韓國 SK 海力士日前宣佈，將投資 19 兆韓元（約合 129 億美元）在韓國清州市建設一座先進晶片封裝工廠，項目計畫於今年 4 月動工、明年底完工。這一決定，是 AI 浪潮下儲存產業結構性變化的直接體現。以 HBM 為代表的高端儲存，本質上是一種高度依賴 3D 堆疊與先進封裝工藝的產品。無論是 TSV、微凸點，還是與 GPU、加速器的近距離互連，封裝環節已從“成本中心”轉變為決定性能、良率與交付節奏的關鍵變數。這也正是 SK 海力士此次選擇直接投資建設先進封裝廠、而非僅擴充前道製程的核心原因。在半導體產業版圖中，封裝曾長期被視為技術含量較低的後端環節，但隨著 AI 晶片、HBM、Chiplet 等技術路線的加速成熟，這一認知正在被徹底打破。尤其是在先進製程放緩、單位製程紅利遞減的背景下，封裝正經歷一場前所未有的價值重估。根據機構資料，全球先進晶片封裝市場規模預計將從 2025 年的 503.8 億美元增長至 2032 年的 798.5 億美元，復合年增長率達 6.8%。這一趨勢背後，是 AI 大模型訓練、高性能計算、自動駕駛以及雲與邊緣計算對高頻寬、低功耗、高整合度封裝方案的持續拉動。站在 2026 年初這個時間節點，不只是儲存廠商，越來越多頭部封裝與測試企業也已啟動新一輪先進封裝產能佈局。可以預見，在未來幾年內，“拼先進封裝產能、拼落地速度”將逐漸成為行業常態，並深刻影響 AI 晶片與高端儲存的競爭格局。台積電：加速擴張在先進封裝這條賽道上，台積電無疑是No.1。作為全球半導體製造的絕對龍頭，台積電不僅在晶圓代工領域佔據超過60%的市場份額，更憑藉深厚的技術積澱、強大的產能掌控力以及與客戶的深度繫結，在先進封裝領域建立起難以踰越的競爭壁壘，尤其是CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），從2023年AI浪潮爆發以來，始終是封裝產業的焦點。目前台積電的目前已在代表2.5D封裝的CoWoS上形成三大技術分支：CoWoS-S採用矽中介層（Silicon Interposer）技術，適用於中小型晶片封裝；CoWoS-R則採用再分佈層（RDL, Redistribution Layer）技術，提供更大的設計靈活性；CoWoS-L是台積電針對超大型AI晶片開發的產品。而在3D封裝領域，台積電推出了SoIC（System on Integrated Chips，系統整合單晶片）這一技術基於CoWoS與多晶圓堆疊（WoW, Wafer-on-Wafer）技術開發，相較2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，可達每平方毫米數千個互連點，傳輸速度更快，功耗更低。除了以上兩種封裝外，台積電還悄悄佈局了CoPoS（Chip-on-Polymer-on-Substrate），其本質上是將CoWoS面板化，整合了CoWoS和扇出型面板級封裝（FOPLP, Fan-Out Panel Level Packaging）的優勢。首條試點產線定於2026年在VisEra廠區啟動，目標2026年中試產，2028年底全面達產。值得關注的是，有爆料稱台積電還計畫將SoIC與CoWoS進行技術融合，打造適配2奈米需求的混合封裝方案。這種“2.5D+3D”的組合拳，既能利用CoWoS的大面積封裝優勢，又能發揮SoIC的高密度互連能力，既能進一步提升晶片性能，又能最佳化成本結構、提升生產效率，具備廣闊的市場應用前景。在技術不斷改進升級的同時，台積電還在全力推進先進封裝產能擴充。根據供應鏈消息和多家機構預測，台積電產能規劃呈現出極為激進的增長曲線：2023 年底月產能約 1.5-2 萬片 12 英吋晶圓當量，市場供不應求；2024 年底提升至 4.5-5 萬片，增長 150% 以上；2025 年底目標 7-9 萬片，法人預估可達 9 萬片；到 2026 年底規劃達到 11.5-13 萬片，部分機構預測甚至高達 12.7 萬片。這意味著從2023年到2026年，僅用三年時間，台積電CoWoS產能就將增長6-8倍，年複合增長率超過60%。台積電還透露了細節：過去建一座CoWoS廠需要3-5年，現在已壓縮到1.5-2年，甚至三個季度內就要完成。而在產能佈局方面，目前台積電在台灣有多座先進封測廠，我們著重看一下近年來興建的幾座：竹南AP6廠是台積電的先進封裝旗艦基地。2023年6月正式啟用的這座工廠，是台積電首座實現3D Fabric整合前段至後段製程以及測試的全自動化工廠。目前竹南AP6廠已成為台灣最大的CoWoS封裝基地，承載著輝達、AMD等核心客戶的關鍵訂單。嘉義AP7廠主要負責下一代封裝技術。最初規劃建設2座CoWoS先進封裝廠，現已擴大至8座廠房的宏大規模。其中P1為蘋果專屬的WMCM（晶圓級多晶片模組）產線，P2、P3以SoIC為主，而CoPoS（Chip-on-Polymer-on-Substrate）暫定在P4或P5。整個廠區預計2028年開始量產，屆時將成為台積電先進封裝產能的又一重鎮。南科AP8廠則由舊廠改造而來。2023年8月，台積電斥資171.4億新台幣（約合37億人民幣）購買群創光電位於南科的4廠舊廠房，經過大規模改造後，於2025年下半年投產。供應鏈人士透露，該廠房未來的封裝產能將是竹南先進封裝廠的9倍，不僅承載CoWoS產線，未來扇出型封裝（InFO）以及3D IC等產線都可能進駐。除了台灣本土外，台積電近期還在在美國進行了佈局，其規劃在在亞利桑那州建設兩座專注於SoIC和CoPoS技術的先進封裝晶圓廠AP1和AP2，AP1聚焦3D堆疊技術（SoIC），AP2側重CoPoS技術，計畫2026年下半年開工，2028年底完工，雖然具體金額未公開，但業內估計兩座廠的總投資將超過50億美元。在產能和技術瘋狂擴張的同時，台積電也在進行組織架構的重大調整。