輝達砸205億美元也填不滿HBM產能缺口,良率僅50%

輝達的GPU不缺了。

台積電的CoWoS封裝也不缺了。

但有一個東西,輝達砸了上百億美元依然填不滿——HBM。

2026年,三大儲存原廠開足馬力擴產,SK海力士砸205億美元、三星投200億美元、美光投135億美元,但HBM的產能缺口依然沒有縮小。

根本原因就四個字:良率太低。

一、HBM良率僅50%-60%,晶圓面積比DRAM大60%

HBM的生產有多難呢?

根據TrendForce資料,當前HBM的良率僅50%-60%

這意味著每生產10顆HBM,就有4-5顆不合格。

對比之下,普通DRAM的良率普遍在90%以上。

HBM的良率為什麼這麼低?

1. 是因為HBM是多個DRAM晶片垂直堆疊而成的3D結構,每一層都要通過TSV矽通孔和微凸點互連。堆疊層數越多,良率呈指數級下降。

2. HBM的晶圓面積比普通DRAM大逾60%,面積越大,缺陷機率越高。

3. HBM採用先進製程(1α/1β/1γ),工藝複雜度遠超成熟製程。

HBM的良率只有普通DRAM的一半,售價卻是它的5倍以上——這就是"稀缺溢價"。

HBM高頻寬優勢及能效對比

來源:電子產品世界,旺材晶片

二、HBM投片佔比飆到35%,晶圓廠在"搶產能"

良率低+面積大,意味著HBM對晶圓產能的消耗遠超其他儲存晶片。

據TSV產能資料預測,到2026年底,HBM將在先進製程中佔據35%的投片比重。

每3片先進製程晶圓,就有1片用於生產HBM。

剩下的產能才用來生產LPDDR5(X)和DDR5。

這意味著什麼?

HBM不僅自己緊缺,還在擠壓其他儲存晶片的產能供應。

DDR5的漲價,有一部分原因就是被HBM"搶了產能"。

三大原廠的資本開支資料也印證了這一點:

SK海力士2026年資本支出預計205億美元,年增17%,主要用於M15x的HBM4產能擴張。

三星投入200億美元,年增11%,用於HBM的1C製程滲透。美光投入135億美元,年增23%,專注1γ製程和TSV裝置建置。

HBM不是在"分"晶圓廠的產能,它正在主導晶圓廠的擴產方向。

NVIDIA及AMD AI晶片發展處理程序及HBM規格比較

來源:Trendforce,東方財富證券

三、HBM4來了,頻寬飆到2TB/s

良率問題還沒有解決,下一代產品已經在路上了。

HBM4已進入量產規劃階段,位寬從HBM3E的1024bit升級至2048bit,單棧頻寬邁向2TB/s

輝達H200已實現4.8TB/s頻寬與141GB容量。

每一代HBM升級,堆疊層數增加、互連密度提升、工藝節點進步

良率問題不但不會自動消失,反而可能變得更加突出。

但需求端不會等。

GPT-5訓練消耗算力已經達到6.6×10²⁵ FLOP量級,Grok 4更是突破10²⁶。

模型規模越大,HBM需求越強烈。

據預測,HBM全球市場規模將從2025年的約200億美元增長至2030年的500億美元以上。HBM已從"配套儲存"升級為決定算力上限的核心環節。

HBM的升級節奏比GPU還快——因為算力瓶頸已經從計算轉移到了儲存。

HBM全球市場規模變化情況

來源:集邦諮詢

四、國產HBM產業鏈正在加速補位

全球HBM市場由SK海力士、三星、美光三家壟斷,但國產鏈條也在加速突破。

前道製造端,中微公司2025年前三季度營收80.63億元同比增長30%以上,刻蝕與薄膜裝置向10奈米及以下延伸,支撐HBM相關DRAM製造。

封測端,通富微電完成基於TSV的3D DRAM封裝開發,2025年前三季度營收201.16億元同比+17.77%。

華天科技 面向2.5D/3D儲存、存內計算PIM封裝的佈局已有產品落地量產。

長電科技 獲得SK海力士HBM3E封測訂單,HBM封裝良率超過98%

這個資料很有意思,封測良率98%,但晶圓製造良率才50-60%

說明瓶頸在前道製造,不在後道封裝。

國記憶體儲廠商長鑫儲存進展相對領先,武漢新芯也在加速追趕,已啟動HBM產線建設,目標月產能3000片12英吋晶圓。

HBM的國產替代,最大痛點不是封測能力,是前道晶圓製造的良率突破。

HBM及CoWoS主要工序對應裝置環節及廠商梳理

來源:各公司官網及公告

五、HBM的生產周期長達兩個季度

HBM的供需緊張還有一個結構性原因:生產周期太長。

一顆HBM從晶圓製造到TSV打孔、堆疊鍵合、封裝測試,整個流程長達兩個季度。即使現在開始擴產,新增產能爬坡至少需要6-9個月才能釋放。

這意味著2026下半年的需求,必須在2026年初就鎖定產能。

而2026年的投片早已被大客戶搶購一空。

2025-2026年,HBM的高端產能將持續緊平衡。

行業正沿HBM2e→HBM3→HBM3e→HBM4持續升級,每一代升級都伴隨著良率爬坡的過程,供需缺口不會快速縮小。

HBM的緊缺不是短期現象,是結構性供需錯配——良率爬坡的速度,追不上算力爆發的速度。

AI算力軍備競賽,打的是晶片、是網路、是散熱。

但真正的"彈藥庫"是HBM。

沒有HBM,GPU再強也只能空轉。沒有足夠的良率,再多的資本開支也填不滿產能缺口。

50%的良率是目前最大的約束,但也是最大的機會,每提升1個百分點的良率,對應的是數十億美元的增量產能。

HBM良率遲遲提不上來,你覺得瓶頸在製造工藝還是裝置精度? (行業研報查一查)