隨著台積電南京晶圓廠的VEU身份（經驗證終端使用者，是美國在出口管制下的預先授權機制，取消後企業採購美國裝置需逐單申請許可證）將於2025年12月31日到期，該公司已明確了其立場。據MyDrivers和愛極微報導，台積電中國總裁羅永平（Roger Luo）表示，供應鏈仍然是安全的，只要符合監管要求，中國客戶可以通過台積電的全球網路使用先進的工藝，而不僅僅是南京工廠的16nm或28nm生產線，以小米的3nm XRING O1晶片為例，證明中國企業可以在全球範圍內獲得台積電的先進節點產能。同時，羅補充說，台積電正在與供應商協調，以確保材料和裝置的審批。雖然合規變得更加嚴格，但流程仍然可控，南京晶圓廠的營運和供應鏈繼續正常運行。台灣經濟部通過《商業時報》指出，南京工廠約佔該公司全球代工產能的3%。此前的《經濟日報》報導稱，該晶圓廠每月生產約2萬片16/12nm晶圓，每月生產4萬片28/22nm晶圓，主要服務於汽車晶片等專業需求。另外，今年8月，美國商務部突然撤銷了對三星和SK海力士中國工廠的全面VEU授權。當120天的寬限期在12月31日結束時，兩家公司必須從1月1日開始獲得美國的裝置出貨許可。據環球經濟報導，在台積電對南京晶圓廠的穩定性表現出信心的同時，韓國晶片製造商正在中國從擴張轉向生存。報告援引的一位市場專家指出，他們現在優先考慮傳統工藝的產量和利用率上，而不是晶圓廠的升級。三星西安廠生產128/236 層NAND，現在升級V9 （286 層）和投資 50 億美元的西安新廠項目都存在不確定性；海力士無錫DRAM廠投資周期延長至 2025-2030 年；對華年度投資從 6.8 兆韓元縮減至 2.8 兆韓元。 (銳芯聞)

在HBM3E價格依舊節節攀升之際，儲存龍頭們已圍繞HBM4展開了新一輪的市場份額之爭。據TheElec報導，SK海力士將其位於清州的M15X工廠的量產計畫提前了四個月，將於明年2月開始量產用於HBM4的1b DRAM晶圓。產能方面，該工廠初期規劃約為1萬片，預計到明年底將提升至數萬片。相關人士透露：“裝置投入和安裝工作正在進行，計畫已進行調整，以實現更快、更大規模的量產。”值得一提的是，M15X又被稱作“HBM4專用工廠”，業內人士認為，此次加速生產表明了SK海力士對HBM4供應的信心。截至目前，SK海力士已完成M15X早期投產的技術準備工作，其中就包括完成1b HBM4工藝的認證，其採用改進型電路的HBM4晶圓將於本月底完成晶圓製造，並於明年1月初向輝達交付其下一代12層HBM4記憶體的最終樣品。與此同時，輝達搭載HBM4的Vera Rubin 200平台出貨預期愈發明確。市場預測顯示，偉達GB300 AI伺服器機櫃明年出貨量有望達到5.5萬台，同比增長129%。Vera Rubin 200平台預計將於明年第四季度開始出貨，部分廠商訂單能見度已遠至2027年。▌三巨頭競逐HBM4份額時至今日，SK海力士在全球HBM市場仍佔據龍頭地位。市場調研機構Counterpoint Research資料顯示，今年第三季度，SK海力士全球HBM營收市佔率達57%，雖有下滑但仍好於去年同期。與之相比，三星與美光的市佔率則分別為22%和21%。然而，未來上述格局或將被撼動。據韓國《每日經濟新聞》日前消息，輝達相關團隊訪問了三星，通報了 HBM4 系統級封裝（SiP）的測試進展。會議透露，在運行速度與功耗效率兩項核心指標上，三星的產品在所有記憶體廠商中取得了最佳表現。基於其優異表現，輝達也為三星HBM4的供應亮起了綠燈。據悉，輝達要求的明年三星HBM4供應量大大超過了其內部預測值。 預計這將對三星業績的改善起到顯著作用。三星內部人士表示：“與上次的HBM3E不同,我們在HBM4開發上處於領先地位。”據報導，三星考慮到其平澤P4生產線的增設速度和生產能力等,將於明年第一季度正式簽訂供應合同。 預計將從第二季度開始正式供應。除此之外，美光也參與到HBM4的競爭之中。最新財報顯示，其HBM4將在2026年第二財季按計畫量產並實現高良率產能爬坡。HBM4在基礎邏輯晶片和DRAM核心晶片上採用先進的CMOS和先進金屬化工藝技術，這些晶片均由美光自主設計與製造。華泰證券指出，2026年全球三大儲存企業的資本開支或將集中在HBM/DRAM上。根據TrendForce預測，2026年DRAM位增長率或將達到26%。儲存超級周期有望成為2026年半導體行業重要主線，但呈現結構性分化特徵，Batch ALD裝置、測試裝置及封裝加工裝置的市場需求有望明顯增長。 (科創板日報)