在組織架構層面，台積電計畫任命首位先進封裝“總廠廠長”，實現旗下所有先進封裝廠區的統籌管理，這一舉措彰顯了其整合資源、聚焦核心業務的戰略意圖。現任台積電SoIC事業處處長陳正賢，憑藉深厚的行業資歷與卓越的管理業績，成為該職位的核心候選人。陳正賢曾歷任後端技術與服務副處長、竹南廠廠長等關鍵職務，在其主導下，SoIC事業處實現了技術突破與產能爬坡的雙重進展。如果出任該職位，陳正賢將全面整合台積電內部先進封裝資源，最佳化生產流程與資源配置，提升整體營運效率。其監管範圍將覆蓋InFO、CoWoS、WMCM、SoIC及CoPoS等全系列先進封裝產線，推動多技術路線的協同發展，助力台積電實現先進封裝業務的規模化、高品質增長。對於台積電而言，它的領先不僅是技術優勢，更是技術、產能和客戶生態的結構性霸權，多種技術的佈局，配合快速擴產，以及組織架構的深度整合，台積電成功將先進封裝從後端工序升級為前端戰略業務，其主導地位短期內幾乎不可撼動。日月光：借勢而起在先進封裝快速發展的同時，日月光作為全球最大的專業封測代工廠，同樣受益頗多，2025 年先進封裝相關業務在其封裝、測試及材料（ATM）業務佔比超過六成，先進封裝不再只是高端增量，而是成為了這家代工廠的發展主力。在 CoWoS 體繫上，日月光深度承接台積電產能外溢，重點切入 CoWoS 後段（oS）封裝與測試環節，客戶涵蓋輝達、AMD、博通及 AWS 等 AI 與伺服器晶片大廠。與此同時，日月光還通過 FOCoS（Fan-Out Chip on Substrate）建構自主 2.5D 封裝平台。該技術可顯著縮短電氣路徑、提升頻寬密度，被定位為 CoWoS 的成本與產能替代方案，預計 2026 年下半年進入量產，主要面向 AI 與資料中心晶片客戶。值得注意的，還有日月光對 FOPLP（扇出型面板級封裝） 的持續押注。其已在該技術上深耕超過十年，面板尺寸從早期的 300×300mm 推進至 600×600mm，並於高雄廠區投資約 2 億美元建設量產線，計畫 2025 年完成試產、2026 年進入客戶認證與商業化階段。而在產能擴張上，日月光的擴產也並非集中於單一廠區，而是以高雄為中心，形成多廠協同、梯次展開的佈局格局。其中最具標誌性的項目是 K28 新廠。該廠於 2024 年 10 月動土，規劃於 2026 年完工，技術定位直指 CoWoS 等先進封裝，核心目標是承接 GPU 與 AI 晶片持續放量帶來的高速需求。而與 K28 對應的是 K18 廠房的補位角色。日月光於 2024 年自宏璟建設購入高雄楠梓 K18 廠房，並在下半年追加超過新台幣 50 億元的再投資，用於匯入晶圓凸塊（Bumping）與覆晶封裝（Flip Chip）等製程。在此基礎上，日月光進一步啟動 K18B 新廠 工程，追加約新台幣 40 億元投資，持續加碼高雄產能。此外，日月光還通過收購穩懋位於南部科學園區高雄園區的廠房，收購重整塑美貝科技廠區，借助產業聚集與政策資源，進一步擴充半導體先進封裝產能。在高雄之外，日月光還在加速建設矽品中科廠與虎尾廠的新 CoW（Chip on Wafer），虎尾廠預計 2025 年進入量產階段。這些產線主要對應 CoWoS 前段製程，與日月光既有的後段封裝產線形成協同，提升整體交付能力與靈活度。除了台灣本土外，日月光也在海外加速佈局。其中最成熟、也最關鍵的是馬來西亞檳城。自 1991 年起，日月光便在當地深耕封測業務，覆蓋消費電子、通訊、工業與車用半導體等多個領域。2025 年 2 月，日月光第四、第五廠正式啟用，總投資約 3 億美元，主要服務車用半導體與生成式 AI 晶片需求。與此同時，日月光還通過租賃約 20 英畝土地，追加投資擴充檳城的先進封裝產能，進一步鞏固海外封測產能。在上述佈局推動下，日月光對 CoWoS 相關產能給出了清晰的放量節奏：到 2024 年底，月產能約為 3.2–3.5 萬片 12 英吋晶圓當量；至 2025 年底，規劃提升至 7.2–7.5 萬片，年產能實現翻倍增長。疊加 FOCoS 與 FOPLP 產線的逐步投產，2026 年日月光在先進封裝領域的總體供給能力，將出現一次結構性的躍升。在先進封裝的浪潮中，日月光已從單純的產能承接者，進化為具備自主技術話語權的關鍵參與者。一方面深度繫結台積電，通過承接 CoWoS 外溢需求穩固 AI 巨頭供應鏈地位；另一方面，通過押注 FOCoS 與 FOPLP 等差異化技術，在未來，日月光可能會與台積電形成既互補又競爭的“雙寡頭”格局，共同主導全球先進封裝的未來走向。安靠：持續提速在先進封測賽道中，美國的安靠（Amkor）憑藉穩固的市場地位與精準的戰略佈局，成為僅次於日月光的全球第二大封測企業，其圍繞先進封裝的擴張步伐同樣在持續提速。首先在技術路線上，安靠並未侷限於單一方案，而是針對性佈局多元技術以覆蓋不同場景需求，其中與英特爾的EMIB技術合作成為重要突破。2025年4月，雙方簽署EMIB技術合作協議，安靠韓國仁川松島K5工廠被選定為合作落地基地，搭建尖端EMIB封裝工藝產線，這也是英特爾首次將自有AI封裝工藝對外外包。EMIB技術捨棄大面積昂貴中介層，通過內嵌矽橋實現晶片互連，相較台積電CoWoS具備良率更高、成本更優的優勢，適配Google、Meta等雲端企業自研ASIC晶片需求。此次合作不僅是產能互補，更聚焦技術協同升級。安靠將依託松島工廠先進裝置與成熟封裝基礎設施，承接英特爾自有晶片及外部訂單封裝業務，為英特爾下一代EMIB-T技術量產鋪路。EMIB-T融合矽通孔（TSV）技術，可提升晶片速度與性能，支援HBM4/4e等新技術，是英特爾佈局AI半導體領域的核心戰略之一。雙方合作既擴大了EMIB技術的商業化應用，也強化了安靠在2.5D封裝賽道的多元技術支撐能力。在與英特爾的合作之外，安靠也在美國本土產能上持續加碼。