①根據瑞銀集團7 月份發佈的《儲存晶片月度報告》，月銷售額達到了創紀錄的746億美元，環比增長31.7%；
②瑞銀表示，隨著AI需求持續增長以及長期供應協議（LTA）談判仍在進行，儲存晶片市場周期正在「進一步趨強」，結構性供應不足的局面至少會持續到2028年中期。
財聯社7月10日訊（編輯 黃君芝）全球儲存晶片市場剛剛經歷了有史以來最好的一個月，而且遙遙領先。根據瑞銀集團（UBS）7 月份發佈的《儲存晶片月度報告》，月銷售額達到了創紀錄的746億美元，環比增長31.7%。
瑞銀表示，隨著人工智慧（AI）需求持續增長以及長期供應協議（LTA）談判仍在進行，儲存晶片市場周期正在「進一步趨強」，結構性供應不足的局面至少會持續到2028年中期。
具體而言，看看整體繁榮背後的細分市場：
DRAM（動態隨機存取儲存器）銷售額佔內存市場的大部分份額，約為480億美元，比上月增長27.7%。
NAND閃存的表現更為亮眼，環比飆升40.7%，創下258億美元的紀錄。
NAND閃存是固態硬盤和數據中心儲存設備的主要儲存介質，隨著人工智慧訓練和推理工作負載的激增，這兩類產品的需求也呈爆炸式增長。
整體而言，瑞銀預計，2026年全年儲存晶片行業總收入將達到9920億美元。到2027年，這一數字預計將幾乎翻一番，達到1.76兆美元。
該行指出，推動這一增長的主要動力是高帶寬內存（HBM），這是一種專用於人工智慧加速器（例如輝達的GPU）的DRAM。瑞銀預測，2026年HBM的需求將同比增長90%，達到約331億Gb。預計2027年，需求將再增長77%，達到約587億Gb。
瑞銀還指出，內存價格上漲周期的主要受益者是美光科技，以及韓國巨頭三星電子和SK海力士，因為這三家公司合計佔據了全球DRAM和NAND閃存供應的絕大部分。
價格漲不停
瑞銀認為，雲計算公司將繼續投資人工智慧基礎設施，從而有助於支撐對內存晶片的需求，結構性供應不足的局面至少會持續到2028年中期。
瑞銀已將DDR合約價格預測上調至2026年第三季度環比上漲32%，第四季度再上漲18%。NAND閃存價格預計也將呈現類似走勢，預計第三季度上漲30%，第四季度上漲12%。
瑞銀預測，至少在2028年第二季度之前，DRAM行業仍將面臨結構性供應不足的局面，這主要得益於其預測2027年需求同比增長36.2%，將遠超19.3%的供應同比增長。
最後，瑞銀也坦率地指出了那些因素可能會動搖其看漲觀點。
「客戶的承受能力以及人工智慧相關資本支出的可持續性仍然是這一前所未有的上行周期面臨的主要風險，」該行指出，這表明超大規模數據中心運營商的後續支出，而非供應量，才是其無法從內存角度完全建模的關鍵變量。 (財聯社)