據韓國《朝鮮日報》今日消息，三星電子、SK海力士等儲存供應商已上調明年HBM3E價格，漲幅接近20%。一般而言，在新一代HBM產品面世之前，供應商往往會下調前一代產品價格，因此本次漲價在業內較為罕見。在這背後，是供需兩端的共同作用。供應方面，儲存廠商預計明年第六代HBM（即HBM4）需求將增加，加大對其產能投入，導致HBM3E產能遭到積壓。需求方面，除了輝達之外，來自Google、亞馬遜等公司的訂單量也大幅增加。其中，輝達H200晶片每顆搭載6顆HBM3E；搭載HBM3E的Google第七代TPU和亞馬遜Trainium將於明年開始出貨，兩款產品HBM搭載量均較上一代產品增加約20%至30%，前者每顆搭載8顆HBM3E，後者搭載4顆HBM3E。KB Securities指出，由於ASIC需求激增，以ASIC為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量將有望較2025年暴增3倍，預估將達111億Gb。且其預計明年HBM市場的營收佔比將為HBM4佔55%、HBM3E佔45%；從明年第三季度起，HBM4將快速吸收HBM3E的需求。值得注意的是，美光在上周的業績會上，同樣對HBM給出了樂觀預期。公司高管透露，公司2026年（日歷年）全年HBM的供應量已就價格和數量與客戶達成協議，全部售罄；預計HBM總潛在市場（TAM）將在2028年將達到1000億美元（2025年為350億美元），復合年增長率約40%。美光預計2026年資本支出將達200億元，用於支援HBM和1-gamma DRAM供應。招商證券表示，預計儲存產業後續DRAM和NAND資本開支將會持續增長，但對2026年產能助力有限，預計2026年DRAM和NAND資本開支分別同比增長14%和5%，但擴產次序還是優先AI高端儲存，NAND類相對靠後。 (科創板日報)

據報導，韓國兩大儲存晶片巨頭三星與SK海力士正加快記憶體生產，以應對來自AI的需求。報導稱，三星電子近期不僅提升了韓國國內DRAM和NAND快閃記憶體的產線利用率，更重點擴大了高頻寬記憶體（HBM）等高端產品的產出。另外三星在11月決定平澤五廠恢復施工，預定2028年開始量產，以強化該公司的滿足先進儲存晶片需求的能力。至於SK海力士，其位於清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準備投產，該廠將聚焦於DRAM和其他AI導向的儲存產品。業界高層表示，SK海力士正試圖趕在原定的2027年前，完成位於龍仁半導體園區內的首座晶圓廠，該設施規模相當於六座M15X晶圓廠。由於AI相關需求預期在未來幾年持續激增，產能被視為競爭力的關鍵決定因素，根據Omdia的資料，全球DRAM市場規模預計在2026年前達到1700億美元，高於2024年的1000億美元。但是，遠水解不了近渴啊。權威市調機構IDC在最新的一份報告中，預測了2026年度的PC市場，強調受記憶體供應短缺、價格飆升的影響，存在極大不確定性，但整體不容樂觀。因此，IDC給出了三種不同的預測，最好的情況下PC市場將在2026年萎縮2.4％，中性情境下倒退4.9％，最悲觀的可能會銳減8.9％。同時出現的則是採購成本和銷售價格的上漲：中性情況平均價格漲4-6％，最差甚至要漲8％。事實上，從目前的情況看，IDC的這個預測，還是太保守了。聯想和戴爾兩大PC巨頭，都已經調高了產品價格，最高幅度達15％。定製廠商Framework已經停止了記憶體的單獨銷售，部分整機廠商甚至提供了不包含記憶體的配置選項。除了記憶體，硬碟的價格也將在2026年持續上漲，無論機械盤還是固態盤。簡而言之，如果你是絕對剛需，不管是需要記憶體、硬碟還是整機，趕緊下手。如果你的電腦還能跑兩三年，就忘了這一切吧，一個字：等！ (硬體世界)

根據券商Kiwoon Securities的高級研究員預計，三星明年的營業利潤將達到90兆至100兆韓元（約台幣2.14兆元）。這呼應了先前報告指出，三星計畫在2027年實現晶圓代工業務獲利，意味著提高2nm GAA製程的良率是其首要任務，還有高頻寬記憶體HBM4和DRAM價格56%上漲的加持。wccftech報導，三星面臨的第一個真正考驗是，其首款採用上述曝光技術製造的晶片組Exynos 2600在應用於Galaxy S26系列後的性能表現。資深研究員朴有岳（Park Yoo-ak，音譯）對三星在2026年登頂業界霸主地位做出了最為樂觀的預測，他表示該公司明年的營業利潤將達到100兆韓元。根據《韓國經濟日報》報導，他的預測基於高頻寬記憶體HBM4市場佔額的顯著增長，以及通用DRAM價格56%的上漲。朴有岳也提到，由於NAND快閃記憶體價格上漲，三星的營收可望大幅提升。此外，該公司2nm GAA製程的良率有望提高，目前已獲得兩家中國加密貨幣挖礦裝置製造商的訂單，並與特斯拉簽署了價值165億美元的巨額交易，這將有助於三星建立穩固的客戶基礎。三星還向高通提供驍龍8 Elite Gen 5的樣品，用於評估其2nm GAA製程，但隨著驍龍8 Elite Gen 6 明年的發佈，三星的作用可能會更加突出。另一位來自KB證券的研究員金東元（Kim Dong-won，音譯）指出，三星的成功部分源自於GoogleTPU訂單的成長。根據Newspim報導，金東元還表示，由於Google Gemini的整合，記憶體供應增加，Galaxy智慧型手機銷量上升，這將有利於三星的營業利潤，預計營業利潤將達到100兆韓元，年增129%。HBM4的押注推動三星進入新一輪牛市三星電子股價目前已突破 10 萬韓元（68 美元），投資者開始質疑這家科技巨頭能否保持上漲勢頭，達到幾家券商預測的 15 萬韓元目標價位。這些券商指出，市場對人工智慧至關重要的高頻寬記憶體晶片的需求正在加速增長。10 月 30 日，三星公佈了強於預期的第三季度財報；第二天，人工智慧巨頭輝達宣佈計畫向三星和其他韓國科技公司提供 GPU。