，同步配套HBM產能升級與工廠佈局最佳化，形成短期產能釋放+中長期基地建設的雙線策略。為奪回並鞏固DRAM市場領導地位，三星敲定明確的1c DRAM擴產時間表，規模創公司歷史紀錄。據TrendForce報導，三星採用“三步走”分階段推進策略：2025年第四季度先實現月產6萬片；2026年第二季度再新增8萬片；2026年第四季度追加6萬片，最終於2026年底達成月產20萬片的目標。這一產能規模極具衝擊力，當前三星整體DRAM月產能約65-70萬片，20萬片的1c DRAM產能將佔其總產能的三分之一左右，不僅遠超2022年半導體繁榮期13萬片的DRAM擴產力度，更與競爭對手SK海力士形成直接對壘。據悉，目前其1c DRAM良率已從早期的不足30%大幅提升至50%-70%，並正向80%-90%的目標邁進。三星計畫通過兩大路徑保障產能落地：一是對現有DRAM生產線進行工藝轉換，快速釋放部分產能；二是追加對平澤第4工廠（P4）的投資，其4條生產線中3條已投入營運或即將投產，未來將專門負責1c DRAM與HBM4的量產工作。在HBM領域，三星已憑藉HBM3E出貨量激增實現市場反彈。據CFM資料統計，2025年第三季度三星HBM位單元出貨量環比激增85%，核心得益於向NVIDIA交付第五代HBM3E，這也成為其當季DRAM銷售額環比增長29.6%、重回全球市場第一（份額34.8%）的關鍵推手。近期，三星還重組了記憶體業務部門，將HBM團隊重新整合進DRAM設計部門，以加速HBM4及更下一代產品的開發，這顯示了其技術路線的信心。同時，為夯實中長期競爭力，三星近期重啟了擱置兩年的京畿道平澤工廠第二園區5號線（P5）項目，該項目耗資超60兆韓元，計畫2028年投產，將成為同時生產下一代HBM與1c DRAM的混合型工廠，未來還可能根據市場情況搭建晶圓代工生產線。從更長遠規劃來看，三星正推動平澤第一園區（P1-P4）與第二園區（P5-P6）整合，打造總面積達87萬坪的全球最大半導體生產據點。此外，三星還計畫投資360兆韓元，在龍仁半導體國家產業園區叢集建設6座晶圓廠，2031年前全部完工，首期1號晶圓廠將於2026年底前開工、2030年投產，全部完工後三星將擁有12座營運中的晶圓廠。另一邊，在先進製程晶圓代工領域，三星借台積電產能滿載的窗口期加速突圍，2nm工藝成為其攻堅核心，目前已實現客戶突破與產能初步佈局。據韓國媒體報導，由於台積電2nm產能緊張，多家中國挖礦晶片企業已將訂單轉向三星，兩家企業每月晶圓交付量約為2000片12吋晶圓，佔三星2nm總產能的10%。以每片晶圓約2萬美元計算，這一訂單預計為三星帶來年銷售額4.8億美元，約佔其2024年晶圓代工營收的4%。除挖礦晶片企業外，三星2nm客戶已覆蓋多元領域，包括自身繫統LSI部門及汽車巨頭特斯拉，而台積電的2nm客戶則聚焦蘋果、高通、AMD等傳統頭部廠商，兩者客戶結構形成差異化競爭。產能方面，三星計畫到2026年底將2nm月產能提升至約2.1萬片，較2024年底的目標增長約163%。三星將2nm代工產能佈局納入母公司未來五年韓國450兆韓元投資計畫，依託平澤工廠產能拓展實現落地，與儲存晶片擴產形成協同效應，凸顯其“儲存+代工”雙輪驅動的戰略意圖。此次擴產的背後，是三星對強烈市場需求和內部戰略的取捨。AI需求驅動：生成式AI爆發導致高性能DRAM和HBM供不應求，為三星擴產提供了明確的市場訊號；利潤導向的內部決策：一個值得關注的動態是，三星記憶體部門為確保利潤最大化，已拒絕為自家手機部門提供長期固定價格的DRAM供應。這凸顯了在AI需求旺盛的背景下，三星優先將先進產能和高利潤產品導向外部的戰略選擇。總而言之，三星的擴產計畫是一場多戰線、高技術難度的全面競賽。在記憶體領域，以1c DRAM為槓桿，試圖在HBM4技術上實現後發先至；代工領域則通過繫結大客戶、加速美國本土產能落地來追趕台積電。不過，其成敗關鍵在於1c DRAM和HBM4的良率能否穩定提升至商業成功水平，以及2nm製程能否如期獲得更多頂級客戶訂單。美光：新建HBM專用產線，突破韓系壟斷格局在全球AI驅動的HBM需求爆發期，美光科技近期也正加速產能擴張，核心聚焦日本廣島HBM專屬工廠建設，同步推進先進DRAM工藝落地，意圖突破韓系廠商在HBM市場的壟斷格局，搶佔AI儲存供應鏈核心位置。據日經新聞消息，美光近期宣佈投資約96億美元在廣島現有廠區內新建一座專用HBM生產設施，旨在應對全球HBM供需失衡、提升市場份額。從推進節奏來看，新工廠預計於2026年5月啟動施工，2028年左右實現量產出貨。工廠達產後預計將實現月產10萬片12英吋晶圓，主要聚焦HBM3E及下一代HBM4系列產品生產，預計將貢獻全球HBM產能的15%左右。政策支援上，日本經濟產業省預計為該項目提供高達5000億日元的專項補貼，覆蓋項目初期投資的27%，不過目前美光與日本經濟產業省均未正式證實補貼細節。美光在日本廣島的擴產並非孤立佈局，而是依託既有產能升級與技術突破形成協同效應，為HBM擴產提供支撐。早在去年，美光已宣佈在廣島同一園區引入基於EUV工藝的DRAM生產線，項目投入5000億日元自有資金，並獲得日本政府近2000億日元補貼。技術落地層面，今年5月，該產線首批採用1γ工藝生產的LPDDR5X產品已進入樣品測試階段。1γ工藝作為美光先進DRAM核心技術，採用EUV光刻工藝，相比前代實現速度提升15%、功耗降低20%，不僅支撐LPDDR5X量產，更為HBM產品的良率提升與成本控制奠定基礎。目前美光HBM3E產品已採用相關技術，良率已提升至60%以上，與行業龍頭SK海力士的差距逐漸縮小，並已批次供應輝達H200、GB300及AMD MI350等高端AI晶片平台。在技術迭代方面，美光正加速推進HBM4研發，重點攻克混合鍵合工藝與高堆疊層數技術，計畫2026年推出HBM4樣品，2027年實現量產，與日本HBM工廠2028年出貨的節奏形成銜接，確保產能釋放後可直接對接下一代AI晶片需求。總而言之，美光在日本廣島的96億美元投資，是其面對AI記憶體超級周期的一場關鍵戰略押注。這不僅關乎其自身能否在HBM市場更進一步，也是觀察全球半導體供應鏈如何在技術競賽與地緣政治雙重影響下重構的一個重要案例。值得注意的是，美光擴產也為行業釋放明確訊號：HBM已進入“技術研發+產能規模+供應鏈協同”的系統競爭階段，具備全鏈條能力的企業將在AI儲存賽道佔據主導地位。而對國記憶體儲產業而言，美光與日本的“企業技術+政府支援+產業鏈協同”模式，也為國記憶體儲企業突破HBM核心技術、實現國產替代提供了可借鑑的路徑。台積電：3nm/2nm攻堅+CoWoS加碼受AI晶片需求激增驅動，台積電正加速先進製程與先進封裝產能擴充，核心聚焦3nm、2nm及CoWoS三大領域，同步推進全球產能佈局，以應對客戶訂單缺口。因輝達、AMD、特斯拉等客戶爭搶產能，台積電3nm供應短缺，已啟動緊急擴產。據摩根士丹利報告預估，2025年底前3nm月產能將額外擴增2萬片，達11-12萬片；2026年將進一步提升至14-15萬片，新增產能主要來自美國亞利桑那州二期廠房（約2萬片/月）及台灣現有4、5nm產線轉換（約1萬片/月）。不過擴產受無塵室空間限制，部分區域已轉用於2nm製程，只能依賴現有廠區挖潛。目前台積電正為特斯拉AI5晶片提供3nm製程設計與生產服務，3nm產能利用率已達100%。與此同時，台積電2nm製程已於2025年下半年啟動量產，需求遠超預期。台積電計畫將2nm晶圓廠數量從7座擴充至10座，新增3座落地台南市南部科學園區，與新竹（2座）、高雄（5座）現有工廠形成互補，總投資預估9000億新台幣，最早2026年動工，建成後月產能將超10萬片。預計2026年底2nm月產能將從當前4萬片提升至8-9萬片，2028年達產能峰值。