2025年8月28日，安靠宣佈對亞利桑那州皮奧里亞市先進封測設施項目進行重大調整，選址不變但佔地面積從56英畝擴至104英畝，規模近乎翻倍，彰顯對先進封裝需求的加碼佈局。業界認為，此次調整貼合美國半導體供應鏈結構變化，前端晶圓廠投資熱潮下，後端封裝環節長期滯後，安靠該項目成為美國最具雄心的外包封裝項目，標誌著本土產業政策從前端製造延伸至後端封測。項目總投資由此前17億美元增至20億美元（約142.5億元人民幣），預計2028年初投產，將創造超2000個就業崗位，雖較原2027年底投產計畫推遲，但產能與定位更清晰，聚焦高性能先進封裝平台。新工廠將重點支撐台積電CoWoS與InFO技術，適配輝達資料中心GPU及蘋果自研晶片需求。雙方已簽署諒解備忘錄，台積電將菲尼克斯晶圓廠部分封裝業務轉移至安靠，規避跨洋運輸周轉耗時，首次在美國形成晶圓製造+封裝的本地閉環。蘋果已鎖定為該廠首家且最大客戶，為美國先進封裝能力背書。在海外佈局上，安靠精準卡位歐洲市場，於2023年2月與格芯達成深度戰略合作，共建大規模封裝項目。雙方約定將格芯德國德累斯頓工廠的12英吋晶圓級封裝產線整體轉移至安靠葡萄牙波爾圖工廠，該產線月產能可達2萬片12英吋晶圓當量，項目於2024年啟動裝置偵錯，2025年進入小批次試產階段，預計2026年實現滿產，滿產後可滿足歐洲地區40%的汽車電子晶圓級封裝需求。此外，安靠延續在亞洲市場的產能深耕優勢，目前在韓國、台灣、馬來西亞等地設有8座核心工廠，合計佔全球總產能的65%。值得關注的是其在台灣的桃園工廠，主要聚焦先進封裝，月產能1.8萬片，專門配套台積電台灣廠區的晶圓代工訂單，受益於台積電CoWoS產能擴張，該工廠2025年第三季度銷售額同比暴漲75%。可以看到，安靠的擴張始終緊扣行業趨勢與政策導向，在美國大力推動本土半導體產業鏈建設、歐洲加速汽車電子供應鏈自主化的背景下，其產能佈局既契合區域政策需求，又精準捕捉汽車電子、AI算力晶片等核心增長點。大陸廠商：積極佈局在全球先進封裝產業競爭白熱化的當下，中國大陸廠商同樣不甘示弱，正以更積極的姿態投入技術研發與產能建設，通過持續擴產、佈局海外與強化產業鏈協同，逐步在高端封測領域站穩腳跟。甬矽電子作為專注於中高端先進封裝的廠商，甬矽電子已建構起了高密度細間距凸點倒裝（FC）、系統級封裝（SiP）、晶圓級封裝（Bumping 及 WLP）等五大核心產品體系。而在近期，為進一步完善海外戰略佈局，推動海外業務發展處理程序，甬矽電子宣佈啟動總投資不超過 21 億元的馬來西亞積體電路封裝測試生產基地項目。其表示，馬來西亞是全球半導體封測產業的重要聚集地，尤其是檳城州已形成成熟的半導體產業叢集，吸引了眾多國際晶片大廠佈局，產業協同優勢顯著。甬矽電子選擇在此建廠，正是看中當地完善的產業生態、優越的區位優勢與豐富的人才資源，能夠有效貼近海外客戶，提升響應效率，進一步擴大海外市場份額，提升全球營收佔比，鞏固行業地位。從業務佈局來看，該項目主要聚焦系統級封裝（SiP）產品，下游覆蓋AIoT、電源模組等熱門領域，精準契合當前半導體市場的需求熱點。依託在積體電路封裝測試領域的技術積累與研發能力，甬矽電子能夠為海外客戶提供高品質的封裝測試服務，滿足客戶對產品性能與可靠性的嚴苛要求，進一步深化與海外大客戶的戰略合作。長電科技長電科技作為全球第三、中國大陸第一的半導體封測企業，在先進封裝領域佈局深遠，已建構覆蓋 Chiplet、HBM、2.5D/3D 整合、Fan-Out 的全技術平台，技術實力穩居全球第一梯隊。而近期，長電科技在先進封裝的汽車電子賽道突破備受關注。2025年12月，其旗下車規級晶片封測工廠“長電科技汽車電子（上海）有限公司（JSAC）”如期通線，標誌著長電科技在車規級封測領域實現關鍵佈局，為切入新能源汽車與智能駕駛核心供應鏈奠定基礎。該工廠坐落於上海臨港新片區，佔地 210 畝，一期建設 5 萬平方米潔淨廠房，自 2023 年 8 月開工以來，歷經兩年完成施工與裝置偵錯。工廠配備業內領先的自動化產線，引入 AI 缺陷檢測與全流程追溯系統，嚴格遵循零缺陷標準，全面滿足 AEC-Q100/101/104 車規認證要求，可提供覆蓋封裝與測試的一站式服務。據瞭解，目前多家國內外頭部車載晶片客戶已在JSAC推進產品認證與量產匯入，覆蓋智能駕駛、電源管理等核心領域，充分驗證了長電科技在車規級封測領域的技術實力與市場認可度。通富微電同樣是國內頭部封裝廠，通富微電的先進封裝佈局以技術突破與大客戶繫結為核心，早年間便通過收購 AMD 蘇州、檳城工廠形成戰略協同，獨家承接 AMD 超過 80% 的 CPU/GPU 封測訂單，為先進封裝技術迭代提供了穩定的應用場景。值得關注的是，通富微電在先進封裝領域的擴張動作尤為積極，近期發佈公告，擬向特定對象發行 A 股股票募集資金總額不超過 44 億元，精準投向四大核心領域，以破解產能瓶頸、最佳化產品結構。其中，汽車等新興應用領域封測產能提升項目擬投入 10.55 億元，總投資約 11 億元，建成後年新增產能 5.04 億塊，將進一步強化公司在車載封測領域的佈局，契合全球車規級半導體市場 11.51% 的年增長率需求；儲存晶片封測產能提升項目擬投入 8 億元，年新增產能 84.96 萬片，將承接 AI、新能源汽車驅動下的儲存晶片需求增長，把握儲存市場 12.34% 的年均複合增長機遇；晶圓級封測產能提升項目擬投入 6.95 億元，新增晶圓級封測產能 31.20 萬片及高可靠車載品封測產能 15.73 億塊，適配高端晶片對高性能、小型化的需求；高性能計算及通訊領域封測產能提升項目擬投入 6.2 億元，年新增產能 4.8 億塊，聚焦倒裝封裝與 SiP 技術，匹配 AI 算力與通訊晶片的封測需求。憑藉與 AMD 等國際大客戶的深度繫結，以及在本土市場的持續拓展，通富微電正加速向高端封測市場衝刺。