受此消息影響，當地券商紛紛上調三星目標股價。韓國投資證券、KB證券和Eugene投資證券均將目標價上調至15萬韓元，NH投資的目標價為14.5萬韓元，未來資產的目標價為14.2萬韓元。SK證券的目標價更高，達到17萬韓元。即使是去年警告儲存晶片行業“寒冬將至”的摩根士丹利，也將其對三星的目標股價上調至 144,000 韓元，並表示在牛市情況下，假設對儲存器和有機發光二極體的強勁需求持續，宏觀經濟狀況趨於穩定，而中國努力進入儲存晶片行業，其股價甚至可能達到 175,000 韓元。樂觀的前景主要基於這樣的預期：三星能夠向輝達供應其下一代 HBM4 晶片，並在 HBM3E 延遲發佈後重新奪回市場份額，此前 HBM3E 的延遲發佈導致該公司落後於競爭對手，並拖累了其盈利。KB證券高級分析師金東元周四表示，他預計三星明年將佔據輝達HBM4供應鏈的40%，並預測三星2026年的HBM出貨量將比今年增長2.5倍。金表示：“三星預計將成為最大的受益者，因為過去三年HBM的折扣價將轉為溢價，而傳統DRAM的價格則持續上漲。”他指出，這一組合可能推動三星市值達到1000兆韓元。截至周四發稿時，三星的市值為675兆韓元。韓國投資證券分析師蔡敏淑也表達了樂觀的看法，她說：“人工智慧驅動的記憶體上行周期才剛剛開始。”“由於供應短缺，平均售價將持續上漲至 2026 年，而 HBM 銷售的擴大將顯著提高（三星的）盈利能力。”三星、SK海力士股價進入第二波上漲行情“從輝達的GPU（圖形處理器）到Google的TPU（張量處理器），人工智慧記憶體半導體的需求比供應量高出50%以上。三星電子和SK海力士即將進入第二波增長階段。”KB證券研究部主管、汝矣島半導體行業長期“最佳分析師”金東元（人稱“半導體先生”）預測，半導體股票將進入第二輪上漲行情。金在1日的一份報告中指出：“三星電子和SK海力士的股價在過去一個月裡從高點下跌了15%，進入了暫時的回呼階段。這主要是由於短期美元流動性收緊、聯準會降息以及對人工智慧泡沫的擔憂引發的外資拋售，但預計這些不確定因素將從12月開始緩解。”他分析道：“人工智慧生態系統的多元化，包括Google的TPU和輝達的GPU，將直接推動HBM（高頻寬記憶體）和伺服器DRAM的普及，從而加劇未來記憶體價格上漲和出貨量增長。截至第四季度，人工智慧記憶體需求已超過供應50%以上，由於供應短缺加劇，預計第四季度的價格漲幅將遠超市場預期。”KB證券預測，三星電子明年的營業利潤將同比增長129%至97兆韓元，而SK海力士的營業利潤將增長89%至81兆韓元。三星預計將受益於北美“七大巨頭”（M7）公司HBM供應量的增加以及晶圓代工廠產能利用率的提高，而SK海力士則將受益於強勁的HBM出貨量。兩家公司明年的合併營業利潤預計為178兆韓元，佔韓國綜合股價指數（KOSPI）預計總營業利潤的40%。金特別指出：“從明年開始，Google的下一代TPU預計將採用HBM4，這將加劇供應短缺。三星電子在HBM4速度方面具有競爭優勢，極有可能在今年年初通過質量認證，從而為擴大對北美大型科技公司的供應鋪平道路。” (EDA365電子論壇)

一、全球儲存公司梳理：總覽（按市佔率）三星電子、海力士在DRAM、HBM、NAND、SSD等領域市佔率均較高，為全球儲存龍頭公司；其次為美光，產品矩陣全面，但市佔率略低於三星、海力士；SanDisk、鎧俠聚焦於NAND、SSD領域，西部資料、希捷科技聚焦於HDD領域；從地域來看，全球儲存公司主要集中在韓國、美國、中國（包括台灣）、日本。圖1：全球儲存公司總覽（25Q2各產品市佔率情況）二、全球儲存公司梳理：三星電子三星電子：全球NAND、DRAM領先企業。三星電子業務包括消費電子產品、儲存產品（NAND&DRAM等）、OLED手機面板以及Harman（音響產品）等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DX部門（TV、手機、空調等）、DS部門（DRAM、NAND、移動Aps等）、SDC（OLED手機面板）、Harman（智能座艙、汽車音響等）收入佔比分別為55%、33%、8%、4%，儲存業務為公司第二大業務，僅次於消費電子業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，三星電子市佔率為33.2%，全球第二；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率34.0%，全球第一；25Q2全球HBM市場，三星電子市佔率17.0%，全球第二；25Q2全球SSD市場三星電子市佔率為32.0%，全球第一，在消費級、企業級SSD均具備競爭優勢。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1969年成立，最初主要生產電子電器類產品，1874年通過收購韓國半導體進軍半導體業務；1983年開始發力DRAM領域，1984年研發成功64kDRAM；1988年公司在韓國推出第一部手機；1998年開發出第一款128MB Flash快閃記憶體，2004年公司研發出全球首款8GB NAND快閃記憶體，2005年開始進入晶圓代工行業，2011年出售HDD業務，專注發展儲存晶片，2016年收購Harman，強化自身在汽車晶片、車載娛樂領域優勢。