蘋果已鎖定其A20/A20 Pro晶片超半數初始供貨量，特斯拉未來AI6晶片也將採用2nm製程，預計年貢獻約20億美元代工收入。針對AI晶片封裝需求，台積電重啟CoWoS產能加速擴充計畫，2026年月產量預計將從目前的7萬片提升至12萬片以上，新增產能主要來自友達光電原AP8工廠改造。目前台積電已將2025年CoWoS產能提升至兩年前的三倍，嘉義AP7先進封裝樞紐正穩步建設，美國亞利桑那工廠附近兩座先進封裝廠也將於2026年上半年動工，2028年底實現SoIC和CoWoS生產。擴產背後，台積電大幅提升其資本支出，2025年資本支出區間為400-420億美元，70%用於先進製程。摩根士丹利預測，台積電2026年資本支出將升至480-500億美元，70%-80%投向2nm、A16等先進製程，剩餘資金用於先進封裝。台積電在台灣、美國加速擴產，日本、德國工廠進展相對緩慢，全球範圍內同步建設10座工廠，以匹配未來五年穩定的客戶訂單需求。總而言之，台積電的擴產是一場圍繞製程領先、封裝協同和全球佈局的全面競賽。其目標不僅是滿足當前訂單，更是為了構築一道涵蓋技術、產能、供應鏈的綜合性壁壘，以鎖定未來AI時代最核心的製造主導權。格羅方德：歐洲半導體主權的守護者面對全球半導體供應鏈重構及歐洲本土晶片需求激增，格羅方德（GlobalFoundries）近期敲定核心擴產計畫——聚焦德國德累斯頓工廠啟動“SPRINT”擴建項目，以強化歐洲半導體製造能力，搶佔差異化技術賽道。該計畫已獲德國政府高度認可，且有望納入《歐洲晶片法案》支援框架，成為歐洲提升供應鏈韌性的關鍵落子。格羅方德宣佈，計畫投資11億歐元擴大德國德累斯頓工廠產能。該擴建計畫分階段推進，第一階段預計2028年完成，屆時工廠年產能將提升10%，達到每年110萬片晶圓，遠超初期每年超100萬片的目標，使其成為歐洲同類晶片工廠中規模最大的製造基地。作為項目核心，德累斯頓工廠將同步進行設施升級，重點搭建端到端的歐洲本地流程與資料流體系，以滿足汽車、國防等關鍵領域對半導體的安全要求。格羅方德歐洲晶圓廠總經理Manfred Horstmann博士明確表示，此次擴產不僅是為滿足短期需求，更核心是保障歐洲工業基礎的未來競爭力，確保本地獲得關鍵晶片技術。據悉，該擴產計畫深度契合歐洲半導體戰略，已獲得德國聯邦政府與薩克森州的明確支援，預計今年晚些時候將通過歐盟審批，納入《歐洲晶片法案》補貼框架。此次擴產背後，是格羅方德針對市場需求與戰略佈局的雙重考量。從客戶需求來看，全球晶片供應鏈脆弱性日益凸顯，尤其是汽車行業多次因晶片短缺陷入動盪，歐洲主要客戶對供應鏈多元化的訴求持續升級。格羅方德CEO Tim Breen表示，客戶明確“需要非中國大陸、非台灣的供應管道”以降低地緣政治風險，這一需求自新冠疫情期間晶片短缺後愈發強烈。從行業趨勢來看，各行各業都正加速向人工智慧轉型，對低功耗、嵌入式安全記憶體、無線連接等差異化技術晶片需求激增。格羅方德此次新增產能將重點聚焦這些領域，同時為下一代計算架構及量子技術創新提供支撐，鞏固其在定製晶片領域的優勢。此外，歐洲當前全球先進晶片生產市場份額僅8.1%，遠低於其2030年20%的目標，格羅方德的擴產也被視為助力歐洲填補產能缺口的關鍵舉措。總體來看，格羅方德此次擴產，既是對歐洲晶片本土化需求的精準響應，也是其依託政策紅利、深耕差異化賽道的戰略佈局。隨著項目推進，不僅將提升格羅方德在歐洲市場的影響力，更有望推動歐洲半導體供應鏈韌性提升，為全球晶片供應鏈區域化重構注入新動力。日月光加碼先進封測，搶攻AI時代商機近日，全球封測龍頭日月光投資控股也正加速擴產。日月光全資子公司日月光半導體董事會正式通過兩項重大擴產決議，分別聚焦桃園中壢與高雄楠梓兩大基地，通過產權收購與合建開發雙模式擴充產能，凸顯公司搶佔全球先進封裝市場的戰略決心。此次擴產基於雙基地同步發力，圍繞“北整合、南新建”思路展開，兩項決議均與關係企業宏璟建設合作，既保障擴產效率，又最佳化資金配置。一方面，日月光半導體以新台幣42.31億元，向宏璟建設購入桃園市中壢區第二園區新建廠房72.15%的產權。該廠房為雙方此前合建項目，日月光原本已持有27.85%產權，此次收購後將實現100%控股。日月光強調，中壢基地是其北台灣先進封裝與測試的核心據點，此次產權整合將為高階CoWoS封裝測試支援、AI客戶導線、SiP封裝等產能佈局提供關鍵支撐，有效緩解當前先進封裝產能緊張的局面。另一方面，日月光與宏璟建設採用“合建分屋”模式，合作開發高雄楠梓科技產業園區第三園區第一期項目。項目建成後將匯入先進封裝測試裝置，打造南台灣新一波高階封裝基地。日月光指出，楠梓第三園區將成為其南台灣封測戰略的重要樞紐，助力完善AI、高性能計算及車用半導體的封測全流程佈局，與中壢基地形成南北協同效應。此次密集擴產背後，是AI產業爆發帶來的先進封裝需求井噴。日月光明確表示，擴產核心目的是應對AI帶動的晶片應用增長，以及客戶對先進封裝測試產能的迫切需求。供應鏈業者透露，日月光10月剛宣佈高雄K18B廠動土，短短一個月再推兩項擴產案，側面印證AI與HPC領域的長期需求趨勢，且CoWoS等先進封裝訂單能見度已延伸至2027年。資料顯示，日月光先進封裝產能利用率已達100%，2025年前七個月合併營收同比增長7.95%，創歷史同期新高，公司全年目標實現先進封裝與測試業務營收較2024年增加10億美元。因此，日月光此次雙基地擴產是搶進AI世代封測商機的關鍵行動。中壢基地的產權整合可快速釋放高階封裝產能，滿足短期客戶需求；楠梓新基地的建設則著眼長期，進一步強化南台灣封測產業叢集效應——此前日月光已在高雄佈局K18、K28等廠區，覆蓋晶圓凸塊、覆晶封裝、CoWoS等全鏈條，此次新增產能將助力其形成更完整的先進封裝產業生態，抓住AI晶片帶來的增長機遇。德州儀器：“雙線並舉”，模擬晶片的產能巨擘作為全球模擬與嵌入式處理晶片的巨頭，德州儀器（TI）近期的擴產計畫清晰地展現了一條與爭奪最先進製程不同的戰略路徑，通過在亞洲和美國兩線進行投資——馬來西亞馬六甲第二座封裝測試工廠TIEM2投產，以及美國德州、猶他州七座晶圓廠建設，形成“後段封裝強化+前段晶圓攻堅”的全鏈條產能升級，既保障全球供應鏈韌性，又響應美國本土晶片製造回歸戰略。近期，德州儀器宣佈其位於馬來西亞馬六甲的第二座封裝和測試工廠TIEM2正式投入使用，這是其深耕馬來西亞半個世紀後的重要產能補充。該工廠總潛在投資額約11.98億美元，與現有馬六甲封裝測試工廠無縫銜接，形成規模化生產叢集。TIEM2配備先進自動化生產裝置，聚焦模擬與嵌入式晶片的凸點、探針、組裝及測試全後段製程，預計每年可封裝測試數十億顆晶片，廣泛應用於汽車、智慧型手機、資料中心等核心電子系統，將進一步緩解全球電子產業對關鍵封裝產能的需求壓力。德州儀器自1972年在馬來西亞雪蘭莪州開設第一家工廠以來，已在當地佈局馬六甲、吉隆坡兩大封裝測試基地，此次TIEM2投產進一步鞏固其在東南亞的後段製造樞紐地位，與全球15個製造基地形成協同，強化供應鏈區域化佈局的靈活性。2025年6月，德州儀器還宣佈一項創美國成熟晶片生產紀錄的投資計畫——斥資超600億美元在德州、猶他州建設七座晶圓廠，預計創造超6萬個工作崗位，聚焦300毫米模擬與嵌入式晶片產能提升，呼應美國政府半導體製造業回歸戰略。據證券時報報導，該投資中460億美元投向德州大本營，150億美元落子猶他州，分佈在三個核心製造基地：德克薩斯州謝爾曼：首座新晶圓廠SM1於2025年啟動初步生產，距破土動工僅三年；第二座SM2外部結構已完工，後續還計畫增建SM3、SM4兩座晶圓廠，應對長期需求；德克薩斯州理查森：第二座晶圓廠RFAB2持續提升產量，延續2011年全球首個300毫米模擬晶圓廠RFAB1的技術路線，形成雙廠協同；猶他州利哈伊：首座300毫米晶圓廠LFAB1加速建設，相連的LFAB2建設進展順利，未來將形成規模化300毫米產能叢集。