2026 年 6 月 2 日台北COMPUTEX前夕的GTC，輝達正式官宣Spectrum-X 矽光 CPO 交換機全面量產，全球首款商用CPO 矽光交換機正式落地，台積電代工矽光PIC、SPIL 封裝、由富士康整機組裝。
產品落地驗證「矽光主平台+ 外接 InP 雷射池」路線已經從研發落地商業化。Vera Rubin 平台 2026 年秋季大規模出貨，CoreWeave、Oracle 等雲廠商率先商用，能效較傳統可插拔方案提升 5 倍。
隨輝達Spectrum-X 矽光正式量產落地，2026 年正式成為 CPO 商業化元年，但落地形態優先以 NPO 近封裝為主、CPO 小規模試點，也就是說目前還不是真正的CPO。
短期來看矽光+ InP 已經兌現訂單與業績，並且會越來越強勢，而TFLN 仍停留在研傳送樣階段，A 股投資者需區分「產業落地節奏」與「題材炒作周期」，光模組兩年高景氣邏輯在 NPO 加持下進一步加固。
四層框架拆解AI光互聯
AI 正在把半導體產業的主戰場，從「計算晶片本身」推向「計算晶片之間如何互聯」。
過去十年，產業爭論的是那家 GPU 更強、那個先進製程更領先；未來十年，互聯也成為了系統級突破的重要一環，而互聯硬體的最終勝利者將是誰能把光互連以更低功耗、更高密度、更高可量產性，從可插拔模組一路推進到共封裝，再推進到OIO。
這也是為什麼 400G、800G、1.6T、3.2T、6.4T、12.8T 不只是通訊速率名詞，而是整個 AI 基礎設施架構演進的節點。
未來 CPO 與 OIO 的勝負，不是單一器件或單一材料的勝負，而是系統架構、材料平台、晶圓製造、異質整合與先進封裝的綜合競賽。
也正因如此，市場上最流行、也最容易誤導人的說法，未來 CPO 的 PIC 就是矽光、InP、TFLN 薄膜鈮酸鋰三條路線競爭，最後誰性能最好誰就贏，其實過於簡化。
更準確的切法，不是把三種材料當成平行替代物，而是先分清四層問題：
第一層是系統架構，也就是可插拔、LPO、NPO、CPO、OIO。
第二層是平台材料，也就是 SiPh、InP、TFLN、SiN。
第三層是器件分工，也就是光源、調製器、探測器、波導、WDM 和交換元件。
第四層才是製造與封裝，包括 Foundry、CoWoS、SoIC、hybrid bonding、interposer 和 chiplet。
把這四層拆開，整個產業主線就會清楚很多，矽光大機率繼續做主平台，InP 牢牢佔據光源與部分高性能有源器件位置，薄膜鈮酸鋰會在高性能調製與部分關鍵器件上越來越重要，但它更可能被整合進矽光平台，而不是獨立長成另一個全面取代矽光的通用主平台。
所以我們可以用一句話來概括光互聯材料的未來，SiPh 決定規模，InP 決定性能，TFLN 決定上限。
最近在啃著名的矽光子設計，科研跟產業兩位大神的鉅著，從理論到實踐搞懂矽光子學，幫各位同學從底層搞清楚CPO產業鏈的真實情況，拒絕小作文，有興趣的歡迎加入筆者知識星球，擾文章末尾優惠券二維碼即可加入
AI 時代真正的瓶頸，不只是算力，而是包含互聯等所有因素都成為系統級瓶頸
今天所有高端 AI 系統都在同時撞上四堵牆，算力牆、儲存牆、散熱牆，以及最容易被低估的互聯牆。
從產業共識來看，互聯頻寬需求每隔兩三年翻倍幾乎已成產業共識。
交換機頻寬從 6.4Tbps、12.8Tbps、25.6Tbps 走到 51.2Tbps，2026年旗艦交換機則已經到了 102.4Tbps ，而光模組也從 400G、800G，走到 1.6T，再向未3.2T、6.4T 延伸。
當 GPU 叢集從幾千卡走到幾萬卡、十幾萬卡，問題早已不是晶片算得夠不夠快，而是這些晶片能不能以合理功耗被連在一起。
這個變化直接導致兩個後果。
第一，可插拔架構不再天然合理。
