2026年，全球AI算力需求爆發，儲存晶片行業進入超級周期。
最近幾個月，看著隔壁三星、SK海力士賺得盆滿缽滿，很多人在追問：中國的“海力士”到底在那裡？
5月17日，中國儲存龍頭長鑫科技用一份炸裂的招股書，給出了最響亮的回答。
今年一季度，長鑫科技營收508億元，同比增長719.13%；淨利潤330.12億元，同比增長1268.45%；歸母淨利潤247.62億元，同比增長1688.30%。
這意味著，長鑫每天淨賺超2.7億元，單日利潤超過茅台、寧德時代等明星公司。
此外，長鑫科技還預計，今年上半年營收將達1100億-1200億元，同比增長超6倍；上半年淨利潤將達660億-750億元，歸母淨利潤500億-570億元。
也就是說，僅用半年時間，長鑫就輕鬆抹平過去十年累計366.5億元的全部虧損！
猶記2018年，長鑫DRAM晶片進入量產的關鍵階段，董事長朱一明為表決心，曾立下軍令狀：在項目盈利之前，不領一分錢薪酬和獎金。
千淘萬漉雖辛苦，吹盡狂沙始到金。
從清華學霸到矽谷精英，從創辦兆易創新到掌舵長鑫科技，他用了二十年時間，打贏了中國半導體歷史上最酣暢淋漓的一場硬仗。
01. 車庫創業
作為中國儲存行業的標誌性人物，朱一明的創業之路，就是一部濃縮的產業進化史。
1972年出生、現年54歲的他出生於鹽城阜寧，17歲考入清華大學物理系，本碩連讀5年後，又遠赴美國，就讀於楊振寧長期執教的紐約州立大學石溪分校。
畢業後，他順理成章成為矽谷精英，任職於一家名為Monolithic System Technologies的儲存公司，一路從工程師做到了項目主管，高薪、體面、前途無量。
但2004年，朱一明毅然遞交了辭職信。
直接原因是，他關於提升生產效率、重構晶片設計的核心方案，始終得不到美國老闆的認可。
但更深層的動力，源於他心中那個更大的抱負：
他要在被三星、東芝、美光等國外巨頭牢牢壟斷的全球儲存市場裡，造出中國人自己的儲存晶片，做成中國最大的儲存器設計與製造企業。
帶著這份決心，朱一明設計了一款SRAM（靜態隨機儲存器）晶片，開始在矽谷尋找投資人。
2005年，他帶著清華校友湊的10萬美元啟動資金，在清華科技園的孵化樓創辦了芯技佳易微電子科技有限公司，也就是後來的兆易創新。
創業初期，活下去是唯一的目標，在此之前，朱一明甚至將校友提供的車庫當做創業基地。
而他選擇的第一個戰場，是NOR Flash快閃記憶體晶片。
這種晶片廣泛應用於手機、電腦、汽車電子等領域，雖然市場同樣被美光、旺宏等企業主導，但這些巨頭正逐漸將重心轉向利潤更高的DRAM（運行記憶體）領域，對NOR Flash早已無心深耕。
一邊是巨頭主動讓出的市場空白，一邊是相對可控的技術門檻，這恰好成了芯技佳易最理想的切入點。
可就在朱一明帶著團隊熬了三年，終於研發出國內首顆移動高速儲存晶片，即將迎來量產之際，2008年全球金融危機爆發了。
風投集體捂緊了錢袋，公司資金鏈瞬間走到了斷裂邊緣。當時，有兩家美國公司伸出了“橄欖枝”：上市公司ISSI出價1000萬美元要收購芯技佳易，而行業巨頭飛索半導體開的價更高。
對朱一明來說，此時賣掉公司拿錢走人，或許才是最安全、體面的選擇，但他卻一口回絕，稱這是“趁火打劫”，是在用白菜價摘走中國自己的儲存技術。
危急時刻，又是清華校友挺身而出——在清華科技園薛軍等人的協助下，公司完成了新一輪融資，終於渡過了生死關。
不久後，朱一明帶領團隊憑藉一款具備寬溫域、高密度特性的NOR Flash晶片，在競標中擊敗兩支美國團隊，贏得日本企業的量產訂單，這才站穩了腳跟。
2010年，朱一明把公司改名為“兆易創新”。這一年，公司512K-32M容量晶片產品全部實現量產，儲存類產品銷售約1億顆，市場份額開始迅速攀升。