德州儀器總裁兼首席執行官Haviv Ilan表示，此次投資旨在打造可靠、低成本的大規模300毫米晶圓產能，蘋果、福特、美敦力、輝達、SpaceX等美國領軍企業均依賴其技術與製造能力。美國商務部長也強調，該合作將為美國晶片製造業提供未來數十年的支撐，強化本土供應鏈安全。目前該項目推進順利，Ilan在2025年4月透露，公司已完成約70%的資本投資階段，進入最後攻堅期，待猶他州廠升級與謝爾曼園區建設完成後，將逐步減少資本支出，恢復股利、庫藏股等股東現金回饋。綜合來看，此次密集擴產源於雙重驅動：一方面，全球電子產業對模擬、嵌入式晶片的需求持續攀升，AI、汽車電動化、資料中心建設進一步放大產能缺口，TIEM2投產與美國晶圓廠建設形成後段-前段產能匹配；另一方面，美國《晶片法案》政策導向及客戶對本土供應鏈的需求，推動其加大美國產能佈局，輝達、SpaceX等客戶已明確依賴其美國製造晶片保障供應鏈安全。值得注意的是，高資本支出曾引發部分投資人擔憂，擔心壓縮短期回報。疊加近年來毛利率下滑，德州儀器近期傳出擬對部分產品線漲價，被視為守住利潤率的關鍵舉措。與台積電、三星等巨頭聚焦於追趕摩爾定律的路徑截然不同，德州儀器選擇在特定晶片領域，通過製造規模來構築護城河，近期擴產進一步打造了“東南亞封裝+美國晶圓”的雙核心格局。這種佈局既平衡了全球供應鏈的區域韌性，又抓住了美國本土製造的政策與市場機遇，為其在模擬晶片賽道的龍頭地位築牢產能根基。半導體產業鏈擴產熱潮不斷與半導體製造大廠的產能競賽同步，上游的材料與裝置廠商也正在加速投資，為核心製造環節的擴張提供關鍵的“彈藥”支撐。其中，日本材料廠商正憑藉其在光刻膠領域的技術優勢，進行密集的全球化產能佈局，以鎖定未來2奈米及更先進製程的市場。東京應化計畫投資200億日元在韓國建設光刻膠工廠，預計2030年投產，投產後其在韓國的光刻膠產能將提升3-4倍，產品主要供應半導體封裝及儲存領域；同時另投120億日元在韓國新建高純化學品工廠，完善半導體材料配套供應。JSR則發力韓國市場，計畫建設MOR生產基地，2026年底前投產，進一步強化其在先進光刻膠領域的全球領先地位。富士膠片規劃未來三年投資1000億日元擴大半導體材料產能，佈局覆蓋日本、美國、歐洲及韓國市場，以應對全球AI產業帶來的材料需求激增。德國默克電子近日宣佈，其位於台灣高雄、投資5億歐元的全球最大半導體材料及電子業務生產基地已啟動資質認證，計畫2026年量產，主要生產先進晶片製造所需的薄膜、配方材料和特種氣體等，其中關鍵的薄膜材料可助力實現先進晶片架構；該工廠投產後將滿足當地約80%的薄膜材料需求及超50%的總體材料需求，提升本地自給率並更好服務亞太地區，這是公司踐行多年“本地化戰略”、增強供應鏈韌性的重要舉措，進一步服務台積電等全球主要晶片製造商，適配3奈米及更先進晶片的生產需求。三星電機也正加碼AI相關半導體封裝基板擴產，其FC-BGA基板產能利用率持續提升，第三季度已達72%並接近峰值，且該基板庫存預計2027年前基本售罄；計畫進一步擴大FC-BGA供應範圍，從亞馬遜、AMD等現有客戶拓展至Google、博通等新客戶，目標明年實現該業務兩位數銷售增長，同時最佳化業務結構，從專注IT產品轉向人工智慧和汽車應用領域，憑藉高附加值產品搶佔AI及高性能計算伺服器相關基板市場，鞏固其韓國唯一大規模生產伺服器用FC-BGA晶片公司的地位。在另一條技術賽道上，為解決AI晶片日益嚴峻的熱管理瓶頸，歐洲金剛石晶圓項目獲得重大推進。美國公司Diamond Foundry位於西班牙特魯希略的工廠，累計獲得約27.7億美元投資，其中西班牙政府最新追加了7.53億歐元，目標是建成全球最大的半導體級單晶金剛石晶圓生產基地，最終年產能目標達1000萬克拉。金剛石是目前已知導熱率最高的材料，能將晶片熱量快速匯出，是突破下一代高功耗晶片散熱瓶頸的關鍵。該項目從技術研發（已能生產4英吋金剛石晶圓）到規模製造，標誌著超高熱導率材料正從實驗室走向產業化。與此同時，SEMI近期發佈的《全球半導體裝置市場統計報告》，進一步從裝置端印證了行業目前如火如荼的擴產趨勢。報告表示，2025年第三季度全球半導體裝置出貨量同比增長11%，達到336.6億美元。2025年第三季度出貨量環比增長2%，營收增長主要得益於對先進技術的強勁投資，尤其是在人工智慧計算領域領先的邏輯晶片、DRAM 和封裝解決方案。此外，對中國地區的裝置出貨量也顯著增長，進一步推動了整體的增長勢頭。“今年迄今為止，全球半導體裝置出貨量已接近1000億美元，創下前三個季度的歷史新高，這反映了該行業持續強勁的發展勢頭以及對技術創新投資的堅定承諾，”SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示。“人工智慧的強勁需求持續推動著先進邏輯和儲存器領域的支出，以及面向節能封裝應用領域的支出。這一積極的發展趨勢凸顯了半導體在建構一個更智能、更互聯的世界中發揮的關鍵作用，而這個世界正是下一代數字解決方案的基石。”總而言之，當前的半導體擴產浪潮是全產業鏈的共振。在製造端大幅增加產能的同時，上游材料和裝置端的巨頭們正通過前瞻性技術投資和貼近客戶的全球化佈局，為這場競賽夯實基礎，確保“彈藥”供應，共同爭奪AI時代的技術與市場主導權。半導體“擴產潮”背後的邏輯當前全球半導體行業的擴產浪潮，並非一次簡單的增產，而是一場由AI革命驅動、供應鏈安全需求倒逼、廠商戰略理性權衡交織下的全方位產業重構。本輪擴產潮是多重因素共振的結果：AI需求的超級周期：AI從訓練擴展到推理，不僅引爆了HBM需求，也帶動了用於AI推理的先進通用DRAM，導致全品類記憶體價格飆升。OpenAI、輝達等巨頭直接鎖定巨額產能，扭曲了傳統市場供應。地緣政治下的供應鏈重構：全球各國將半導體視為戰略資產。美國的《晶片法案》、日本的復興計畫、歐盟的《晶片法案》等都通過巨額補貼，引導產能本土化，這已深刻改變了廠商的選址邏輯。廠商自身的戰略考量：本輪擴產並非盲目。主要廠商在經歷了過去幾年的行業周期性波動後，表現出更強的戰略定力。經歷過嚴重過剩周期的記憶體巨頭們，此次擴產極具紀律性，優先通過提升現有產線利用率、轉換產品線來增加供應，而非盲目建新廠，以防止未來市場反轉。此外，台積電在先進製程上的擴張也表現出戰略聚焦而非全面鋪開。在核心領域，AI記憶體與先進製程賽道的贏家通吃效應持續凸顯，頭部企業展開激烈角逐，既有三星全力追趕SK海力士爭奪HBM市場優勢，也有台積電憑藉產能規模與技術壁壘建構競爭護城河。與此同時，全產業鏈成本壓力逐步傳導，巨額建廠投資、裝置緊缺及原材料價格暴漲共同推高晶片成本，最終通過AI伺服器等中間環節間接影響消費電子市場。產業競爭模式已實現迭代升級，從單一製程節點的比拚，延伸至“先進製造+先進封裝+高端記憶體”的系統性能力較量，而成熟製程領域則圍繞地域安全與特色工藝，呈現差異化競爭加劇的態勢。全球主要半導體企業均在主動重構產能佈局，這場由AI驅動的產能競賽，不僅引發短期價格波動，更將推動行業長期技術迭代與產業格局深度變革。寫在最後站在AI技術爆發的時代關口，半導體行業的擴產競賽早已超越單純的產能比拚，成為關乎未來十年全球算力基礎設施主導權的戰略博弈。從韓國儲存雙雄的HBM話語權爭奪，到晶圓代工與封測龍頭的技術壁壘建構，再到歐美國際廠商的區域化產能佈局，全球半導體產業的競爭邊界不斷拓展，新的生態格局加速成型。成本傳導帶來的短期挑戰固然存在，但更值得關注的是，這場競賽正倒逼行業實現技術創新與供應鏈韌性的雙重提升。未來，隨著產能佈局的逐步落地與技術路線的持續迭代，全球半導體產業將邁入更具彈性卻也更趨複雜的發展階段。這場競賽的最終結果，不僅將決定全球算力版圖的核心架構，更將深刻影響下游諸多產業的發展走向，其深遠意義仍待時間印證，而這場由AI驅動的產業變革，才剛剛拉開序幕。 (半導體行業觀察)