2）從DRAM產品發展歷史來看：1984年研發成功64k DRAM，1996年首次提出DDR概念，1998年發佈全球第一個商用DDR晶片，2003年量產DDR2，2008年開始DDR3，2013年量產DDR4，2021年量產DDR5。3）從HBM產品發展歷史來看：2016年量產HBM2，2020年量產HBM2E，2023年量產HBM3，2024年量產HBM3E。4）從NAND產品發展歷史來看：1998年開發出第一款128NM Flash快閃記憶體，2013年開始進入3D V-NAND階段（24層），後堆疊層數持續增長，2024年第九代VNAND（300+層）量產。圖2：三星電子HBM產品lineup圖3：三星電子NAND產品發展圖4：三星電子SSD產品發展圖5：三星電子收入結構（25Q3）三、全球儲存公司梳理：海力士海力士：全球NAND、DRAM領先企業。海力士主要從事NAND、DRAM的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM、SSD等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，3QFY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND（包括SSD）、其他業務收入佔比分別為78%、20%、2%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，海力士市佔率為39.1%，全球第一；25Q2全球NAND市場，海力士市佔率22.0%，全球第二；25Q2全球HBM市場，海力士市佔率67.0%，全球第一；25Q2全球SSD市場海力士市佔率為19.6%（包括Solidigm，收購的英特爾的NAND業務），其中海力士優勢在消費級SSD領域，市佔率為9.15%，全球第四，Solidigm 優勢在企業級SSD領域，市佔率23.18%，全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1983年成立，最初名為現代電子，以DRAM的生產製造為主；1998年收購LG半導體，2001年改名為海力士，2003年從現代集團完成剝離，2004年出售非儲存業務，將重心轉向半導體儲存；公司於2012年併入SK集團，改名為SK海力士；2021年SK海力士收購英特爾的NAND業務，成立了Solidigm；2023年開發並大規模生產全球最高規格的HBM3E。2）從DRAM產品發展歷史來看：1985年，公司256kb DRAM量產，整合LG半導體後於2001年推出128MB DDR SDRAM；2003年底512MB DDR2通過英特爾認證，2004年開始量產；2007年開發出業內首款DDR3並獲得英特爾認證；2011年成功研發2GB DDR4；2018年完成DDR5研發，2020年正式量產；2013年與AMD聯合開發全球首款HBM1，2017年發佈HBM2，2019年發佈HBM2E，2021年發佈HBM3，2023年量產HBM3E。3）從NAND產品發展歷史來看：2004年開始進軍快閃記憶體領域，開發了512MB NAND快閃記憶體，2014年正式進軍3D NAND領域，推出24層3D NAND晶片，2018年業內率先實現4D NAND商業化突破，發佈96層4D NAND快閃記憶體，2024年開始量產全球首款321層4D NAND快閃記憶體。圖6：海力士NAND產品發展圖7：海力士HBM產品發展四、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：美光美光：全球DRAM、NAND領先企業。美光主要從事DRAM、NAND的開發、生產和銷售，產品覆蓋DRAM、NAND、HBM等。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司DRAM（包括HBM）、NAND、其他業務收入佔比分別為76%、23%、1%，DRAM、NAND業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，25Q2全球DRAM市場，美光市佔率為22.8%，全球第三；25Q2全球NAND市場，美光市佔率13.8%，全球第四；25Q2全球HBM市場，美光市佔率16.0%，全球第三；25Q2全球SSD市場美光市佔率為11.1%，全球第三。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司1978年成立，以DRAM的生產製造為主，1981年量產64KB DRAM；1998年收購TI(德州儀器）全球儲存業務，躋身全球儲存前列；同年，併購Rendition，進入3D圖形晶片領域；1999年發佈產業內第一款DDR晶片；2002年美光收購日本東芝在美國的DRAM工廠，生產能力進一步提升；2005年美光與英特爾合資成立IM FlashTechnologies，開進發力NAND領域，2006年又收購了Lexar Media，進一步開拓消費級儲存卡和SSD市場；2009年收購奇夢達持有的華亞科技全部股份，2015年收購華亞科技全部股份，改名為台灣美光；2013年美光完成對爾必達的收購，改名為美光日本；2015年美光與英特爾聯合發佈3D NAND技術；2018年美光放棄HMC技術，開始轉向HBM產品的研發，2020年美光開始提供HBM2產品。