🔷從See-Through Imaging到Contour-Based EPE，突破先進3D器件深層量測瓶頸 🔷融合SEM Simulation與AI演算法，加速先進製程Time to Yield 隨著GAA、3D DRAM、3D NAND以及High-NA EUV不斷向前推進，先進製程正在進入一個前所未有的複雜時代。 小編在看完Applied Materials這份最新報告後發現，真正決定先進晶片能否快速量產的，已經不只是工藝能不能做出來，而是能否更快發現缺陷、定位良率根因，並完成工藝閉環。

在先進封裝需求激增的背景下，台積電先進封裝技術與服務事業部副總經理何軍在近日舉辦的 2026 開放計算項目（OCP）亞太峰會上，公佈了公司 CoWoS 封裝技術的最新進展。據台灣科技新報與經濟日報報導，台積電 5.5 倍光罩尺寸的 CoWoS 封裝已實現量產，多款 AI 客戶產品的良率穩定超過 98%，部分產品最高可達 99%。 台積電已在規劃下一代技術升級。何軍表示，預計到 2029 年，CoWoS 封裝的尺寸將突破 14 倍光罩面積，這與台積電在 2026 北美技術研討會上公佈的路線圖一致。台積電在該論壇上披露，可整合約 10 顆大型計算裸片與 20 組 HBM 堆疊的 14 倍光罩尺寸 CoWoS 封裝，計畫於 2028 年量產，2029 年進一步向 14 倍光罩以上的尺寸演進。 作為對比，英特爾方面表示，其 EMIB-T 封裝技術目前可支援總面積超過 6 倍光罩尺寸的系統，今年將拓展至 8 倍光罩以上，到 2028 年將突破 12 倍光罩尺寸。 產能快速爬坡也為技術推進提供了支撐。何軍表示，過去三年間，台積電 CoWoS 產能每年幾乎實現翻倍。《經濟日報》消息稱，台積電目前已營運 10 座先進封裝工廠，產能正逐步追平客戶需求。他表示：“我們尚未完全滿足全部需求，但已經非常接近了。”

台積電先進封裝技術暨服務副總經理何軍在8月11日的 OCP APAC 峰會上表示，台積電已量產的 5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 先進封裝技術可在部分產品上達到 99% 的良率。 5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 這一 2.5D 異構整合方案已在多個 AI 客戶產品上得到驗證，良率可穩定超過 98%，部分產品上可達到 99% 的良率。台積電未來計畫在 2029 年推出 14 倍光罩尺寸的超大面積 CoWoS。 何軍幽默表示，短短幾年CoWoS已成為台灣家喻戶曉的名詞，因此他自我介紹時都說是“嗨，那個搞CoWoS的人（I'm the CoWoS guy）”。三年前，台積電董事長魏哲家指派他接手台積電的後段封裝營運，那時AI還沒來臨，他以為工作會很輕鬆，只要加速技術移轉、升級當時較老舊的封裝廠即可，但想不到後來AI爆發，3D IC、CoWoS等先進封裝需求高漲，他手上已經擁有10座先進封裝廠。他也坦言，“這是一段非常不可思議的旅程”。 為加快3DFabric製造能力的擴張，以滿足客戶的高需求，台積電CoWoS近年來產能的年複合增長率超80%，SolC產能的年複合增長率更是高達90%以上。何軍在演講中提到，先進 SolC 的驗證正加速從器件級走向系統級：同一晶片在引入不同系統後部分情況下會出現邊緣損傷，而這是器件級分析所未能預知的；另一方面，器件級的應力問題在安裝到 PCB 後實際上也可能消失。

三星HBM4的良率已從2月量產初期的不到60%攀升至80%，這一進展在HBM供應持續緊張的背景下尤為突出。良率提升的速度超出了三星最初的預期——公司原計畫在2026年底達成80%的目標，但工藝最佳化處理程序顯著提前。 在技術層面，三星在熱壓非導電薄膜（TC-NCF）工藝上取得了關鍵突破。該工藝此前一直是三星HBM生產中的短板，如今已不再是瓶頸。 另一個重要因素是HBM4所依賴的基礎1c DRAM——三星早在今年年初就將1c DRAM的良率推至80%以上，為HBM4的量產鋪平了道路。 隨著良率改善，三星計畫在第三季度將HBM4收入提升兩倍以上，預計2026年下半年HBM4將佔其HBM總銷售額的60%以上。公司的目標是到年底將HBM市場份額提升至約38%，大致與其在整體DRAM市場中的份額持平。