從單極到多元在全球先進封裝格局中，儘管各大廠商都在加速擴產，但台積電的主導地位短期內仍難以撼動。憑藉 CoWoS、SoIC 等領先技術以及持續迭代能力，台積電在 AI 晶片封裝領域幾乎形成技術壟斷；其從先進製程到封裝的一體化服務模式，進一步強化了客戶粘性，尤其是與輝達等巨頭深度繫結後，其他廠商在短時間內難以替代。不過，其他專業封測廠正通過差異化路徑尋求突破。它們在產能配置上更靈活，能夠滿足不同客戶的定製化需求，在部分應用場景中也具備更強的成本競爭力；同時，這些廠商積極佈局 FOPLP 等下一代技術，試圖在未來封裝路線中搶佔先機。封裝廠商的集體擴張，本質上是對 AI 時代算力需求的一次行業級押注，在這場馬拉松式的競爭中，只有那些能夠在技術創新、成本控制與客戶服務之間找到最佳平衡點的企業，才能真正笑到最後。展望 2026-2027 年，當新增產能陸續釋放、供需關係重新平衡、技術路線逐漸清晰，我們將看到這場擴張浪潮的真正贏家。而對於整個半導體產業而言，先進封裝從 “配角” 到 “主角” 的轉變，已經成為不可逆轉的趨勢。 (半導體行業觀察)

儲存需求仍被低估！跑贏97%同業的新興市場基金：AI十年景氣驅動下，儲存晶片是最佳押注ClearBridge基金經理Mathur認為，AI驅動下儲存晶片迎十年上升周期，是核心投資標的。其管理的基金因重倉三星、SK海力士跑贏97%同類產品，兩家企業業績與股價飆升，且估值優勢顯著。Divya Mathur 核心觀點未來十年，AI 推高晶片需求，儲存晶片類股是最佳投資選擇。重倉三星電子、SK 海力士，自 2015 年持倉，看好其股價後續走勢，兩家 2025 年股價 / 業績均大幅增長，且分別受益於 AI 伺服器需求、輝達 HBM 供應。市場低估 AI 記憶體需求，儲存行業處於十年上升周期第二年。亞洲 AI 企業估值合理，三星、SK 海力士市盈率顯著低於費城半導體指數。需審慎避險持倉風險，同時持有兩家可規避單一標的執行 / 延期風險。一、跑贏97%的基金：儲存晶片是最佳押注富蘭克林鄧普頓旗下資管子公司ClearBridge Investments的新興市場股票基金經理Divya Mathur，其聯合管理的14億美元規模基金ClearBridge SMASh Series EM Fund，過去一年跑贏97%同類基金，核心邏輯在於重倉儲存晶片龍頭。該基金自2015年起便持倉韓國三星電子與SK海力士，2025年兩隻個股股價表現亮眼，三星電子漲幅超一倍，SK海力士漲幅更是高達274%。作為輝達AI加速器高頻寬記憶體（HBM）的核心供應商，SK海力士去年業績爆發。三星電子則在2025年四季度利潤激增兩倍多至歷史新高，均受益於AI伺服器需求暴漲帶動的儲存晶片漲價潮。二、“儲存晶片需求仍被低估”Mathur指出，AI正永久性重塑儲存晶片行業，打破其長期以來強周期、高同質化的屬性，成為行業全新增長引擎，而市場仍低估了AI對記憶體的龐大需求。多家美國科技企業認為，當前儲存行業正處於十年上升周期的第二年，未來增長空間廣闊。更具吸引力的是估值優勢，亞洲AI相關企業較美國同行更具性價比，三星電子與SK海力士預期市盈率分別為9.3倍和7倍，遠低於費城半導體指數26倍的市盈率。Mathur 強調，儲存賽道需做好持倉避險，同時配置兩家龍頭以規避個股風險，規避 “看對賽道選錯標的” 的陷阱，並持續看好其股價。他指出，AI 正永久性重塑儲存晶片行業，打破其強周期、高同質化的固有屬性，成為新增長引擎，而市場仍低估了 AI 對記憶體的龐大需求。多家美國科技企業認為，當前儲存行業處於十年上升周期的第二年，未來增長空間廣闊。圖：三星電子與 SK 海力士的估值較美國同行存在大幅折讓(芯榜)

儘管HBM自推出到登上半導體產業舞台中心花費了近十年時間，但其迭代技術HBF或將以更快速度實現商業化和普及。據韓國經濟日報等外媒報導，SK海力士正與閃迪合作，致力於HBF標準的制定。該公司計畫最早於今年推出HBF1（第一代產品）樣品，該產品預計採用16層NAND快閃記憶體堆疊而成。除此之外，據“HBM之父”韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩透露：“三星電子和閃迪計畫最快在2027年底或2028年初將HBF技術應用於輝達、AMD和Google的實際產品中。”他補充道：“由於在研發HBM的過程中積累了豐富的工藝和設計技術，能將這些經驗應用於HBF設計中。因此HBF技術的研發速度會更快。”HBF即高頻寬快閃記憶體，其結構與堆疊DRAM晶片的HBM類似，是一種通過堆疊NAND快閃記憶體而製成的產品。金正浩認為，HBM與HBF就好比書房與圖書館。前者容量雖小，但使用起來方便；後者容量更大，但也意味著延遲更高。金正浩進一步指出，待迭代至HBM6，HBF將迎來廣泛應用，屆時單個基礎裸片將整合多組儲存堆疊。他預測，2至3年內，HBF方案將頻繁湧現，到2038年左右，HBF市場將超過HBM市場。值得注意的是，隨著AI需求不斷加大，如今各儲存廠商正紛紛擴充產能。就在昨日，美光科技被曝擬以18億美元從力積電收購其位於台灣的一處晶圓廠設施，並計畫在交易於第二季度完成後分階段提升DRAM產量。美光預計，該交易將在2027年下半年帶來顯著的DRAM晶圓產出。另有三星電子透露，已將泰勒晶圓廠原規劃的每月2萬片晶圓提升至每月5萬片晶圓，初始製造計畫最早在今年第二季度啟動。廣發證券認為，當前大模型的參數規模已經達到兆等級，上下文長度普遍超過128K，HBM的容量已難以滿足AI大模型對於記憶體容量的要求。在研的HBF儲存容量有望達到現有HBM的8至16倍，有望將GPU的儲存容量擴展至4TB，或成為滿足AI大模型記憶體容量要求的最佳方案。從投資層面來看，該機構判斷，在針對儲存介質最佳化的資料基礎軟體領域，相關產品開發廠商既包括大型科技公司，也包括獨立第三方公司。在對於資料庫有一定技術積累的背景下，相關公司均有針對HBF儲存介質開發資料基礎軟體的潛力。隨著HBF相關技術的成熟，相應產品在AI推理任務中有望大規模使用，從而推動相關資料基礎軟體的應用。 (科創板日報)