2）從DRAM產品發展歷史來看：1981年，公司64KB DRAM量產，通過收購TI儲存業務、華亞科技、爾必達，DRAM產品能力持續提升；1991年推出DDR1，2003年推出DDR2，2007年推出DDR3，2014年推出DDR4，2020年推出DDR5；3）從HBM產品發展歷史來看：美光最初專注於HMC技術，2011年發佈第一代HMC，2018年放棄HMC，開始轉向HBM技術，2020年推出HBM2,後持續迭代；4）從NAND產品發展歷史來看：2005年通過和英特爾合資公司進軍快閃記憶體領域，2015年和英特爾聯合發佈3D NAND技術，2024年232層NAND已經大批次量產。圖8：美光發展歷史圖9：美光收入結構（FY2025）五、全球儲存公司梳理：SanDiskSanDisk：全球消費級NAND領先企業。SanDisk主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，在消費級儲存市場具有領先優勢。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，公司產品主要包括儲存卡、USB快閃記憶體驅動器、SSD，FY2025公司消費端、商業端、雲端產品收入佔比分別為56%、31%、13%。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2SanDisk市佔率為12.1%，全球市佔率第五；從全球SSD市場來看，25Q2SanDisk市佔率為11.8%，全球市佔率第三名；從消費級SSD市場，25Q2SanDisk市佔率分別為19.0%，市佔率全球第二。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1988年公司成立，1991年推出首款基於快閃記憶體的固態硬碟，2016年被西部資料收購，2025年西部資料剝離快閃記憶體業務，獨立上市；2）從NAND和SSD產品發展歷史來看：1991年SanDisk為IBM生產了首款基於快閃記憶體的SSD；1992年推出FlashDisk，可以插入筆記型電腦的拓展槽中；1994年發佈CF卡，成為早期數位相機和可攜式電子裝置的主流儲存方案；2000年，公司正式推出SD儲存卡格式；2001年，公司與東芝聯合發佈全球首款商業化的NAND MLC快閃記憶體技術；2004年，作為核心推動者參與制定microSD儲存卡標準；2005年發佈首款基於快閃記憶體的MP3播放器SanDisk Sansa e100，開始進入數字音訊播放器領域；2011年，公司收購固態硬碟製造商Pliant Technology；2012年，發佈首款SATA SSD產品，發力消費級SSD市場；2013年，公司收購面向企業市場的SSD製造商SMART Storage Systems；2014年，公司收購企業資料中心快閃記憶體製造商Fusion-io，開始佈局企業級SSD市場；2019年SanDisk主導發佈SD Express標準，通過PCIe NVMe將介面速度大幅提升；2024年SanDisk發佈microSD Express儲存卡。圖10：SanDisk產品發展歷史圖11：SanDisk收入結構（FY2025）六、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：西部資料西部資料：全球HDD領先企業。西部資料主要從事硬碟（HDD）的開發、生產和銷售，覆蓋資料中心級、商業級、消費級HDD產品。從收入結構來看：根據西部資料財報披露資料，HDD為其核心產品，FY2025財年西部資料Cloud（雲）、Client（商業級）、Consumer（消費級）收入佔比分別為88%、6%、6%，資料中心等級HDD貢獻主要收入。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，其中希捷、西部資料市佔率合計達80.8%，呈現雙寡頭壟斷格局。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1970年西部資料成立，為全球知名的儲存解決方案提供商，1990年開始確立“硬碟主業”戰略，2011年收購日立環球儲存科技，擴張企業級HDD市場，2016年收購SanDisk，確立“HDD+快閃記憶體”雙核心業務，2025年完成對SanDisk分拆，正式剝離NAND快閃記憶體業務，目前全面聚焦於HDD領域；2）從HDD產品發展歷史來看：1988年收購Tandon，切入硬碟製造領域；1992年發佈Caviar驅動器，獲得市場認可；1999年，同IBM合作，推出Expert系列驅動器；2001年，西部資料成為第一家提供8MB磁碟緩衝區的主流ATA硬碟驅動器製造商；2003年收購磁頭製造商Read-Rite，推出首款10,000轉SATA硬碟WD Raptor；2005年，開始進入筆記本HDD市場，推出Scorpio系列硬碟；2006年推出採用垂直磁記錄（PMR）技術的硬碟；2009年，推出全球首款2TB硬碟WD Caviar Green；2012年，完成對HGST收購，成為全球最大的傳統硬碟製造商，並獲得HGST在企業級HDD和氦氣硬碟技術優勢；2013年，發佈全球首款商用氦氣硬碟Ultrastar He；2017年，展示MAMR（微波輔助磁記錄）技術原型；2020年，發佈ePMR技術(Energy-Assist PMR)。