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iPhone 18 Pro，驚天劇變

本月18日，iPhone 18 Pro系列正式開售。雷科技（ID：leitech）在Apple Store廣州天環店探訪時發現，iPhone 18 Pro系列首銷當天引來了不少黃牛，但超大杯2TB版基本無人問津。原因倒也不複雜，今年iPhone 18 Pro系列漲價了，大容量版本漲幅尤其大。 （圖源：雷科技） 隨著首批使用者陸續拿到了iPhone 18 Pro系列，部分使用者陸續發現了一個問題：自己多花幾千元買來的1TB、2TB大容量版本，快閃記憶體顆粒反而不如256GB、512GB版。 記憶體測試團隊HOMOLAB把常用的FIO工具移植到iOS，對一台1TB版iPhone 18 Pro Max做了壓力測試，這台手機的快閃記憶體被識別出是QLC。專做手機擴容的博主麥子俊i也統計了手頭上iPhone 18 Pro系列拆出來的顆粒：512GB的3個樣本全是TLC，1TB的24個樣本裡有23個是QLC，2TB的4個樣本全是QLC。
iPhone 18 Pro，驚天劇變
手機#蘋果#iPhone#iPhone18Pro
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《研報》長鑫記憶體、長江儲存、兆易創新、瀾起科技、江波龍深度商業解讀：從DRAM、NAND到主控與SSD，讀懂中國儲存產業鏈價值分工

研究對象：長鑫儲存（DRAM IDM）、長江儲存（3D NAND IDM）、兆易創新（NOR+SPI NAND Fabless）、瀾起科技（記憶體介面晶片Fabless）、江波龍（儲存模組/SSD系統整合） 核心命題：五家企業並非同業競爭，而是儲存產業鏈上五個完全不同的價值節點。長鑫與長江是底層晶圓顆粒製造（IDM）；兆易是小容量非易失儲存晶片設計；瀾起是伺服器記憶體互連配套晶片；江波龍是把顆粒、主控、PCB組裝成記憶體條、SSD、嵌入式儲存模組的系統整合商。 底層邏輯：儲存產業鏈的價值分配，遵循「裝置材料>晶圓製造IDM>專用晶片設計>模組整合」。儲存週期波動傳導順序：上游裝置材料→儲存原廠顆粒→模組廠商。國產儲存的突圍不是單點突破，而是顆粒、配套晶片、主控、模組、韌體、測試全鏈條協同。 第一卷 緒論：大眾最容易混淆的概念——DRAM、NAND、NOR、記憶體介面晶片、SSD模組
A股#長鑫儲存#長江儲存#兆易創新
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記憶體晶片，新變局！

儲存製造，重新回到美國？ 美國曾經在儲存領域擁有絕對的主導權。如果把時間拉回二三十年前，美國其實是全球儲存產業最重要的發源地之一。 英特爾、美光、AMD、閃迪，以及後來從AMD和富士通快閃記憶體業務中發展起來的Spansion（飛索半導體），都曾是全球儲存產業的重要力量。 但在之後漫長的產業整合中，美國儲存產業發生了明顯分化。
記憶體晶片，新變局！
科技#儲存晶片#美光#三星
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長江記憶體這下要爆了！

9月23日，儲存行業傳來重磅司法進展，長江儲存與美光的全球專利戰迎來關鍵轉折。 德國慕尼黑法院完成案件裁決，認定美光侵犯長江儲存兩項實用新型專利。 法院正式頒布銷售禁令，限制美光在德國市場售賣相關侵權儲存產品。 本次判決是2023年11月雙方專利爭端全面爆發後，長存斬獲的首個實質性海外禁令。
長江記憶體這下要爆了！
科技#專利戰#長江儲存#美光
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長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍到底有什麼區別？從DRAM、NAND到主控和SSD，看懂中國記憶體產業鏈真正的價值分工

上一篇文章我們聊HBM時提到：未來記憶體行業競爭，不會只是“誰能製造DRAM”。 而會變成：記憶體製造能力、先進封裝能力、高速介面能力以及系統解決方案能力的綜合競爭。 這也帶來一個問題：中國記憶體產業裡面，到底誰真正受益？ 很多時候，市場會把：長鑫記憶體、長江記憶體、兆易創新、瀾起科技、江波龍、佰維記憶體放在一起討論。
科技#半導體#長鑫儲存#長江儲存
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長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！

🔷DRAM電晶體開始“豎起來”，金屬柵也從TiN走向MoN 🔷Vth提升35%、漏電降低約40%，下一代1T1C技術路線浮出水面 在整理這份DRAM技術資料時，小編最大的感受是 當傳統DRAM不斷逼近微縮極限，電晶體“豎起來”只是第一步，如何進一步解決漏電、閾值電壓與可靠性問題，正在成為下一代DRAM的關鍵。這篇論文中，長鑫儲存（CXMT）將垂直無結柱狀電晶體（VJLPT）與高功函數MoN金屬柵結合，在保持約7.6 μA/cell導通電流的同時，將閾值電壓從0.20 V提升至0.35 V。 今天，小編就藉著這篇論文，帶大家看看下一代1T1C DRAM如何從平面電晶體走向垂直電晶體，以及MoN金屬柵、Wrapped Gate和VJLPT，如何成為DRAM繼續向更高密度、更低漏電方向演進的新技術路線。
長鑫記憶體下一代DRAM新突破：垂直無結電晶體+MoN金屬柵，Vth提升35%！
科技#DRAM#長鑫儲存#MoN
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記憶體持續漲價被懟“不實”！

在AI引爆記憶體超周期記憶體價格節節攀升之際，市場的主流判斷是記憶體漲價會持續到2027年甚至更久。 但據媒體報導，中國台灣PC及IT硬體廠商宏碁（Acer）董事長陳俊聖駁斥了“三大記憶體廠商”關於記憶體價格將持續上漲至202X年的說法，直言這種說法並不真實。 他特別指出，記憶體廠商之所以不斷對外表示“價格上漲趨勢將持續到2027年”，是因為受到反壟斷法規限制，廠商不能直接協調價格，因此只能通過公開發表言論的方式，向彼此釋放某種“訊號”。 陳俊聖表示，自己在這個行業做了這麼多年，一看就知道其中的門道。
記憶體持續漲價被懟“不實”！
科技#記憶體漲價#AI儲存超週期#反壟斷法
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路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場

2026年9月18日，路透社報導了一條消息。 長鑫記憶體計畫在北京新廠，建一條NAND Flash研發產線。 它還在北京設立研究院，項目包括NAND開發。 三名知情人士對路透社透露了這些資訊。
路透報導長鑫記憶體擬在北京建NAND研發線：AI儲存短缺窗口裡，長江儲存已送樣DRAM，雙雄互攻核心市場
科技#長鑫科技#長江儲存#NAND