2013年，兆易創新成功推出國內首款自主研發的SPI NOR Flash晶片，一舉打破了國外企業長達數十年的壟斷。消息傳出，整個行業為之震動。
同年，兆易創新做了一個影響深遠的決定——進軍MCU（微控製器），並推出GD32系列MCU，在中國物聯網、智能家居興起的浪潮中，這項業務迅速崛起，逐漸成為公司毛利率最高、貢獻利潤最穩健的第二曲線。
此後，兆易創新一路高歌猛進。2016年登陸上交所主機板，上市首日股價暴漲44%；2019年推出國內首款車規級NOR Flash晶片，進入汽車電子領域。
如今，兆易創新A股市值超3000億，在全球NOR Flash市佔率約為18.5%，累計出貨超310億顆，穩居全球第二、中國內地第一，成為國際半導體競爭格局中不可忽視的中國力量。
從車庫創業到行業標竿，兆易創新的故事已足夠傳奇。
但對朱一明來說，這還只是他傳奇的上半場。
真正決定中國儲存產業命運的硬仗，在兆易創新上市那年，同步打響。
02. 聯手豪賭
2016年，當資本市場為兆易創新上市後連續收穫18個漲停板瘋狂時，一個代號為506的項目正在安徽合肥推進。
這是朱一明為自己選定的下一個戰場，也是中國半導體產業必須攻克的最後堡壘——DRAM記憶體晶片。
所謂 DRAM，就是我們電腦裡的記憶體條、手機裡的運行記憶體，是整個數字世界的“運行心臟”。
但過去四十年，這個年市場規模超千億美元的領域，被三星、SK海力士、美光三巨頭牢牢壟斷，三家吃下超90％的市場份額。
朱一明要做DRAM，首先要解決的，是資金問題。
DRAM是半導體行業公認的“燒錢無底洞”，動輒需要投入數百億，甚至上千億元的重資產，從研發到量產至少五年，失敗率超過90%，且面臨極高的技術失敗風險和專利訴訟威脅。
投入巨大、回報太慢、失敗機率太大，朱一明帶著DRAM創業計畫書幾乎跑遍了一線城市和經濟發達地區，但沒人敢接這個“燙手山芋”。
就在山窮水盡之際，合肥挺身而出。
經過審慎研判，合肥市委市政府拍板，在長鑫一期總投資180億元中，由合肥產投出資144億元，佔比高達80%。
而那一年，合肥市全年的財政總收入也只有1114.1億元。這意味著，合肥拿出了當年全市近七分之一的財政收入。
而這個代號為506的項目，就是後來改變中國半導體格局的合肥長鑫12英吋儲存器晶圓製造基地。
2018年，朱一明做出了一個讓整個行業震驚的決定：
辭去兆易創新總經理職務，僅保留董事長職位，出任長鑫科技董事長兼CEO，並立下“在項目盈利之前，不領一分錢薪酬和獎金”的軍令狀，將自己的全部精力和時間，都投入到DRAM大業之中。
在朱一明帶領下，長鑫科技從加拿大智慧財產權公司WiLAN手中收購了大量奇夢達的DRAM專利，這極大地強化了長鑫科技的技術儲備和專利保障，避開了與美光、三星等巨頭的正面衝撞。
有了資金和技術的雙重保障，朱一明又做出了一個大膽到近乎瘋狂的決定：不做已經被市場淘汰的落後製程，直接瞄準當時國際主流的19nm工藝起步。
這是一個極其冒險的決定。2016年長鑫成立時，國際主流DRAM製程已經發展到 19nm，而中國在此之前從未實現過自主可控的DRAM量產——中芯國際曾在2006年為奇夢達代工過DRAM，但核心技術完全掌握在外方手中，2008年便已退出該業務。
如果19nm研發失敗，意味著合肥與朱一明押注的上百億元資金將血本無歸。關鍵時刻，合肥再次堅定地站在了長鑫一邊，再度持續追加數百億元投資。
苦心人，天不負。在2019世界製造業大會上，朱一明宣佈，長鑫科技研發的第一代8Gb核心的DDR4記憶體晶片已經投產，並已經通過多個國內外大客戶驗證，將於年底正式交付。