圖12：西部資料產品發展圖13：西部資料收入結構（FY2025）七、大模型對儲存的需求：訓練&推理全球儲存公司梳理：希捷科技希捷科技：全球HDD領先企業。希捷科技主要從事硬碟及儲存產品的開發、生產和銷售，核心產品為HDD硬碟，此外亦覆蓋系統、SSD等產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，FY2025公司HHD、系統&SSD&其他產品收入佔比分別為93%、7%，HDD產品業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，2024年HDD市場希捷、西部資料、東芝市佔率分別為40.8%、40.0%、19.2%，希捷為全球龍頭；SSD產品全球佔比較低。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：公司成立於1978年，1980年發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，後成為IBM PC主要供應商，1989年收購CDC旗下的儲存部門ImprimisTechnology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1996年，公司與Conner Peripherals合併，成為當時全球最大的獨立儲存裝置製造商；2003年發佈Momentus系列產品，重回筆記本HDD市場；2006年收購Maxtor，整合其消費級產品線，市場份額進一步提升；2011年，為應對西部資料收購HSFT，希捷收購三星旗下硬碟業務；2013年佈局SSD市場，2014年收購LSI快閃記憶體業務；2020年公司HAMR技術開始商業化，HDD容量大幅提升。2）從HDD產品發展歷史來看：1980年公司發佈全球首款5.25英吋硬碟ST-506，為個人電腦提供了首個標準儲存解決方案，1981年發佈10MB版本ST-412，以此獲得IBM主要OEM供應商合同，後出貨量快速增長；1989年收購CDC旗下的儲存部門Imprimis Technology，進一步擴大企業級HDD市場份額；1992年發佈全球首款7200RPM硬碟BarraCuda（酷魚），1996年發佈全球首款10000RPM硬碟Cheetah系列，鞏固其在企業級儲存領域地位；2003年發佈Momentus系列硬碟，重回筆記本硬碟領域；2005年收購Maxtor，整合其消費級產品線FreeAgent等，擴大消費級市場份額；2011年收購三星旗下硬碟業務，進一步提升市場份額；2020年HAMR技術開始商業化，2022年推出基於HAMR技術的Exos M系列硬碟，2025年推動第二代HAMR技術開發，目標容量提升到30TB以上。圖14：通過HAMR技術，希捷產品容量持續提升圖15：希捷科技收入結構（FY2025）八、大模型對儲存的需求：訓練&推全球儲存公司梳理：鎧俠鎧俠：全球NAND快閃記憶體領先企業。鎧俠主要從事快閃記憶體及固定硬碟（SSD）的開發、生產和銷售，覆蓋企業儲存產品、個人消費儲存產品。從收入結構來看：根據公司財報披露資料，2025H1公司SSD&儲存、智能裝置、其他業務收入佔比分別為53%、31%、16%，SSD&儲存業務為公司主營業務。從競爭格局來看：根據IDC披露資料，從全球NAND競爭格局來看，25Q2三星、海力士、鎧俠、美光、SanDisk佔比分別為34.0%、22.0%、13.9%、13.9%、12.1%，鎧俠僅次於三星、海力士；從全球SSD市場來看，25Q2三星、Solidigm、SanDisk、美光、鎧俠市佔率分別為28.7%、12.6%、11.8%、11.2%、8.1%，全球市佔率第五名。從發展歷史來看：1）公司發展歷史：1987年東芝公司發明NAND快閃記憶體，2017年鎧俠前身東芝儲存器集團從東芝公司剝離，2019年公司改名為鎧俠；2）從NAND產品發展歷史來看：1987年公司發明NAND快閃記憶體，1991年發佈全球首個4MB NAND快閃記憶體（全球第一個商業化NAND產品），2001年鎧俠和SanDisk聯合開發，推出首款1GB MLC NAND產品（首次在NAND中使用MLC技術，實現每單元儲存2位資料），2007年率先發佈三維(3D)快閃記憶體層疊技術，2014年發佈全球首款15nm工藝NAND產品，2015年發佈全球首款256GB（48層）TLC BICS FLASH，實現了3D NAND技術的商業化突破，2019年全球首次實現量產96層QLC 3D NAND產品，後續堆疊層數、容量持續提升；3）從SSD產品發展歷史來看：2001年發佈首個PATA SSD，2007年發佈第一代SATA介面SSD（128GB），2010年首款SAS SLC企業級SSD發佈，2012年發佈首款SAS MLC企業級SSD+QSBC技術（錯誤矯正技術），2016年面向消費級市場推出SATA介面TLC SSD產品，2018年發佈全球首款採購96層BiCS4 FLASH的NVMe SSD。圖16：鎧俠產品發展圖17：鎧俠收入結構（2025H1）(AI雲原生智能算力架構)

