#長鑫科技
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長鑫科技：擬斥資349億元投建兩項目

擬241億元、108億元分別投建技術研發項目、記憶體器晶圓後道測試基地二期項目。 9月28日晚，長鑫科技發佈《關於使用部分超募資金投資建設新項目的公告》稱，擬使用超募資金人民幣130.00億元投資新建技術研發項目，同時，公司擬通過增資和借款方式向全資子公司長鑫記憶體產品（合肥）有限公司提供超募資金人民幣50.00億元，由其投資新建“長鑫記憶體產品（合肥）有限公司記憶體器晶圓後道測試基地二期項目”。 據瞭解，長鑫科技首次公開發行人民幣普通股（A股）7,691,301,608股（含超額配售選擇權全額行使），募集資金總額為人民幣6,660,667.19萬元，扣除發行費用（不含增值稅，含印花稅）人民幣29,627.82萬元，募集資金淨額為人民幣6,631,039.38萬元。公司對募集資金採取了專戶記憶體制度，設立了相關募集資金專項帳戶。募集資金到帳後，已全部存放於經公司董事會批准開設的募集資金專項帳戶內，公司與保薦機構、存放募集資金的商業銀行簽署了募集資金監管協議。 加速迭代，滿足下游需求與技術範式轉變
長鑫科技：擬斥資349億元投建兩項目
A股#長鑫科技#記憶體#DRAM
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合肥的晶片公司有那些

國內半導體產業版圖裡，合肥是極具代表性的黑馬城市。沒有傳統電子產業積澱，依靠精準產業佈局與持續資本投入，硬生生搭建起完整積體電路產業鏈。 如今的合肥，已經形成從晶片設計、晶圓製造、封裝測試，到裝置、材料、零部件配套的閉環生態，產業總投資突破千億元，聚集超六十家核心鏈上企業。 很多人對合肥晶片產業的認知，僅停留在長鑫記憶體、晶合整合兩家龍頭。實際本地賽道佈局更廣，覆蓋記憶體、顯示驅動、AI算力、功率半導體、感測器、量子晶片等多個細分領域。 長鑫記憶體設計團隊紮根合肥，聚焦DRAM動態隨機存取記憶體器研發設計。
合肥的晶片公司有那些
A股#合肥半導體#半導體產業鏈#晶圓製造
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中國記憶體里程碑式突破！長鑫不聲不響甩出一張王牌

在2026世界製造業大會上，長鑫科技宣佈第五代技術平台正式量產。該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫存儲在高端記憶體技術路線上的里程碑式突破。 據介紹，長鑫科技將記憶體陣列有源區半間距做到11.95奈米，記憶體器電容深寬比達45:1，核心動能區高度降至6762奈米。 同時，第五代工藝平台記憶體密度大幅提升。同等條件下，每張晶圓產出較上一代平台提升50%以上。基於該平台打造的24GB LPDDR5X產品已進入正式量產，並全面進入國產主流旗艦手機。 根據長鑫存儲官網資訊，其LPDDR5X產品線覆蓋顆粒、晶片及模組等多種形態。顆粒方面提供12Gb和16Gb兩種容量；晶片方案涵蓋12GB、16GB、24GB等規格；模組形態的LPCAMM產品則提供16GB和32GB容量。
中國記憶體里程碑式突破！長鑫不聲不響甩出一張王牌
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長鑫記憶體第五代技術平台正式量產

長鑫記憶體第五代技術平台正式量產 實現微縮工藝新突破 2026年9月20日，長鑫記憶體在世界製造業大會上正式宣佈第五代DRAM技術平台（以下簡稱“G5平台”）實現量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫記憶體在高端記憶體技術路線上的里程碑式突破，將為全球記憶體產業提供更具創新性、更具供應鏈韌性的解決方案選擇。 核心工藝實現突破性創新 G5平台在關鍵工藝維度實現了多項行業領先的技術突破。依託創新的四重曝光技術把記憶體陣列的有源區半間距微縮至11.95奈米，接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程。通過變革工藝流程、採用新材料，記憶體電容深寬比達45:1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762奈米。
長鑫記憶體第五代技術平台正式量產
科技#長鑫科技#G5平台#HKMG
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剛剛，長鑫宣佈，實現微縮工藝新突破