在最近的國際消費電子展（CES 2026）上，輝達率先推出了人工智慧下一代魯賓平台，為目前最早的獨家HBM4客戶端。它已經將傳輸速度提高到了11 Gbps以上，迫使SK海力士、三星和美光修改HBM4的設計。隨著這三家公司重新提交樣品和Blackwell的強勁需求，HBM4的量產預計不會早於2026年第一季度末。雖然12層HBM4尚未完全投產，但輝達要求在2026年下半年供應16層，HBM之爭趨於白熱化。海力士：技術領先 + 工藝最佳化作為目前HBM領域的領頭羊，海力士在CES上首次展示了16層HBM4，據Etnews報導，新的16層48 GB HBM4建立在12層36 GB的HBM4基礎上，後者已經創造了11.7 Gbps的速度記錄。DRAM堆疊到16層，容量和速度都大大提高，頻寬超過每秒2 TB。然而，《韓國先驅報》強調，從12層擴展到16層比從8層跳到12層要困難得多，16層HBM要求晶圓減薄至30 微米左右，而目前的12層設計約為50 微米。此外，由於JEDEC將HBM4封裝高度限制在775 µm，傳統方法幾乎沒有進一步擴展的空間，這可能是未來的技術障礙。雖然業界越來越多地將混合鍵合視為應對挑戰的長期解決方案，但海力士暫時憑藉其MR-MUF（大規模回流模壓下填充）工藝穩定產量，處於領先地位。雖然該公司也在開發混合鍵合技術作為備用方案，但其核心戰略是儘可能延長MR-MUF技術的使用壽命。海力士表示，MR-MUF將HBM產品中垂直堆疊的所有晶片一次性加熱並互連，比在每個晶片堆疊後使用薄膜材料的TC-NCF（熱壓非導電膜，三星和美光使用）效率更高。不過，為了控制整體封裝高度，12層HBM3的DRAM晶片必須比8層HBM3的DRAM晶片薄40%左右，因此晶片翹曲成為主要問題。為瞭解決這個問題，海力士在其Advanced MR-MUF工藝下引入了一種新的EMC材料，與原始版本相比，散熱能力提高了約1.6倍。三星：工藝迭代 + 產能擴張Etnews此前曾報導，由於競爭對手在較老的1b DRAM節點上製造HBM4，三星打算通過轉向更先進的1c工藝來改變遊戲規則。TrendForce指出，其在HBM4上採用了1c奈米工藝（10奈米級，第6代），並在基礎晶片上採用了4nm邏輯工藝，並對設計進行了微調，使其速度超過了11Gbps，超出了客戶的要求。這種方法有望實現更高的傳輸速度，使三星成為最有可能率先獲得資格的供應商，並有可能在供應高端魯賓產品方面獲得優勢。《朝鮮商業》報導，三星目前已開始生產1c型DRAM，良率已接近80%的量產目標。此外，三星也在推進混合鍵合技術，目標是到2028年推出16層HBM4E產品，不過，雖然三星已經向包括輝達在內的主要客戶提供混合鍵合HBM4原型，但良率仍然很低，約為10%。Etnews報導稱，由於需求強勁，三星計畫在2026年將HBM的產量提高50%，到年底達到每月25萬片左右，主要集中在HBM4上。美光：產能突圍 + 技術跟進美光的HBM4基於1 - beta節點，上個月，美光表示該產品達到了11 Gbps以上的行業領先速度，並有望在2026年第二季度實現高產量提升。其優勢在於低功耗HBM技術，正在努力從12層HBM4產品發展到16層產品、鎖定更多的產能，來挑戰韓國競爭對手。美光即將在新加坡建立的先進封裝廠和日本廣島的工廠預計將大大緩解產能限制。 (銳芯聞)

1月14日消息，據韓國媒體《朝鮮日報》報導，市場調查機構Omdia 最新公佈調查資料顯示，今年三大DRAM原廠的晶圓總產出將達1800萬片，同比增長約5%，但是仍難以滿足的市場的需求。其中，韓國三星電子計畫在2026年將DRAM 的晶圓（Wafer）產量提升至793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。這一增長主要依賴於平澤工廠（Pyeongtaek Campus）的產能釋放，預計三星電子的單季平均DRAM晶圓產量將首次達到200萬片大關。SK 海力士2026年的DRAM 產量將從2025年的597萬片提升至648萬片，增幅約為8%。這一增長主要來自於其清州M15X 工廠的擴產投資，相關產能預計從2026年下半年開始正式計入產量資料。相比之下，美光的DRAM產能規劃則顯得較為保守，預計其2026年全年產量將維持在與2025年相近的360萬片水平，不過其更多的新增產能將會在2027至2028年產出。也就是說，即便是三星和SK海力士的在積極的擴大產能，他們在2026年DRAM產量相比去年總共僅能夠增長85萬片。雖然目前全球三大DRAM原廠已紛紛啟動產能擴張計畫，但仍難以緩解目前市場上嚴重的DRAM供應短缺問題。而這主要是由於雲端AI晶片及AI資料中心對高性能DRAM的需求呈現爆炸式成長，導致傳統PC、智慧型手機等終端應用市場面臨嚴重的供貨短缺，預計這波DRAM漲價潮將貫穿2026年全年。《朝鮮日報》也指出，儘管2026年DRAM晶圓投入量有所增加，但實際的晶片產出卻面臨技術瓶頸。業界分析指出，三星電子在推動10nm第6代DRAM（1c）製程轉換的過程中，會面臨暫時性的生產能力損失。這種因技術升級導致的有效產能下降，使得即便晶圓投入增加，最終的市場供應量增幅仍可能低於預期。而這種現像在全球記憶體短缺背景下顯得尤為嚴峻。由於目前市場需求遠超供給，業界普遍認為，這種暫時性的產能縮減將進一步支撐高頻寬記憶體（HBM）及傳統DRAM價格的持續上揚。另外，目前的市場供需失衡程度已達到令人憂慮的水平。根據市場分析師的說法，目前DRAM 供應商對客戶的需求滿足率僅約為60%，而伺服器專用DRAM 的滿足率更是低於50%。