11月27日消息，據韓國媒體dealsite報導，繼SK海力士完成了與輝達的HBM4供應價格談判之後，三星電子與輝達的HBM4供應價格談判也進入了最後階段。雖然三星電子此前供應的12層堆疊的HBM3E的單價相對較低，但是對於12層堆疊的HBM4的供應價格，三星電子的目標是與SK海力士持平，即維持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供應價格提升了超過150%。據業內人士透露，輝達在與SK海力士敲定明年的HBM4供貨合同僅一周後，便邀請三星電子參與明年HBM4供應的價格談判。目前談判已進入最後階段，預計年內將做出最終決定。一位熟悉該公司情況的官員表示：“我們目前內部判斷，三星電子的HBM4 的主要性能，包括速度，優於 SK 海力士的產品。”他還表示：“我們之前向輝達提供的12層堆疊的HBM3E價格相對較低，但我們正在與輝達談判，目標是以輝達與 SK海力士簽訂HBM4供應合同的價格相當。”此前的報導顯示，SK海力士和輝達最近達成的明年HBM4供貨價格約為500美元中段。考慮到SK海力士12層堆疊的HBM3E的定價在300美元中段，這意味著價格上漲超過50%。雖然SK海力士在台積電生產的HBM4晶片總成本比上一代產品增加了30%，但該公司獲得了相應的溢價，從而顯著抵消了成本負擔。目前，三星電子的HBM3E晶片價格比SK海力士的同類產品低約30%。一位消息人士解釋說：“三星電子此前已為輝達預留了HBM3E晶片，但由於認證延遲，導致產品無法及時出貨，迫使該公司緊急將產品供應給其他大型科技公司。這部分產品不得不以更低的價格出售，從而拉低了平均單價。” 據報導，三星電子的HBM3E晶片供應價格在200美元左右。顯示，三星電子要求對輝達供應HBM4的價格與SK海力士一致，這也意味著三星希望供應價格也能夠提高到超過500美元，相比之前的HBM3E的200美元供應價格提升了超過150%。需要指出的是，三星電子正在避免導致其在 DRAM 領域失去主導地位的錯誤，正在利用更先進的1c DRAM 的 HBM4的大規模生產，來確保對SK海力士的基於1b DRAM的HBM4的競爭優勢。而這或許也是三星電子要求對輝達供應HBM4的價格與SK海力士相當的底氣。另一方面，目前明年市場對於HBM4的需求已經超過了市場供應，畢竟目前只有SK海力士和三星電子具有HBM4量產供應能力，所以三星電子自然是不願意降低單價。一位半導體行業內部人士表示：“輝達對HBM4的需求如此之高，以至於三星電子希望以高價確保供應。目前，三星電子沒有理由降低單價。” 他補充道：“即使他們降價，價格差異也不會很大。” 這表明三星電子在談判桌上佔據相對優勢。另外，為了滿足市場對於HBM4的需求，提升對於SK海力士的競爭力，三星電子計畫在明年年底前將其HBM4的1C DRAM產能從目前的每月2萬片晶圓提高到每月15萬片晶圓。一位三星電子公司官員解釋說：“我們計畫明年將 1c DRAM 產能每月增加約 8 萬片晶圓”，並且“如果算上現有成熟工藝線改造為 1c DRAM的產能，我們明年每月將能夠分配約 15 萬個1c DRAM晶圓用於 HBM4。”HBM 樣品分為 WD（工作晶片）→ ES（工程樣品）→ CS（客戶樣品）三類。三星電子已於去年 9 月向輝達交付了 ES 樣品，認證結果將於本月公佈。一旦獲得批准，必須立即提交量產樣品。整個流程完成後，最終認證結果將於明年初公佈。業內人士最初預計，即便三星電子明年初通過最終認證並立即開始量產，產品出貨也要等到明年下半年。然而，隨著近期市場對輝達HBM4的需求激增，一些人預測三星電子最早可能在明年第二季度就開始供應晶片。這將打破SK海力士在上半年壟斷輝達HBM4供應的格局，並將兩家公司之間的供應差距從半年一次縮小到季度一次。然而，要實現這一願景，提早實現大規模量產必不可少。目前，三星電子1c DRAM的HBM4標準良率僅為50%。另一位半導體行業內部人士解釋說：“最大的挑戰是良率，而非質量。”他還表示：“雖然有人擔心發熱問題，但目前已得到顯著改善。包括輝達在內的主要客戶也更注重速度而非發熱，因此不存在重大問題。”三星電子的HBM4核心晶片採用1c DRAM，邏輯晶片則採用4nm工藝製造。雖然這種先進工藝相比競爭對手在速度和能效方面具有優勢，但也可能導致發熱。 (芯智訊)

2025年10月，OpenAI以“星際之門”為名，與三星和SK海力士簽下協議，鎖定每月高達90萬片DRAM晶圓供應——這大致相當於全球DRAM產量的40%，被單一買家一次性包攬，作為其為期四年、總投資5000億美元的基礎設施計畫的一部分。所有關注儲存市場的人都預見到接下來的走勢。合約DRAM價格在交易公佈後跳漲171%。零售市場受到的影響則更為劇烈。一套Team Delta RGB 64GB DDR5-6400記憶體條，八月售價為190美元；而現在？同款在網上的標價是700美元。不到三個月，漲幅高達268%。在和平時期的大宗商品市場中，如此陡峭的漲勢幾乎史無前例。就連本應供應過剩的DDR4，價格也翻了一倍有餘。儲存裝置同樣受波及：西部資料WD Blue SN5000 1TB SSD從64美元漲到111美元，2TB版本也從115美元升至154美元。需求只是部分原因。OpenAI的“星際之門”擴展需要驚人數量的高頻寬記憶體。資料中心與消費電子製造商爭搶同一批基礎資源，而前者出價更高——高得多。工廠正將先進DRAM產能轉向AI需求，因為資料中心的報價是消費裝置製造商無法匹敵的。如果供應保持穩定，局面或許尚可控制。可惜，供應並未穩定。三星、SK海力士與美光都已將產線轉向HBM，也就是用於AI加速器晶片的專用高頻寬記憶體。那裡的利潤遠高於消費級DDR5。美光2026年全部的HBM產能已被預訂一空。用於傳統記憶體模組的晶圓啟動量持續下降，儘管PC製造商仍在持續採購。於是我們看到：需求激增的同時，生產結構卻在轉向。這意味著一場“合謀”的記憶體暴漲局中局進入短期無解的趨勢中。這次記憶體周期與以往不同之處在於：AI基礎設施的升級路徑與消費硬體截然不同。一旦這些資料中心建成，隨著模型規模擴大，它們將持續吞噬記憶體。需求曲線，只上不下。面對這場風暴，科技巨頭的反應判若雲泥，由此劃分出了兩個陣營。索尼在價格起飛前為PlayStation 5囤積了充足記憶體。據行業消息人士透露，其庫存足以在未來數月維持主機價格穩定，甚至可能安然度過整個短缺期。蘋果也提前鎖定了供應，並且其利潤率足以消化這類會壓垮薄利業務的成本上漲。聯想則走得更遠。據彭博社報導，其記憶體庫存較正常水平高出約50%，足以支撐到2026年。微軟的處境則顯得被動。行業分析師認為，Xbox遊戲機很可能不得不再度漲價——而該公司今年稍早已經提價一次。Valve的時機更是雪上加霜。其原本備受期待的客廳遊戲PC“Steam Machine”，上市時核心元件成本已是所有人預算的兩到三倍。公司不願承諾最終售價，並直接將問題歸咎於記憶體短缺。他們規劃中的任何價值主張，都被記憶體成本徹底吞噬。模組化筆記型電腦公司Framework則已從其商店下架所有獨立記憶體套條。這場由“預見力”劃分的陣營，正在競爭格局中刻下深遠影響——即便價格未來回穩，其效應也將長期存在。索尼與聯想保住了市場地位；微軟與Valve則未能倖免。短短幾個月的供應鏈管理，壓縮了本應多年演變的市場份額變遷。很自然的問題是：三星、SK海力士和美光眼看著價格翻了三倍，為何不全力增產以攫取利潤？去問任何一位在2018年經歷過那場過剩的人，他們會給你確切的答案。2016年末至2017年初：記憶體供應緊張，價格攀升。三大製造商以最直接的方式回應——在韓國與中國破土動工新建晶圓廠，並提升現有產線產能。從紙面上看，追逐高價而擴大產能，演算法上完全合理。然而，2018年到來，演算法失靈。需求趨於平穩，所有新產能卻同時上線。