100G/lane 還處在舒適區，200G/lane 進入受壓但可行區，而當通道推向 400G/lane，也就是 448G PAM4 等級時，可插拔光模組的功耗、密度與熱設計壓力將快速惡化，CPO取代光模組從可選方案變成必要方案。
第二，光模組的價值中心開始向上游轉移。
當光從前面板外掛走進晶片級封裝，沒有任何半導體生產經驗或者半導體工廠的傳統光模組廠只能固守傳統光模組市場。
整個產業鏈發生巨變，尤其是製造端從光模組廠向晶圓廠轉移，產業鏈價值開始向光引擎、子系統整合、測試能力與特定場景 know-how 移動。
光模組企業的未來到底如何變化，在CPO時代如何轉型，為何筆者在未來兩年仍看好光模組產業？
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CPO 不是單純的光學革命，而是一次封裝革命與供應鏈顛覆與重排。
也正因為如此，我們今天討論材料路線絕不能脫離系統架構必須緊跟上述的產業變化。
未來架構基本可以明確將從可插拔走向NPO到CPO，再從 CPO 走向 OIO，那麼材料的評價標準就一定會改變，不再是某一個器件性能有多高，而是這種材料能不能被放進主流平台，能不能在大尺寸晶圓上被穩定製造，能不能與 EIC、先進封裝、熱設計和量產體系協同。
這個問題一旦想清楚，SiPh矽光、InP磷化銦、TFLN薄膜鈮酸鋰的位置就會變得完全不同。
先把“路線”切對：架構、平台、器件、封裝，是四個不同問題
如果不把層次拆開，後面所有推演都會混亂。
第一層是系統架構：pluggable、LPO、NPO、CPO、OIO，這是在討論光放在系統那個位置上。
第二層是平台材料：SiPh、InP、TFLN、SiN，這是在討論光路與核心器件建立在那種材料體繫上。
第三層是器件分工：光源、調製器、探測器、WDM、波導、交換元件，這是在討論誰發光、誰調光、誰收光。
第四層是製造與封裝：Foundry、CoWoS、SoIC、hybrid bonding、interposer、chiplet，這是在討論怎麼把前面三層做成可量產系統。
多數錯誤結論，都是把這四層混成一層。比如把薄膜鈮酸鋰性能最好直接推導成薄膜鈮酸鋰未來必然取代矽光平台，就是典型地把器件性能和平台能力混淆，又比如把台積電 COUPE 很強直接推導成未來只有矽光一種材料，則是把製造收斂能力誤讀成材料排他性。
真正合理的邏輯應該是，那種材料適合做主平台，那種材料適合做光源，那種材料適合做高性能器件，最後由誰把它們整合起來。
這個問題的答案，並不會是單一材料通吃，而更像是一個多材料分工、再被大平台統合的過程。
矽光極大機率是未來 CPO 的主平台
SiPh矽光最大的優勢從來不是某個單一器件性能絕對最佳，而是它踩在整個半導體工業體繫上。
矽波導依靠高折射率對比實現強模式約束，使波導尺寸可以更小、整合密度更高，最重要的是，它可以直接建立在 300mm SOI、CMOS、EDA、PDK、Foundry-Fabless 與先進封裝基礎之上。這種發展了半個世紀以上的平台優勢，不是單個器件參數可以替代的。
最近火爆的Soitec 也從上游工程基板角度證明了這件事。Soitec 近年持續把 Photonics-SOI 作為支撐資料中心、CPO光互連的核心工程基板，同時把 LNOI 納入更後段、更高性能的演進路徑。
這其實等於在材料端直接承認，未來主線首先仍然是矽光平台化，而不是先跳到另一套全新平台。
台積電 COUPE 的價值也在這裡。它不是單純做出一顆SiPh PIC，而是在 300mm SOI 和 65nm 光子平台上，把高速微環調製器、Ge 探測器、Si與 SiN波導，再加上3nm等先進節點的 EIC，最後用 SoIC、hybrid bonding 與 CoWoS 一路整合起來。