這意味著市場上有一半的伺服器內存需求無法得到及時供應。而造成這一局面的核心原因在於供應商的戰略調整，也就是三星電子、SK 海力士與美光等DRAM原廠優先將先進製程節點與新建生產設施產能分配給HBM和伺服器DRAM。這種資源傾斜直接導致了PC 和智慧型手機製造商的困境，這類終端裝置商目前甚至只能取得所需DRAM的一半左右。在目前供應極度受限的情況下，DRAM合約價格正經歷劇烈震盪。市場研究機構TrendForce 預測，2026年第一季通用DRAM 的合約價格將較上一季度上漲55%至60%。此外，受益於伺服器需求的大幅激增，NAND Flash 的合約價格在同期也預計將上漲33%至38%。特別是在伺服器市場，預計2026年第一季伺服器專用DRAM 的價格漲幅將突破60%。這種劇烈的價格波動，反映出供應商在產能受限的情況下擁有極高的議價權。值得注意的是，儘管PC 市場的終端需求因筆記型電腦出貨量減少及規格下修而顯得相對疲軟，但這並未能阻止價格上漲。由於DRAM廠商大幅削減了對PC 製造商和模組廠商的供應配額，PC 用DRAM 價格預計在2026年上半年仍將保持陡峭的上升趨勢。而在移動裝置市場方面，供應短缺的陰影同樣揮之不去。未來幾個季度內，移動端的DRAM合約價格將持續呈現急劇上漲的態勢。這對於手機品牌商而言，無疑將增加其生產成本壓力。面對當前的DRAM供應危機，業界專家認為，短期內難以見到根本性的緩解。全球DRAM 市場的供應短缺問題，恐需等到三星電子平澤園區P4 新工廠正式投產後才具備緩解契機。根據目前的工程進度與內部預測，P4 工廠最快也要到2027年以後才可能投入營運。同樣地，SK 海力士也需要等到龍仁半導體叢集正式啟動運作，才能顯著提升其整體的DRAM生產能力。在這些大型基礎設施完工之前，全球DRAM市場將長期處於緊平衡甚至是供應不足的狀態。因此，總體來說2026年的DRAM市場正處於一個由AI 需求主導的強勢周期。雖然三星與SK 海力士試圖通過增加DRAM晶圓產能來緩解壓力，但受限於新製程轉換的產能損耗、對HBM 的資源優先配置，以及新工廠建設的長期周期，市場供給缺口在短期內依然巨大。對於下游的PC、智慧型手機及伺服器廠商來說，如何在這波價格飈升與供貨不穩的浪潮中確保供應鏈安全，將成為2026年最重要的經營課題。 (芯智訊)

SK海力士發佈了“StreamDQ”，將其作為應對即將到來的定製化HBM（高頻寬記憶體）時代的利器。其理念是利用HBM執行以往由GPU處理、導致推理過程出現瓶頸的任務，從而提升資料處理性能。從GPU廠商的角度來看，將部分功能遷移到HBM視訊記憶體能夠為晶片設計提供更大的靈活性。SK海力士預計將與包括NVIDIA在內的主要客戶探討這項技術。6日（當地時間），SK海力士在美國拉斯維加斯威尼斯人酒店舉辦的“CES 2026”展會上開設了一個私人展廳，並行布了其定製的HBM技術。預計從下一代版本HBM4E（第七代HBM）開始，定製HBM將得到全面應用。雖然現有的HBM是按照標準製造的，但定製HBM的關鍵區別在於在基礎晶片上加入了客戶特定的功能。基礎晶片是一顆負責核心晶片記憶體控製器功能的晶片，它與HBM堆疊在一起，並通過PHY（物理層）將HBM連接到GPU等系統半導體。以前，記憶體廠商會自行生產這顆晶片，但隨著各種邏輯功能的加入（從HBM4開始），大規模生產主要依靠代工廠代工。SK海力士正向客戶推介名為StreamDQ的技術，以實現定製化HBM的商業化。鑑於近期落幕的CES 2026展會以客戶為中心，預計該公司將積極向NVIDIA等全球科技巨頭推廣其產品。SK 海力士的一位官員解釋說：“StreamDQ 是定製 HBM 的一個例子，SK 海力士甚至還發表了一篇關於這項技術的論文。”他補充道：“客戶有時會向我們提出與定製 HBM 相關的技術，但 SK 海力士也會提出這些技術。”StreamDQ技術主要將現有GPU中的部分控製器功能轉移到HBM基片上。這使得GPU製造商能夠利用更多的晶片內部空間，從而有可能提高系統半導體的性能和效率。SK 海力士在基礎晶片上加入 GPU 控製器和其他元件時不會面臨重大挑戰，因為它利用了台灣主要晶圓代工廠台積電的先進工藝。SK海力士還通過在晶片基體上應用UCIe介面提高了晶片整合度。UCIe 是一種尖端技術，它將晶片分割成功能單元，然後再將這些單元連接起來進行製造。人工智慧加速器的資料處理性能也得到了顯著提升。大規模語言模型（LLM）會經歷一個稱為“量化”的過程，該過程將資料壓縮成低位整數，從而有效降低記憶體佔用。然後在實際計算過程中，資料會通過“反量化”再次解壓縮。傳統上，反量化任務由GPU處理。然而，執行反量化的GPU一直受到記憶體瓶頸的困擾，這會消耗高達LLM整體推理時間的80%。相比之下，StreamDQ 會在資料流經 HBM 時即時進行反量化，而不是將量化後的資訊直接傳送到 GPU。 這使得 GPU 可以立即開始計算，無需額外的工作。StreamDQ  的名稱就來源於這種在資料流中即時進行反量化 (DQ) 的方法。SK海力士解釋說，這將使之前一直處於瓶頸的LLM推理處理速度提升約7倍。整個AI加速器的推理速度預計也將顯著提升。SK海力士的一位官員表示：“如果我們把處理大量資料的系統半導體放在記憶體附近，只接收資料結果，那麼從系統角度來看，效率會非常高。”他補充說：“這可以看作是記憶體附近處理（PNM）的概念。” (半導體芯聞)