儘管，這與當時已經佈局12-14nm產品的國際巨頭仍有明顯差距，但這卻是中國DRAM產業的歷史性突破——標誌著中國大陸首次擁有了自主可控的DRAM量產能力。
這一刻，中國半導體人等待了整整四十年。
隨後，長鑫開啟了加速迭代模式。2022年，17nm工藝研發；2024年，16nm DDR5工藝量產。僅用5年時間，長鑫就完成了三代工藝迭代，大大減少了與國際主流廠商的技術代差。
更難能可貴的是，在無法獲得EUV光刻機的情況下，長鑫通過創新的多重曝光技術和工藝最佳化，硬是用DUV裝置實現了接近 EUV的製程精度，不斷縮小與國際巨頭的差距。
但技術狂飆的背後，是研發和產線的巨額投入。2022年虧損83.28億元，2023年虧損163.4億元，2024年再虧71.45億元，截至2025年底，長鑫累計虧損已達366.5億元 。
這期間，朱一明沒拿過一分錢工資，合肥的輸血從未停止，外界的質疑也從未停止：
這場超千億的豪賭，什麼時候才能回本？
時間給出了答案。
03. 收穫時刻
2025年12月30日，長鑫科技科創板IPO申請獲受理，擬募資295億元，僅次於中芯國際的532億元，成為科創板歷史上第二大IPO項目。
2026年5月17日，長鑫科技再度更新了招股書，預計2026年上半年歸母淨利潤已達500億至570億元。
若其全年淨利潤達到1000億元，即使以10倍市盈率保守估計，其市值將破兆，而如若按30倍市盈率計算，其市值也可達3兆元左右！
也就是說，一旦IPO，長鑫科技將毫無懸念地拿下科創一哥位置。
這場資本盛宴的最大贏家，無疑是十年豪賭的合肥。招股書顯示，合肥國資系穿透後合計持股約36.79%，是長鑫科技的第一大投資方 。
截至2026年4月30日，合肥A股上市公司總市值約為1.46兆元，長鑫儲存的上市，可能讓合肥的A股上市公司總市值躍升到4兆左右，將超過杭州、廣州、成都、南京，甚至可能超過蘇州，成為A股上市公司總市值僅次於北京、深圳和上海的第四城！
但這還不是全部。長鑫的成功帶動合肥形成了積體電路全產業鏈，集聚了上下游企業超200家。總投資2200億元的合肥長鑫積體電路製造基地項目，全部建成後將形成產值超2000億元、吸引人才超20萬人的產業叢集。
從豪賭京東方打造“顯示之都”，到接盤蔚來汽車培育新能源汽車產業，再到十年磨一劍培養長鑫儲存。
如今的合肥在高端顯示、新能源汽車、晶片製造三大戰略性新興產業上，已經甩開了同量級城市巨大身位，無愧於“中國最牛風投城市”的稱號。
04. 挑戰與未來
然而，在一片歡呼聲中，我們必須保持清醒：長鑫的挑戰才剛剛開始。
在技術上，長鑫與三星、SK海力士仍有3-4年的綜合差距。長鑫目前主力量產16nm DDR5工藝，但三星和海力士已量產12–14nm工藝，且在先進封裝技術（如2.5D/3D封裝）上更成熟。
此外，在HBM（高頻寬記憶體）領域，三星、海力士已實現HBM4交付，並奔向HBM4E，而長鑫目前僅交付了16nm HBM3樣品，同樣存在3-4年的代差。
本次募資的295億元，將主要用於現有產能升級改造、DRAM核心技術迭代以及HBM（高頻寬記憶體）等前瞻技術研發。
據機構預期，長鑫計畫在2027年實現HBM3E的大規模量產，逐步縮小與國際領先企業的差距。
但無論如何，朱一明和長鑫科技的故事，已經打破了“中國人做不出高端晶片”的神話，為其他半導體領域的國產替代樹立了標竿。
一個人，用二十年時間，兩次壓上全部身家，打造出兩家世界級半導體公司；一座城，用十年時間，豪賭一個產業，實現了城市能級的躍升。
朱一明的堅持與合肥的遠見，共同譜寫了這段中國半導體的史詩。
我們有理由相信，只要有更多像朱一明這樣的企業家，更多像合肥這樣有遠見的城市，中國半導體產業一定能夠實現全面突圍，迎來屬於自己的時代。 (最商業)