晶片堆積在倉庫中。三星半導體部門——以往的利潤引擎——交出的季度業績令投資者咋舌。SK海力士情況同樣慘淡。供應過剩的陰影一直籠罩到2019年才逐漸散去。那段經歷，深刻塑造了這些公司今日的每一個產能決策。一座記憶體晶圓廠從建設到投產需時數年。2025年11月做出的晶圓分配選擇，將決定2027甚至2028年的市場供應。而屆時AI基礎設施支出是否仍如此火熱？無人能答。如果AGI研發遭遇瓶頸？如果超大規模使用者意識到過度投入而開始取消訂單？製造商寧願維持當前的短缺，也不願重蹈過剩覆轍。他們稱之為“紀律”。而消費者，在眼睜睜看著89美元的記憶體套條變成310美元時，用的可能是別的詞。行業預測指出，DRAM與NAND的供應緊張將持續至2026年；對2027年恢復常態，也僅抱有部分樂觀。大容量近線硬碟的訂單積壓已排至兩年後。分銷商開始將記憶體與主機板捆綁銷售，只為控制庫存分配。將鏡頭拉遠，一個令人不適的景象逐漸清晰：PC組裝者與遊戲玩家，正在為AI基礎設施的發展提供資金。不是直接的，也非出於自願，但機制正是如此運行。OpenAI、微軟、Google、亞馬遜——所有超大規模使用者——他們推高了記憶體價格以儲備訓練叢集所需。製造商優先滿足這些客戶。零售端的可用性不斷萎縮。那個為遊戲電腦攢錢的青少年，不得不為他三個月前僅需130美元的記憶體，多付出400美元。從未有過一場公共政策辯論，去權衡“加速AI發展”是否值得以“消費級計算成本上升”為代價。市場只是將資源導向出價最高者。而當單一客戶能鎖定全球40%的供應時，這一過程變得迅速而猛烈。三家公司生產了全球幾乎所有的DRAM。如此集中度，帶來了尚未受到足夠監管關注的系統性脆弱。說句實在話：已經時候審視這一局面了。 (錦緞)

分享幾份海力士過去幾年的優秀論文，這些論文聚焦高頻寬記憶體（HBM）及 DRAM 的先進封裝與整合技術，覆蓋 2.5D/3D SiP、堆疊工藝、熱管理、可靠性最佳化等核心方向，主要是為了面向 AI、HPC等對記憶體要求極高的場景，解決傳統封裝面臨的熱阻過高、堆疊密度不足、可靠性差的瓶頸。報告列表HBM 技術演進、當前挑戰及未來方向MR-MUF工藝在 HBM 晶片到晶圓堆疊中的應用2.5D SiP 整合 HBM 的結構表徵與可靠性驗證C2W混合鍵合技術在 HBM 中的應用W2W混合鍵合技術在商用 DRAM 中的應用關鍵資訊摘錄1 HBM技術演進、當前挑戰及未來方向生成式 AI 等場景推動記憶體頻寬 / 容量需求激增，HBM從HBM1（2014）迭代至HBM3E（2024），面臨頻寬擴展、散熱、功率、堆疊密度四大挑戰，未來需通過介面擴展、工藝融合、架構創新突破性能瓶頸。技術演進：HBM3E 頻寬 1.18TB/s、容量 36GB（12Hi），HBM4 計畫採用 2048 位介面（現有 1024 位）；核心解決方案：MR-MUF 工藝（散熱提升 10%）、混合鍵合（減少堆疊高度）、邏輯工藝整合基片（功耗降低 50%）；未來方向：近記憶體處理（Near-Memory Processing）、SERDES IP 整合、Si 橋接擴展 SiP 尺寸。2 MR-MUF工藝應用2.5D SiP 中 HBM 性能提升導致散熱問題加劇，傳統 TC-NCF（熱壓鍵合 + 非導電膜）工藝受限於鍵合壓力，無法增加金屬凸點數量，熱阻較高。報告通過最佳化LMC 樹脂（選擇低翹曲的 LMC C）和 MUF 材料（77% 填充率、3μm 最大填充尺寸、最佳化 SRA 含量），調整晶片貼裝順序（從垂直改為平面），擴展無虛焊的晶片翹曲範圍至 ±30μm，採用面朝下模塑 + 蛇形塗膠圖案，消除間隙填充空洞（空洞率 0%），成功實現 8Hi HBM 堆疊，相較 TC-NCF 工藝，記憶體晶片最高結溫降低 14℃，封裝可靠性通過 JEDEC 全項測試。3 2.5D SiP整合HBM的結構表徵與可靠性驗證2.5D SiP 尺寸擴大（Si 中介層達 3X 掩範本）、HBM 數量增加（最多 8 顆），導致熱應力和機械應力劇增，傳統代理封裝無法復現真實失效場景。報告研究發現，側模越寬，第一核心晶片應力越大（Product C 較 A 高 13%）；MR-MUF 工藝的頂 die 抗凹陷能力比 TC-NCF 高 60%；在 300℃+270N 的極端 TCB 工藝下，無焊橋和分層，通過 uHAST/TC/HTS 全可靠性測試。因此，MR-MUF 工藝的 HBM 在大尺寸 2.5D SiP 中具備優異的熱 / 機械應力抗性，可靠性滿足量產要求。4 C2W混合鍵合技術HBM 需更小凸點間距、更高堆疊密度和更低熱阻，傳統微焊點 + 聚合物底部填充結構無法滿足，且 C2W 堆疊易受顆粒污染和 Cu pad 氧化影響。報告開發臨時鍵合 / 解鍵合材料，控制 Cu pad 氧化和凹陷（≤-4nm 易失效）；最佳化電漿體處理參數，延長 Q-time 至 24 小時無空洞；設計柔性凸面鍵合工具 + 一體化堆疊裝置，減少顆粒誘導空洞；採用低 CTE 環氧模塑料（EMC）緩解應力。HBI 技術使 HBM 熱阻降至傳統工藝的 20% 以下，堆疊高度減少 15%，電氣性能與傳統 HBM 一致，適合 16Hi 高堆疊 HBM。5 W2W混合鍵合技術摩爾定律逼近極限，3D IC 整合需求迫切，W2W 混合鍵合比 C2W 更易實現細間距互連，但此前未應用於商用 DRAM。報告提出了一系列工藝最佳化，包括採用 SiCN 介質層、控制 CMP 平坦化（Cu 凹陷≤5nm）、避免高 Cu 密度區域空洞，以及調整鈍化退火步驟以恢復因額外熱過程導致的 DRAM 單元特性等熱預算控制，電氣驗證顯示菊花鏈結構良率 100%，電阻分佈均勻，晶圓良率與現有 DRAM 一致。報告認為W2W 混合鍵合可成功應用於商用 DRAM，為 3D DRAM/HBM 的高密度整合提供新路徑。從海力士的系列研究中可見，其HBM 技術佈局以 MR-MUF（解決中短期散熱 / 可靠性）和混合鍵合（C2W/W2W，解決長期高密度 / 低功耗）為兩大核心工藝，從材料、裝置、結構多維度最佳化，避免技術分散。所有研究均緊扣 AI/HPC 的核心痛點 —— 頻寬、散熱、密度、功耗，不同於純理論研究，所有技術均通過 JEDEC 標準可靠性測試、良率驗證，且注重相容性，技術落地性強。未來，高堆疊（16Hi+）帶來的薄 die 處理（≤30μm）、大尺寸 Si 中介層的良率成本、混合鍵合的顆粒污染控制仍是關鍵挑戰，近記憶體處理、SERDES IP 整合等架構創新，可能成為 HBM4 及後續代際的核心突破方向。 (銳芯聞)

顯示卡很快就要受到影響集邦諮詢最新市場報告顯示，DRAM和NAND快閃記憶體市場均持續強勁的漲價勢頭，其中一個關鍵指標預示著記憶體模組價格即將迎來新一輪大幅上漲。目前，現貨市場上 DDR4 和 DDR5 產品的晶片（顆粒）報價正在持續攀升。更值得注意的是，DRAM 晶片的報價已經顯著超過了同容量記憶體模組的整體報價——這一消息實際上已經在約兩周前我從上游管道確認。集邦諮詢分析認為，晶片與模組之間價差的拉大，意味著現貨市場中的記憶體模組價格在短期內將迅速上漲，以縮小與晶片成本之間的差距。對於DRAM晶片，本周主流 DDR4 晶片（1GB×8 3200MT/s）的平均現貨價格相比上周上漲了 7.10%，達到了 11.857 美元。儘管由於賣方惜售和貨源有限，實際交易量目前偏低，但價格上漲的趨勢非常明確。正如很多論壇、討論組流傳的那樣，不少廠商已經停止報價，等待進一步價格變動。而在NAND晶片上，現貨市場同樣受到合約市場價格強勁拉動的帶動，報價的上漲幅度和頻率都在增加。由於供貨緊張，部分中小型買家開始轉向現貨市場採購，而現貨貿易商也因貨源稀缺而延遲出貨、惜售。在報價方面，本周512Gb TLC晶圓的現貨價格出現了17.07%的暴漲，達到 6.455 美元。