2026年9月20日，長鑫記憶體在世界製造業大會上正式宣佈第五代DRAM技術平台（以下簡稱“G5平台”）實現量產，同步展出基於該平台打造的大容量LPDDR5X新品。該平台工藝水平比肩行業頂尖量產工藝節點，是長鑫記憶體在高端記憶體技術路線上的里程碑式突破，將為全球記憶體產業提供更具創新性、更具供應鏈韌性的解決方案選擇。 核心工藝實現突破性創新 G5平台在關鍵工藝維度實現了多項行業領先的技術突破。依託創新的四重曝光技術把記憶體陣列的有源區半間距微縮至11.95奈米，接近全球最頂尖的記憶體量產平台製程。通過變革工藝流程、採用新材料，記憶體電容深寬比達45:1。開發適配DRAM工藝的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝，成功將G5平台核心功能區高度縮小到6762奈米。 研發過程中，長鑫記憶體在現有工藝模組的基礎上，創造了獨特的數字孿生系統，貫穿包括設計、開發、製造、維護等全生命周期的產品研發過程，在這一虛擬研發線中，搭建先進DRAM工藝模型，加速研發處理程序。同時，在介面工程、鞍形鰭式結構、低k間隔層位線等核心工藝上實現突破。
A股#長鑫科技#微縮工藝#DRAM
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路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場

2026年9月18日，路透社報導了一條消息。 長鑫記憶體計畫在北京新廠，建一條NAND Flash研發產線。 它還在北京設立研究院，項目包括NAND開發。 三名知情人士對路透社透露了這些資訊。
路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場
科技#長鑫科技#長江儲存#NAND
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記憶體晶片，盈利能力最強的10家公司

AI驅動下，記憶體晶片供不應求的情形仍未結束。 消息面上，蘋果已經接受三星電子2027年一季度的記憶體晶片報價，DRAM和NAND較今年三季度報價上漲30%-40%。 與此同時，美光科技的高管也表態稱，真正有意義的新增記憶體供應要到2028年才會開始爬坡，目前仍看不到供需平衡點。 這充分說明市場對記憶體的需求不僅巨大且持久。
記憶體晶片，盈利能力最強的10家公司
A股#記憶體晶片#盈利能力#德明利
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長鑫記憶體據報進軍快閃記憶體市場，將挑起與三星、長江儲存的競爭

路透援引三位知情人士透露，長鑫記憶體正準備進入由三星電子等外國競爭對手主導的處於爆發期的快閃記憶體晶片市場。在全球記憶體晶片短缺的大背景下，此舉將進一步擴大其客戶群體。這也意味著，這家動態隨機存取記憶體器(DRAM)晶片領域的專家將與國內競爭對手長江記憶體展開正面交鋒，正式跨入半導體行業增長最為迅速的細分領域之一。 人工智慧伺服器的強勁需求導致了全球記憶體晶片短缺，行業高管普遍認為這一現象將至少持續至2027年。SK海力士CEO在7月份表示，從供應角度來看，2027年可能會是該行業最為嚴峻的一年；而集邦諮詢(TrendForce)則預計，NAND快閃記憶體的供應緊張狀況要到明年下半年才有可能有所緩解。 兩位知情人士透露，長鑫記憶體計畫在其位於北京的新廠房內建立一條NAND快閃記憶體研發生產線。另有一位知情人士表示，該公司還在北京設立了一家研究院，其中的研究項目就包括NAND快閃記憶體的開發。第三位知情人士透露，長鑫記憶體已與其客戶討論了NAND快閃記憶體發展計畫，其中包括一家新成立的初創公司，該公司打算採購長鑫記憶體的NAND晶片，用於AI系統及超級電腦所需的記憶體產品中。不過，該知情人士拒絕透漏這家初創公司的名稱。目前尚不清楚該研發生產線將於何時投入運行，也不清楚長鑫記憶體是否打算從研發和試產逐步過渡到大規模的商業化量產。 根據研究機構集邦諮詢的資料，按營收計算，三星電子在第二季度是全球最大的NAND快閃記憶體供應商，市場份額達到29.3%。SK海力士排名第二，緊隨其後的是美國的美光科技。 (格隆匯電報)
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