據全球最大的儲存器製造商之一稱，DRAM 供應緊張的局面預計將持續到 2028 年。主流PC市場正面臨記憶體供需長期失衡的局面，據報導這種情況將持續到2028年。SK海力士的內部分析顯示，“商品級”DRAM的增長將十分有限，無法滿足市場需求。我們已經知道DRAM價格高得離譜，但這種情況似乎已經失控，使得大眾難以買到價格合理的PC。使用者@BullsLab分享了據稱是SK海力士內部分析的截圖。該分析預測，除高頻寬記憶體（HBM）和SOCAMM模組外，普通DRAM的增長至少在2028年之前仍將受到限制。這是因為主要的記憶體製造商已經將重心轉移到滿足AI伺服器的需求上，而面向消費市場的產能出現顯著增長的可能性仍然很低。據報導，現有供應商的庫存已降至歷史低位，這進一步加劇了分配壓力。報告顯示，SK海力士等記憶體製造商採取了保守的產能擴張策略，更注重維持盈利能力，而非向市場大量投放新的DRAM產品。伺服器DRAM的需求幾乎呈指數級增長，預計明年增長速度將更快。據估計，伺服器份額將從2025年的38%飆升至2030年的53%。由於人工智慧的蓬勃發展，雲服務提供商正大力建設人工智慧訓練資料中心，預計這將引發DRAM的超級周期。一些報告還指出，製造商2026年的關鍵DRAM生產配額已經售罄，而傳統PC DRAM的產量預計在未來幾年內將無法滿足需求。我們已經看到人工智慧PC市場份額的激增，預計到2026年，人工智慧PC系統將佔整個PC市場的55%左右。儘管預計2025年PC整體出貨量將與此持平。關於NAND快閃記憶體，SK海力士的分析也表明，由於伺服器端需求更高（利潤也更高），NAND快閃記憶體的供應增長可能會滯後於消費市場的需求增長。總而言之，這項分析揭示了消費市場一個令人擔憂的趨勢。我們此前預計這種情況會持續到2027年，但現在看來，它似乎在2028年底之前不會停止。蘋果DRAM長約到期，漲價在即一家公司兆美元的市值並不足以使其免受全球零部件短缺的影響，這幾乎意味著蘋果也將不得不支付巨額資金，從三星和SK海力士等公司購買DRAM晶片，用於其眾多產品。最新傳聞稱，蘋果公司與韓國廠商簽訂的長期協議（LTA）即將到期，而上述韓國廠商可能正摩拳擦掌，準備從2026年1月起向其利潤豐厚的客戶收取高額的DRAM晶片溢價。真正的問題是，蘋果是否會將這些成本上漲轉嫁給其忠實的粉絲群體。這次的情況極其嚴峻，據報導，三星不僅 為了最大化利潤而拒絕了旗下移動體驗部門的DRAM供應請求，而且還將重心從HBM轉向DDR5生產，因為這種策略能帶來更高的利潤。@jukan05 懇請他在X論壇上的讀者儘可能多地購買電子產品，否則將不得不付出慘痛的代價。據稱，蘋果公司將向三星和SK海力士支付更高的DRAM溢價，這將導致其眾多產品價格大幅上漲，例如即將推出的低價版MacBook、M5 MacBook Air、iPhone 18 系列、iPhone Fold、重新設計的OLED M6 MacBook Pro等等。幸運的是，這家總部位於加利福尼亞的科技巨頭擁有兩項優勢，這兩項優勢將在DRAM短缺期間發揮至關重要的作用。首先，蘋果公司坐擁數十億美元的現金儲備；其次，其專注於自主研發晶片的策略使其能夠消化這些成本上漲。例如，iPhone 16e中使用的 C1 5G 數據機 預計可為蘋果節省每台裝置 10 美元的成本。雖然這聽起來不多，但考慮到每年數百萬台的出貨量，最終節省的金額將相當可觀。據稱，蘋果將於今年晚些時候推出其研發數月的C2晶片，該晶片將應用於明年的旗艦機型。此外，與其他競爭品牌不同，蘋果堅持使用其定製的A系列SoC晶片，並將其獨家應用於自家產品。由於成本上漲，據傳高通和聯發科等其他晶片組製造商明年將把LPPDR6晶片獨家用於驍龍8 Elite Gen 6和天璣9600  ，因此蘋果的處境略好一些。然而，計畫明年升級到iPhone的使用者可能會感到意外，因為@jukan05提到，蘋果很可能會在2026年上半年提高包括iPhone在內的產品價格。戴爾大幅度漲價戴爾是最大的個人電腦製造商之一，該公司已內部通知員工，由於DRAM記憶體短缺，公司準備大幅提高多種產品的價格。記憶體短缺似乎已經蔓延到PC供應鏈中的“主流”製造商。據Business Insider報導，戴爾公司披露的內部郵件顯示，該公司預計將在其“商用產品線”（包括筆記型電腦和預裝PC）上調價格。此次漲價幅度預計將是該公司有史以來最大的漲幅之一，據稱筆記型電腦和PC的價格未來都可能上漲“數百美元”。而且，價格上漲不僅限於記憶體短缺，更大容量的儲存裝置也將大幅增加成本告稱，戴爾最新款Pro和Pro Max系列筆記型電腦和桌上型電腦，下周起價格將上漲，最高漲幅達230美元，具體漲幅取決於記憶體配置。