#良率
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供應鏈重構：CPO時代的價值正在向上游遷移，誰被重新定價？

開篇：一次故障，16小時 2026年8月，某超大規模資料中心維運主管接到告警——一台剛部署的CPO交換機出現光引擎故障。 如果是傳統可插拔方案，工程師拔下故障模組、換上新模組，五分鐘搞定，業務不受影響。但這台CPO交換機，光引擎和交換晶片焊死在同一個封裝裡——一個通道的故障，意味著整塊基板報廢，整台交換機下電、拆機、返廠。 故障修復時間從不到1小時，變成超過16小時（該時長為行業自媒體測算口徑，不同來源給出2-8小時至72小時不等的區間）。
供應鏈重構：CPO時代的價值正在向上游遷移，誰被重新定價？
科技#供應鏈#CPO#光模組
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英特爾CEO陳立武：CPU需求旺盛，只能滿足50%客戶

有報告指出，英特爾18A的良率在80%左右。 最近，英特爾CEO陳立武出席了美國科羅拉多州丹佛市舉行的Splunk.conf26 大會。 英特爾首席執行長陳立武表示，業界必須打破台積電對全球晶圓代工市場的壟斷，他認為訂單應該分散到各個供應商，以滿足人工智慧晶片日益增長的需求。由於英特爾將未來押注於晶圓代工的復興，CPU需求的激增將導致供應緊張。 思科總裁兼首席產品官Jeetu Patel詢問他英特爾晶圓廠的重要性時，陳立武表示，兼顧製造、設計以及先進封裝的能力至關重要。“這就是我們涉足其中的原因，”他說道，並稱英特爾是美國乃至全球業界的標誌性企業。英特爾是人工智慧資料管理平台公司Splunk及其母公司思科的人工智慧基礎設施合作夥伴。
英特爾CEO陳立武：CPU需求旺盛，只能滿足50%客戶
科技#晶圓代工#AI 晶片#英特爾
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英特爾18A良率達80%！

9月16日消息，據外媒報導，英特爾新一代 Panther Lake 處理器的計算晶片在 18A 節點上的良率已達到約 80%，對正在爬坡的英特爾代工業務來說是個積極訊號。 Panther Lake 的計算裸片尺寸約為 8.004×14.288 毫米，矽片面積 114.304 平方毫米。在這一設計下良率能做到八成，說明 18A 節點不只缺陷率處在低位，參數良率同樣表現不錯——相當比例的裸片上所有單元都能正常工作。參數良率恰恰是過去長期困擾英特爾的一環。 報導還提到，後續的 Nova Lake 處理器計畫把多數計算晶片放到自家工廠生產，約 80% 到 90% 由英特爾代工製造，其餘交給台積電，採取雙源供應策略。 對 18A 這樣一個已量產數月的節點而言，缺陷率 D0 值目前大約在 0.1 至 0.2 之間，隨著工藝改進與 Panther Lake 的高產量拉動，英特爾很可能已經觸及這一區間的下限。計算裸片面積本就不大，參數良率能取得這樣的表現也就順理成章。
英特爾18A良率達80%！
科技#英特爾#良率#晶片
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韓媒“拉踩”中國晶片：手機記憶體技術落後韓國企業3年時間，HBM晶片造出4個報廢3個

01. 前沿導讀 據《觀察者網》指出，韓國《朝鮮日報》爆料稱中國長鑫存儲製造HBM3晶片的良品率只有25%，相當於造出4個晶片其中3個報廢，低於行業平均良率水平。 在說完中國企業之後，韓媒又開始表揚本土企業，稱讚SK海力士早在2022年就實現了HBM3的規模量產，其產品良品率超90%。 話裡話外，無不透露出韓媒抬高自身技術，拉踩中國企業的囂張行為。
韓媒“拉踩”中國晶片：手機記憶體技術落後韓國企業3年時間，HBM晶片造出4個報廢3個
A股#長鑫存儲#HBM3#良率
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三星電子深度：DRAM價格上行，HBM執行改善打開盈利彈性

瑞銀認為，DRAM合同價高於預期與製造良率改善，可能同時抬升三星電子的記憶體利潤、自由現金流和股東回報。535,000韓元目標價仍受HBM4熱問題、非記憶體虧損與2029年周期回落制約。 一、這次變化先落在DRAM價格，而非遙遠的產能故事 最接近現實的增量，是三星第三季度DRAM平均售價可能比市場原先估計更強。 瑞銀把2026年第三季度DRAM平均售價環比增幅從20%上調到23%，第四季度維持環比增長10%。Visible Alpha的一致預期分別是18%和8%。這個差距看似只有幾個百分點，卻會直接作用於利潤率已經很高的記憶體業務。 價格預測上調來自合同談判。瑞銀觀察到，底層DRAM合同價格略快於預期。買賣雙方對長期協議機制的考慮也更充分。長期協議的作用，是提前鎖定一部分數量和價格。它不能消除周期，卻可能降低價格和利潤在高低點之間的擺動。
三星電子深度：DRAM價格上行，HBM執行改善打開盈利彈性
科技#三星電子#美光#SK海力士
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TCL科技：今年下半年推出12層的玻璃基板樣品，離20層有些差距