SiN 在這條矽光平台路線裡是最先被整合進來的材料，作為低損耗路由與背面波導的重要材料。這意味著，矽光代表的主平台從來就不是純矽材料。
更準確的說法應該是，以矽光為主幹的平台，從一開始就吸收 SiN，並且搭配外接 InP 光源，未來它還會繼續吸收TFLN。
所以真正的大一統，不是只有矽，而是以矽為主平台，把其他材料逐步編入同一個製造體系。
雖然目前各種技術百家爭鳴，矽光發展了數十年後，在當今AI浪潮下猶如戰國時代風起雲湧，每個技術路線都有問題也都有優勢，誰也不服誰，而矽光雖然不是100%成為主平台去整合其他材料，但這幾乎是99％方向，縱使目前它還有不少問題。
InP 光源的主流配置
無論是可插拔時代的800G SiPh DR8、還是1.6T的EML+CW平行路線，或者是未來主流的 CPO 外接雷射池，核心思路一直都是矽平台不負責高效率發光，光源交給III-V三五族材料，尤其是 InP磷化銦。
博通、輝達當前的旗艦CPO產品， 路徑均向外部雷射光源 ELS / laser pool 發展，並由 Lumentum、Coherent 等提供高功率 CW laser。
近期爆火的瑞典Sivers也可能打破上兩大巨頭壟斷，在CPO時代分一杯羹，知識星球會有更為詳細的討論，公眾號不談核心觀點，有興趣的可以加入。
市場最常見的誤讀，是把矽光平台勝出理解成 III-V 材料被消滅。因為EML時代是DFB+EAM的獨立器件，而CPO時代InP的CW雷射遠離熱源被外接，調製器被整合進矽光製程。
事實上InP 並沒有被消滅或離場，它只是從平台競爭者退回到關鍵有源器件供應者的位置。這種退，不是失敗，而是重新嵌入主平台。
InP的重要度沒有任何改變，甚至是提高了，只是位置出現了變化。輝達對Lumentum與Coherent的投資說明了其重要性。
針對未來光模組以及CPO光源技術的技術演變，筆者知識星球已經單獨寫一篇，該文不在公眾號公開。有興趣的歡迎加熱知識星球獲取，三天免費試用，不滿意者三天內可在平台申請無條件退款。
只在知識星球公佈的該篇文章把EML，CW laser，基於GaAs體系的VCSEL，InP-on-Si的異質整合，甚至已在全球前沿探索的路線上的III-V＋TFLN的方案，全部介紹一遍，相應的全球領先廠家以及中國在此佈局的廠家，在知識星球做一個全方面介紹。
TFLN薄膜鈮酸鋰真正重要的地方，不是另起平台，而是把平台上限往上推
如果矽光的優勢是規模與平台，InP 的優勢是發光與有源器件，那麼薄膜鈮酸鋰的價值就在於它幾乎站在性能極限的那一側。
LNOI/TFLN 之所以在近幾年突然變得火熱，不是因為它剛被發現，而是因為在 AI 光互連時代，低功耗、高頻寬、低驅動電壓、高線性、低啁啾這幾件事開始同時變得重要。
與傳統矽 MZM、MRM 相比，TFLN 在頻寬、驅動電壓、溫度穩定性與高線性度方面，具備非常明顯的先天優勢。
這說明 TFLN 已經不是單純的學術新材料，而是已經進入了頂級系統公司研發主線。
全球主要企業的公開定位，同樣證明 TFLN 的角色正在從單顆高性能調製器走向可被平台化呼叫的高性能器件模組。
瑞士的TFLN製造產業叢集已經建立了自己一套護城河， CCRAFT 直接把自己定位為 TFLN PIC foundry技術水平被業界公認最強。
瑞士Lightium 也是明確的 TFLN foundry，提供從 prototype 到 volume production 的服務。LXT公司則有基於DLC用於深刻蝕的新技術。瑞士三強在TFLN Foundry已經積累出成熟的PDK，形成完善的產業化。
荷蘭的RAPID PHOTONICS也有其專利的無刻蝕技術。