集邦諮詢預計，短期內現貨市場供應將保持緊張，漲價動能有望持續到下一季度。當下，晶片製造商在上游環節擁有絕對的議價權，惜售心理和 AI 需求導致的產能擠壓，使得晶片成本被急劇抬高。記憶體模組廠商的利潤空間被嚴重壓縮甚至倒掛，這必然會促使模組廠商在短期內大幅上調成品價格，以彌補成本並確保利潤。而在更上游，近日摩根士丹利（Morgan Stanley）近日發佈了一份名為《記憶體——最強定價權》（Memory–Maximum Pricing Power）的行業報告，明確看好儲存晶片行業的未來走勢，並基於此上調了韓國兩大儲存晶片巨頭三星電子和 SK 海力士的目標股價。摩根士丹利在報告中指出，驅動這輪“儲存晶片超級周期”的核心力量，是超大規模人工智慧（AI）營運商之間日益激烈的競爭。這些 AI 巨頭對元件成本的敏感度較低，持續推動著動態隨機存取儲存器（DRAM）和 NAND 快閃記憶體價格的上漲。該行強調，儲存行業投資邏輯簡單明了：“在周期上行階段，利潤率會擴大、股價會上漲、企業創造巨額利潤，投資者則從中獲得高回報。”當前 DRAM 價格已經超越了歷史最高水平，而新的價格峰值通常會伴隨著新的股價峰值。摩根士丹利評估認為，本輪上漲有強勁的盈利作為支撐，且 AI 的長期增長動力依舊強勁，因此記憶體價格上漲已進入“前所未有的領域”。摩根士丹利預測，DRAM 價格在接下來的幾周內將繼續大幅上漲。此外，受強勁的企業級固態硬碟（eSSD）訂單推動，NAND 合約價格在第四季度也可能上漲 20% 至 30%。該行判斷，考慮到 AI 基礎設施投資的規模，本輪價格峰值將超過 2018 年雲端運算超級周期的高點。本輪超級周期本質是由於AI行業爆火使得HBM擠佔了通用DRAM產能，為了生產高利潤的 HBM，三星、SK 海力士等儲存晶片巨頭將產能從傳統的 DDR/GDDR 生產線轉移。雖然GDDR視訊記憶體和DDR記憶體屬於不同類型，但它們共享大部分基礎晶圓產能和製造資源。當通用 DRAM 供應被 HBM 大量擠壓時，GDDR 視訊記憶體的供應同樣會受到衝擊，成本自然水漲船高。前天我已經從管道收到消息，G7 2GB顆粒報價已經提升了10美元，也就是說當下16GB的RTX 50顯示卡預計價格要上漲700元左右。而結合此前消息稱RTX 50SUPER延期至明年Q3季度，加上輝達或將視訊記憶體採購轉移給AIC夥伴，這一消息大機率是真的，只是目前資訊傳達具有遲滯性，加上市面上庫存還較多，但是預計最多一個季度，這一漲價潮就要傳播到顯示卡類目上。 (AMP實驗室)

近期，儲存賽道熱度席捲全球。筆者曾對儲存市場周期進行了分析預判，“超級周期”、“前所未有的新繁榮”等行業論述持續升溫。近日，三星電子、SK海力士、西部資料等全球儲存晶片巨頭相繼發佈最新季度財報，業績全面超過預期，賺得盆滿缽滿。這一亮眼表現不僅標誌著儲存晶片企業從去年的行業低谷中強勢復甦，或許進一步印證了市場關於儲存晶片進入新一輪“超級周期”的論調。儲存巨頭財報解析：營收利潤雙爆發，正式邁入上升周期三星電子：儲存業務強勢反彈，利潤達近三年最高2025年第三季度，三星電子交出超預期成績單：營收達86.1兆韓元，同比增長9%，環比增長15%；營業利潤飆升至12.2兆韓元，同比增長32.6%，環比激增159.6%，創下近三年來最高水平。其中，儲存業務成為絕對增長引擎。從業務結構來看，裝置解決方案（DS）部門營收33.1兆韓元，環比增長19%，其中Memory業務營收26.7兆韓元，環比增長26%，同比增長20%，佔集團總營收的31%，成為本季度拉動業績的“發動機”。這一增長主要得益於AI伺服器和高性能計算市場的旺盛需求，生成式AI與大模型訓練對記憶體頻寬和容量的高要求，推動HBM與DDR5成為核心增量來源。三星在HBM領域的佈局也取得重要進展。據悉，三星128GB DDR5、24Gb GDDR7等高端產品已進入量產階段，HBM3E實現規模化出貨，單季度位元銷量環比增長80%。更值得關注的是，HBM4樣品已交付所有目標客戶，其低功耗下11Gbps的傳輸性能正吸引輝達等AI巨頭調整原定計畫並提出更高性能要求，計畫2026年正式量產。另一方面，三星的產能與技術佈局同步升級。據財報會披露，三星計畫2025年投入47.4兆韓元用於設施建設，其中86%的預算投向半導體部門，重點擴建1c DRAM產線滿足HBM4需求、推進24GB GDDR7量產及高密度QLC固態硬碟開發。在先進製程方面，2奈米GAA工藝正推進量產準備，計畫2026年在美國泰勒工廠正式投產，儘管目前試產良率約30%，但通過最佳化製程與擴大4奈米成熟節點產能，力求平衡技術領先性與商業化可行性。在技術創新方面，三星正在加速押注DRAM領域，從ASML購入5台全新High-NA EUV光刻機，其中2台將部署在三星半導體代工事業部，其餘裝置則專供儲存事業部。這標誌著三星在先進儲存技術方面的投入進入新階段。與此同時，三星與輝達展開深度合作，共建全球首個AI半導體工廠，部署超過5萬塊NVIDIA GPU提供算力，通過數字孿生與GPU加速光刻技術提升生產效率。同時，“晶片-終端-顯示-車載”四大業務形成閉環，DS部門的AI儲存產能擴張與DX部門的AI終端普及相互反哺，推動集團整體盈利能力持續改善。從財務表現來看，三星的盈利能力顯著改善。儲存業務的營業利潤達到7兆韓元，佔集團整體利潤的過半，這主要得益於產品價格上漲以及庫存價值調整等一次性成本顯著降低。公司預測，2026年對儲存器需求將比往年更強勁、更快，主要客戶訂單量已超過自身供應能力。SK海力士：HBM領跑行業，利潤刷新記錄SK海力士在本輪浪潮中表現尤為搶眼。2025財年第三季度，SK海力士業績創下歷史峰值：營業收入24.45兆韓元，同比增長39%，環比增長10%；營業利潤11.38兆韓元，同比增長62%，環比增長24%；淨利潤12.6兆韓元，同比激增119%，淨利率高達52%，營業利潤率47%刷新紀錄。這一創紀錄表現的關鍵在於兩點：DRAM和NAND價格同步回升，以及AI伺服器用高性能儲存晶片的需求全面提升。具體來看，SK海力士儲存業務結構持續最佳化。DRAM作為核心收入來源，佔比達78%，營收19.07兆韓元，bit出貨量環比增長7%-9%，平均銷售單價（ASP）環比上升4%-6%；NAND業務營收4.89兆韓元，佔比20%，儘管bit出貨量環比下降4%-6%，但受AI伺服器端eSSD高附加值需求拉動，ASP大漲10%-15%。另一方面，AI伺服器與高端移動裝置的需求推動高容量DDR5與LPDDR5出貨量持續攀升，128GB以上DDR5記憶體出貨量環比翻倍，12層HBM3E銷量持續攀升，HBM業務在DRAM總銷售額中佔比高達40%。更值得關注的是，SK海力士已與主要客戶就明年的HBM供應達成協議。SK海力士表示，目前已完成2026年HBM供應談判，HBM4於9月完成開發並啟動量產，已為滿足客戶所有性能要求及實現業界最高速度做好準備，第四季度正式出貨。基於此，SK海力士在HBM領域的議價能力顯著提升。據報導，SK海力士已與輝達就明年HBM4的供應完成價格和數量談判，HBM4單價確認約為560美元，比目前供應的HBM3E價格高出50%以上。這一漲價幅度充分反映了HBM產品的稀缺性和SK海力士在技術上的領先地位。據瞭解，SK海力士在全球HBM市場佔據58%的份額，且已鎖定2026年所有DRAM、NAND及HBM產能，部分客戶甚至提前預購傳統儲存晶片，顯示出極強的市場議價能力。SK海力士：從儲存供應商到“全端AI儲存創造者”值得關注的是，SK海力士還提出了"全端AI儲存創造者"的願景，計畫通過AI-DRAM、AI-NAND和定製HBM重塑未來儲存技術體系。目前，SK海力士公司正在從提供標準化儲存器件向參與AI計算架構的協同設計轉型，這種戰略定位將進一步鞏固其在AI儲存市場的領導地位。