Q：玻璃基板的整體工藝流程是怎樣的？
A：玻璃基板加工首先需要採購玻璃原片，然後進行TGV雷射打孔，在超薄玻璃上打出微米級孔，再將銅填充至孔內並確保上下貫通（即保證通孔率），之後進行布線和製作多層結構。
Q：其中最大的增量環節在那裡？
A：增量主要集中在玻璃基加工環節，但該環節涉及多個步驟，並非由單一廠商完成。玻璃原片主要由海外C、A、S等海外廠商供應，國內K、C、Q等也在驗證和研發中。雷射打孔裝置方面，海外主要使用L，國內有D1、D2、D3等，個別企業佈局較早，但各家差距不大，未來格局尚不確定。此外，孔內填銅及提高銅與玻璃附著力的工藝也是難點。
Q：中國國產與海外的代差多大？
如果和國外相比，第一是玻璃基，代差可能在2-3年，涉及到玻璃的配方問題需要長期摸索，加工環節代差較小1-2年。大家要解決的是良率的控制，良率是玻璃基片、裝置穩定性以及技術方案的綜合結果。第二個難點是孔非常小，要往孔裡填銅，由於玻璃和銅之間的附著力不是很好，如何填孔以及讓銅的附著力好，每家都有自己的工藝特點。市場關心的是大家產能多少，稼動率如何，目前是沒有到這個狀態的。TJD也有公開表明實現相對大量的應用還需要2-3年。但是在AI晶片的浪潮下，傳統晶片的發熱嚴重問題，玻璃基板可能是最好的方案，所以巨頭們不斷地在這方面發力。
Q：中國國產雷射鑽孔裝置的採購來源驗證情況以及良率如何？海外裝置相比處於什麼水平？
A：國內廠商的雷射鑽孔裝置採購來源較為分散，個別企業用量相對較大，但這主要與其早期對該項目的重視程度有關，不代表其技術絕對領先。在良率方面，如果僅比較裝置，中國國產裝置在穩定性上略遜於海外裝置。但良率是裝置、工藝和原材料共同作用的結果。對於技術指標要求不高的孔（如孔徑和深寬比要求較低），中國國產良率尚可，能達到百分之七八十以上；但對於孔徑小、深寬比大的高端打孔需求，良率不高。
Q：雷射鑽孔的效率如何？
A：雷射打孔效率很高，一秒鐘能打幾千個孔，不會成為產能瓶頸。目前雷射環節需要解決的核心問題一是如何提高玻璃原料質量，二是在打出更小孔徑的同時，減少孔內壁缺陷和裂紋以及上下越貫通越好，提升打孔效果。
Q：鑽孔完成後的後續工藝流程是怎樣的？涉及那些增量環節？
A：鑽孔後將銅填充到孔內，然後在玻璃上壓合ABF膜，再通過電鍍方式進行橫向布線。
Q：電鍍環節所需的藥水是否需要專門開發？
A：由於銅與玻璃的結合力不佳，需要在傳統電鍍銅藥水中加入特殊成分以提高附著力，但具體成分屬於保密資訊。目前相關藥水仍在嘗試階段，技術效果能否最終過關尚不確定。
Q：ABF膜用量和壓合工藝是怎樣的？
A：用量方面，主要根據玻璃基板的尺寸來計算，目前行業主流加工的基板尺寸是110毫米乘110毫米，玻璃越大加工工藝越難，先搞定小尺寸的，目標做510*515尺寸大板，ABF膜會結合基板尺寸進行壓合。壓合工藝由玻璃基板加工公司自己完成，而非ABF膜供應商，因為玻璃基板廠商希望將產業鏈主動權掌握在自己手中。
Q：玻璃基板加工過程中的檢測環節是使用傳統AOI裝置還是需要新增專用檢測裝置？
A：每個加工環節都設有檢測，不會等到最後才統一檢測。檢測裝置宏觀上與傳統的AOI類裝置大體相似，不需要單獨開發全新的裝置，但會針對玻璃基板的特性在參數、檢測器或演算法上進行一些細節改進和最佳化。
Q：前面的討論主要是玻璃基板不包括玻璃做中間層？
A：這是後端的應用，TJD-CoWoS改成CoPoS後，其實ABF並沒有取消，只是用玻璃基去替代中間的矽中介層。但是無論如何前提是玻璃越薄越好，但是越薄就會越脆，從而引發一系列難題。但是都要實現打孔和貫通，其中貫通的難度很大。
Q：玻璃基板的加成法和減成法兩種技術路線的對比？
A：濺銅法對初始孔的狀態要求較高，如果孔打得好，PVD填充效果不錯且比較乾淨；如果孔的質量不佳，則缺陷會相對較多。但是目前大家孔打的都不是特別的好，濕法在孔的質量不是特別完美時有自身優點，但缺點是可能不如PVD法做得乾淨，且玻璃表面可能會有化學殘留。目前行業主流嘗試較多的是PVD法，但很多公司也在探索濕法預處理與干法結合的方案，技術路線尚未最終確定。
Q：國內幾家TGV企業打孔差距如何？
A：個別企業起步較早，在實驗室階段能達到國際領先或持平水平，但一旦放大到中試線，就無法復現實驗室的高指標（如孔徑三到四微米、深寬比150:1）。行業普遍能做到的孔徑水平大約是八微米，與海外C等廠商差不多。國內廠商與海外的差距主要在於玻璃原片的質量和配方，C等海外巨頭可以根據工藝需求調整玻璃配方，這是其核心優勢。市場也採購C的玻璃，但是都是公開通用型號，比最新研發的要落後。
Q：目前玻璃基板所用玻璃原片的厚度要求是多少？國內廠商的水平如何？
A：行業希望玻璃越薄越好，目前主流厚度在一兩百微米左右，國內外廠商都能做到這個厚度。但國內廠商的挑戰在於，在保證厚度的同時，還要提升玻璃的質量，尤其是在做大板面時，需要控制好平整度、翹曲度和面內性能的均勻性。國內做超薄玻璃相對不錯的有K，而中國國產C因有做大尺寸面板玻璃的經驗，在尺寸放大方面有優勢，但各家都仍需解決核心難點。所以當前110*110這是階段性的，未來還是要做大，最佳化孔的間隙、深寬比、線槽的布線寬度。
Q：玻璃基板成為未來大機率技術路徑的原因是什麼？
A：主要原因有四點：第一，玻璃的導熱係數與矽接近；第二，玻璃是剛性材料；第三，成本低，雖然目前成本尚未達到理想狀態，但未來規模化後成本優勢明顯；第四，在高頻狀態下具有低損耗特性，而現有矽中介層的一大問題就是損耗。此外，玻璃的整體加工可塑性更強。目前在AI浪潮倒逼下，傳統晶片發熱嚴重，而除了玻璃基板，暫時還找不到更好的替代方案。所以玻璃中介層的需求是遠大於玻璃基板的需求。
Q：COPOS封裝只需要用一層玻璃？
A：是的，如果要堆疊需要重新在玻璃上面沉積有機材料。
Q：用於玻璃基板的PVD裝置是否需要重新改造？
A：不需要重新改造，使用半導體行業現有的那套PVD工藝和裝置即可。
Q：雷射打孔是打通孔還是盲孔？
A：每家廠商的工藝路線不同，有的打通孔，有的打盲孔。目前直接打通孔的效果不是很好，應該還是以打微盲孔為主。 (姜計救急)