據上交所官網，備受投資者關注的中國儲存巨頭長鑫科技7月9日發佈《長鑫科技首次公開發行股票並在科創板上市發行安排及初步詢價公告》，披露公司新股網下申購日和網上申購日均為2026年7月16日。 公告同時顯示，長鑫科技的證券程式碼/網下申購程式碼為“688825”，網上申購程式碼為“787825”。 公告顯示，長鑫科技本次擬公開發行股票668,808.8608萬股（超額配售選擇權行使前），同時發行人授予中金公司不超過初始發行股份數量15.00%的超額配售選擇權，若超額配售選擇權全額行使，則發行總股數將擴大至 769,130.1608萬股。 本次發行採用戰略配售、網下發行與網上發行相結合的方式進行。初始戰略配售發行數量為334,404.4304萬股，佔本次發行數量的50.00%。網下初始發行數量為267,523.5804萬股，網上初始發行數量為66,880.8500萬股。

2026年，誰才是中國科技企業之王？ 關於這個問題，有美國的專業機構已經給出了答案: 合肥長鑫科技。 據半導體分析機構SemiAnalysis預測，到2026年底，長鑫儲存將會成為全球第三大DRAM運行記憶體廠商，按照目前的記憶體價格走勢，他們今年的營收有望超過500億美元！

今天看長鑫科技的業務情況，對其大致的瞭解就是做儲存晶片的，而且其出貨量和銷售額已經成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。因為半導體產業裡面涉及的資訊比較多，還是決定從頭捋捋基本常識，把一些模棱兩可的概念搞清楚。 半導體、晶片、積體電路 半導體，字面意思就是介於導電和不導電之間。一般就是在矽裡面加入一些微量雜質，再施加微小電壓，讓它立刻在“導電”和“不導電”之間自如切換，變成一個微型開關。所以只要能達到導電和控電的效果，都可以理解為半導體，例如積體電路、光電器件、分立器件和感測器。 積體電路和晶片這個概念我其實一直就沒搞清楚，很多科普文章裡面基本是把這兩個化等號的，但其實還是有差別。在具體區分這倆之前，有必要瞭解一下晶片是如何誕生的。

儲存晶片這個行業，過去二十年一直是三家公司說了算。三星電子、SK海力士、美光科技，三家合計拿下全球超過九成的DRAM市場份額。這不是壟斷競爭，這是寡頭默契。周期一來，三家一起減產提價，周期一走，三家一起降價清庫存，外面的玩家想插進去，難度極高。 但2026年上半年，這個格局出現了一道明顯的裂縫。AI伺服器把記憶體需求拉到了一個史無前例的高度，全球DRAM從去年下半年開始持續供不應求，價格一路上漲。缺貨，恰恰是後進者最好的入場券。中國大陸唯一具備通用型DRAM大規模量產能力的IDM廠商長鑫科技，在這個窗口期，把科創板IPO這張牌打了出來。 📌 聚焦 長鑫科技集團股份有限公司（簡稱長鑫科技，旗下長鑫儲存CXMT為其核心資產）已於2025年12月30日獲上交所受理科創板IPO申請，2026年5月27日上會並順利過會，稽核狀態變更為"提交註冊"，是科創板試點預先審閱機制以來首單過會企業，從受理到過會僅耗時148天。目前公司正在等待中國證監會完成註冊程序，尚未正式掛牌交易。

2026年6月，證監會正式批覆了長鑫科技集團股份有限公司的科創板IPO註冊申請。本次IPO擬募資295億元，不僅是2026年A股規模最大的IPO，如果在科創板內部排位，也僅次於中芯國際。我翻了一遍招股書和產業鏈資料，發現這件事值得從頭到尾梳理一遍——不是因為長鑫科技本身有多石破天驚，而是它上市背後串聯起的整條A股儲存產業鏈，可能是今年最被低估的投資邏輯線。 日賺3億、單季利潤夠買走整個科創板，長鑫到底什麼水平？ 先用兩組數字建立一下認知。 第一組，看營收拐點。長鑫科技2025年全年營收617.99億元，同比增長約155%；2026年一季度單季營收508億元，相當於2025年全年營收的82%，同比增長719%。簡單算一筆帳：如果按這個節奏，2026年全年營收大機率突破2000億元。

2026 年上半年，儲存持倉人大概分兩派：一派盯著 美光年內漲過 200%、SK 海力士 forward PE 還在 7 倍檔 流口水；另一派在刷國產兩條線——5 月 27 日長鑫科技科創板過會，5 月 19 日長江儲存輔導備案，前後腳，像約好了似的。 很多人把兩家混成「國產儲存 = 一家」——其實 長鑫做 DRAM（記憶體條、手機運存），長存做 3D NAND（SSD、手機快閃記憶體），賽道不同，對標海外也不同：長鑫該盯著 三星/SK/美光的 DRAM + HBM；長存該盯著 三星/Kioxia/美光的 NAND 層數。 算了，還是先嘮叨這兩隻 還沒掛牌、但已經把 A 股情緒炒熱 的國產儲存吧。資料截至 2026 年 6 月中旬；長鑫以招股書/上會稿為準，長存尚無完整申報稿，財務多來自媒體與 Caixin 轉述。 一、先說業績：一個有過會稿，一個還在輔導裡

前言 人工智慧算力的核心瓶頸，正從GPU的浮點運算能力轉向記憶體頻寬的供給效率。HBM（高頻寬記憶體）通過多層DRAM垂直堆疊與超寬介面設計，將資料傳輸頻寬提升至傳統方案的十倍以上，成為AI加速晶片不可或缺的基礎元件。全球HBM市場由SK海力士、三星、美光三家主導，其中SK海力士憑藉率先量產HBM3E並進入輝達供應鏈佔據絕對優勢。 長鑫科技（CXMT）是中國大陸唯一實現通用DRAM規模化量產的企業，亦承擔著國產HBM從樣品走向商用的戰略使命。2026年6月12日，證監會出具證監許可〔2026〕1344號，同意長鑫科技科創板IPO註冊，擬募資295億元，為科創板歷史第二大融資規模。這一事件標誌著中國DRAM產業正式進入“資本市場輸血+技術攻堅”的雙輪驅動階段。 本文圍繞長鑫科技HBM的產業化處理程序，從全球競爭格局、技術儲備、產能建設、客戶驗證、裝置約束與專利壁壘六個維度展開系統拆解，並對其未來發展路徑做出分階段研判。

2026 年 6 月 12 日，中國證監會發佈批覆，同意長鑫科技首次公開發行股票並在科創板上市註冊申請。 長鑫科技總部位於合肥，是中國大陸唯一實現 DRAM 儲存晶片大規模量產的企業。DRAM 是手機、電腦、伺服器的核心元器件。全球市場被三星、SK 海力士、美光三家壟斷，合計份額超 91%。長鑫目前佔 7.67%，排第四。 IPO 擬募資 295 億元，是科創板歷史第二大 IPO。按上半年預告的 500-570 億元淨利潤推算全年，20 倍 PE 對應市值在 2 萬-2.3 兆元區間，合肥國資體系持有約 37% 股權，帳面市值約 7400 億元。 之前寫過合肥，看到官方批覆長鑫IPO 的消息，我想，長鑫真的是當前對合肥模式的最佳註腳。