據芝能智芯報導，在產品路線方面，SK海力士提出兩個階段的技術演進方向：2026至2028年，將推出16層堆疊HBM4與HBM4E，並同步量產LPDDR6、PCIe Gen6 SSD與UFS 5.0等標準產品。三大AI儲存系列將全面佈局：AI-DRAM、AI-NAND與定製HBM，針對不同AI負載提供低功耗、超容量與跨領域的三種方案，同時通過晶片內嵌GPU/ASIC功能，實現儲存與計算的物理融合，縮短資料路徑、降低能耗。2029至2031年，SK海力士計畫進一步升級至HBM5/HBM5E與3D DRAM技術，並推出400+層堆疊NAND、PCIe Gen7 SSD及UFS 6.0標準，以支撐PB級AI資料集的即時處理與儲存需求。此外，在技術與產能方面，SK海力士加速推進1c nm DRAM工藝量產，2026年將實現伺服器、移動端、圖形處理等全產品線覆蓋，預計年底1c nm製程將佔據韓國境內傳統DRAM產能的一半以上；NAND業務重點擴大321層TLC、QLC產品供應，預計2026年底321層產品佔比將超NAND位元產量的50%。產能擴張方面，SK海力士啟動兩大戰略基地：清州M15X工廠和龍仁半導體產業群，M15X已在2025年第四季度投入營運，主要負責先進DRAM與HBM4生產，以應對超出預期的客戶需求；龍仁基地預計2027年投產，包含四座大型晶圓廠，總建築面積提升至原計畫的490%，產能相當於24個M15X，將成為全球最大AI儲存生產叢集，專為未來十年AI伺服器與資料中心的爆發性需求而建。SK海力士的目標是在數量和質量兩方面都超越競爭對手，並確保AI儲存供應不再出現短缺。西部資料：雲端儲存需求爆發，技術迭代鞏固份額除了韓系儲存巨頭外，西部資料也交出了亮眼的成績單。西部資料2026財年第一季度營收達28.2億美元，同比增長27%，環比增長8%；營業利潤率30.4%，毛利率提升至43.9%，同比擴大6.6個百分點。業績實現跨越式增長。雲業務成為西部資料絕對增長支柱。財報資料顯示，雲服務業務營收25.1億美元，同比增長31%，佔總營收比重達89%。西部資料首席執行官Irving Tan表示：“在雲資料儲存需求增長推動的強勁市場環境下，西部資料持續保持良好營運。公司近90%的銷售額來自雲端儲存客戶，反映了在AI應用驅動下，市場對可擴展資料儲存的不斷增長需求。”核心驅動力來自超大規模雲服務商對高容量近線儲存產品的需求強勁，32TB UltraSMR、26TB CMR等ePMR產品出貨量突破220萬台，近線儲存容量出貨達183艾字節，同比增長30%。更值得關注的是西部資料的訂單能見度。前七大客戶均提交了2026年上半年採購訂單，其中5家覆蓋全年需求，最大的超大規模客戶更是簽訂了覆蓋2027年全年的長期協議。這種長期化的訂單不僅保障了產能利用率，更降低了庫存波動風險，為盈利穩定性奠定基礎。在技術研發進展方面，西部資料持續突破。其下一代36TB ePMR硬碟認證提前3個月完成，計畫2026年下半年量產，單盤毛利率預計達47%；HAMR（熱輔助磁記錄）技術推進超預期，2026年上半年將啟動首家超大規模客戶認證，2027年實現50TB型號量產，單盤儲存成本較36TB下降20%；西部資料開設AI測試實驗室，通過人工智慧最佳化韌體現代化和工程流程，提升營運效率。不難預見，這些技術的突破將進一步鞏固西部資料在高容量儲存市場的領導地位。此外，西部資料還聚焦產能策略的效率提升，明確表示不新增單位產能，而是通過自動化升級與AI最佳化，將泰國、馬來西亞基地的產能利用率提升至90%，既規避產能過剩風險，又通過產品結構最佳化實現成本控制。預計2026財年第二季度營收將達29億美元，同比增長20%，毛利率維持在44%-45%區間。美光科技：2026年，全球儲存晶片供需失衡將加劇美光科技的表現同樣不俗。2025財年，美光科技營收創下373.8億美元的歷史紀錄，同比增長48.8%，兩年累計增長141%；第四季度營收113.2億美元，環比增長21.7%，同比激增46%。盈利能力大幅提升，毛利率從2024財年的23.7%躍升至40.9%，營業利潤率達29.0%，第四季度毛利率進一步攀升至44.7%，營業利潤率32.3%。憑藉AI資料中心需求的強勁推動，美光科技的營收與利潤雙雙創下歷史新高。資料中心業務成為美光最大的增長亮點，2025財年美光資料中心業務佔總營收的56%，HBM、高容量DIMM、伺服器LP DRAM產品合計收入100億美元，較上一財年增長超五倍；僅第四季度HBM收入就接近20億美元，年化營收達80億美元。DRAM業務營收90億美元，佔總營收79%，ASP環比提升11%，出貨量環比增長14%；NAND業務營收23億美元，佔比20%，均價環比增長9%，資料中心固態硬碟業務市場份額創下紀錄。在技術佈局上，美光科技率先量產1γ節點DRAM，這是美光首次採用EUV光刻技術的工藝。HBM3E功耗較競品低30%，容量高50%，頻寬達2TB/s以上；232層3D NAND容量提升3倍，G9技術支援AI向量搜尋，延遲降低、能量傳輸效率提升80%；PCIe Gen6 SSD首發，支援E1.S形式因子，適用於超大規模資料中心。同時，美光正評估跳過1e工藝直接過渡到9nm DRAM的技術路線，力求在先進製程競爭中搶佔先機。作為唯一美國本土記憶體製造商，美光受益於地緣政治多元化佈局，新加坡封裝廠持續擴產，與NVIDIA、AMD等巨頭深度合作，HBM3E 2025年產能已全部訂滿。美光科技首席商務官Sumit Sadana拋出了一顆“深水炸彈”：2026年DRAM供應可能比現在還要緊張。他指出，AI應用對HBM的需求大幅上升，而HBM生產消耗的晶圓量約為標準DRAM的三倍，這導致全球儲存晶片供需失衡將進一步加劇。對此，美光的產能規劃聚焦高端需求。預計2026財年資本支出達131億美元，重點擴大HBM與高容量儲存產品產能，計畫逐步停止DDR4生產，優先保障AI相關產品供應。行業結構性訊號釋放：漲價、長單、產能傾斜三重共振產品漲價成常態，供需失衡持續加劇綜合儲存巨頭財報和行業動態來看，儲存產品價格進入強勁上行通道。DRAM價格漲幅尤為顯著，DDR5 16Gb顆粒報價在一個月內暴漲至15.5美元，PC通用DRAM固定交易價格從1月的1.35美元上漲至9月的6.30美元，漲幅達367%，佔PC生產成本的7%，遠超4%的歷史平均水平。HBM作為AI核心元件，價格漲幅更為突出，SK海力士HBM4單價達560美元，較HBM3E上漲50%以上，即便輝達初期抗拒，最終仍接受定價，彰顯頭部廠商的議價權。其背後，供需失衡成為漲價核心邏輯。AI領域每月對記憶體的需求達數十萬片晶圓，推動HBM、DDR5等高性能產品供不應求，三星已停止DDR5 DRAM合同報價，SK海力士部分DDR5產品實現“零庫存”銷售。瑞銀對此分析指出，記憶體行業正面臨潛在的嚴重短缺，AI引發的HBM強勁需求、傳統伺服器更新換代、AI與HDD短缺帶來的eSSD額外需求，以及晶圓產能優先投向HBM等諸多驅動因素導致傳統產品供應約束。前文中曾提到價格飆升的背後，是全球儲存巨頭的產能戰略性傾斜。三星、SK海力士、美光三大寡頭摒棄了過去“規模優先”的策略，轉向“利潤優先”，將先進製程產能集中投向高附加值產品。DRAM領域，三星率先停止DDR4生產，SK海力士計畫將DDR4產能壓縮至20%，美光與SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新訂單，所有資源向DDR5與HBM傾斜；NAND市場，廠商紛紛縮減消費級產能，將產能轉向企業級3D QLC產品。這種結構性傾斜導致了市場“冰火兩重天”：高端HBM與DDR5供不應求，中低端DDR4因減產速度超過需求下降速度，出現嚴重供需錯配。產能傾斜與需求倒逼共同推動了儲存技術的加速突破，成為行業變革的核心動力。