TCL科技(000100)近日在機構調研時表示，主流的玻璃基先進封裝用在高算力、高性能的晶片封裝需要20層，TCL科技目前依託外部資源進行技術路線打通和完整樣品的製備。受限於外部資源的技術限制，今年下半年計畫推出的樣品大概是12層，離20層有些差距。如果樣品表現和技術路線基本確定，達到預期，公司會在今年內啟動中試線建設。 公司認為，玻璃基封裝所需的大面積微米級加工工藝，與半導體顯示領域的光刻、成膜、蝕刻、大尺寸基板處理等核心製造能力高度同源，這是其切入該賽道的重要基礎；但TGV通孔、沉銅、高精度通孔檢測等封裝專屬工藝仍需持續攻關。整體推進路徑被概括為“打通技術通路—搭建中試平台—落地量產項目”，現階段先依託外部夥伴完成樣品製備，同步推進人才引進和上下游裝置材料聯動，並與下游潛在客戶開展前期技術溝通。 以上可總結TCL的態度： 1、現有技術可做玻璃芯堆ABF為5+2+5；技術迭代落後京東方、藍思科技1.5年以上
TCL科技：今年下半年推出12層的玻璃基板樣品，離20層有些差距
科技#TCL科技#玻璃基板#京東方
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海外巨頭DNP及Corning公佈TGV最新進展：良率與標準雙突破，國產廠商迎來追趕窗口期

近期，大日本印刷（DNP）、康寧​Corning先後對外披露玻璃通孔（TGV）基板最新研發成果，日本企業中試良率實現階段性躍升，美國材料巨頭髮布CPO玻璃基板行業參考規範，兩項動態引發全球先進封裝產業鏈高度關注。隨著AI算力晶片、共封裝光學（CPO）產品迭代加速，TGV玻璃基板被公認為下一代替代有機樹脂載板的核心方案，海外企業在良率、材料、標準化上持續深耕，也讓京東方、沃格光電、凱盛科技等中國頭部廠商迎來機遇與挑戰並存的產業競速時代。 DNP埼玉中試線良率突破85%，鎖定2028財年量產目標 大日本印刷DNP本周公開埼玉縣久喜工廠TGV玻璃芯基板中試線最新良率資料：針對0.3‑0.5 mm厚度無鹼硼矽玻璃基板，TGV通孔加工綜合良率已經穩定突破85%，厚300 μm基板單塊基板可實現超10萬顆50 μm直徑通孔，200 μm通孔間距可靠性測試一次性通過率大幅提升。這條中試線單批次最大加工基板尺寸可達510 mm×515 mm，樣品規格覆蓋50 mm×50 mm至120 mm×120 mm多檔尺寸，產品主要面向HBM高頻寬記憶體、AI算力晶片2.5D封裝市場送樣評估。 DNP對外表示，公司佈局玻璃中介層研發已有超過十年時間，現階段並不急於大規模擴產。量產時間表確定為2028財年，產能建設規模將完全根據輝達、AMD等海外頭部晶片廠商長期驗證結果動態調整，每一輪濕熱、溫度循環、高壓蒸煮可靠性測試周期普遍達到12‑24個月。DNP技術團隊稱，當前最大瓶頸並非打孔工藝，而是多層布線壓合之後基板翹曲控制，當布線層數超過16層，基板平面度偏差需要控制在15 μm以內，才能夠滿足高端封裝裝置貼片精度要求。
海外巨頭DNP及Corning公佈TGV最新進展：良率與標準雙突破，國產廠商迎來追趕窗口期
科技#TGV#DNP#Corning
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訂單排至2027！中際旭創良率領先，訂單向外溢出

1.6T光模組正在進入“爬坡期”，但良率、產能和競爭格局，正在經歷一場深刻的重組。 當前光模組市場正處在一個“冰火兩重天”的時期：一邊是需求火爆，訂單已排到2027年底；另一邊是產能瓶頸凸顯，北美廠商不得不“讓出”份額。 1.6T：毛利率的“黎明前夜” “目前1.6T仍處於低良率、低產量階段。” 專家一語道破天機。雖然市場對1.6T充滿期待，但現實是，800G產品在2026年達到頂峰，1.6T尚未起量，這直接拉低了整體毛利率。
A股#中際旭創#新易盛#良率