美國MATCH法案核心觀點：都是因為盟友國企業辦事不力，讓中國趁機買到了大量先進製造裝置，要制裁盟友

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據科技日報發佈新聞指出，美國議員提出的MATCH法案在多個維度全面升級對中國晶片產業的制裁打壓。

其核心推動者查克·舒默以及約翰·穆勒納爾認為，此前美國的制裁措施要比盟友國更加嚴格，這導致中國企業趁機大量採購盟友國企業的先進製造裝置。

MATCH法案將會對盟友國提出管制要求，荷蘭、日本等國需要在150天內對齊美國的出口管制標準，不然美國將會對盟友國的企業動用“外國直接產品規則”，強制性叫停具有美國技術的裝置出口。

MATCH法案包含以下四條規定：

1、確定相關國家企業無法自主製造的半導體裝置清單。

2、禁止向相關國家繼續提供製造裝置和相關技術，對此前已出售的裝置實施售後方面的限制。

3、將中芯國際、華虹集團、長鑫儲存、長江儲存、華為這5家中國企業所需的所有晶片裝置列入受管制清單中。

4、確保出口管制的統一性，要求盟友國在150天內對其美國的出口管制標準，否則美國將啟動“外國直接產品規則”。

此次法案來勢洶洶，不但將5家中國科技巨頭劃入全面出口管制的清單當中，而且還要求盟友國在150天內把出口管制標準與美國對齊，對中國企業實施更加全面的出口管制。

在這5家中國企業當中，中芯國際與華虹集團是晶圓製造工廠，並且這兩家是中國大陸地區規模最大、技術儲備最足、資源投入最多的本土晶圓廠，可以代表中國大陸地區最先進的晶片製造技術。

而長鑫儲存與長江儲存則是中國最大的兩家儲存晶片製造商，長鑫儲存負責DRAM記憶體製造，長江儲存負責NAND快閃記憶體製造。

這兩家儲存晶片製造商均已經掌握了較為先進的自主技術，大幅度縮短了與國際企業的技術差距，而且依靠國內手機品牌的支援，兩家企業均實現了自主晶片的商業化發展。

華為則是美國製裁清單的“老使用者”，從2018年開始，美國就一直在對華為進行限制，先禁止華為使用美國供應鏈設計晶片，隨後又禁止台積電給華為代工晶片，最後則是切斷國際供應鏈與華為的合作。

雖然華為只是一個民營企業，但是其橫跨了通訊、晶片設計、終端產品銷售等多個業務類股，甚至還佈局自主作業系統與ai產業。從產業規模上面來看，華為有一種“中國版英特爾”的發展趨勢。

這5家企業分別代表了中國在晶圓製造、儲存晶片製造、晶片設計這3個領域中的門面，MATCH法案對這幾家中國門面企業實施完全體的出口管制，相當於給中國半導體產業的“七吋”位置來了一拳，危機感十足。

此前美國制定的出口管制都是有明確的技術標準，比如禁止那些製造18nm DRAM記憶體晶片、14nm及以下邏輯晶片、128層及以上NAND快閃記憶體晶片所需的裝置出口。

這些制裁標準都是卡在了先進晶片與成熟晶片的分界點，只是限制了中國企業先進晶片的發展，並沒有限制中國企業繼續採購製造成熟晶片所需的裝置。

而此次MATCH法案則是將制裁範圍從當初的先進節點擴大至成熟節點，以上5家中國企業無論是發展先進晶片還是發展成熟晶片，均不允許繼續採購海外的製造裝置。

法案重點針對的進口裝置有兩個，一個是老生常談的ASML光刻機，另一個是日本東京電子製造的刻蝕機。

ASML雖然總部位於歐洲荷蘭，但是其背後與美國資本高度繫結。

1997年，ASML加入美國政府和英特爾主導的EUV LLC技術聯盟，攻克EUV製造技術。

2001年，ASML收購美國矽谷集團，將美國的光刻機技術納入麾下。

2013年，在韓國公平交易委員會、日本公平交易委員會、美國司法部的共同批准下，ASML收購了光源供應商美國Cymer公司。

Cymer是ASML DUV光刻機和EUV光刻機的獨家光源供應商，雖然ASML是一家歐洲企業，但是其製造光刻機所需的技術零件與美國資本深度融合，這也是美國可以對荷蘭政府施壓，禁止ASML出口給中國光刻機的主要原因。

而日本東京電子對華出口的重點裝置是搭配光刻機使用的刻蝕機，尤其是低溫刻蝕機裝置。

低溫刻蝕機可以搭配特定的光刻膠材料實現更加優秀的高深寬比結構，被廣泛應用於製造高堆疊層數的3D NAND快閃記憶體晶片。

該裝置可以實現400層甚至是1000層的快閃記憶體顆粒堆疊，其製造效率要比傳統刻蝕機提高了2倍-4倍左右。

低溫刻蝕機主要的應用場景就是提升快閃記憶體晶片的製造效率，同時繼續提升快閃記憶體晶片的顆粒堆疊密度，以實現更高水平的儲存速率。

SK海力士、三星、鎧俠等日本儲存器製造商，均已經開始使用東京電子的低溫刻蝕機對下一代3D NAND快閃記憶體晶片進行技術評估。

低溫刻蝕機屬於是面向未來的產業裝置，含金量相當於中國企業在2018年採購的EUV光刻機，也是美國此次MATCH法案重點針對的裝置。

MATCH法案還要求分析中國自主裝置的發展情況，將中國企業可以自主製造以及無法自主製造的裝置羅列出來。

對於中國企業可以製造出來的自主可控裝置，美國政府不對同類型的海外裝置實施管制，而那些中國企業暫時無法製造的裝置，美國政府則會大力限制。

在上個月結束的上海半導體展會當中，許多中國企業均在展會中亮出了自家推出的自主晶片裝置。

只有少部分中國國產裝置達到了國際先進水平，支援5nm節點的晶片製造，大部分裝置的技術水平處於中端層面，正在向高端裝置進發。

中國國產裝置可以滿足28nm及以上節點的晶片製造，而14nm及以下晶片需要海外裝置的輔助，這也讓部分歐洲企業以及日本企業從中獲利。

此次MATCH法案強迫盟友國家的企業對齊美國的管制標準，這必然會讓那些依靠中國市場獲得經濟增長的企業遭到嚴重損失，從而影響全球產業鏈彼此依賴的合作關係。 (逍遙漠)