周二收盤，美光科技的股價下跌了2.2%。韓國SK海力士正借助儲存晶片的熱潮，計畫投資130億美元在本土建設一家處理器封裝工廠。這一消息的公佈，讓其美國競爭對手美光科技的投資者心生憂慮。周二，SK海力士宣佈，公司將在首爾以南的清州市建設一座先進的人工智慧晶片封裝及測試工廠。儲存晶片已成為AI加速器中越來越重要的組成部分。尤其是一種名為高頻寬記憶體（HBM）的晶片，對於輝達等公司的處理器來說必不可少。在HBM晶片製造領域，美光是三星電子和SK海力士的主要競爭對手。美光同時也是動態隨機存取儲存器（DRAM）和快閃記憶體市場的領先者——前者廣泛應用於台式電腦與伺服器，後者則常見於智慧型手機與固態硬碟。近幾個季度，儲存晶片業務利潤豐厚：美光股價在過去12個月中上漲了兩倍多。然而，正如Barron's所警告的，儲存晶片供應商在半導體周期上行階段往往會過度擴產，最終導致市場崩盤。SK海力士的擴產計畫可能會讓人想起以往產能過剩的慘痛教訓。美光科技的股價周二下跌了2.2%。“這些都是典型的周期性行業。無論他們怎麼說，每到周期高點，他們總會聲稱‘這次不一樣’。但等到周期低谷時，他們不是虧一點錢，而是虧得很多，”Freedom Capital Markets的董事總經理兼科技研究主管保羅·米克斯（Paul Meeks）表示。對SK海力士和美光科技持樂觀態度的人則不認同這種看法。他們認為，人工智慧的崛起已為儲存晶片市場帶來結構性變革。SK海力士在一份聲明中表示，公司此舉是“為積極響應高頻寬記憶體（HBM）持續攀升的市場需求”。該公司指出，2025年至2030年期間，全球HBM市場預計將實現年均33%的增長。這座新建工廠預計將於2027年底竣工。目前來看，市場上似乎並沒有對產能過剩問題表現出強烈擔憂。美光自身要到2027年年中才會大幅增加產能。三星則計畫在2026年將一座用於生產其他晶片的工廠改造為HBM生產線，但其產量的大幅提升要等到2028年。“當前，供應短缺引發的供需失衡正推動儲存晶片價格走高，我認為這種局面很可能會持續到2027年，”Freedom Capital Markets的米克斯說。 (Barrons巴倫)

輝達的算力決定AI思考的速度，儲存則決定AI思考的深度、廣度和連續性。目前，全球HBM市場呈現高度集中的格局，技術門檻將其穩定的量產能力，牢牢鎖定在三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）和美光（Micron）這三家巨頭手中。未來三年（2026-2028年），它們的戰略佈局不僅將決定自身的興衰，更將深刻影響全球AI產業的演進速度與形態。2026年的HBM戰場，硝煙已起，好戲即將開場。01 HBM3E到HBM4，誰是領跑者2025年第一季度，全球DRAM市場出現歷史性轉折：SK海力士以約36%的營收份額首次超越三星電子（34%），美光以25%位居第三。這是自1992年以來三星首次失去市場第一的位置。這一變化並非簡單的週期波動，而是以HBM為核心的產業變革的直接體現。對SK海力士而言，這次登頂證明其有能力向持續火爆的HBM市場成功供應DRAM產品。HBM並非全新的儲存介質，而是DRAM的顛覆性封裝形式。它通過硅通孔（TSV）技術將多個DRAM晶片垂直堆疊，並與AI算力晶片通過中介層緊密封裝，帶來兩大革命性優勢：1）極高的頻寬：可達傳統DDR記憶體的數十倍以上，瞬間吞吐海量資料。2）極高的能效：短距離、高密度互連大幅降低資料搬運功耗，對AI算力叢集至關重要。SK海力士的登頂看似是抓住AI風口的偶然，實則是十年技術深耕與精準預判的必然。早在2010年代初HBM標準尚未成熟時，SK海力士就與AMD等夥伴投入研發，積累了TSV、堆疊封裝與測試方面的工藝訣竅。因此在2023年AI需求爆發時，它已具備顯著的技術領先與產能儲備。相比之下，三星長期依賴通用型DRAM和伺服器DRAM的規模優勢，在HBM發展初期很可能低估了其爆發速度，研發重心更偏向尖端DRAM製程（如1c納米工藝），導致HBM進度一度落後。目前，SK海力士是HBM市場的絕對霸主，其敏銳的未來洞察和果斷的資本投入，進而不僅在2023年8月就率先推出了HBM3E產品，更在2022年憑藉HBM3產品為輝達H100獨家供貨，建立了深厚的客戶關係。2025年第三季度，SK海力士全球HBM出貨量佔比高達60%，遠超美光（22%）和三星（17%），營收佔比也達到57%，穩居全球第一位。整體來看，三星在HBM領域一直被SK海力士壓制，但其正憑藉龐大的技術體系和製造能力發起全面反擊。三星的佈局特點是多路平行：一方面緊追代際更迭，在2024年2月推出首款12層36GB的HBM3E之後，現階段的三星和SK海力士都在加快第六代高頻寬記憶體HBM4的生產進度，雙方皆計畫於2026年第一季度開始量產。可以說，三星的商業模式，接下來將依賴於其全產業鏈的協同效應，進而其龐大的DRAM產能、先進的邏輯製程（可用於TSV矽通孔）和強大的封裝能力，使其在產能擴張和成本控制上具備獨特優勢。未來三年，三星的目標很明確：憑藉系統級解決方案和規模效應，從SK海力士手中奪回市場份額。三星計畫在2026年將其HBM月產能大幅提升近50%——從目前的約17萬片晶圓增至約25萬片，並將投資重心全力押注HBM4。這不僅是三星對自身HBM業務的一次激進擴張，更是向SK海力士發起的一次全面衝鋒（2025年三星DRAM月總產能約70萬片，全球最高，遠超SK海力士的50萬片、美光的40萬片）。此次三星擴產決心之堅定，很大程度上還是來源於輝達於2025年10月確認將採用三星的HBM4，這無疑為三星的擴產計畫注入了強大的信心。2025年三星HBM產能與SK海力士相近，皆在17萬片月產能附近，且雙方2025年產能都已售罄。這次的HBM4，三星已成功在測試中獲得好評，進而相關擴產投資將從2026年初全面啟動。其擴產路徑清晰且務實，主要依賴兩條路徑：一是改造現有的部分DRAM生產線，將其轉換為HBM專用產線；二是在其位於韓國平澤的P4晶圓廠叢集，加速建設新的專用生產線，現階段用於HBM生產的關鍵製造裝置已接近完成最終測試。02 三星的破釜沉舟如此激進的擴產計畫，其核心戰略極為清晰，就是直接鎖定輝達的訂單，目標是為其HBM4產品拿下輝達下一代Rubin的供應資格。