8月10日消息，根據供應鏈消息指出，中國記憶體晶片大廠長鑫記憶體（CXMT）的DDR5晶片因生產良率提升，整體供應狀況已有所改善。然而，受地緣政治與合規要求影響，美國與台灣PC大廠在DRAM採購策略上，呈現截然不同的選擇。 消息顯示，雖然長鑫記憶體改善了DDR5供應，但三星、海力士、美光這三大DRAM原廠的整體產能目前依舊偏緊。現階段長鑫記憶體主要是華南現貨市場的貨源相對較多，各品牌廠商可依其特定的價格與規格需求進行採購。不過，當前美系大廠規定嚴格，其中戴爾（Dell）全面停用、惠普僅限用於中國市場。 整體來說，在中美地緣政治影響下，美系PC大廠的採購合規限制非常明確，戴爾因其美系公司身份採取嚴格的審查，因此完全無法採用長鑫記憶體產品，其內部政策為只要是黑名單，就不能用。同為美系PC大廠的惠普（HP）則具有些許彈性，只要產品非提供給美國政府或特定敏感企業即可使用。但由於長鑫記憶體本身無意分配太多產能給惠普，惠普搭載長鑫記憶體晶片的機型目前主要仍是針對中國市場進行銷售。 相較於美系PC大廠，台系品牌宏碁（Acer）、華碩（Asus）在採購決策上顯得靈活許多，均能順利採用長鑫記憶體的DRAM晶片。不過，宏碁和華碩也主要將其搭載在銷往中國本土以及“新興市場”的筆記型電腦機型當中，借此在價格與規格之間取得最佳平衡。

三星電子HBM4量產良率於8月初突破80%“黃金良率”門檻，較原定年末目標提前約四個月完成。六個月前，該產品量產初期良率尚不足60%。 一、六個月跨越“黃金門檻”：從不足60%到80% 據韓媒8月9日報導，三星電子HBM4近期良率已達到80%。在半導體行業，80%良率也被稱作“黃金良率”，是一道關鍵拐點——達到該水平意味著缺陷率可控、產出穩定，具備盈利基礎。 三星HBM4於2026年2月啟動量產，彼時，量產初期良率一度低於60%。僅用六個月，三星即將良率提升至80%。一位業內人士表示，三星電子最初設定的年終良率目標即為80%，但下半年量產規模提升後，工藝改善進度超出預期。

7月29日，SK海力士在2026年二季度業績電話會上披露六代高頻寬記憶體（HBM4）量產進展：HBM4當前量產良率與產品品質，已達到接近上一代成熟產品HBM3E的水準。 公司表示，HBM4已於今年二季度啟動對核心客戶的批次供貨，現階段正穩步推進產能爬坡（Ramp-up），持續擴充穩定供給產能（CAPA）。 下一代升級款HBM4E已全部完成客戶樣品交付，研發進度完全符合既定規劃，企業目標在明年實現大規模量產。 針對明年HBM產品定價談判進展，SK海力士回應：受保密合約限制，無法公開具體價格與條款細節；目前正與各大核心客戶洽談供貨量與定價，依託強勁的客戶需求，磋商整體推進順利。(財聞)

全球三大記憶體晶片廠商正式開啓第四代高帶寬內存（HBM4）良率攻堅戰。此前通用DRAM漲價為記憶體企業業績提供支撐，但如今其漲幅已然放緩，各家企業試圖拉高高利潤率HBM產品競爭力，以此最大化經營收益。 業內消息顯示，三星電子、SK海力士、美光三大記憶體巨頭均在推行HBM4良率提升戰略。HBM4是第六代高帶寬內存產品，將搭載於輝達下半年推出的AI加速晶片Vera Rubin等產品中。 三家企業裡，三星電子最先實現HBM4量產，隨著產線轉入大規模生產階段，良率提升速度十分可觀。業內部分觀點認為，三星HBM4良率已提升至70%左右。依託數月量產積累的經驗，其良率管控能力大幅改善。三星HBM4良率提升的核心依託自家1C工藝DRAM打底，今年年初該款基礎DRAM生產良率就已突破穩定量產門檻80%，為HBM4良率走高提供支撐。 SK海力士暫未對外披露HBM4具體良率數值，但行業普遍判斷其良率也已步入穩定區間。為優化HBM4工藝、擴充產能，SK海力士計劃引進全新生產設備，目前正與多家HBM設備供應商洽談下半年設備採購訂單。