除了歐洲在TFLN製造領跑以外，美國也不慌多讓， HyperLight 則進一步用 TFLN Chiplet 作為自己的平台語言，將 AI/datacom、telecom、DCI 和 CPO 都列為目標場景。這代表 TFLN 的產業角色，正在從單顆器件走向可被主平台吸納的器件模組。
美國QCI在單光子探測器有很強的優勢，不過還是以6吋線為主，上述其他企業均已提升至8吋線。
歐美的TFLN已經進入規模化量產階段，但這不等於TFLN會憑藉其最優秀的材料性能整體取代矽光。
恰恰相反，從目前的製造、生態與平台結構看，TFLN是未來會被整合進矽光主平台的高性能有源器件材料。
它很可能不贏得通用主平台這個位置，卻會贏得主平台裡最關鍵的高性能器件這個位置。
這個判斷，比另起一套純 TFLN 平台與矽光正面對撞要更符合產業現實。
TFLN 如何整合進矽：短期靠鍵合與 flip-chip，中期靠 hybrid bonding，長期靠 chiplet 與轉移印刷
即便TFLN短期並不會真正落地，但未來 TFLN 真正的勝負手，不在於它能否自己做完整光引擎，而在於它怎麼被整合進矽平台，這是TFLN最難的一步。由於產業剛剛起步，大部分的TFLN初創企業還是圍繞開發整個光引擎的方向，長遠看這並非優選。
今天主流的工藝思路，大體可以分成三類。
第一類是晶圓級鍵合。
也就是將鈮酸鋰薄膜或整片晶圓，與SOI或帶絕緣層的矽平台做晶圓級 bonding，再在鍵合後加工器件。
中國的九峰山實驗室在 2024 年公開宣佈的全球首片 8 吋矽光薄膜鈮酸鋰光電整合晶圓，就是這條路線的典型案例。這說明中國在 Si 平台 + LN薄膜 這條終局更接近的技術方向上，也能把最硬的一步往前推到了工程示範層，跟歐美已經落地的技術應用幾乎是同步。
第二類是 die 級混合整合。
也就是 TFLN光晶片先單獨製造，再用 flip-chip 或 hybrid bonding 方式接到 CMOS/EIC 上。
這條路線在今天最實際，因為 LNOI 光晶片本身不會自帶完整數位大腦，所有 driver、TIA、DSP 與控制功能仍然要靠傳統 CMOS/EIC 完成。
當前主流是 flip-chip，未來方向是 hybrid bonding。前者工藝成熟、良率高，但頻寬密度與寄生參數不夠理想，後者更適合未來CPO/OIO，但目前受制於熱膨脹係數差異、應力與可靠性。
第三類是 micro-transfer-printing 或 chiplet 式轉移整合。
這條路徑之所以近年越來越熱，正是因為它最符合矽光平台不變，只把高性能器件貼上去的終局想像，這條路似乎越來越明確。
美國的HyperLight 把自己定位成 TFLN Chiplet 平台，本質上就是在往這個方向走。
這種站位非常值得注意，因為它說明產業本身已經在往高性能器件模組化、chiplet 化、可嵌入主平台的方向走。
所以，TFLN 如何整合進矽，最終答案不是一句混合鍵合就能講完，而是短期靠晶圓鍵合與 flip-chip，中期靠 hybrid bonding，長期靠更成熟的 chiplet / transfer-printing，把 TFLN 變成矽光主平台上的高性能器件模組。
這也是為什麼未來最終受益的，不一定是做整顆 TFLN 平台的公司，而是那些能把 TFLN 器件高效送進主流矽光體系的公司。
TFLN 工藝製程：從晶圓製備到 CMOS 整合，真正難的是把整條鏈條做成工程體系
要真正理解 TFLN 行業，不能只看器件參數，還要看製程環節。
第一個環節是晶圓製備。
TFLN的主流路徑，本質上是離子注入、鍵合、剝離、減薄與拋光，把鈮酸鋰功能層轉移到絕緣支撐層之上。
這一環的核心壁壘不只是有鈮酸鋰材料，而是能否把大尺寸晶圓做到低翹曲、低表面粗糙、低缺陷與高厚度均勻性。
