半導體封測產業正在經歷一場力度空前的產能擴張浪潮。
近日，通富微電（002156.SZ）關於向特定對象發行股票的申請獲得了中國證券監督管理委員會同意註冊批覆。該公司擬募資42.2億元，加碼儲存晶片、汽車電子、晶圓級封測、高性能計算及通訊等領域封測產能。
2026年剛剛過半，國內半導體封測企業擴產投資總額已接近400億元。
不僅長電科技（600584.SH）、通富微電、華天科技（002185.SZ）半導體封測三巨頭集體擴產，甬矽電子（688362.SH）更是兩度擴產，此外盛合晶微（688820.SH）、深科技（000021.SZ）等封測廠商也啟動了擴產計畫。
儲存晶片封裝成擴產引擎
從擴產方向來看，儲存晶片封測是國內企業擴產的“主陣地”。
今年以來，通富微電、華天科技與深科技競相擴充儲存晶片封測產能：通富微電擬將8.88億元投向儲存晶片封測產能提升項目，華天科技控股子公司擬將30億元投向儲存積體電路封裝測試，深科技子公司也擬投資14.7億元擴大高端儲存晶片封測產能。
其中，通富微電擴產主要針對FLASH、DRAM儲存產品，深科技主要投向UFS（通用快閃記憶體儲存）、DDR測試等。
產能方面，華天科技擴產項目建成投產後預計年封裝測試儲存積體電路約4.3億隻；通富微電預計項目建成後年新增儲存晶片封測產能84.96萬片；深科技擴產項目建成達產後，深圳沛頓預計每月增加封裝產能500萬顆晶粒及測試產能800萬顆晶片，合肥沛頓儲存預計每月增加封裝產能2880萬顆晶粒。
龍頭企業密集擴產背後，儲存封測的需求確定性正持續攀升。
國內市場方面，通富微電高管在6月接受調研時指出，隨著下游應用領域對高頻寬、高容量、高可靠性儲存的需求快速上升，國內市場形成了穩定且持續擴大的“增量+自主創新”空間。以長江儲存、長鑫儲存為代表的本土企業在堆疊層數、製程節點等領域持續突破，具備了在重點應用領域實現規模化自主創新的技術與產業基礎。加快建設和提升面向儲存晶片的本土封測產能，已成為保障國產儲存晶片穩定供給的關鍵一環。
國際市場方面，長電科技近日在投資者關係活動中表示，本輪儲存上量勢頭強勁，預計持續時間較長。面向國際客戶，儲存價格持續上漲，客戶尚處於享受價格紅利階段，提高產出意願不高，短期對封裝產能的需求變化不大。“但我們判斷，隨著價格逐步趨穩，國際客戶對封裝的需求將顯著增加，封裝產能擴充勢在必行。”
除了儲存，AI算力和汽車電子也是此輪封測擴產的重點。
如通富微電擬投資11億元提升汽車等新興應用領域封測產能，項目建成後年新增汽車等新興應用領域封測產能5.04億塊；並擬投資7.24億元用於提升高性能計算及通訊領域封測產能，項目建成後年新增相關封測產能合計4.8億塊。
押注先進封裝
從技術方向看，2026年的新增產能大部分投向了以2.5D/3D、晶圓級封裝（WLP）為代表的先進封裝技術。
2.5D/3D封裝是此輪擴產投資強度最大的技術方向：盛合晶微擬投資100億元建設的東盛合芯三維整合晶片製造（一期）項目已於近日開工，直指3DIC規模量產；甬矽電子擴產項目亦明確佈局2.5D產品線。
重金押注的背後，是AI爆發對算力的渴求與摩爾定律放緩之間的深刻矛盾。當先進製程迭代逼近物理極限，高算力晶片在前段晶圓製造之外，亟需創新路徑實現性能的持續躍升。
以三維晶片整合（2.5D/3DIC）為代表的芯粒多晶片整合封裝應運而生。它能夠突破單晶片1倍光罩的尺寸限制，在2倍、3倍光罩甚至更大尺寸範圍內，實現數百億甚至上千億個電晶體的異構整合。
盛合晶微表示，3DIC技術路徑可為客戶提供更高的設計靈活性，是支撐高性能晶片異構整合與系統擴展的關鍵技術之一。“前瞻規劃佈局規模量產能力，有利於公司在後摩爾時代與客戶緊密合作，滿足高算力、高頻寬、低功耗等全面性能提升對先進封裝的綜合性需求，搶抓先進封裝市場發展機遇。”
要實現2.5D/3D封裝，凸塊製造等中段工藝是必不可少的“橋樑”。因此，甬矽電子此輪擴產項目還包含了BUMP產品線。
此外，晶圓級封裝也是擴產重點：作為先進封裝的重要技術方向，晶圓級封裝目前已應用於AI晶片、CPU、GPU、儲存晶片、智能主控晶片、通訊晶片、電源管理晶片等諸多核心領域。
如通富微電計畫投資7.43億元提升晶圓級封測等產能，將新增晶圓級封測產能31.2萬片。該公司表示，此次加強晶圓級封裝能力建設，有助於其建構長期支撐先進計算、高速介面、小型器件封裝需求的技術優勢。
國泰海通證券研報指出，過去，晶片性能提升一直沿著摩爾定律進行，當前隨著晶片製程微縮的邊際成本的持續提升，先進封裝成為未來提升晶片性能的重要途徑。此外，國內華為提出的韜定律也是瞄準堆疊等先進封裝方式來提升晶片性能。隨著盛合晶微等先進封裝大廠上市，預計國內先進封裝建設的資本支出將持續增長。 (21世紀經濟報導)