受全球儲存晶片需求激增影響，三星和海力士正加快本土及中國市場的擴產步伐。據韓國財經媒體 SeDaily 援引兩家企業最新發佈的 2025 年經營報告，三星對其西安工廠的投資額同比大增 67.5%，而 SK 海力士去年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體生產基地的注資總額超 1 兆韓元。三星轉變對華投資策略據 SeDaily 援引三星 2025 年經營報告顯示，該公司 2025 年對西安工廠的投資額增至 4654 億韓元，較 2024 年的 2778 億韓元同比增長 67.5%。與此同時，在大舉擴產的背景下，三星（中國）半導體有限公司 2025 年發展勢頭強勁，全年營收約達 8.64 兆韓元，淨利潤攀升至 1.11 兆韓元。這一舉措標誌著三星的投資策略出現顯著轉變。SeDaily 指出，三星 2019 年對西安工廠完成約 6984 億韓元的初始投資後，2020 年至 2023 年期間，基本未對該工廠進行大規模資本投入。如今，面對本土產能難以消化的全球儲存晶片需求激增現狀，三星正加大在華佈局力度。報告顯示，依託新增投資，三星計畫將西安 NAND 快閃記憶體工廠的產線從 128 層（第六代）升級至 236 層（第八代），同時計畫 2026 年在韓國本土實現 400 層（第十代）NAND 快閃記憶體的量產。集邦諮詢的資料凸顯出中國作為三星核心 NAND 快閃記憶體生產基地的重要地位，該機構預估，2025 年三星中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 30% 至 35%。海力士投資超兆韓元，無錫DRAM產線向高附加值升級與此同時，SeDaily 指出，SK 海力士 2025 年向無錫 DRAM 晶圓廠和大連 NAND 快閃記憶體子公司的投資總額超 1 兆韓元。其經營報告顯示，僅無錫 DRAM 晶圓廠就獲得 5810 億韓元投資，較 2024 年的 2773 億韓元同比增長 102%；大連 NAND 快閃記憶體工廠投資額達 4406 億韓元，同比增長 52%。據悉，這是 SK 海力士 2022 年收購英特爾大連 NAND 快閃記憶體工廠後，首次對其在華工廠進行兆韓元規模的投資。無錫和大連兩大工廠仍是 SK 海力士的核心生產基地。集邦諮詢資料顯示，2025 年 SK 海力士中國基地的 NAND 快閃記憶體產能佔其全球總產能的 40% 至 45%，DRAM 記憶體產能佔比也達到 35% 至 40%。韓國《中央日報》報導了一組值得關注的資料：2025 年 SK 海力士對其在華半導體工廠的裝置投資較上一年增長 9 倍。此舉是該企業在遵守美國製裁規定的前提下，最佳化在華生產設施的重要舉措，具體包括將韓國本土工廠的裝置運往中國，同時把中國工廠的老舊裝置運回韓國。《中央日報》還指出，2025 年 SK 海力士約 90% 的裝置交易都集中在無錫 DRAM 晶圓廠。此外 SeDaily 稱，SK 海力士通過此次新增投資，將無錫工廠的 DRAM 工藝節點從 1z 升級至 1a，為 DDR5 等更高附加值產品的量產鋪平了道路，也為企業實現業績增長提供了支撐。 (銳芯聞)

1月29日，在英國首相斯塔默訪華期間，阿斯利康宣佈，計畫於2030年前在中國投資超過1000億元人民幣，以擴大在藥品生產與研發領域的佈局。這也是這家英國製藥巨頭對中國市場作出的最新承諾。公司稱，最新的投資將充分發揮中國的科研優勢和先進製造能力，並依託中英醫療健康生態系統之間的協同合作，為中國及全球患者帶來前沿創新療法。去年3月，阿斯利康宣佈了一項價值高達25億美元的投資計畫，將在北京建立全球第六個、中國第二個戰略研發中心，並達成多項重大研發與生產合作，以進一步推動中國生命科學事業發展。阿斯利康全球首席執行長蘇博科表示：“今天宣佈的這筆超過1000億元人民幣的重大投資，開啟了阿斯利康在華發展的新篇章。中國已成為科學創新、先進製造和全球公共衛生領域的重要力量。通過進一步擴展我們在細胞治療、放射偶聯藥物等突破性療法的能力，阿斯利康將為中國高品質發展作出更大貢獻，更重要的是，把下一代創新療法帶給更多患者。”中國在新療法領域擁有前沿科學。據介紹，這些投資將覆蓋從藥物發現、臨床開發到生產製造的完整價值鏈，將中國創新成果帶向全球。這項投資也將顯著增強阿斯利康在細胞治療和放射偶聯藥物方面的能力，推動公司廣泛多元化產品管線發展，惠及癌症、血液病和自身免疫性疾病等患者。阿斯利康還將成為首家在中國擁有端到端細胞治療能力的跨國製藥企業。自2023年以來，阿斯利康投資超過18億美元加碼中國製造，並計畫到2030年底推出20款全球創新藥。截至今年1月，阿斯利康中國研發管線內有超過200個項目，每年新增10-15個項目。 (第一財經)