最近火熱的Soitec在TFLN會被提到，並不是因為它當下是所有TFLN器件的直接供應商，而是因為它在 SOI、Smart Cut、bonded substrates 這類工程基板上的能力，與 TFLN的工程邏輯高度同源。
目前炒Soitec的大部分是認為其SOI在SiPh是主流襯底，殊不知更未來的TFLN也是他的核心技術範圍。
第二個環節是光晶片微納加工。
TFLN的難點不只是刻出波導，而是要在整片晶圓上穩定做出低粗糙度側壁、低散射損耗、高一致性的電光結構，再加上高速行波電極、阻抗匹配與低損耗設計。做出單顆高性能器件不算太難，真正難的是把它變成可量產、可重複的 waferscale 工藝。
第三個環節是與 CMOS/EIC 的整合。
這裡是整個 TFLN 產業最容易被低估、但其實最關鍵的環節。因為即便 TFLN光晶片性能再好，它最後仍然要進入 EIC/PIC 框架，要與 driver、TIA、DSP、控制電路甚至主系統 ASIC 協同。
這也就是為什麼從長期看，flip-chip、hybrid bonding、chiplet 與先進封裝的重要性甚至高於單一材料本身。誰能把這一層做通，誰才真正有機會在 OIO 時代留下來。這一點正是台積電的絕對優勢領地。
全球企業圖譜
歐洲與瑞士企業的確仍然主要以全 TFLN PIC / Foundry 的姿態存在，例如 CCRAFT 和 Lightium。
這不代表它們方向錯了，但意味著它們未來的長期價值，取決於能否從獨立平台進化成主流平台所需的高性能器件與工藝供應者。如果未來終局是 SiPh 主平台吸納 TFLN，那麼純 TFLN foundry 的長期位置就需要重新定義。
美國這一側看上去更容易與台積電式主平台配合，原因在於很多公司從一開始就更偏 chiplet、器件模組與異質整合語言，而不是強調完整替代矽光的平台語言。
HyperLight 是最典型例子：它不是只說我們有 TFLN，而是直接說自己是 TFLN Chiplet 平台。這種站位，天然更適合未來被主流半導體平台收編。
中國企業圖譜：平台、器件、PDK、異質整合，市場比想像更完整
中國這條線，如果不分層，很容易被寫亂。其實最合理的寫法，是按位置拆開。
九峰山的代表性成果不是純 TFLN 全器件平台，而是從一開始就站在 Si+LN 異質整合這條線上。它們做出的是全球首片 8 吋矽光薄膜鈮酸鋰光電整合晶圓，工藝核心是 8 吋 SOI 矽光晶圓鍵合 8 吋鈮酸鋰晶圓，目標是單片整合光電收發功能與高端光晶片規模製造。華為在武漢也佈局多個光項目，九峰山自然是高度合作夥伴。
華慧芯的標誌性進展是 2023 年推出國內首個薄膜鈮酸鋰調製器 PDK。這件事的重要性在於，它卡的不是單一器件，而是設計平台與工藝平台能力。沒有 PDK，就沒有大規模設計與工藝可重複性。
易纜微尤其值得注意，因為它不是走純 TFLN 平台敘事，而是直接走矽光異質整合薄膜鈮酸鋰路線。其公開資訊明確提到，單波 400Gbps 差分調製晶片採用的是 8 吋晶圓級矽光異質整合 TFLN 工藝。這種路線，比單純我也做 TFLN更接近未來終局。
至於大A的光庫科技與天通，它的歷史基礎主要建立在『體』鈮酸鋰高速調製器與傳統高端光通訊器件上，近年才向薄膜鈮酸鋰延伸。
光庫確實也開始從傳統『體』鈮酸鋰調製器業務，向上發展薄膜鈮酸鋰TFLN，但目前TFLN出貨均只是前期科研的送樣品，市場推票方更多是偷換概念，把產生業績的傳統體鈮酸鋰跟TFLN刻意混淆，這是A股老生常談的問題了，大家釐清楚就好。
這裡不否認國內企業在TFLN襯底材料的投入，但體鈮酸鋰和TFLN薄膜鈮酸鋰不是一回事，前者屬於成熟長距電信器件體系，這些基本常識一定要清楚。
TFLN薄膜鈮酸鋰才是新一代 chip-scale 光子整合路線，國內大大小小企業投入不低，但TFLN至今全世界也沒有正式應用落地，都是送樣與研究用，國內許多做基板襯底的企業號稱已經產生不少業績，甚是怪哉。