其中，HBM領域的技術迭代最為迅猛，據瞭解，2025年全球HBM總產能已增至54萬片，同比激增105%，但仍難以填補AI帶來的需求缺口。SK海力士已建成HBM4量產體系，預計將佔據HBM4市場60%以上份額，三星、美光等廠商也在加緊籌備HBM4量產，力爭搶佔輝達、AMD認證先機，而國內相關廠商也在加速突破，國產替代窗口期持續擴大。總的來看，這場由AI引發的產業新變革，徹底打破了儲存行業傳統的“供需博弈”周期邏輯，形成了AI需求牽引-產能高端傾斜-技術迭代加速-價格結構性上漲的新閉環。從HBM的一芯難求到NAND的從白菜價到緊俏貨，從巨頭的產能重構到國產廠商的突圍，儲存晶片市場正經歷著新一輪的深度重塑，將儲存晶片從標準化大宗商品，重塑為影響算力發展的戰略性資源，標誌著產業已進入一個由技術迭代與需求爆發共同定義的全新時代。大客戶簽約鎖定長期需求儲存巨頭與AI龍頭的合作持續升級。SK海力士與輝達完成HBM4供應談判，鎖定明年核心訂單；三星通過輝達先進HBM晶片認證，第四季度起正式供應HBM3E，雙方共建的AI工廠將進一步強化合作。同時，三星與SK海力士均與OpenAI簽署協議，參與價值5000億美元的Stargate資料中心項目，在為OpenAI的ChatGPT建設20個專注於AI的資料中心目標指引下，每月需聯合供應90萬片DRAM晶圓（主要用於HBM），推動HBM產能加速擴張。能看到，長期協議正在成為行業新趨勢。西部資料前七大客戶訂單覆蓋2026-2027年，美光與超大規模客戶簽訂長期供應協議，SK海力士2026年全系列儲存晶片產能已全部售罄。這種“先下單、後生產”的模式，既提升了市場可預測性與業務穩定性，也使得儲存廠商與AI、雲巨頭形成深度繫結，行業壁壘持續抬高。技術升級與產能擴張各大廠商都在加速技術升級和產能擴張。三星電子計畫2025年投資47.4兆韓元進行產能升級，其中半導體部門獨佔86%預算。SK海力士提前啟用M15X工廠潔淨室並啟動裝置安裝以新增產能，2026年資本支出預計高於2025年。美光科技預計2026財年資本支出將達到131億美元。在技術方面，High NA EUV光刻技術成為新的競爭焦點。三星電子和SK海力士都已引進High NA EUV光刻機，用於下一代儲存產品的研發和量產。這標誌著儲存行業正在進入一個新的技術競爭階段。ASML的最新財報也從側面證實了儲存市場的旺盛需求。第三季度ASML的新訂單額達到了54億歐元，高於市場預期，其中儲存類新訂單佔比從16%提升至47%。這表明儲存行業對先進製造裝置的強勁需求，技術迭代進入加速期，而儲存廠商正在加大資本開支力度，為下一輪技術競爭做準備。在產品技術方面，HBM4成為各大廠商競爭的焦點。SK海力士率先向輝達交付全球首個HBM4 12層堆疊樣品，並已獲得積極評價。三星也計畫亮相其第六代12層HBM4產品。HBM4擁有2048個資料傳輸通道，是HBM3E的兩倍，將帶來頻寬和容量的巨大提升。同時，傳統DRAM技術也在快速演進。SK海力士正在加速轉換至已實現穩定量產的最先進1cnm（第六代10nm等級）工藝，這將有助於推出儲存位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5記憶體以及更高容量的HBM堆疊。綜合來看，儲存巨頭正通過技術迭代、產能鎖定與生態繫結，進一步擠壓中小廠商生存空間。三星、SK海力士、美光、西部資料等頭部企業佔據全球儲存市場絕大部分份額，且在AI儲存等高附加值領域的優勢持續擴大，行業“馬太效應”日益顯著。儲存行業：走向結構性繁榮新時代從儲存巨頭的財報表現與行業動態來看，可以清晰地看到儲存市場正在經歷一場由AI驅動的結構性變革，這一周期並非傳統意義上的周期性復甦，而是由技術革新與需求重構引發的結構性增長。結合儲存行業與企業動態分析，這場變革或將呈現出以下特點和趨勢：需求結構發生根本性變化：AI應用對高頻寬記憶體的需求呈現爆發式增長，HBM成為新的增長引擎。同時，AI伺服器對傳統DRAM和NAND的需求也在快速增長。供需關係出現結構性失衡：HBM生產消耗大量晶圓產能，導致傳統儲存產品供應緊張。這種供需失衡可能持續較長時間，預計2026年全球DRAM bit需求增長超20%，NAND bit需求增長17%-19%，供需缺口將持續支撐產品價格與廠商盈利能力。技術競爭進入新階段：High NA EUV等新技術的應用，以及HBM4等下一代產品的開發，將成為廠商競爭的關鍵。這些關鍵能力將進一步分化行業格局。行業集中度進一步提升：儲存行業長期受供需周期波動影響，但AI帶來的剛性需求與技術升級，使得頭部廠商擺脫傳統周期束縛，形成“技術迭代-需求增長-盈利提升”的正向循環。三星、SK海力士、美光等企業通過繫結AI與雲巨頭，實現收入與利潤的持續增長，行業成長邏輯日益清晰。對於產業鏈參與者而言，把握AI儲存（HBM）、高容量DRAM/NAND、先進製造工藝三大主線，將成為搶佔市場紅利的關鍵。未來，儲存行業不僅是資料儲存的載體，更將成為AI算力生態的核心組成部分，技術創新與生態協同將持續推動行業走向新的繁榮。 (半導體行業觀察)

今日，市場全天震盪走強，滬指成功重返4000點，受AI產業的持續推動，儲存晶片、AI電力裝置、CPO等領域表現尤為活躍。繼儲存晶片連續漲價後，昨日SK海力士再次釋放漲價消息，其與輝達就明年HBM4供應完成談判，HBM4單價較當前上漲超50%，高端儲存晶片價值持續上升。同時，受益於AI資料中心基建熱潮，全球主要AI客戶正大幅上調對1.6T光模組的採購預期，而CPO技術能解決其功耗高、散熱難等瓶頸，成為資料中心互聯關鍵技術。此外，微軟CEO近日指出，當前AI行業的核心瓶頸並非“算力過剩”而是“電力短缺”，電網裝置集體爆發，也使AI電力產業鏈的價值凸顯。今天我們為大家精選4家處於低位的潛力公司，它們在儲存晶片、CPO、AI算力用電等領域佈局，未來或持續受益於AI產業發展，成長空間可觀：第一家： 儲存晶片+HBM+CPO+PCB+資料中心+軍工公司概述：全球PCB製造百強企業、也是國內少數具備軍工四級資質的民企，公司PCB產品已用於資料中心、機器人、無人機等領域，14-16層HDI板量產能力匹配AI手機需求；能批次生產儲存晶片封裝基板、CPO光模組等，同時投資儲能項目。核心亮點：公司HBM封裝基板通過三星驗證，2025中國IC載板排名前十，股價目前不到20元，且今年以來呈上升趨勢。第二家：儲存晶片+CPO+先進封裝+華為海思+機器人+大基金持股公司概述：全球積體電路封裝測試行業前十企業，在國內外擁有9座生產基地，掌握包括CPO在內的多種先進封裝技術，其儲存晶片封裝產品已量產，與華為海思等知名企業形成穩定合作關係，深度繫結半導體國產替代與行業復甦。核心亮點：與智元機器人戰略合作，打開具身智能市場，2025三季報歸母淨利潤大增超50%，股價目前在10元左右，上升通道打開。第三家：資料中心+核電+儲能+特高壓+深海科技+新材料公司概述：公司是國內特高壓標準主導者，特高壓變壓器、電抗器市佔率領先，擁有核電、海上風電、充電樁、儲能等產品，中標沙烏地阿拉伯164億元訂單；且已為國內多個重點資料中心提供產品，近年來資料中心訂單增長迅速。核心亮點：近三年累計現金分紅超70億元，年均歸母淨利潤超100億元，股價與市盈率TTM目前都小於30，存在低估性，未來潛力巨大。第四家：資料中心+可控核聚變+核電+特高壓+晶片+量子科技公司概述：中國電氣裝備集團旗下，國內最具規模、成套能力最強的輸變電裝置生產基地，業務覆蓋80多個國家和地區；參與核電站及ITER項目，研發全球首套±800千伏高壓直流量子電流感測器，並中標馬來西亞資料中心業務。核心亮點：其研發的800VDC架構SST已在 “東數西算” 資料中心投運，公司連續5年歸母淨利潤實現增長，股價目前不到10元，增長勢頭強勁。 (智牛韜略)