#玻璃基板
雄心壯志一拖再拖!SKC將玻璃基板量產推遲至2027年,目標2026年底完成最終驗證
儘管 SKC 及其美國子公司 Absolics 仍然是玻璃基板市場的領跑者之一,但《商業郵報》報導稱,由於客戶需求的變化,大規模生產的延遲使得競爭對手得以縮小差距。 報告顯示,SKC目前正在向多家北美大型科技公司提供原型產品進行性能驗證,計畫於今年完成最終可靠性測試,並於明年投入全面生產。該公司最初的目標是在今年年底前實現全球首款商用玻璃基板的生產,但該計畫的時間表已被推遲。該公司從2025年就表明在年內量產。 News Tomato也證實了這一最新進展,報導稱 SKC 已於 4 月開始向全球客戶提供評估樣品,並計畫進行全面的可靠性測試。TradingKey進一步指出,該公司已建成全球首個專用玻璃基板量產工廠,目前正在向包括 AMD 和 AWS 在內的主要客戶提供樣品。 正如《商業郵報》所指出的,包括蘋果、亞馬遜和AMD在內的全球科技巨頭正在加速採用玻璃基板,而英特爾也設定了到2030年將所有半導體基板過渡到玻璃基板的目標。除了SKC之外,三星電機和LG Innotek也在加緊努力,力圖在玻璃基板領域迎頭趕上,並計畫在2027年後實現量產。台積電將從2027年跑通CoPoS試產線,目標是2028年底量產首批玻璃核心的CoPoS封裝產品。來自中國的京東方和沃格光電也把量產節點定在2028年前後。
最新資訊:Intel發佈電鍍新工藝專利,徹底解決TGV金屬化難題!
隨著 AI 大模型、HBM、Chiplet 高速互連需求爆發,傳統有機 ABF 基板的翹曲、頻寬、熱穩定性短板凸顯,玻璃基板憑藉高剛性、低介電損耗、熱膨脹可控等優勢,成為先進封裝下一代核心載體。而TGV 玻璃通孔金屬化的熱應力失效問題,一直是玻璃基板規模化量產的核心瓶頸。 2026 年 6 月 18 日,英特爾公開全新專利《BOTTOM-UP PLATING OF THROUGH-GLASS VIAS》,創新性推出自下而上電鍍 TGV 整套解決方案,通過可控空氣隙 + 復合緩衝層的雙重應力防護結構,搭配三大可量產工藝路線,從根源攻克玻璃與銅材料 CTE 失配導致的封裝失效難題,為玻璃基板商用落地掃清障礙。 傳統 TGV 工藝採用孔壁全覆蓋種子層、全域電鍍方案,銅金屬與玻璃側壁完全貼合。由於玻璃與銅熱膨脹係數差異極大,裝置冷熱循環工作中,介面會持續累積應力,滋生微裂紋,最終引發斷路失效。英特爾徹底顛覆傳統工藝邏輯,取消 TGV 側壁完整種子層,讓銅金屬從孔底向上定向生長,在側壁形成20-200nm 可控空氣隙,最優區間 40-140nm。該空氣隙為主動設計的應力緩衝結構,可吸收銅熱膨脹形變、切斷環形束縛應力,卸除 80% 以上介面熱應力,且不會影響導體導電性能,大幅提升封裝長期可靠性。 為適配不同封裝場景量產需求,專利配套三大成熟工藝路線,全面覆蓋高低端封裝市場。減法蝕刻 SE 工藝適配成本敏感、線寬容忍度高的通用基板,依託現有 PCB 產線即可生產,成品焊盤呈錐形凹形結構,性價比優勢顯著。改良半加成 mSAP 工藝聚焦高密度細線路、晶片級封裝與高精度 RDL 重布線場景,採用單面種子層不對稱結構,獨有 500-800nm 焊盤根部底切微觀特徵,適配高端精密封裝需求。流動腔體填充工藝專門針對帶嵌入式腔體、整合橋接晶片的復合玻璃基板,通過預填低粘度材料隔離電鍍液,實現 TGV 通孔定向電鍍,保障腔體無銅殘留、表面平整。