根據輝達，博通以及Google等CSP的公佈的技術路線，未來3.2T/6.4T甚至到12.8T都是台積電的MRM+SOI矽光方案達到200G，400G/lane，最後再靠MCF+WDM完成3.2T到12.8T的迭代。
剛剛開幕的COMPUTEX 黃仁勳確認 Spectrum-X 採用 NRZ+MCF 多芯光纖方案落地，已完成 200G/lane 商用驗證，也印證筆者上個月文章提到，矽光可平穩覆蓋至 12.8T 的產業判斷，也與兩個月前的OCI MAS公佈的路線完全吻合。
目前所有主流方案，基本還是以矽光DML直接調製雷射器，中短期時間不會也還不需要TFLN外調製器。
雖然MRM矽光靠MCF+WDM在耦合跟整合上還有不少難點，但OFC26上六大超級大廠共同定義的光互聯底層協議OCI MSA也說得很清楚，為了低延遲，將一直採用NRZ調變。
初代規格為200G/lane（4λ × 50G NRZ），第二代400G/lane（BiDi 800G/光纖），遠期目標是單光纖3.2Tbps，這也說明了輝達，博通，Meta，微軟跟OAI等超級大廠的方向就是NRZ調製低延遲，未來靠MCF+WDM純物理拓展，不靠PAM4/6等演算法來提升。
這個明確的技術要求，搭配台積電已公佈的參數與roadmap，有多個路徑可以拓展到12.8T。
第一條路徑是4芯 MCF × 單芯雙向 3.2T = 12.8T ，第二條是16芯 MCF × 單芯雙向 800G = 12.8T ，兩種路徑均復用成熟的 50G NRZ 器件，無需重新開發高速單波長方案。
上述OCI MAS也完全吻合台積電矽光平台的技術參數，這完全證明全世界的發展方向。
同時台積電的鍺光電探測器（Ge PD) ，最終會將3dB頻寬推到110GHz，完全滿足100G NRZ 50GHz的要求，接收端於量充足。如此一來單通道傳輸速率將直接翻倍。
所以基於所有大廠共同的技術路線，我們完全可以做出矽光調製器至少能到12.8T時代，如此一來TFLN的上場的時間將大大延後，在此之前行業可能不太需要TFLN薄膜鈮酸鋰這種最強材料的王者降臨，TFLN預計是在25.6T以後才需要接手。
這時間推算那可能是2035年以後了。所以現在炒薄膜鈮酸鋰可能有點過早。當然不同即技術路線都可以發展，只要有人用，就會有落地，但是未來很長一段時間不會成為主流。
總而言之，根據最新的行業態勢，矽光很大機率接手未來3.2T到12.8T時代，TFLN目前均屬於早期研發與送樣，真正落地時間還挺長遠。
在大A市場，大家一定得謹慎小心，永遠質疑賣方與推票的說法，不然就會把老電信器件公司和未來 OIO 潛在供應鏈混在一起，造成投資判斷失誤。
當然國內還有許許多多TFLN的初創企業在不斷湧現，筆者相信光互聯這一塊，中國並不會差，與全球基本同步。
但是問題在於開創性技術缺乏，都是國外有了相關技術才開始模仿與追趕，追趕速度是很快，但總的來說還是慢半拍。
未來憑藉地方政府的投資熱情，不論光源技術或者TFLN，國內的初創企業會非常多，最終大量淘汰沒有競爭力的，大浪掏沙之後都將是一時之選，而且整個產業背後，還有華為與中興這種全球通訊巨頭的支援，這一塊中國不會差。
但分析未來可能路線，先進邏輯製程也是其中一環，台積電將矽光與3nm結合，這對缺失先進製程的中國是唯一不利的點，其他環節中國產業鏈並沒有物理硬傷。
最後的產業終局：未來不是純 TFLN，也不是純矽光，而是矽平台吸納 InP 與 TFLN
把今天所有討論收束起來，真正的主線其實已經很清楚。
中短期，也就是從現在到 1.6T、3.2T、6.4T 的推進期，主流仍然是矽光平台 + InP 外部 CW laser + 更深的封裝整合。