目前，三星與輝達的HBM4價格談判已進入尾聲，三星的目標是與頭號對手SK海力士同價——後者的HBM4合約報價在500美元中段，這比當前主流的HBM3E 12層產品（約300美元中段）高出超過50%。此前，三星的HBM3E曾以低於海力士30%的價格出售，但面對HBM4激增的需求和顯著縮小的技術代差，兩家巨頭的價格戰將偃旗息鼓。市場預計，三星2026年的HBM市場份額將突破30%，銷售額有望實現三倍增長。技術全面追上、測試獲好評、加上充足的DRAM產能底蘊，讓三星有信心在2026年迎來EPS的爆發式增長。這一戰略大轉向，就是三星在HBM領域“知恥而後勇”的結果。在過去兩代產品（HBM3和HBM3E）的競爭中，三星因技術和良率問題節節敗退，市場份額一度跌至第三，不僅落後於SK海力士，甚至被美光超越。這直接導致其HBM產線一度無法滿載運行。為此，三星在2025年11月痛下決心，進行內部組織大調整，將原先獨立的HBM開發團隊整體併入DRAM開發室，旨在打破壁壘、強化協同、背水一戰。如今，HBM4技術獲得關鍵客戶認可，三星正全力反擊，意圖打一場徹底的翻身仗。HBM4的價格暴漲，背後是高端AI晶片殘酷的供需現實。SK海力士與輝達達成的HBM4協議，單價較HBM3E漲幅超50%。這漲價一方面源於HBM4採用了更複雜的工藝，其製造成本本身增加了約30%；另一方面，則赤裸裸地反映了高端儲存晶片嚴重的供需失衡。在AI伺服器中，HBM的成本已舉足輕重——HBM4很可能佔據輝達下一代GPU總成本的25%，並推動AI晶片整體漲價15%。量價齊升，正在徹底改寫HBM市場的預期。美國銀行預計，2026年全球HBM市場規模將飆升至600億美元，較上年暴增近60%。美光的預測更為長遠，認為HBM的總潛在市場規模將在2030年增長至約1000億美元。高盛則特別指出，用於定製ASIC晶片的HBM需求增長將最為迅猛，預計在2026年飆升80%，佔據整個HBM市場份額的三分之一。這預示著一個清晰的趨勢：AI晶片正從通用GPU向專用化加速演進。2026年，將是HBM3E與HBM4共同定義市場的元年，但SK海力士仍將佔據AI記憶體超級周期的核心位置。值得注意的是，儘管HBM4備受矚目，但在2026年，HBM3E仍將佔據總出貨量的三分之二，是絕對的市場主力。HBM4的份額將逐步爬升，其全面普及可能要等到2027年及以後。無論如何，三星此次的產能擴張，深刻體現了其作為全球少數IDM（整合器件製造）巨頭的戰略靈活性。與只專注儲存或代工的廠商不同，三星擁有從設計、製造到封測的完整垂直整合能力。這種能力賦予了它關鍵的產能調配靈活性——將龐大的通用DRAM產能快速轉換為利潤更高的HBM產線，需要極強的技術底蘊和產線管理能力。三星正是憑藉這一優勢，能根據市場利潤動態，快速將資源向HBM這類高附加值產品傾斜。此次擴產，就是為了精準抓住HBM量價齊升的超級周期。一旦憑藉HBM4成功切入輝達核心供應鏈，三星儲存業務的營收和利潤將獲得極大提振。摩根士丹利甚至預測，三星電子2026年的EPS可能較2025年暴增超過150%。這不再是一場簡單的技術追趕，而是一場關乎未來AI時代產業鏈話語權的戰略大決戰。03 三國演義，暗流湧動2026年是HBM4世代決戰之年。這一年，HBM4將開始逐步量產，這也是新一輪技術週期的起點。SK海力士能否守住先發優勢？三星能否憑藉全產業鏈能力實現反超？美光能否憑藉其高效策略站穩第一梯隊？答案將初步顯現。戰火首先在量產時間上點燃。SK海力士與三星均計畫在2026年第一季度啟動HBM4量產——前者在M16工廠，後者在平澤園區。這意味著SK海力士憑藉HBM3E建立的獨家供應窗口將徹底關閉，輝達等客戶的訂單將必然分流。定價權正從製造商手中滑向客戶方，SK海力士壟斷高溢價的時代結束了。外部最大的變數，是AI晶片的規格。輝達下一代Rubin平台將採用HBM4（12層堆疊），而Blackwell架構的B200/B300則使用HBM3E（12層堆疊）。雖然HBM市場增量空間是巨大的，單從單晶片的HBM容量增長來看，GPU驅動的需求增長是適度的。但這反而加劇了供應商之間的競爭：蛋糕的增速放緩，分蛋糕的玩家卻在增加。面對混戰，三國演義祭出了三種核心戰術：1）SK海力士：“技術代差”的守衛者。其路線圖激進清晰：鞏固HBM3E優勢的同時，全力衝刺HBM4量產，試圖始終領先對手半步。然而，當所有頭部玩家在2026年站上同一起跑線（HBM4）時，其市場份額面臨被稀釋的切實風險。技術領先是它的護城河，但這條河正在變窄。2）三星：“全產業鏈”的反擊者。三星最大的底氣在於從設計、製造到封測的垂直整合能力。在HBM這場需要極強協同的競賽中，這種內部協同效率是它的王牌。對它而言，這是一場不能失敗的背水一戰。3）美光：“效率聚焦”的顛覆者。作為後來者，美光沒有全線押注，而是集中資源在關鍵節點實現突破（如HBM3E量產供貨H200）。其商業模式更為犀利：將HBM產能視為對傳統DRAM（如DDR5）產能的置換，且置換比例高達3:1甚至更高。這意味著每增加一份HBM產出，就需犧牲約三份高利潤的通用DRAM產能。這種策略迫使美光必須追求極高的HBM生產效率和產品溢價，從而在提升HBM份額的同時，整體儲存業務的利潤也能快速上升。HBM4絕非終點。產業界已在規劃HBM4E、HBM5，技術演進圍繞更高堆疊（16層以上）、更大容量、更快頻寬和更低功耗展開。同時，HBM與CXL、存算一體等新架構的結合，可能重塑記憶體層級。因此，這場競賽的本質是一場關於技術遠見、製造彈性、商業智慧的綜合長跑。單一世代的產能擴張固然重要，但持續的研發投入和生態建構能力才是決定產業終局的根本。硝煙已起，好戲開場。無論最終是三國演義還是一超多強，激烈的競爭都將驅動HBM技術更快迭代、成本加速下降，最終惠及整個蓬勃發展的AI產業。2026年，只會是這場史詩級戰役的第一個高潮。(新財富)