此外，如果選擇128GB記憶體的機型，每台裝置的價格可能上漲高達765美元，如此大幅度的漲幅令消費者感到意外。不僅如此，如果遊戲玩家想要額外購買儲存空間，價格也將大幅上漲。一位戴爾員工預計，最終漲幅可能高達30%，具體取決於戴爾的合同條款，而戴爾的合同金額並不小。預計多款產品將受到記憶體短缺的影響，據 Business Insider 報導，戴爾的新定價表顯示價格上漲情況如下：戴爾Pro和Pro Max筆記型電腦及桌上型電腦（配備32GB記憶體）價格上漲130至230美元配置128GB記憶體的系統價格將上漲520至765美元。配備1TB 固態硬碟的配置價格將上漲 55 至 135 美元。戴爾 Pro 55 Plus 4K 顯示器價格上漲 150 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（6 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 66 美元配備NVIDIA RTX PRO 500 Blackwell GPU（24 GB）的 AI 筆記型電腦價格上漲 530 美元值得注意的是，戴爾是全球最大的PC製造商之一，這意味著如果該公司實施大範圍提價，聯想、宏碁、華碩等其他競爭對手很可能也會效仿，這將導致消費者在未來一年面臨艱難的局面。更重要的是，記憶體短缺問題短期內不太可能結束，一些預測甚至認為這種情況可能會持續到2027年，這意味著未來幾個季度記憶體供應仍將受到限制。人工智慧雖然承諾讓人類的遊戲體驗更輕鬆，但卻給遊戲玩家帶來了挑戰，而且未來購買一台計算裝置似乎會變得更加困難。半導體進入超級周期KB證券15日預測，從明年開始，儲存器半導體周期將擴展到伺服器和高頻寬儲存器（HBM），導致前所未有的供應短缺。KB證券研究部主管金東元表示：“受人工智慧和儲存器業務的推動，今年第三季度全球半導體銷售額環比增長15%，達到318兆韓元，創歷史新高。預計今年全球半導體銷售額將比上年增長24%，達到1180兆韓元，首次突破1000兆韓元大關。”金補充道，從明年開始，半導體周期將從專注於HBM擴展到包括伺服器記憶體和HBM，這將導致前所未有的供應短缺。這一預測源於對HBM、伺服器DRAM和企業級固態硬碟（eSSD）的需求不斷增長，因為隨著人工智慧推理工作負載的擴展以及雲服務提供商增加對人工智慧應用的資料處理，這些需求都在不斷增長。雖然HBM在人工智慧訓練階段至關重要，但人工智慧服務的商業化將推動伺服器DRAM需求的快速增長，以處理推理階段的大規模資料。Kim指出：“根據產品速度和規格的不同，HBM4的價格預計將比HBM3E溢價28%至58%。半導體市場預計將進入一個超級周期，甚至超越以往的超級周期。”他繼續說道：“三星電子擁有多元化的專用積體電路（ASIC）客戶群，主要面向大型科技公司。預計其明年的HBM出貨量將比上年增長兩倍。這將使其HBM市場份額從今年的16%擴大到明年的35%以上，增長超過一倍。儘管三星電子擁有全球最大的DRAM產能，但其目前的估值水平卻是最低的，這表明其被嚴重低估的局面即將得到解決。” (半導體行業觀察)

“我不知道”如果你身邊有朋友問你，“記憶體什麼時候能降價”，那麼你可以把這個文章甩給他，直接告訴ta，你不知道。全球主要 DRAM 供應商之一 SK 海力士近日就當前記憶體市場供應短缺及擴產計畫發表了看法。由於 AI 產業需求的爆炸性增長，記憶體供應持續緊張，製造商們面臨著激進的價格上漲壓力。有行業預測顯示，記憶體短缺的局面可能將持續到 2027 年甚至更久。WCCFTech向海力士談論了如今的“記憶體超級周期”以及公司的對策，海力士表示目前下結論還為時尚早。海力士表示，公司已提前完成 M15X 晶圓廠兩年的建設工作並已啟用。該工廠將專注於HBM的生產，計畫在明年啟動全面量產。M15X是SK海力士投入約36億美元的重大項目，預計將為公司整體晶圓產能貢獻重要份額。公司還提及正在建設中的龍仁（Yongin）晶圓廠，該廠預計在 2027 年上半年投產。公司表示，鑑於記憶體需求增長速度超過預期，公司正通過建設 M15X 和龍仁工廠等先進生產基礎設施，主動確保“晶圓廠空間”和“生產能力”，以高效響應不斷增長的 AI 記憶體需求和客戶的演變要求。而問及記憶體短缺何時結束時，海力士認為，由於 AI 領域潛在需求的不確定性，供應鏈仍在適應新的市場格局，無法精準預測短缺的持續時間。目前，公司計畫在HBM 市場保持高份額，不僅繼續供應主要的 GPU 客戶，還將覆蓋包括 ASIC 領域在內的多元化客戶群體。有意思的是，海力士明確知道，當下的消費級通用記憶體市場（用於PC、手機的普通記憶體）供應處於緊迫局勢，其表示這是由於大型雲服務提供商（CSP）和科技巨頭傾向於鎖定長期 DRAM 採購合同，而供給側產量不足導致。公司估計，2027年上半年將大幅增加DRAM生產能力，以滿足市場需求，但考慮到從工廠擴建到生產線重新分配需要數月時間，消費級產品，包括 DDR5 記憶體等，價格短期內恐將持續承壓。顯然，儲存巨頭正在將產能重心從傳統的通用記憶體轉向高利潤、高技術壁壘的 AI 記憶體。而對於普通消費者和終端銷售商，可能不得不繼續承受這一輪 AI 軍備競賽帶來的成本外溢效應。 (AMP實驗室)