中長期，隨著 6.4T、12.8T 乃至更高頻寬密度推進，純矽微環在熱穩定性、波長管理與功耗上的壓力會持續升高。
這時最合理的演進，不是拋棄矽平台，而是在矽光平台上繼續吸收 SiN 低損耗波導、InP 光源、TFLN 高性能調製器件。也就是說，未來真正接手的，不是純 TFLN 光晶片平台，而是矽光平台化的多材料整合。
長期，25.6T以上也就是 OIO 逐步成形的階段，真正重要的將不是單一材料的理論性能，而是多材料在先進封裝與 chiplet 體系中的協同效率。
從這個角度看，未來最合理的材料結構已經呼之慾出：
矽光做主平台和多數波導骨架；
InP 先作為外部 CW laser 與部分異質有源器件；
SiN 持續作為低損耗路由與波導補強材料；
TFLN 在更高性能調製、相位控制與部分關鍵器件上逐步被整合進來。
這不是折衷方案，而是行業多條路線競爭後最符合半導體產業規律的最優解。
未來不是矽光、InP、TFLN 三國殺，而是矽光做骨架、InP 做光源、TFLN 做高性能有源器件。
真正改寫產業版圖的，不是那種材料單獨稱王，而是誰能用 heterogeneous integration、2.5D/3D 封裝與 chiplet，把這些材料全部編進同一個體系。
台積電已經在這條明確發展的路徑上做好萬全準備。
而這也意味著另一個更殘酷、但同樣明確的趨勢，光模組至少在兩年以上的維度，在1.6T以及3.2T NPO還會不斷創造輝煌，業績持續走高，即便進入6.4T的完全體CPO時代，光模組還是佔據出貨主力，但高端產品的增量隨著CPO的滲透不斷降低。
4年以上的中長期維度來看，光模組會持續弱化，但是在中短期的兩年維度，光模塊卻是段不斷創新高的態勢。
所以目前談光模塊衰退為時尚早，因為未來兩年光模組廠的業績明確是高歌猛進的狀態，可能到了2030年6.4T成熟期後，光模組才會停止增長，但即便沒有增長，光模組出貨量絕對值還是高於CPO。
不過失去高端這一塊的增長，光模組在未來某個時候，業績不斷往上，但估值逐步向下也成了必然。
筆者不預測這個拐點，因為我也不知道，前兩年因為明確CPO技術而過早放棄光模組，過早誤判二級市場光模組拐點是一個血淋淋的例子。
如今光模組廠又將以NPO強勢續命，甚至還開拓了之前沒有的scale up市場，未來兩年光模組廠的業績只會更加強勢，沒有任何問題。
目前支援光模組的朋友，總是CPO一直說要來，每一季業績純拉胯，光模組卻不斷創新高來表示對新技術的懷疑。
其實這種懷疑實在不需要，因為CPO本來就還沒開始拉胯是必然，光模組未來還有3.2T的NPO將再創輝煌，所以筆者此時此刻看好光模組未來兩年的表現，也同時看好CPO在3年以後的滲透率，以及2030年後6.4T的完全接棒。
所以上述拐點的判斷非常重要，目前整個A股各方訊息眾說紛紜，有興趣的建議加入筆者5000個會員的知識星球，與一半以上的產業從業者一起討論未來的光互聯真實情況，沒有推票，只有真正的產業闡述。
當光從前面板模組走進高度整合的晶片封裝，再走進 interposer、再走向 OIO，價值中心一定從光模組組裝與傳統封裝，轉向 Foundry、先進封裝、工程基板、異質整合與主系統平台。
誰站在這些節點上，誰才是未來十年的核心受益者。
從材料方向來看，目前較為明確的是TSMC，Siotec，Lumentum與Coherent 各自佔據自己的核心高地。
TFLN由於還在發展初期，瑞士是否能憑藉更長時間的投入一直領跑不得而知，因為美國與中國的相關企業的追趕非常快速，這一塊目前還無法判斷。
而中國的產業鏈也將復刻全球的技術路線最終自成一脈，Foundry、先進封裝、工程基板、異質整合與主系統平台都會有國產化相應的企業。
在中國這個供應鏈上，華為有可能是從上到下的最終定義者。 (梓豪談芯)